JP2004266012A - 半導体装置 - Google Patents

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Katsutoshi Mochizuki
克寿 望月
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Abstract

【課題】本発明は、電極及び配線上にボンディングパッドを設ける半導体装置において、半導体素子にボンディングダメージによるクラックが生じ難い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板を覆う保護膜と、前記保護膜の開口部と、外部と電気的に接続される突起電極と、前記開口部を介して前記突起電極と電気的に接続される電極と、前記半導体基板と前記突起電極間に配された配線と、を有する半導体装置において、前記配線にスリットが設けられていることを特徴とする。
【選択図】 図3

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に関するものであり、特に半導体装置のボンディングパッド構造に関するものである。特にチップ幅が細い撮像装置としての密着型イメージセンサー、又はLEDヘッド用の細長いチップで、チップ幅を縮め収量を増やしコストダウンを図ることを目的にする場合に有効である。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体装置に利用されるボンディングパッドの構造としては図8に示す構成が知られている。
【0003】
図8は従来の半導体装置におけるボンディングパッドの構造を示した模式的断面図である。
【0004】
シリコン基板1の活性領域に接続された第1配線2上に層間絶縁膜6を介して第2配線7を形成し、第2配線7上に保護膜8およびポリイミド膜10を介してボンディングパッド14をシリコン基板1の活性領域と重なるように配置する。ボンディングパッド14と重なる領域内に第2配線7の複数の配線7a・7bを配設し、1本の配線7aを保護膜8およびポリイミド膜10の開口部9・11を通してボンディングパッド14と接合する一方、他の配線7bとボンディングパッド14との間に保護膜8およびポリイミド膜10を介在させる。11はポリイミド膜10の開口部、9は保護膜8の開口部、13は金バンプ、12はバリアメタル、20は半導体素子、25は絶縁膜である(特許文献1参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−198374号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図8に示すように、半導体素子(能動素子)上のボンディングパッド14が配線7bまで覆う構成の場合、ボンディングパッド14上にワイヤーボンディングを接合時の超音波エネルギーが、ボンディングパッド14を通して配線7bにダメージを与える場合があった。
【0007】
さらに図9を用いて具体的に説明する。
【0008】
図9は、従来の半導体装置におけるボンディングパッドの構造を示した模式的断面図である。
【0009】
図9において、110はバリアメタルとしてのTiW(タングステンチタン)、120は保護膜、125は保護膜120の開口部、130は突起電極100と電気的に接続されるAl電極、140は半導体基板115上に積層された複数のAl配線間の絶縁膜、150は半導体基板115上に積層された複数のAl配線、160は半導体基板115上に形成された酸化膜、180は能動素子である。
【0010】
しかしながら図9のようにAl配線150上に突起電極を配したボンディングパッド構造の場合、270で示す領域において、ワイヤーボンディング接合時の超音波エネルギーによるダメージによってAl配線150がクラックを生じる場合があった。
【0011】
図10は、従来の半導体装置におけるボンディングパッド構造を示した上面図、図11は図10の線X−X’における模式的断面図である。
【0012】
図10及び図11において、155はAl電極130から引き出されたAl電極配線である。図10に示されているようにAl電極配線155にクラックが生じている。
【0013】
クラックは、突起電極下に配されるAl配線、Al電極配線(以降、本明細書においてAl配線と称す)の面積が大きい、或いはAL配線の厚さが薄い場合に、ワイヤーボンディング時に加わる超音波エネルギーによってAl配線内に発生する圧縮応力が外部に開放されないことによって生じる。
【0014】
そこで本発明は、電極及び配線上にボンディングパッドを設ける半導体装置において、半導体素子にボンディングダメージによるクラックが生じ難い半導体装置を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板を覆う保護膜と、前記保護膜の開口部と、外部と電気的に接続される突起電極と、前記開口部を介して前記突起電極と電気的に接続される電極と、前記半導体基板と前記突起電極間に配された配線と、を有する半導体装置において、
前記配線にスリットが設けられていることを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
(実施形態1)
図1は本発明の実施形態1の半導体装置の模式的断面図である。
【0017】
図1において、100は能動素子180及びAL電極130上に金で形成された厚み5μmの突起電極(ボンディングパッド)、110はバリアメタルとして膜厚500nmのTiW(タングステンチタン)である。尚、バリアメタル110の膜圧は適宜決まり得るものであり本実施形態に限定されない。120は保護膜、125は保護膜120の開口部、130は突起電極100と電気的に接続される電極としてのAl電極、135はAl電極130の領域、140は半導体基板115上に積層された複数のAl配線間の絶縁膜、145はAl電極130に隣接するAl配線150との距離、150は半導体基板115上に積層された複数のAl配線、160は半導体基板115上に形成された酸化膜、180は能動素子、250はボンディング時の初期に発生する衝撃荷重を受ける領域、300は絶縁膜140を介して半導体基板115上に積層された複数のAL配線150を電気的に接続させるスルーホールである。
【0018】
尚、電極はCr電極で形成されていても良い。
【0019】
又、本実施形態においては能動素子180はAl電極の周囲に配されているが、直下であっても良い。周囲に配することワイヤーボンディングの衝撃荷重によるダメージを受け難い点で好適である。
【0020】
尚、本明細書で述べるところの周囲とは、Al電極と能動素子とが水平方向に対して離れた構成であることを表している。
【0021】
次に図2を用いてさらに具体的に説明する。
【0022】
図2は、本発明の半導体装置のボンディングパッドにワイヤーボンディングをする工程を示した模式的断面図である。
【0023】
図2において、210はボンディングワイヤー、240はボンディングワイヤー210の先端に形成されたAuボールである。
【0024】
ボンディングプロセス初期において、Auボール240が突起電極100にぶつかる際に生じる衝撃荷重は下に配線、能動素子等の無い領域250で受ける。その後、荷重をかけながら超音波で接合する工程でAu突起電極100下のAl配線150、能動素子180に荷重、超音波エネルギーが加わる構成になっている。
【0025】
本発明は、上述の超音波エネルギーによるダメージを低減することを目的と、Al配線にスリットを設けたことを特徴とする。
【0026】
ここで図3及び図4を用いて具体的に説明する。
【0027】
図3は本発明の半導体装置の上面図、図4は図3の線Y−Y’における模式的断面図である。
【0028】
図3及び図4において、155はAl電極より引き出されるAl電極配線、190はAl電極配線に形成されたスリットである。
【0029】
図3に示されている様に、突起電極100下のAl電極配線155には複数のスリット190が形成されていることが特徴である。スリット190を形成することで、突起電極にワイヤーボンディングが接合されるときに加わる超音波エネルギーが開放されやすい構造となった。従って、超音波エネルギーによる圧縮応力によって局所的に発生していたAl電極配線155のクラックが生じ難い構造の半導体装置が提供できた。
【0030】
尚、スリットの数は適宜決まり得るものであり、本実施形態に限定されない。
【0031】
又、本実施形態においてはAl電極配線155を用いて説明したが、突起電極100と半導体基板100間に配されたAL配線150にスリットを設けても同様の効果が得られることは言うまでもない。
【0032】
又、突起電極100に配されるAl配線を細い配線とすることでも、ボンディング時に加わる超音波エネルギーにより発生す圧縮応力を開放し易い形状とし、局所的に発生していた配線部のクラックを回避できる。
【0033】
図5は本発明の別の半導体装置の上面図である。
【0034】
図5は各スリット190のコーナーが円の一部を形成している点で図3と異なる。スリット190のコーナーが丸みを持つことで超音波エネルギーが開放されやすい構造となりより好適である。
【0035】
尚、本実施形態の半導体装置はワイヤーボンディング時における衝撃荷重によるダメージを軽減するために能動素子180がAl電極130の周囲に配されている。
【0036】
図1を用いて具体的に説明するに、ワイヤーボンダーの1stボンディング位置精度が±10μmであるため衝撃荷重を受ける部分は周囲のマージンを含め25μm□以上必要になる。
【0037】
例えば、Alパッド部を25μm□、保護膜開口部を15μm□、Alパッド部から隣接配線までの距離を5μmとすることで領域が35μm□となり、更にその上に、バリアメタル、Auの順で積層し、前記Alパッド部と前記Au部の中心を合わせ、かつ該Au部サイズを80μm□とし、積層された前記バリアメタル、Auの下にAl配線、及び能動素子を配する。尚Au下の面積の大きいAl配線には予め幅10μmのスリットを10μm間隔で配置する。
【0038】
上記構成にすることにより、従来のサイズを小さくすることなくボンディングパッドを形成出来るため、従来の装置を変更しないため新たな設備投資を必要とせずチップサイズを小さくすることが可能になる。
【0039】
また、ボンディング時の衝撃荷重を受ける部分に配線、能動素子等を配さないこと、衝撃荷重を受ける部分及び超音波エネルギーが加わる周辺の大面積Al配線には複数のスリットを任意の間隔で入れることでボンディングダメージが生じない。
【0040】
また、Auをバンプめっきの様に厚くすることなくめっき厚みが10μm以下、実際には5μmでも1stボンディング時の衝撃荷重によるダメージを回避することできる。
【0041】
上記構成にすることにより、例えば3mm□サイズが2.8mm□サイズになりチップサイズを小さくすることが可能となり、ウエハーからの取り個数が増加しコストダウンが可能になる。
【0042】
更には、例えばチップサイズが幅0.35mm×長さ20mm程度の細長いチップの場合、チップ幅を小さくし取り個数を増やすのにより大きな効果がある。
【0043】
(実施形態2)
図6は本発明の半導体装置を複数個並べて用いたセンサーアレイの斜視図、図7は本発明の半導体装置を用いたセンサーアレイを組み込んだ密着イメージセンサーユニットの模式的断面図である。
【0044】
図6において、200は基板であって、本実施形態ではセラミック或いはガラスエポキシ基板、ガラス基板いずれでも使用可能である。260はボンディングワイヤー210及び半導体チップ220を封止する封止樹脂である。
【0045】
図7において、410はレンズアレー、400はフレーム、420は保護ガラス、440は原稿照明用のR、G、B一体で成形されたLED、450は前記LEDのリード、430は原稿照明用のライトガイドである。
【0046】
尚、図6及び図7において図1に示した部分と同様の部分には同一符号を付している。
【0047】
図7に示される密着イメージセンサーユニットは、ライン状に複数個のセンサーチップ220を読み取り原稿の長さに対応してセラミック基板200上に精度良く並べてボンディングワイヤー210で基板配線と接続され封止樹脂260で覆われて構成されるセンサーアレイとレンズアレー410をフレーム400で位置決め保持し、前記レンズアレーを含む光学系を保護する保護ガラス420、原稿照明用のR、G、B一体で成形されたLED440、原稿照明用のライトガイド430で構成されている。前記LEDはリード450で前記セラミック基板接続されている。
【0048】
原稿を読み取る場合、密着イメージセンサーユニットを副走査方向に移動しながら内蔵されたLED,ライトガイドからRed、Green、Blueの3色の光を切り替えて原稿に順次照明する。原稿のRed、Green、Blueの3色の光情報を前記レンズアレーによりセンサーチップに結像し光情報を電気信号に変換し原稿読み取りシステムに電送する。
【0049】
本発明の半導体装置のボンディングパッドは前記センサーチップの幅を小さくしウエハーからの取個数を増やすことによって密着イメージセンサーのコストダウンを可能にあるものである。
【0050】
【発明の効果】
本発明によれば、突起電極下に配線が配された半導体装置において、配線にスリットが形成されたことにより、配線にダメージを与えることなくワイヤーボンディングが出来る半導体装置が提供できた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1の半導体装置の模式的断面図である。
【図2】本発明の半導体装置のボンディングパッドにワイヤーボンディングをする工程を示した模式的断面図である。
【図3】本発明の半導体装置の上面図である。
【図4】図3の線Y−Y’における模式的断面図である。
【図5】本発明の別の半導体装置の上面図である。
【図6】本発明の半導体装置を複数個並べて用いたセンサーアレイの斜視図である。
【図7】本発明の半導体装置を用いたセンサーアレイを組み込んだ密着イメージセンサーユニットの模式的断面図である。
【図8】従来の半導体装置におけるボンディングパッドの構造を示した模式的断面図である。
【図9】従来の半導体装置におけるボンディングパッドの構造を示した模式的断面図である。
【図10】従来の半導体装置におけるボンディングパッド構造を示した上面図である。
【図11】図10の線X−X’における模式的断面図である。
【符号の説明】
100 突起電極
110 バリアメタル
120 半導体の保護膜
125 保護膜の開口部
130 Al電極
135 Al電極の領域
140 Al配線間の絶縁膜
145 Al電極と隣接するAl配線の距離
150 突起電極下に配されたAl配線
155 Al電極配線
160 酸化膜
180 突起電極下に配された能動素子
190 スリット
200 基板
210 ボンディングワイヤー
220 半導体チップ
230 1stボンド部
240 ワイヤーの先端のAuボール
250 ボンディング時の衝撃荷重を受ける領域
260 チップ封止樹脂
400 フレーム
410 レンズアレー
420 保護ガラス
430 ライトガイド
440 LED
450 LEDリード

Claims (7)

  1. 半導体基板と、前記半導体基板を覆う保護膜と、前記保護膜の開口部と、外部と電気的に接続される突起電極と、前記開口部を介して前記突起電極と電気的に接続される電極と、前記半導体基板と前記突起電極間に配された配線と、を有する半導体装置において、
    前記配線にスリットが設けられていることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記スリットが複数配されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記スリットの各コーナー部は円の一部から形成されていることを特徴とする請求項1及び2に記載の半導体装置。
  4. 前記半導体基板には能動素子が形成され、前記突起電極が前記電極及び前記能動素子上に配されるとともに、前記能動素子が前記電極の周囲に配されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  5. 前記電極と前記能動素子とが水平方向に対して離れて配されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
  6. 前記突起電極は、バリアメタルを介して前記電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  7. 前記突起電極の厚みは10μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008140969A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路及びその製造方法
JP2008218442A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置及びその製造方法
JP2009538537A (ja) * 2006-05-23 2009-11-05 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド パッシベーション及びポリイミドにより包囲されたコンタクト及びその製造方法
JP2016092061A (ja) * 2014-10-30 2016-05-23 株式会社東芝 半導体装置および固体撮像装置
US11404357B2 (en) 2017-07-24 2022-08-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009538537A (ja) * 2006-05-23 2009-11-05 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド パッシベーション及びポリイミドにより包囲されたコンタクト及びその製造方法
JP2008140969A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路及びその製造方法
JP2008218442A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置及びその製造方法
JP2016092061A (ja) * 2014-10-30 2016-05-23 株式会社東芝 半導体装置および固体撮像装置
CN105609512A (zh) * 2014-10-30 2016-05-25 株式会社东芝 半导体装置、固体摄像装置以及相机模块
US11404357B2 (en) 2017-07-24 2022-08-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device

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