JPH0276261A - イメージセンサの製造方法 - Google Patents
イメージセンサの製造方法Info
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- JPH0276261A JPH0276261A JP63227750A JP22775088A JPH0276261A JP H0276261 A JPH0276261 A JP H0276261A JP 63227750 A JP63227750 A JP 63227750A JP 22775088 A JP22775088 A JP 22775088A JP H0276261 A JPH0276261 A JP H0276261A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はイメージセンサの製造方法に係り、特にイメー
ジセンサのセンサ部の静電気による破壊を防止する工程
を具備するイメージセンサの製造方法に関するものであ
る。
ジセンサのセンサ部の静電気による破壊を防止する工程
を具備するイメージセンサの製造方法に関するものであ
る。
（従来の技術）
イメージセンサは、第４図及び第５図に示すように、絶
縁基板１上に形成されたセンサ部２と、このセンサ部２
の駆動を行なうため絶縁基板１上に実装された複数のＩ
Ｃ３と、このＩＣ３に制御信号、電源等の各種信号の供
給を行なうため絶縁基板１上に薄膜プロセスによって形
成された外部接続用配線４とによって構成される。
縁基板１上に形成されたセンサ部２と、このセンサ部２
の駆動を行なうため絶縁基板１上に実装された複数のＩ
Ｃ３と、このＩＣ３に制御信号、電源等の各種信号の供
給を行なうため絶縁基板１上に薄膜プロセスによって形
成された外部接続用配線４とによって構成される。
画像入力装置としてのセンサ部２は、絶縁基板１上にＣ
ｒの着膜及びフォトリソエツチングプロセスにより複数
の個別電極１１としてのクロムパターンを形成し、これ
らを覆うように光導電体層１２としてのアモルファスシ
リコン層パターンを帯状に形成し、この光導電体層１２
上に共通電極１３としての酸化インジウム・スズ層パタ
ーンを帯状に形成することにより複数のサンドイッチ型
センサを並設して成る。そして、個別電極１１の端部及
び外部接続用配４１４は、それぞれボンディングワイヤ
５．５を介してＩＣ３に接続されている。
ｒの着膜及びフォトリソエツチングプロセスにより複数
の個別電極１１としてのクロムパターンを形成し、これ
らを覆うように光導電体層１２としてのアモルファスシ
リコン層パターンを帯状に形成し、この光導電体層１２
上に共通電極１３としての酸化インジウム・スズ層パタ
ーンを帯状に形成することにより複数のサンドイッチ型
センサを並設して成る。そして、個別電極１１の端部及
び外部接続用配４１４は、それぞれボンディングワイヤ
５．５を介してＩＣ３に接続されている。
以上のようなイメージセンサは、原稿に描かれた画像を
読み取る際、原稿とセンサ部とをほぼ密着して用いるこ
とができ、縮小光学系を必要としない大面積デバイスと
しての使用が可能となり、画像読取装置の小形化が実現
できる。
読み取る際、原稿とセンサ部とをほぼ密着して用いるこ
とができ、縮小光学系を必要としない大面積デバイスと
しての使用が可能となり、画像読取装置の小形化が実現
できる。
（発明が解決しようとする課題）
このようなイメージセンサに於いて、センサ部２が形成
される絶縁基板１はガラスで構成されているため帯電し
やすい性質を有している。絶縁基板１上に形成される個
別電極１１と共通電極１３とは均一に帯電せず、両者の
間に高電位差が生じてしまい、光導電体層１２がブレー
クダウンを起こすことにより破壊されるという問題点が
あった。
される絶縁基板１はガラスで構成されているため帯電し
やすい性質を有している。絶縁基板１上に形成される個
別電極１１と共通電極１３とは均一に帯電せず、両者の
間に高電位差が生じてしまい、光導電体層１２がブレー
クダウンを起こすことにより破壊されるという問題点が
あった。
また、個別電極１１と共通電極１３との間に電位差が生
じている状態で個別電極１１とＩＣ３とのボンディング
を行なうと、共通電極１３に帯電している電荷がＩＣ３
に逃げ光導電体層１２に過電流が流れて破壊されてしま
うという間Ｕ点があった。
じている状態で個別電極１１とＩＣ３とのボンディング
を行なうと、共通電極１３に帯電している電荷がＩＣ３
に逃げ光導電体層１２に過電流が流れて破壊されてしま
うという間Ｕ点があった。
これらの静電破壊を防止するため、帯電しない材料の上
に絶縁基板を置いたり、絶縁基板の裏面に帯電防止材を
塗布したりして帯電しない工夫を施していたが、静電破
壊を完全に防止することはできなかった。
に絶縁基板を置いたり、絶縁基板の裏面に帯電防止材を
塗布したりして帯電しない工夫を施していたが、静電破
壊を完全に防止することはできなかった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、イメージセ
ンサのセンサ部の静電破壊を防止する工程を具備するイ
メージセンサの製造方法を提供することを目的とする。
ンサのセンサ部の静電破壊を防止する工程を具備するイ
メージセンサの製造方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記従来例の問題点を解消するため本発明に係るイメー
ジセンサの製造方法は、次の５つの工程を具備すること
を特徴としている。
ジセンサの製造方法は、次の５つの工程を具備すること
を特徴としている。
第１の工程として、光導電体層を各個別電極及び共通電
極で挟持してサンドイッチ構造のセンサ部を形成する。
極で挟持してサンドイッチ構造のセンサ部を形成する。
第２の工程として、前記各個別電極の一部及び共通電極
の一部を露出するための溝部を有する絶縁膜を、前記セ
ンサ部上に形成する。
の一部を露出するための溝部を有する絶縁膜を、前記セ
ンサ部上に形成する。
第３の工程として、少なくとも前記溝部を囲む絶縁性の
壁部を形成する。
壁部を形成する。
第４の工程として、前記絶縁膜の溝部に導電性部材を充
填して前記各個別を極と共通電極とを電気的に接続する
。
填して前記各個別を極と共通電極とを電気的に接続する
。
第５の工程として、センサ部を駆動するＩＣと各個別電
極とを接続し、その後に、前記導電性部材を除去する。
極とを接続し、その後に、前記導電性部材を除去する。
（作用）
本発明によれば、ＩＣと個別電極との接続が終了する前
まで、個別！極と共通電極とは導電性部材を介して接続
状態が維持されているので、個別電極と共通電極との間
に電位差が生じることがない。
まで、個別！極と共通電極とは導電性部材を介して接続
状態が維持されているので、個別電極と共通電極との間
に電位差が生じることがない。
（実施例）
本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する
。
。
第１図及び第２図は本実施例の製造方法が適用されるイ
メージセンサの端部平面説明図及び断面説明図を示して
いる。
メージセンサの端部平面説明図及び断面説明図を示して
いる。
ガラス基板１００上に１５００Ａの膜厚にクロム（Ｃｒ
）を蒸着する０次にフォトリソエツチングプロセスによ
り、複数の個別電極１０１をクロムパターンにより形成
する。
）を蒸着する０次にフォトリソエツチングプロセスによ
り、複数の個別電極１０１をクロムパターンにより形成
する。
個別電極１０１は、方形状の画素１０１ａと、この画素
１０１ａから引き出される引き出し電極１０１ｂとから
構成される０画素１０１ａは、ガラス基板１００の長手
方向に一列に並設され、また引き出し電極１０１ｂは、
長手方向と直交し、ガラス基板１００の外側方向へ向か
って引き出されている。
１０１ａから引き出される引き出し電極１０１ｂとから
構成される０画素１０１ａは、ガラス基板１００の長手
方向に一列に並設され、また引き出し電極１０１ｂは、
長手方向と直交し、ガラス基板１００の外側方向へ向か
って引き出されている。
次に画素１０１ａを覆うように、ＣＶＤ法により１〜２
μｍの膜厚のアモルファスシリコン（ａ−ｓＢ層パター
ンからなる光導電体層１０２を帯状に形成する。
μｍの膜厚のアモルファスシリコン（ａ−ｓＢ層パター
ンからなる光導電体層１０２を帯状に形成する。
そして、この光導電体層１０２上に、スパッタ法により
６００〜１００ＯＡの膜厚の酸化インジウム・スズ（Ｉ
ＴＯ）層を着膜する。この酸化インジウム・スズ（ＩＴ
Ｏ）層のパターニングを行ない、画素１０１ａを覆う帯
状の共通型＠１０３を形成し、ガラス基板１００上にサ
ンドイッチ構造のセンサ部を構成する。この共通電極１
０３の長手方向の長さは前記光導電体層１０２より長く
形成されるとともに、その端部は前記引き出し電！！
１０ ｌ ｂと平行になるように９０度曲げて引き出し
部１０３′を形成する。
６００〜１００ＯＡの膜厚の酸化インジウム・スズ（Ｉ
ＴＯ）層を着膜する。この酸化インジウム・スズ（ＩＴ
Ｏ）層のパターニングを行ない、画素１０１ａを覆う帯
状の共通型＠１０３を形成し、ガラス基板１００上にサ
ンドイッチ構造のセンサ部を構成する。この共通電極１
０３の長手方向の長さは前記光導電体層１０２より長く
形成されるとともに、その端部は前記引き出し電！！
１０ ｌ ｂと平行になるように９０度曲げて引き出し
部１０３′を形成する。
このように形成されたセンサ部上に、少なくとも光導電
体層１０２の幅より広く、且つ引き出し部１０３′を覆
うように、ポリイミドからなるパッシベーションＭｌ
０４を形成する。そして、フォトリソエツチングプロセ
スによりパッシベーション膜１０４に幅３００μｍの溝
部１０５を形成する。このパッシベーション膜１０４の
エツチングにより、溝部１０５の底部にパッシベーショ
ンｐＡ１０４の下層の引き出し電［１０ｌ ｂの一部及
び共通電極１０３の引き出し部１０３′が露出するよう
になっている。
体層１０２の幅より広く、且つ引き出し部１０３′を覆
うように、ポリイミドからなるパッシベーションＭｌ
０４を形成する。そして、フォトリソエツチングプロセ
スによりパッシベーション膜１０４に幅３００μｍの溝
部１０５を形成する。このパッシベーション膜１０４の
エツチングにより、溝部１０５の底部にパッシベーショ
ンｐＡ１０４の下層の引き出し電［１０ｌ ｂの一部及
び共通電極１０３の引き出し部１０３′が露出するよう
になっている。
次に、前記溝部１０５を囲むように長方形の周囲辺を凸
状とする壁部１０６を形成する。壁部１０６は、パッシ
ベーション膜１０４上にデイスペンサ（図示せず）を用
いてシリコン樹脂等の絶縁材料を塗布して形成される。
状とする壁部１０６を形成する。壁部１０６は、パッシ
ベーション膜１０４上にデイスペンサ（図示せず）を用
いてシリコン樹脂等の絶縁材料を塗布して形成される。
シリコン樹脂の粘度を１７万ＣＰと高く設定し、幅約１
ｍｍ、高さ約１ｍｍの細い壁部とした。
ｍｍ、高さ約１ｍｍの細い壁部とした。
壁部１０６で囲まれた部分に導電性部材として直径０．
１ｍｍの多数の８１球１０７をデイスペンサを用いて充
填する。８１球１０７は、耐食性があり、さび等により
ガラス基板１００の表面を汚すことがなく、充填材とし
て好適である。この８１球１０７は溝部１０５に充填さ
れ、その表面が互いに接触することにより、溝部１０５
の底部に露出する各引き出し’８極Ｌｏｌｂと引き出し
部１０３′とを電気的に接続する。従って、個別型［！
１０１と共通Ｗ４１０３とがショート状態となり、両者
の間に電位差を生じさせない。
１ｍｍの多数の８１球１０７をデイスペンサを用いて充
填する。８１球１０７は、耐食性があり、さび等により
ガラス基板１００の表面を汚すことがなく、充填材とし
て好適である。この８１球１０７は溝部１０５に充填さ
れ、その表面が互いに接触することにより、溝部１０５
の底部に露出する各引き出し’８極Ｌｏｌｂと引き出し
部１０３′とを電気的に接続する。従って、個別型［！
１０１と共通Ｗ４１０３とがショート状態となり、両者
の間に電位差を生じさせない。
この状態で、複数のＩＣ１０８をガラス基板１００に長
手方向に沿って実装する。ＩＣ１０８のパッドと引き出
し電極１０１ｂの端部とをボンディングワイヤ１０９で
接続する。
手方向に沿って実装する。ＩＣ１０８のパッドと引き出
し電極１０１ｂの端部とをボンディングワイヤ１０９で
接続する。
その後にバキュームで８１球１０７を吸い収ることによ
り除去し、個別電極１０１と共通型ｉ＃！１０３との電
気的接続を解除する。従って、引き出し電極１０１ｂに
傷を付けることなく個別電極１０１と共通型［４１０３
とのショート状態を解除することができる。尚、吸い取
った８１球１０７は、再度使用することができる。
り除去し、個別電極１０１と共通型ｉ＃！１０３との電
気的接続を解除する。従って、引き出し電極１０１ｂに
傷を付けることなく個別電極１０１と共通型［４１０３
とのショート状態を解除することができる。尚、吸い取
った８１球１０７は、再度使用することができる。
ＩＣ１０８の保護及び溝部１０５を塞ぐため、第３図の
ように、ＩＣ１０８及び溝部１０５を覆うように樹脂１
１０を帯状に塗布する。更に、センサ部を保護するため
、センサ部上に保護膜（図示せず）を形成する。
ように、ＩＣ１０８及び溝部１０５を覆うように樹脂１
１０を帯状に塗布する。更に、センサ部を保護するため
、センサ部上に保護膜（図示せず）を形成する。
本実施例では、導電性部材としてＮｉ球を用いたが粉状
体を用いてもよく、導電性を有し且つ除去しやすい部材
であればよい。
体を用いてもよく、導電性を有し且つ除去しやすい部材
であればよい。
（発明の効果）
本発明によれば、ＩＣと個別電極との接続が終了する前
まで、個別電極と共通電極とは導電性部材を介して接続
状態が維持されているので、個別電極と共通電極との間
に電位差が生じることがなく、個別電極及び共通電極で
挟持された光導電体層の静電破壊を防止することができ
る。
まで、個別電極と共通電極とは導電性部材を介して接続
状態が維持されているので、個別電極と共通電極との間
に電位差が生じることがなく、個別電極及び共通電極で
挟持された光導電体層の静電破壊を防止することができ
る。
第１図は本発明実施例の製造方法を適用したイメージセ
ンサ端部の平面説明図、第２図は第１図のイメージセン
サにＮｉ球を充填した状態のＡ−Ａ′線断面説明図、第
３図は第２図においてＮｉ球を除去しシリコン樹脂を塗
布した断面説明図、第４図はイメージセンサの平面説明
図、第５図は第４図のＶ−Ｖ′線断面説明図である。 １００・・・・・・ガラス基板 １０１・・・・・・個別′＠極 １０２・・・・・・光導電体層 １０３・・・・・・共通電極 １０４・・・・・・パッシベーション膜１０５・・・・
・・溝部 １０６・・・・・・壁部 １０７・・・・・・Ｎｉ球 １０８・・・・・・ＩＣ １０９・・・・・・ホンディングワイヤ第１図 第２図 第３図 １（Ｊｌａ １０１ｅ）
ンサ端部の平面説明図、第２図は第１図のイメージセン
サにＮｉ球を充填した状態のＡ−Ａ′線断面説明図、第
３図は第２図においてＮｉ球を除去しシリコン樹脂を塗
布した断面説明図、第４図はイメージセンサの平面説明
図、第５図は第４図のＶ−Ｖ′線断面説明図である。 １００・・・・・・ガラス基板 １０１・・・・・・個別′＠極 １０２・・・・・・光導電体層 １０３・・・・・・共通電極 １０４・・・・・・パッシベーション膜１０５・・・・
・・溝部 １０６・・・・・・壁部 １０７・・・・・・Ｎｉ球 １０８・・・・・・ＩＣ １０９・・・・・・ホンディングワイヤ第１図 第２図 第３図 １（Ｊｌａ １０１ｅ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光導電体層を各個別電極及び共通電極で挟持してサンド
イッチ構造のセンサ部を形成する第１の工程と、 前記各個別電極の一部及び共通電極の一部を露出するた
めの溝部を有する絶縁膜を、前記センサ部上に形成する
第２の工程と、 少なくとも前記溝部を囲む絶縁性の壁部を形成する第３
の工程と、 前記絶縁膜の溝部に導電性部材を充填して前記各個別電
極と共通電極とを電気的に接続する第４の工程と、 センサ部を駆動するＩＣと各個別電極とを接続した後に
、前記導電性部材を除去する第５の工程とを具備するイ
メージセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63227750A JPH0276261A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | イメージセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63227750A JPH0276261A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | イメージセンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0276261A true JPH0276261A (ja) | 1990-03-15 |
Family
ID=16865786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63227750A Pending JPH0276261A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | イメージセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0276261A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5404894A (en) * | 1992-05-20 | 1995-04-11 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Conveyor apparatus |
| US5647718A (en) * | 1995-07-07 | 1997-07-15 | Pri Automation, Inc. | Straight line wafer transfer system |
| US5709519A (en) * | 1992-01-22 | 1998-01-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP63227750A patent/JPH0276261A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5709519A (en) * | 1992-01-22 | 1998-01-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| US5404894A (en) * | 1992-05-20 | 1995-04-11 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Conveyor apparatus |
| US5647718A (en) * | 1995-07-07 | 1997-07-15 | Pri Automation, Inc. | Straight line wafer transfer system |
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