JPH08507179A - 薄膜電子装置の修理線構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 作像装置の修理線が、その修理線が作像装置配列内の下側にある部品の上方を伸びている所で、修理線の段の上方に配設されている保護層を含んでいる。保護層はいずれも、ポリイミド層を含んでおり、導電性修理線の段部分を、作像装置配列の製造過程の間に導電線が露出するエッチャント等から保護する。保護層は、修理交差領域で導電線の段の上方に配設されており、導電性修理線がその下方にあるアドレス線と垂直方向に整合して配設されている修理交差領域で、修理区域に保護層の保護材料が設けられていないようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】 薄膜電子装置の修理線構造 発明の背景 本発明は、全般的には薄膜電子表示装置又は作像装置に関し、更に具体的に言 えば、装置の能動部品を制御するための導電性アドレス線のマトリクス（行列） を有している固体放射作像装置のような装置に含まれている修理線構造に関する 。 表示装置又は作像装置内にある能動部品との間で電気信号を通すためのアドレ ス線は、固体作像装置の構造の一体の一部として形成されている。これらのアド レス線は通常、マトリクスを形成しており、一方の方向に伸びている線は走査線 と呼ばれ、実質的に垂直な方向に配設されている線はデータ線と呼ばれる。走査 線の電気信号（例えば、電圧）が典型的には、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ、 薄膜トランジスタＴＦＴとも呼ばれる）のようなスイッチング装置を制御し、こ のトランジスタは光センサのような能動部品をデータ線に接続して、（配列に入 射した検出される光子の数に対応している）光センサからの電気信号を読み出す ことができるようにする。その結果得られた信号を用いて、光センサの配列によ って検出された光子像を電子的に再現する。例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）の 配列で構成されている表示装置では、同様なアドレス線構造が用いられて いる。 走査線又はデータ線の欠陥は、薄膜作像装置の全体的な性能に悪影響を及ぼす ことがある。例えば、開路状態は、開路が存在している点より先のアドレス線に 接続されている能動部品を働かなくすることがある。データ線と走査線との間の 短絡も、短絡したデータ線又は走査線のいずれか一方に接続されているスイッチ ング・トランジスタに不正確な信号が印加されることに通ずることがある。いず れの場合も、装置内の多数の画素が影響を受け、そのためにその解像度をかなり 減少させる。不良なアドレス線を有している装置は、その結果働かなくなった画 素によって生ずる表示装置の解像度の劣化によっては、廃棄しなければならない ことがある。 薄膜電子式作像装置の製造費用が決まっている場合、修理過程の種々の点で修 理が可能である装置を提供することが望ましい。１つの方式では、薄膜表示装置 が、装置の両側に、通常は装置の能動区域の外側で、伝送線路の間に配設されて いるいくつかの補助の導電線を有している。例えば、本発明の譲受人に譲渡され た米国特許番号第４６８８８９６号を参照されたい。この米国特許に記載されて いる表示装置では、欠陥のあるアドレス線の開路を側路するためには、１つの補 助（又は修理）線を装置の一方の側で欠陥のある線に接続し（このため例えば、 線が互いに交差する点で２つの線をレーザ溶接することにより）、第２の補助線 を装置の反対側で欠陥のある線に接続することを必要 とする。補助線はジャンパ線等によって電気的に接続されており、開路状態の両 側で欠陥のある線に信号を印加することができるようにする。 これらの補助（又は修理）線は、光センサ配列の製造過程の一部として形成さ れることが典型的であり、この製造過程は、光センサ配列のアドレス線及び光セ ンサの形成を含んでいる。修理線は典型的には、配列から配列の縁に向かって伸 びているアドレス線に対して垂直な向きで、配列の縁に沿って配設されており、 修理線は、交差領域でそれぞれのアドレス線の一部と垂直方向に整合して配設さ れるようになっている。修理線は、ＦＥＴの製造に用いられる誘電体材料により 、アドレス線から電気絶縁されることが典型的である。導電線、及び交差領域の 上に配設されており、導電線を覆っている誘電体材料は、上側導電線の沈積に続 いて、ＴＦＴの不活性層、光ダイオード・アイランド、光ダイオード誘電体、共 通電極及び障壁層という部品の沈積及びパターン決めのような処理工程が行われ るときに、損傷を受けるおそれがある。この処理におけるエッチング工程により 、修理の交差部で、修理線が切断され、そのため、修理線がその下方にあるアド レス線に用いることができなくなることがあり、修理線の切れ目がどこで起こっ たかに応じて、修理線全体が働かなくなることがある。特に、修理線の縁は、こ れらの処理工程の間に最も損傷を受け易い。 作像装置が一層大型になり、走査線及びデータ線の数が 増加すると共に、装置全体として一層高い解像度が要求されるにつれて、許容し 得る働かない画素が一層少なくなる。作像装置が集成体として、修理を行うため に、欠陥のあるアドレス線に容易に溶接することのできる多数の利用可能な修理 線を有していることが望ましい。 従って、本発明の目的は、装置製造過程によって損傷を受け難い修理交差部を 有している薄膜電子式作像装置構造を提供することにある。 本発明の他の目的は、装置の修理が容易にできる耐久力のある薄膜電子装置修 理構造を提供することにある。 発明の要約 本発明によれば、薄膜電子式作像装置が複数の導電性アドレス線、例えば、第 １の軸線に沿った向きの走査線と、第２の軸線に沿った向きのデータ線とを含ん でおり、第２の軸線は、第１の軸線に対して実質的に垂直であり、こうしてマト リクスの配置を形成している。装置内では、少なくとも１つの導電線が、修理す ることができるようになることを希望するアドレス線に対して実質的に垂直な向 きに沿って配設されている修理線を含んでおり、修理線は交差領域でアドレス線 と垂直方向に整合するようになっている。 例えば、第１の導電線が第１の軸線に沿った向きになっていると共に、第２の 導電線が第２の軸線に沿った向きになっており、第２の線は、それぞれの修理交 差領域で第１の線と垂直方向に整合している。修理交差部で第１の導電線と第２ の導電線との間に誘電体層が配設されている。第 ２の導電線は、それが基板の上に配設されたその下側の部品の形状と実質的に同 形になるように配設されており、この線は、第２の導電線がその形状の面の特徴 の上方を伸びている位置に対応して設けられている複数の段を有している。第１ 及び第２の保護層が第２の導電線の選択された段の上方にそれぞれ配設されてい る。保護層は段の縁部分（即ち、その下方にある面の形状と同形になるように曲 げられている第２の導電線の上面）を覆うように配設されており、第１の保護層 と第２の保護層との間に修理区域が設けられている。修理区域は、第２の導電線 がその下方にある第１の導電線と垂直方向に整合している交差領域の一部で、第 ２の導電線の上にそれぞれの保護層の材料が実質的に全く配設されていない区域 を含んでいる。 第１及び第２の保護層はいずれも典型的には、ポリイミドのような有機誘電体 材料で構成されており、この材料は作像装置の製造中に、このような処置をしな い場合に第２の導電線が露出するエッチャント等から、その下方にある第２の導 電線の材料を保護する。 他の実施例では、例えば窒化シリコンのような無機誘電体で構成されている第 ３の保護層が、第１及び第２の保護層、並びに修理交差領域の修理区域の上方に 配設されている。 本発明の新規と考えられる特徴は、請求の範囲に具体的に記載してあるが、本 発明自体の構成、作用、並びにその他の目的及び利点は、以下図面について説明 するところか ら最もよく理解されよう。図面全体にわたり、同様な部分には同じ参照番号を用 いている。 図面の簡単な説明 第１図は作像装置配列内のアドレス線及び修理線の概略図である。 第２（Ａ）図は本発明の一実施例による修理交差区域の平面図である。 第２（Ｂ）図は第２（Ａ）図の線２Ｂ−２Ｂで切った修理交差区域の断面図で ある。 第３（Ａ）図は本発明の他の実施例による修理交差区域の平面図である。 第３（Ｂ）図は第３（Ａ）図の線３Ｂ−３Ｂで切った修理交差区域の断面図で ある。 第４図は本発明の更に他の実施例による修理交差区域の断面図である。 発明の詳しい説明 本発明を用いることのできる修理可能な作像装置構造の一例が第１図に示され ている。固体放射作像装置のような薄膜電子式作像装置１００（第１図）が、典 型的には（入射する光子を感知する装置を有している光センサ画素が配設されて いる位置のような）能動区域１５０を有している光センサ配列と、光センサ配列 内のそれぞれの画素を選択的にアドレスするように接続されている複数のアドレ ス線とを含んでいる。アドレス線は導電性であって、交差している線のマトリク ス（行列）を形成するように配設されて いる。例えば、走査線１１０（その代表的な１つを第１図に示す）が装置の第１ の軸線に沿った向きであり、データ線１０５（その代表的な１つを第１図に示す ）が第２の軸線に沿った向きである。第２の軸線は、装置の第１の軸線に対して 実質的に垂直であり、こうして装置内に伝送線路のマトリクスを形成している。 走査線及びデータ線は典型的には、それらの間に配設されている誘電体層（第１ 図には示していない）によって互いに電気絶縁されている。 典型的な作像装置による光センサ配列を製造するときに、走査線が基板の上に 形成され、配列の上方に誘電体層が沈積され、半導体材料が沈積されパターン決 めされて、各々の画素に関連する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（薄膜トラン ジスタＴＦＴとも呼ばれる）のようなスイッチング装置（図面に示していない） の本体を形成し、導電性金属を沈積すると共にパターン決めして、各々のＴＦＴ のソース電極及びドレイン電極、並びに典型的には配列内のデータ線をも形成し 、光ダイオードの半導体材料を沈積してパターン決めし、光ダイオードの上方に 共通電極を形成する。配列の１つ又は更に多くのアドレス線に開路のようなある 欠陥が発生することは、製造過程では稀ではない。歩留りを高めるために、これ らの欠陥の大部分が修理可能であることが重要である。 本発明のよれば、作像装置１００が更に、少なくとも１つ、典型的に複数（例 えば、約６個〜１２個）の補助線（修理線とも呼ぶ）１１５及び１２０を含んで いる。わか り易くするために、第１の軸線に沿った向きの（即ち、走査線１１０と平行な） 補助線を参照番号１２０で表し、第２の軸線に沿った向きの（即ち、データ線１ ０５と平行な）補助線を参照番号１１５で表す。補助線１１５及び１２０は、能 動区域１５０の境界と実質的に平行な向きで、それぞれの軸線と整合しており、 この境界の近くに設けられている。補助線１１５及び１２０はいずれも、各々の 端が修理接点パッド１２２にそれぞれ接続されており、それぞれの修理接点パッ ドは、第１図に示すように、線自体と装置１００の同じ側に配設されている。補 助線１１５及び１２０は典型的には、モリブデン、チタン、クロム、アルミニウ ム等のような導電性材料で構成されている。配列の向きを別とすると、補助線１ １５及び１２０は実質的に同一の構造である。 本発明の一実施例では、データ線１０５は、能動区域１５０の一方の側から能 動区域の反対側まで配設されている第１の部分１０６を含んでいる。能動区域１ ５０のそれぞれの縁で、各々のデータ線はそれぞれの延長分路１０７に接続され ている。延長分路は、光センサ配列内で走査線１１０と実質的に同じレベルに（ 例えば、基板上に）配設されている。延長分路１１７は、作像装置１００の縁の 近くで接点フィンガ１０８に接続されており、延長分路１０７は能動区域１５０ の縁（データ線の端末の位置）と配列の縁との間を伸びるようになっている。デ ータ線の第１の部分１０６と延長分路１０７との間、及び延長分路と接点フ ィンガ１０８との間の電気結合はいずれも典型的には、配列構造に形成されてい るバイアを通じて行われる。 これに限定されないが、例として言うと、データ線１０５′の開路のような欠 陥１１２が装置１００では、補助線１２０ｂがデータ線１０５′の上に交差して いる交差領域１１３で、欠陥があるデータ線１０５′の一方の側を第１の選択さ れた補助線（第１図に示す場合は、線１２０ｂ）に溶接（例えば、レーザ溶接に よる）し、補助線１２０ｃがデータ線１０５の上に交差している第２の修理交差 領域１１４で、欠陥のあるデータ線１０５′の反対側を第２の選択された補助線 （第１図に示す場合は、線１２０ｃ）に溶接することによって修理される。補助 線１２０ｂ及び１２０ｃに対するそれぞれの修理接点パッド１２２の間に結合さ れている導電性ジャンパ線１２５が、データ線１０５′の一方の接点フィンガ１ ０８′に印加された電気信号を欠陥を有するデータ線１０５′の残りの導電部分 にわたって印加することができるようにする。ジャンパ線１２５は装置１００の 作像装置パネルの外部にあってもよいし、又はその代わりに、それぞれの補助線 を電気的に結合し得る埋め込みの導電路のように、ジャンパ線１２５が装置の作 像装置パネル１００の一体の一部（図面に示していない）で構成されていてもよ い。同様に、走査線１１０にある欠陥も、欠陥を有している走査線の上方を交差 しているそれぞれの補助線１１５を用いることによって修理することができる。 普通の製造技術の結果、データ線１０５、並びに補助線１１５及び１２０は典 型的には、走査線１１０、スイッチング・トランジスタ等を形成するために用い られる半導体材料のように、配列内でその下側にある部品の形状の上に、配列の 垂直平面内で配設されている。本明細書で用いる「上方」、「上側」、「下側」 等の用語は、配列がその上に形成される基板に対する光センサ配列の層内の部品 の相対位置を指すものに過ぎず、装置１００の最終的な向きを何ら制約するもの ではない。補助線は、その下方にある部品の表面形状の変化する特徴と実質的に 同形になるように配設されている（例えば、その変化する特徴の上に配設されて いる。）。 配列内のこのような相対的な垂直位置にあるときに、補助線は、光ダイオード のような部品のパターン決め工程で用いられるエッチャント等に露出される。こ れらの製造過程の結果、補助線１１５及び１２０を構成している導電材料に損傷 が起こり、例えば、補助線に沿った開路又は補助線の寸法の減少を招き、交差領 域に十分な寸法（例えば、補助線をその下方にある導電線に有効に溶接するため には、約１０μｍ×１０μｍが推奨される。）を有する修理交差領域がもはや存 在しないことがある。露出した上側導電線（例えば、補助線）の劣化し易さは、 修理交差領域、即ち、補助線１１５が走査線１１０と交差している（例えは、垂 直方向に整合している）装置内のそれぞれの区域で、又は補助線１２０の場合に は、補助線がデータ線１０５のそれ ぞれの延長分路１０７の上方を通過している区域で最大である。補助線に対する 損傷は、その下方にある部品の側壁の上方に配設されている上側導電線の縁（即 ち、補助線が面の形状の輪郭の変化の上方を伸びるように曲がっている所）で特 に明らかである。このような損傷は、補助線の金属の劣化、及びその下方にある 誘電体材料の劣化を含んでいることがある。従来の大抵の配列作像装置では、補 助線１１５及び１２０は、窒化シリコン、酸化シリコン等の誘電体材料の比較的 薄い（例えば、約０．１μｍ〜０．５μｍ）層のみによって保護されている。こ の構造では、補助線１１５及び１２０は侵食を受け易く、このような導電線の縁 （補助線の側壁及び上面が、その下方にある形状の上方を伸びている線の段の所 で一緒になる所）では特に浸食を受け易い。 本発明によれば、第１の保護層２４０₁及び第２の保護層２４０₂が、作像装置 の各々の修理交差領域２００（第２（Ａ）図）で上側導電線（例えば、補助線１ １５及び１２０）の上に配設されている。本明細書で用いる「修理交差領域」は 、光センサ配列内で、補助線がその下方にある走査線と垂直方向に整合している 位置、又はその代わりに、補助線がデータ線のその下方にある延長分路１０７と 垂直方向に整合している位置を指す。基本的な構造は装置内の各々の修理交差領 域に対して同じであるので、例示のため、第２図では、下側にある線、即ち走査 線を第１の導電線２１０と呼び、上側にある線、即ち補助線を第２の導電線２ ２０と呼ぶ。 第２（Ａ）図の平面図では、半導体材料のアイランド２３０が、第１の導電線 ２１０と第２の導電線２２０との間に配設されている。第１の導電線２１０の典 型的な幅は、約１０μｍと３０μｍとの間の範囲内であり、第２の導電線２２０ の典型的な幅は、約１０μｍと３０μｍとの間である。半導体材料のアイランド ２３０は典型的には、修理交差領域２００に実質的に中心合わせされていると共 に、約２０μｍ×２０μｍから５０μｍ×５０μｍまでの範囲内の寸法を有して おり、半導体材料のアイランド２３０の側方の境界が、第１及び第２の導電線の 垂直整合区域を越えて伸びている。第１及び第２の保護層２４０₁及び２４０₂は 、第２の導電線２２０が第１の導電線２１０と垂直方向に整合している交差修理 領域２００で、その間に修理区域２６０を残すように、第２の導電線２２０のそ れぞれの側に設けられている。修理区域２６０は、レーザ溶接を行うのに十分な 面積を有しており、典型的には約１００μｍ²と１０００μｍ²との間の面積を有 している。溶接し易くするために、保護層２４０を構成している材料が修理区域 ２６０に配設されていないことが望ましい。作像装置を修理する際、通常、約１ ０μｍ²の寸法をそれぞれ有している約３つの溶接部が、第１の導電線と第２の 導電線との間の満足し得る電気的な接触を保証するために望ましい。 第２（Ｂ）図は第２（Ａ）図に示す作像装置１００の一部を線２Ｂ−２Ｂで切 った断面図である。第１の導電線２ １０は、硝子等で構成されている基板２０５の上に配設されている。第１の導電 線は、クロム、モリブデン、チタン、アルミニウム等の導電材料で構成されてい る。誘電体層２１２が、第１の導電線２１０の上方に配設されており、典型的に は窒化シリコン、酸化シリコン、これらの材料の組み合わせ等の無機誘電体材料 で構成されている。 半導体材料のアイランド２３０が、修理交差領域２００の近辺で第１の導電線 ２１０の上方に普通のように配設されており、光センサ配列のＴＦＴの製造に用 いられる種類の半導体材料で構成されている（こうして、半導体材料のアイラン ドをＴＦＴの形成と同時に沈積してパターン決めすることができるようにする。 ）。半導体材料のアイランド２３０は典型的には、真性非晶質シリコンの第１の 層２３２と、ｎ形の導電形を有するようにドープされた非晶質シリコンの第２の 層２３４（第２の導電線２２０の下方にある領域にある）で構成されている。半 導体材料のアイランド２３０のうち、第２の導電線２２０の下方にない領域では 、光センサ配列の製造中の処理工程の結果として、ドープされたシリコン層２３ ４は除去されることが典型的である。 第２の導電線２２０は、それが修理交差領域２００で半導体材料のアイランド の上方を通るときに、半導体材料のアイランド２３０の面の形状と実質的に同形 になるように配設されている。この形状の輪郭の上方を伸びるときの第２の導電 線の曲がり又は段が、製造過程で後にエッチャン トに対する露出から損傷を最も受け易い導電金属の段のカバーの真性の欠陥が頻 繁に起こる位置である。これは、それに重なる誘電体保護層が段の上方で一層薄 手になる傾向があり、そのため、この後のエッチング工程の間、その下方にある 段を損傷から保護し損ないがちであるからである。第２の導電線２２０は、導電 線が半導体材料のアイランド２３０の一方の側で側壁２３５に接している所の近 辺に第１の段２２２と、導電線が半導体材料のアイランド２３０の反対側の側壁 ２３５に接している所の近辺に第２の段２２４とを含んでいる。半導体材料のア イランドの形状は更に、その下方にある第１の導電線２１０に対応する稜部（即 ち、半導体材料のアイランド２３０がその下方にある第１の導電線２１０の上方 に昇ってその上方を伸びている稜部）を含んでおり、第２の導電線２２０は更に 、この導電線が全体的に第１の導電線２１０の縁の上方で、半導体材料のアイラ ンド２３０の稜部の上方を伸びている所の近辺に、第３の段２２６と、第４の段 ２２８とを含んでいる。 本発明の一実施例によれば、第１の保護層２４０₁は第１及び第３の段２２２ 及び２２６の両方を覆うように配設されており、第２の保護層２４０₂は第２の 導電線２２０の第２及び第４の段２２４及び２２８の両方を覆うように配設され ている。第１及び第２の保護層２４０はいずれも典型的には、ポリイミドのよう な無機誘電体材料で構成されており、この材料は典型的には、約０．５μｍと３ μｍとの間の範囲内の厚さに、回転被覆（スピン・コーティン グ）過程で沈積される。 この構成では、保護層２４０は、作像装置１００の製造処理の工程の間に、導 電線２２０の構造的な健全性が最も侵され易い段（即ち、第２の導電線のうち、 その下方にある構造の上方を通過する所の縁を有している部分）を保護しながら 、第１の導電線と第２の導電線との間でレーザ削摩による溶接を容易に行うこと ができるようにするのに十分な空間を有している修理区域２６０を残す。例えば 、第１及び第２の保護層２４０は、酸化インジウム錫の光センサ配列の共通電極 を形成するときの製造用のエッチング工程、又は配列の上にある不活性化被覆の 部分を除去するときに典型的に用いられるＨｃｌ、Ａｒ、Ｏ₂、アセトン若しく はその組み合わせのような反応性イオン・エッチャントから第２の導電線２２０ の覆われた部分を保護する。保護層２４０がなければ、第２の導電線は、作像装 置の通常の製造工程の間、このようなエッチャントに露出される。 本発明の他の実施例が、第３（Ａ）図及び第３（Ｂ）図に示されており、これ らの図は、第２（Ａ）図及び第２（Ｂ）図について上に述べたのと同じ作像装置 １００の修理交差領域２００を例示しているが、次に述べる点が異なる。第３（ Ａ）図及び第３（Ｂ）図に示すように、第１の保護層２４０₁は、第２の導電線 ２２０の第１の段２２２を覆うように配設されているが、第２の導電線の第３の 段２２６を覆うようには伸びていない。同様に、第２の導電層２４０₂は、第２ の導電線２２０の第２の段２２４を覆 うように配設されているが、第２の導電線が第４の段２２８を覆うようには伸び ていない。この構成では、保護層２４０は、第１の導電線と第２の導電線との間 で行われるデータ削摩による溶接部のために利用可能な最大の修理区域２６０を 形成しながら、第２の導電線２２０の最も重要な（即ち、この後の処理工程に対 する露出の結果として劣化を生じがちの）段を保護する。第１及び第２の段は、 半導体材料のアイランド２３０の側壁２３５の上方を導電線が昇るのに必要な急 峻な勾配のため、第２の導電線２２０における最も影響を受け易い段である（例 えば、側壁における半導体材料のアイランドの厚さは、約０．３μｍから０．６ μｍまでの範囲内であるが、第１の導電線２１０の厚さは典型的には、約０．１ μｍ〜０．３μｍである。）。 第３（Ｂ）図に示す本発明の他の実施例は、第１及び第２の保護層２４０と、 修理交差領域２００の残りの部分との少なくとも両方を覆うように、配列の上方 に配設されている第３の保護層２７０を含んでいる。（第３（Ｂ）図に例として 示してあるが、本発明のこの実施例は、第２（Ａ）図及び第２（Ｂ）図に示す第 １及び第２の保護層の構造にも同じように適用可能である。）第３の保護層２７ ０は典型的には、窒化シリコン等のような無機誘電体材料で構成されており、典 型的には厚さが、約０．１μｍから２μｍまでの間の範囲内である。第３の保護 層２７０は更に、通常はＣＦ₄、Ｏ₂、ＳＦ₆及びＣｌ₂の組み合わせを用いたドラ イ・エッチングによる修理交差領域からの窒化シリ コンの除去の際の侵食から修理交差領域、第２の導電線２２０、並びに第１及び 第２の保護層を保護する。 本発明の他の実施例が第４図に示されており、この図は、作像装置１００の修 理交差領域２００を示しており、これは次に述べる点を別にすると、第２（Ａ） 図及び第２（Ｂ）図について前に述べたところと同じである。この実施例では、 修理交差領域に半導体材料のアイランド２３０が配設されていない。このため、 この領域の面の形状は、誘電体層２１２がその下方にある第１の導電線２１０の 上方を伸びている所でのその輪郭で構成されている。保護層２４０₁及び２４０₂ は、導電線が誘電体層２１２の輪郭の上方を伸びている所で、第２の導電線２２ ０の第１及び第２の段２２２及び２２４の上に配設されている。 本発明のある特徴のみを図面に示して説明したが、当業者には種々の改変及び 変更が考えられよう。従って、請求の範囲は、本発明の要旨の範囲内に含まれる このようなすべての改変及び変更を包括することを承知されたい。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 8427−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｓ 8427−4Ｍ Ａ (72)発明者 クワズニック，ロバート・フォーレスト アメリカ合衆国、12309、ニューヨーク州、 スケネクタデイ、ミリントン・ロード、 1021番

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 基板の上に製造された画素配列構造を有している薄膜電子式作像装置で あって、前記画素配列構造は、 前記作像装置の第１の軸線に沿って設けられている第１の導電線と、 前記基板の上及び前記第１の導電線の上方に設けられている誘電体層と、 前記作像装置の第２の軸線に沿って設けられている第２の導電線であって、前 記第２の軸線は、前記第１の軸線に対して実質的に垂直に向いており、前記第２ の導電線は、それぞれの交差領域の所で前記第１の導電線と垂直方向に整合する ように前記作像装置内に設けられており、前記誘電体層は、前記第１の導電線と 前記第２の導電線との間に設けられており、前記第２の導電線は、前記基板の上 に設けられたその下方にある部品の形状と実質的に同形になっており、前記第２ の導電線は、該第２の導電線が前記形状の面の特徴の上方を伸びている所の位置 と対応して設けられている複数の段を含んでいる、第２の導電線と、 該第２の導電線の選択された段の上方にそれぞれ設けられている第１及び第２ の保護層であって、該第１及び第２の保護層は、前記第１の導電線と垂直方向に 整合して設けられている前記第２の導電線の一部の所で該第１の保護層と該第２ の保護層との間に設けられている修理区域により隔てられている、第１及び第２ の保護層とを備えた薄膜電子式作像装置。 ２． 前記第１及び第２の保護層はいずれも、有機誘電体材料で構成されてい る請求項１に記載の装置。 ３． 前記第２の導電線は、前記誘電体層が前記第１の導電線の上方を伸びて いる所で、前記誘電体層の向かい合った側壁に対応して設けられている第１及び 第２の段を含んでいる請求項２に記載の装置。 ４． 前記第１及び第２の保護層は、前記第１及び第２の段の外側の縁を覆う ようにそれぞれ設けられている請求項３に記載の装置。 ５． 前記誘電体層と前記第２の導電線との間で前記交差領域に設けられてい る半導体アイランドを更に含んでおり、該半導体アイランドの横方向の限界は、 前記交差領域の境界を越えて伸びており、前記第２の導電線は更に、該第２の導 電線が前記半導体アイランドの側壁の上方を伸びている所で、前記半導体アイラ ンドの両側に対応して設けられている第３及び第４の段を含んでいる請求項２に 記載の装置。 ６． 前記第１の保護層は、前記第２の導電線の前記第１及び第３の段の上方 に設けられており、前記第２の保護層は、前記第２の導電線の前記第２及び第４ の段の上方に設けられている請求項５に記載の装置。 ７． 前記第１の保護層は、前記第２の導電線の前記第１の段を覆わずに前記 第２の導電線の前記第３の段を覆うように設けられており、前記第２の保護層は 、前記第２の導電線の前記第２の段を覆わずに前記第２の導電線の前記 第４の段を覆うように設けられている請求項５に記載の装置。 ８． 前記有機誘電体材料は、ポリイミドを含んでいる請求項２に記載の装置 。 ９． 前記第１及び第２の保護層の各々に設けられているポリイミドの厚さは 、約０．５μｍと２．５μｍとの間の範囲内である請求項８に記載の装置。 １０． 前記第１及び第２の保護層は、前記修理区域が約１００μｍ²と１０ ００μｍ²との間の範囲内の面積を有するように設けられている請求項２に記載 の装置。 １１． 前記半導体アイランドは、シリコンを含んでいる請求項１４に記載の 装置。 １２． 前記半導体アイランドは、前記作像装置に設けられている電界効果ト ランジスタを構成している半導体材料に対応した材料を含んでいる請求項１１に 記載の装置。 １３． 前記交差領域の面積は、約１００μｍ²と１６００μｍ²との間である 請求項１に記載の装置。 １４． 前記第１及び第２の保護層、並びに前記修理区域の上方に設けられて いる第３の保護層を更に含んでおり、該第３の保護層は、無機誘電体材料を含ん でいる請求項１に記載の装置。 １５． 前記第３の保護層は、窒化シリコンを含んでいる請求項１４に記載の 装置。 １６． 前記窒化シリコンの第３の保護層は、約０．１μｍと１．５μｍとの 間の範囲内の厚さを有している請求 項１５に記載の装置。