JPS5931858B2 - 半導体探針測定装置 - Google Patents
半導体探針測定装置Info
- Publication number
- JPS5931858B2 JPS5931858B2 JP14167976A JP14167976A JPS5931858B2 JP S5931858 B2 JPS5931858 B2 JP S5931858B2 JP 14167976 A JP14167976 A JP 14167976A JP 14167976 A JP14167976 A JP 14167976A JP S5931858 B2 JPS5931858 B2 JP S5931858B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- semiconductor
- measurement
- measuring device
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプローブカードを使用した半導体探針測定装置
の、特に半導体素子と測定用探針との接触の検出に関す
るものである。
の、特に半導体素子と測定用探針との接触の検出に関す
るものである。
従来、半導体基板上に格子状に形成された半導体素子の
、プローブカードを使用した半導体探針測定装置は、第
１図に示す如く、プローブカード１の下方に、半導体基
板２を載置したＸ、Ｙ及びｚ方向に移動可能なステージ
３を有している。
、プローブカードを使用した半導体探針測定装置は、第
１図に示す如く、プローブカード１の下方に、半導体基
板２を載置したＸ、Ｙ及びｚ方向に移動可能なステージ
３を有している。
プローブカード下面６には、検出用探針４と多数の測定
用探針５が配置されている。検出用探針は上下動するス
テージ３の上限位置において、測定用探針と半導体素子
とのコンタクトの有無を代表させて感知する為のもので
あり、本装置に対して測定開始の信号を提供するもので
あり、又半導体基板周囲７が上限位置において検出用探
針から外れた場合は半導体素子が無いものとし、あらか
じめ定められた方向へステージを転換する信号を提供す
るものである。検出用探針の原理は第２図に示す如く、
半導体素子と検出用探針４とのコンタクトによる矢印方
向に流れる微少電流を検出する事により、又、第３図に
示す如く、２本の検出用探針４をあらかじめ接触導通さ
せ、コンタクト時にその２本の探針の接触導通を開放す
る事によりそれぞれ電流検出器８によつて検出している
。
用探針５が配置されている。検出用探針は上下動するス
テージ３の上限位置において、測定用探針と半導体素子
とのコンタクトの有無を代表させて感知する為のもので
あり、本装置に対して測定開始の信号を提供するもので
あり、又半導体基板周囲７が上限位置において検出用探
針から外れた場合は半導体素子が無いものとし、あらか
じめ定められた方向へステージを転換する信号を提供す
るものである。検出用探針の原理は第２図に示す如く、
半導体素子と検出用探針４とのコンタクトによる矢印方
向に流れる微少電流を検出する事により、又、第３図に
示す如く、２本の検出用探針４をあらかじめ接触導通さ
せ、コンタクト時にその２本の探針の接触導通を開放す
る事によりそれぞれ電流検出器８によつて検出している
。
これらの検出用探針は、共に半導体素子に、測定とは別
に電気的なバイヤスがかかる為、測定時には、そのバイ
アス回路を開放しなければならない欠点がある。又半導
体基板の縁周辺に位置する半導体素子の測定において、
検出用探針位置によつては、明らかに不良形状の半導体
素子の測定を行う場合、不良マーキングを半導体基板エ
ッジ部に打点する可能性があり、マーキング部品先端部
の変形などを誘発する欠点がある。又、検出用探針は半
導体素子の内部パターンに損傷を与えない様な位置の選
択が必要であり、そのため自由度が大巾に制限されて位
置設定が難しく、場合によつては複数組の検出用探針を
配置しなければならず、価格も高くなる欠点がある。又
測定用探針と半導体素子との十分な接触圧力等による正
常なコンタクト状態が、測定歩留りに大きな影響を及ほ
すが、検出用探針によつてコンタクトの有無は検出出来
ても、そのコンタクト状態の定量的な検出は不可能であ
る。従つて半導体基板の厚さのバラツキや、ステージ部
のＸ−Ｙ駆動軸に対する平行度の狂い等により、正常な
コンタクト状態が得られない欠点がある。本発明は前記
検出用探針を全く使用しないで、前記欠点を解消し、さ
らに半導体素子と測定用探針の再現性の良い正常なコン
タクトを行わしめる探針測定装置を提供する事を目的と
する。その装置は第４図に示す如く、プローブカード１
の上面もしくは下面の任意の位置に貼り付けた抵抗線ひ
ずみゲージ９により、コンタクト時の測定用探針５が半
導体素子より受ける接触圧力によるプローブカードのひ
ずみを、電気信号に変換して検出する事で達成される。
に電気的なバイヤスがかかる為、測定時には、そのバイ
アス回路を開放しなければならない欠点がある。又半導
体基板の縁周辺に位置する半導体素子の測定において、
検出用探針位置によつては、明らかに不良形状の半導体
素子の測定を行う場合、不良マーキングを半導体基板エ
ッジ部に打点する可能性があり、マーキング部品先端部
の変形などを誘発する欠点がある。又、検出用探針は半
導体素子の内部パターンに損傷を与えない様な位置の選
択が必要であり、そのため自由度が大巾に制限されて位
置設定が難しく、場合によつては複数組の検出用探針を
配置しなければならず、価格も高くなる欠点がある。又
測定用探針と半導体素子との十分な接触圧力等による正
常なコンタクト状態が、測定歩留りに大きな影響を及ほ
すが、検出用探針によつてコンタクトの有無は検出出来
ても、そのコンタクト状態の定量的な検出は不可能であ
る。従つて半導体基板の厚さのバラツキや、ステージ部
のＸ−Ｙ駆動軸に対する平行度の狂い等により、正常な
コンタクト状態が得られない欠点がある。本発明は前記
検出用探針を全く使用しないで、前記欠点を解消し、さ
らに半導体素子と測定用探針の再現性の良い正常なコン
タクトを行わしめる探針測定装置を提供する事を目的と
する。その装置は第４図に示す如く、プローブカード１
の上面もしくは下面の任意の位置に貼り付けた抵抗線ひ
ずみゲージ９により、コンタクト時の測定用探針５が半
導体素子より受ける接触圧力によるプローブカードのひ
ずみを、電気信号に変換して検出する事で達成される。
通常、半導体測定用探針は数本〜数十本で構成され、本
発明は特に多探針に有効に適用されるものである。
発明は特に多探針に有効に適用されるものである。
通常測定時の１本の測定用探針と半導体素子の電極との
接触圧力は１０９程度が最適といわれている。例えば測
定用探針を２４本必要とする半導体素子の場合、測定用
探針と半導体素子とのコンタクトにおいて、プローブカ
ードの中心部が受ける力は２４０９程度になり、探針の
弾性だけでは吸収出来なくなｖ、プローブカードは３０
〜５σμｍ程度の垂直なたわみをカード面に生ずる。こ
の場合プローブカード厚さを１．６能とすれば、プロー
ブカード上下面での伸びもしくは縮みは１μｍ程度生ず
る事が知られ、プローブカード巾を１００ｍ１とすれば
１０５程度のひずみ比を持つ。通常抵抗線ひずみゲージ
は１０６程度のひずみ比が検出可能である事が知られて
いる。抵抗線ひずみゲージのプローブカード面上での配
置個数および増巾器１０等を、公知の方法にのつとつて
最善に考慮する事により、プローブカード垂直方向の数
μｍのたわみを検出可能であるので、測定用探針と半導
体素子とのコンタクト状態を十分に感知する事が出来る
。抵抗線ひずみゲージは、比較的入手しやすい簡便なも
ので安価であり、従来の検出用探針を使用するのに比べ
て不良形状の半導体素子を測定する確率が減り、従つて
、マーキング部品先端部の損傷も減ク、測定時間も短く
なｖ、さらに機械的な回路開閉機構を持たない為、機能
としての信頼性が大巾に向上する。
接触圧力は１０９程度が最適といわれている。例えば測
定用探針を２４本必要とする半導体素子の場合、測定用
探針と半導体素子とのコンタクトにおいて、プローブカ
ードの中心部が受ける力は２４０９程度になり、探針の
弾性だけでは吸収出来なくなｖ、プローブカードは３０
〜５σμｍ程度の垂直なたわみをカード面に生ずる。こ
の場合プローブカード厚さを１．６能とすれば、プロー
ブカード上下面での伸びもしくは縮みは１μｍ程度生ず
る事が知られ、プローブカード巾を１００ｍ１とすれば
１０５程度のひずみ比を持つ。通常抵抗線ひずみゲージ
は１０６程度のひずみ比が検出可能である事が知られて
いる。抵抗線ひずみゲージのプローブカード面上での配
置個数および増巾器１０等を、公知の方法にのつとつて
最善に考慮する事により、プローブカード垂直方向の数
μｍのたわみを検出可能であるので、測定用探針と半導
体素子とのコンタクト状態を十分に感知する事が出来る
。抵抗線ひずみゲージは、比較的入手しやすい簡便なも
ので安価であり、従来の検出用探針を使用するのに比べ
て不良形状の半導体素子を測定する確率が減り、従つて
、マーキング部品先端部の損傷も減ク、測定時間も短く
なｖ、さらに機械的な回路開閉機構を持たない為、機能
としての信頼性が大巾に向上する。
又、他の効果として、半導体基板の厚さのバラツキやス
テージのＸ−Ｙ駆動軸に対する平行度が狂つた場合にお
いても、直接にそのコンタクト状態の定量的な把握が可
能な為、その出力によつてコンタクト駆動部を制御する
事により、常に正常なコンタクト状態を保持する事が出
米、測定歩留ｖも向上する効果がある。
テージのＸ−Ｙ駆動軸に対する平行度が狂つた場合にお
いても、直接にそのコンタクト状態の定量的な把握が可
能な為、その出力によつてコンタクト駆動部を制御する
事により、常に正常なコンタクト状態を保持する事が出
米、測定歩留ｖも向上する効果がある。
第１図は従米の半導体探針測定装置を示す側面図、第２
図、第３図はそれぞれ従来の検出用探針の原理図、第４
図は本発明の実施例の斜視図である。
図、第３図はそれぞれ従来の検出用探針の原理図、第４
図は本発明の実施例の斜視図である。
Claims (1)
- １ プローブカードを使用した半導体探針測定装置にお
いて、プローカードの上面もしくは下面の任意の位置に
、測定用探針と半導体素子との接触によつて生ずる前記
プローブカードのひずみを検知する１個以上のひずみゲ
ージを具備したことを特徴とする半導体探針測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14167976A JPS5931858B2 (ja) | 1976-11-24 | 1976-11-24 | 半導体探針測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14167976A JPS5931858B2 (ja) | 1976-11-24 | 1976-11-24 | 半導体探針測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5365670A JPS5365670A (en) | 1978-06-12 |
| JPS5931858B2 true JPS5931858B2 (ja) | 1984-08-04 |
Family
ID=15297670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14167976A Expired JPS5931858B2 (ja) | 1976-11-24 | 1976-11-24 | 半導体探針測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931858B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003084010A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波プローブ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006226829A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Yamaha Corp | プローブヘッド及び電子デバイスの検査方法 |
-
1976
- 1976-11-24 JP JP14167976A patent/JPS5931858B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003084010A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波プローブ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5365670A (en) | 1978-06-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102667505A (zh) | 低信号环境中的电容开路测试 | |
| JPS5931858B2 (ja) | 半導体探針測定装置 | |
| US7057248B2 (en) | Semiconductor component, particularly a micromechanical pressure sensor | |
| JPS59174710A (ja) | 測定装置の探触子 | |
| US6353325B1 (en) | Apparatus for examining posture of an electronic part | |
| JP2001024038A (ja) | プローブの位置決め方法および装置およびこれを利用した部材の評価方法 | |
| US6429670B2 (en) | Method of examining posture of an electronic part | |
| JPH08330368A (ja) | 半導体回路装置群及びそのプローブ試験方法 | |
| JPH1151906A (ja) | 腐食診断装置 | |
| JPH06163651A (ja) | 半導体ウェハ検査装置 | |
| JP2501613B2 (ja) | ウエハプロ―バ | |
| JPS598356Y2 (ja) | ブロ−ブカ−ド用エツジセンサ | |
| JPH0345125Y2 (ja) | ||
| JPS60231336A (ja) | プロ−ブ・カ−ド | |
| JPH05315412A (ja) | コンタクトポイントの判定方法 | |
| JPH062266Y2 (ja) | エッジセンサー | |
| JP2588715B2 (ja) | プローブ装置の探針先端位置検出方法 | |
| US20030218471A1 (en) | Reticle inspection | |
| JPH05172671A (ja) | 圧力センサ | |
| JPH0680712B2 (ja) | プローブボード | |
| JPH079439B2 (ja) | プローブ装置 | |
| JPS6231148A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2827285B2 (ja) | ウェーハ検査装置 | |
| JPH0743603Y2 (ja) | 接触検出装置 | |
| JPH0719819B2 (ja) | プローブ装置 |