JPH0298966A - イメージセンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はイメージセンサの製造方法に係り、特にイメー
ジセンサのセンサ部の静電気による破壊を防止する工程
をＡ（１１するイメージセンサの製造方法に関するもの
である。

（従来の技術） イメージセンサは、第５図及び第６図に示すように、絶
縁基板１上に形成されたセンサ部２と、このセンサ部２
の駆動を行なうため絶縁基板１上に実装された複数のＩ
Ｃ３と、このＩＣ３に制御信号、電源等の各種信号の供
給を行なうため絶縁基板１上に薄膜プロセスによって形
成された外部接続用配線４とによって梢成される。

画像入力装置としてのセンサ部２は、絶縁基板ｌ上にＣ
ｒの着膜及びフォトリソエヅチングプロセスにより複数
の個別電極１１としてのクロムパターンを形成し、これ
らを覆うように光導電体層１２としてのアモルファスシ
リコン層パターンをｒＰ状に形成し、この光導電体層１
２上に共３１ｍ電極１３としての酸化インジウム・スズ
層パターンを帯状に形成することにより複数のサンドイ
ッチ型センサを並設して成る。そして、個別電極１１の
端部及び外部接続用配線４は、それぞれボンディングワ
イヤ５．５を介してＩＣ３に接続されている。

以上のようなイメージセンサは、ＭＨに描かれな画像を
読み取る際、原稿とセンサ部とをほぼ密着して用いるこ
とができ、縮小光学系を必要としない大面積デバイスと
しての使用が可能となり、画像読取装置の小形化が実現
できる。

（発明が解決しようとする課題） このようなイメージセンサに於いて、センサ部２が形成
される絶縁基板１はガラスで構成されているため（ＩＦ
電しやすい性質を有している。絶縁基板１上に形成され
る藺別電ｆ！１１と共通電極１３とは均一に帯電せず、
両者の間に高電位差が生じてしまい、光導電体層１２が
ブレークダウンを起こすことにより破壊されるという問
題点があった。

また、個別電極１１と共通電極１３との間に電位差が無
くともこれらがグランドに対し高電位差を生じ、ている
状態で、グランドに接地されたワイヤを用いて個別電極
１１とＩＣ３とのボンディングを行なうと、共通電極１
３に帯電している電荷がＩＣ３に逃げ光導電体層１２に
過電流が流れて破壊してしまうという問題点があった。

これらの静電破壊を防止するため、帯電しない材料の上
に絶縁基板を置いたり、絶縁基板の裏面に帯電防止材を
塗布したりして帯電しない工夫を施していたが、静電破
壊を完全に防止することはできなかっな。

本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、イメージセ
ンサのセンサ部の静電破壊を防止する工程を具備するイ
メージセンサの製造方法を提供することを目的とする。

（課題を解決するための手段） 上記従来例の問題点を解消するため本発明に係るイメー
ジセンサの製造方法は、個別電極と共通電極とを一部で
接続するとともに、各個別電極を互いに接続させるショ
ートパターンを、ＩＣと前記個別電極とを接続した後に
切断して各個別電極間の電気的接続を解除する工程を具
備することを特徴としている。

（作用） 本発明によれば、ＩＣと個別電極との接続が終了する前
まで、個別電極と共通電極との８続状態が維持されてい
るので、個別電極と共通電極との間に電位差が生じるこ
とがない。

（実施例） 本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する
。

第１図及び第２図は一つの基板から複数のイメージセン
サを得る多数個数りセンサ（図では２個取り）の端部を
示している。

ガラス基板１００上に１５０ＯＡの膜厚にクロム（Ｃｒ
）を蒸着する。次にフォトリソエツチングプロセスによ
り、複数の個別電極１０１及びショートパターン１０２
をクロムパターンにより同時に形成する。

個別電極１０１は、方形状の画素！Ｏ１ａと、この画素
１０１ａから引き出される引き出し電極１０１ｂとから
構成される６画素１０１ａは、ガラス基板１００の長手
方向に二列（Ｘ列、Ｙ列）に並設され、また引き出し電
極１０１ｂは、長手方向と直交し、ガラス基板１００の
外側方向へ向う）って引き出されている。

ショートパターン１０２は、ガラス基板１００の中央部
に形成され、ガラス基板１００の長手方向に沿う横パタ
ーン１０２ａ（幅５０〜１００μｍ）と、これと直交し
Ａ列の画素とＢ列の画素を連結する複数の縦パターン１
０２ｂとから構成され、Ａ列及びＢ列の全ての画素１０
１ａが互いに接続するようになっている。

次に全ての画素１０１ａを覆うように、ＣＶＤ法により
１〜２μｍの膜厚のアモルファスシリコン（ａ−３ｉ）
層パターンからなる光導電体層１０３を帯状に形成する
。光導電体層１０３の長手方向の長さは、前記横パター
ン１０２ａより短く形成され、横パターン１０２ａの端
部が露出するようになっている。

そして、この光Ｗ　電体層１０３上に、スパッタ法によ
り６００〜１００ＯＡの膜厚の酸化インジウム・スズ（
ＩＴＯ）層を着膜する。この酸化インジウム・スズ（Ｉ
ＴＯ＞層のバターニングを行ない、Ａ列又はＢ列の画素
１０１ａを覆う二列の共通型１１０４ａ、１０４．ｂを
形成し、ガラス基礎板１００上にサンドイッチ’８４５
ｆｊの二列のセンサ部を構成する。この共通Ｗｂ　ｆ！
１０４　ａ　、　１０４　ｂの長手方向の長さは前記光
導電体ＮＪ１０３より長く形成され、共通電極１０４ａ
と共通電極１０４ｂとを連結するため端部に設けた連結
部１０４ｃが、前記横パターン１０２ａの端部と接続す
るように構成している。

次に、複数のＩＣ１０５をガラス基板１００の両側に長
手方向に沿って実装する。ＩＣ１０５のパッドと引き出
し電極１０１ｂの端部とをボンディングワイヤ１０６で
接続する。

ＩＣ１０５を保護するため、ＩＣ１０５上に樹脂（図示
せず）を帯状に塗布する。更に、センサ部を保護するた
め、センサ部上に保ＭＨ＜図示せず）を形成する。

次にダイシング工程により、ガラス基板１００を長手方
向に沿ってその中央部（横パターン１０２ａ上）で分離
して二個のイメージセンサを得る。

分離はスライシングマシーンを用いて行なうが、その刃
の幅は横パターン１０２ａの幅〈５０〜１００μｍ）よ
り太いので、第１図及び第２図に示した点線幅（α）部
分がダイシング領域となり削り取られる。従って、分離
と同時に横パターン１０２ａの全体が切断され、各個別
電極１０１間の電気的接続が解除される。

本実施例によれば、ダイシング工程で横パターン１０２
ａを切断することができるので、ショートパターン１０
２を切断する特別な工程を必要としない。

第３図及び第４図は、本考案の他の実施例を示すもので
ある。この実施例による方法は第１の実施例と異なり、
イメージセンサを１個づつ製造するタイプのものである
。

ガラス基板１００上に、前実施例と同様の工程で、クロ
ムパターンによる複数の個別電極１０１及びショートパ
ターン１０２、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）層パ
ターンからなる帯状の光導電体層１０３、酸化インジウ
ム・スズＩＴＯ）層パターンからなる帯状の共通な［１
０４を順次形成してサンドイッチ補遺のセンサ部を構成
する。

ショートパターン１０２は、ガラス基板１００の長手方
向に沿うように、ガラス基板１００のＩＣ実装部と引き
出し電ｆｆ１ｌ　Ｏ１ｂの端部間に形成された横パター
ン１０２ａと、この横パターン１０２ａと各引き出し電
極１０１ｂの端部を連結する複数の縦パターン１０２ｂ
とから構成され、各個別型ｆ１１０１　ａが互いに接続
するようになっている。

次に、複数のＩＣ１０５をガラス基板１００のＩＣ実装
部に長手方向に沿って実装する。ＩＣＩＯ３のパッドと
引き出し電ＷＩ　Ｏ１ｂの端部とをＡｕのボンディング
ワイヤ１０６で接続する。

ガラス基板１００の裏面からＹＡＧレーザーを第３図の
点線βに沿って縦パターン１０２ｂに焦点を合わせて照
射し、縦パターン１０２ｂを焼き切って各個別電極１０
１間の電気的接続の解除を行なう、クロムパターンを切
断するためのＹＡＧレーザーのパワーは、金ワイヤを切
断するパワより相当低く、しかも縦パターン１０２ｂと
ボンディングワイヤ１０６とでは２００μｍ以上離れて
おり、両者に焦点が合わないように焦点深度を調節すれ
ば、ボンディングワイヤ１０６に損傷を与えることなく
縦パターン１０２ｂのみを容易に切断することができる
。

最後に、ＩＣ１０５を保護するためＩＣ１０５上に樹脂
（図示せず）を帯状に塗布する。更に、センサ部を保護
するため、センナ部上に保護膜（図示せず）を形成して
イメージセンサを得る。

（発明の効果） 本発明によれば、ＩＣと個別電極との接続が終了する前
まで、個別電極と共通電極との接続状態が維持されてい
るので、個別電極と共通電極との間に電位差が生じるこ
とがなく、個別電極及び共通ｔｆ！で挟持された光導電
体層の静電破壊を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の製造方法を適用したイメージセ
ンサ端部の平面説明図、第２図（ａ）乃至（ｃ）はそれ
ぞれ第１図のＡ−Ａ’　　Ｂ−Ｂ′ｃ−ｃ′線断面説明
図、第３図は他の実施例の製造方法を適用したイメージ
センサ端部の平面説明図、第４図（ａ）乃至（ｃ）はそ
れぞれ第３図のＤ−Ｄ′、Ｅ−Ｅ’　、Ｆ−Ｆ’線断面
説明図、第５図はイメージセンサの平面説明図、第６図
は第５図のＶｌ−Ｖｌ′線断面説明図である。 ０・・・・・・ガラス基板 １・・・・・・個別電極 ２・・・・・・ショートパターン ３・・・・・・光導電体層 ４・・・・・・共通電極 ５・・・・・・ＩＣ ６・・・・・・ボンディングワイヤ ０４Ｃ ０２ａ Ｂ＝　（” 第３ Ｆ 第 図 手続補正書 く方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６３年特許願第２５０９５７号 ２、発明の名称 イメージセンサの＆！遣方法 （５４９）富士セ゛口・ンクス株式会社平成 １年１月３１日（発送臼） ６、補正の対象 図面 第２図を別紙添付の図面のように補正する（分区番号の
追加）。 Ｗ′」 第５図 第６図 第２ 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 光導電体層を個別電極及び共通電極で挟持するとともに
   、各個別電極を互いに接続させるショートパターンを有
   し、前記個別電極と共通電極とを一部で接続してなるサ
   ンドイッチ型センサ部を形成する工程と、 該センサ部を駆動するＩＣと前記個別電極とを接続した
   後に、前記ショートパターンを切断して各個別電極間の
   電気的接続を解除する工程とを具備するイメージセンサ
   の製造方法。