KR0182040B1 - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 강한 후광 장치 사용이 가능하고 저반사를 실현할 수 있으며, 광 누설 전류를 억제할 수 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성되어 있는 다수의 화소 단위가 행렬의 형태로 형성되어 있으며, 게이트선 및 데이타선이 각각 화소 행과 화소 열을 따라 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판, 공통 전극이 형성되어 있는 컬러 필터 기판, 그리고 그 사이에 봉입되어 있는 액정 물질을 포함하는 액정 표시장치에 있어서, 상기 게이트선 및 상기 데이터선의 하부에 산화막이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
Description
제1도의 (a)는 종래의 액정 표시장치를 나타낸 단면도이고,
제1도의 (b)는 종래의 다른 액정 표시장치를 나타낸 단면도이고,
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 게이트선을 나타낸 평면도이고,
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이고,
제4도는 제3도의 A-A'부의 단면도이고,
제5도는 제3도의 B-B'부의 단면도이고,
제6도의 (a)-(g)는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 공정 순서를 나타낸 평면도이다.
본 발명은 액정 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세히 말하자면 강한 후광 장치 사용이 가능하고 저반사를 실현할 수 있으며, 광 누설 전류를 억제할 수 있는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시장치는, 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성되어 있는 다수의 화소 단위가 행렬의 형태로 형성되어 있으며, 게이트선 및 데이타선이 각각 화소 행과 화소 열을 따라 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판, 공통 전극이 형성되어 있는 컬러 필터 기판, 그리고 그 사이에 봉입되어 있는 액정 물질을 포함하고 있다.
이때, 상기 박막 트랜지스터 기판의 게이트 전극은 상기 게이트선을 통해 게이트 구동 드라이브로부터 게이트 구동 신호를 전달받아 반도체 층에 채널을 형성시키고, 이에 따라 데이타 구동 드라이브로부터의 데이타 신호가 상기 데이타선을 통해 소스 전극에 전달되고, 반도체층과 드레인 전극을 거쳐 화소 전극에 전달된다.
제1도의 (a)는 종래의 액정 표시장치를 나타낸 단면도이다.
제1도의 (a)에 도시한 바와 같이, 차광막(100)가 형성되어 있는 컬러 필터 기판(200) 쪽에서 백 라이트(400)를 조사한다.
따라서 백 라이트(400)의 빛은 컬러 필터 기판(200)의 차광막(100)에 의해 박막 트랜지스터의 실리콘막에 도달하지 못하므로 누설 전류가 흐르지 않게 된다.
즉, 박막 트랜지스터 기판(300)의 실리콘층에 영향을 적게 주는 장점이 있으나, 박막 트랜지스터 기판(300)에 외광(500)이 비추면 외광(500)이 박막 트랜지스터 기판(300)의 도전 물질로 형성된 게이트 및 데이터 배선에서 반사가 일어나 시인성이 좋지 않은 단점이 있다.
한편, 제1도의 (b)는 종래의 다른 액정 표시장치를 나타낸 단면도이다.
제1도의 (b)에 도시한 바와 같이, 컬러 필터 기판(200) 쪽에서 백 라이트(400)를 조사되며, 화소 전극(600)의 양끝을 덮도록 절연막(700)이 형성되어 있고, 이 절연막의 상부에는 실리콘막(800)이 적층되어 있으며, 그 위에 데이터선(900)이 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판(1000)을 포함하는 액정 표시장치가 제시되었다. 이는 상기 제1도에서 보인 액정 표시장치의 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것이다.
이러한 구조는 실리콘막(800)이 데이터선(900)을 가리고 있어 외광(500)이 데이터선(900)에 의해 반사되는 것을 방지한다. 그러나 박막 트랜지스터 기판(1000)의 실리콘막(800)이 외광에 노출되므로 실리콘막(800)에 포토 전류가 발생하는 단점이 있다.
그러므로 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로 게이트선 하부와 데이터선 하부에는 CrOx막이 형성되어 있어서 저반사화를 가능하게 하는 액정 표시장치 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성되어 있는 다수의 화소 단위가 행렬의 형태로 형성되어 있으며, 게이트선 및 데이타선이 각각 화소 행과 화소 열을 따라 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판, 공통 전극이 형성되어 있는 컬러 필터 기판, 그리고 그 사이에 봉입되어 있는 액정물질을 포함하는 액정 표시장치에 있어서, 상기 게이트선 및 상기 데이터선의 하부에 산화막이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 게이트선 및 데이터선 하부에는 산화막이 형성되어 있어 차광막 역할을 하여 액정 표시장치의 저반사화를 실현한다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제조 방법의 구성은, 기판 위에 CrOx막을 형성한 다음, A1막을 적층한 후 가로선 및 세로선이 형성되도록 패터닝하여 제1 게이트선 및 세로 배선을 형성하는 단계, 상기 제1 게이트선 위에 Cr막을 적층한 후 패터닝하여 제2 게이트선 및 게이트 패드 그리고 데이터 패드를 형성하는 단계, 상기 제2 게이트선 및 상기 세로 배선을 마스크로 하여 CrOx막을 패터닝하는 단계, 상기 세로 배선을 제거하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시장치용 박막 트랜지스터 기판의 게이트선을 나타낸 평면도이고, 제3도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이고, 제4도는 제3도의 A-A'부의 단면도이고, 제5도는 제3도의 B-B'부의 단면도이고, 제6도는 (a)-(g)는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 공정 순서를 나타낸 평면도이다.
먼저, 제6도의 (a)에 도시한 바와 같이, 기판(2) 위에 CrOx막(4)을 400Å 내지 800Å의 두께로 적층한 다음, A1막을 적층한 후 패터닝하여 제1 게이트선(6-1) 및 데이터선이 형성될 만큼 배선(6-2)을 형성한다.
다음, 제6도의 (b)에 도시한 바와 같이, Cr막을 적층한 후 패터닝하여 제2 게이트선(8-1) 및 이의 분지인 게이트 전극(8-2), 게이트 패드(8-3), 데이터 패드(8-4)를 형성한다.
이때 제3도에 도시한 바와 같이, 제2 게이트선(8-1)은 제1 게이트선(6-1)보다 폭이 같거나 넓게 형성한다.
그 후 상기 제2 게이트선(8-1) 및 세로 배선(6-2)을 마스크로 하여 산화막인 CrOx막(4)을 패터닝한다.
이때 CrOx막(4)은 상기 제1 게이트선(6-1) 보다 폭이 넓거나 같게 형성된다.
다음, 제6도의 (c)에 도시한 바와 같이, 데이터선이 형성될 부분에 있는 알루미늄막인 세로 배선(6-2)을 제거한다.
다음, 제6도의 (d)에 도시한 바와 같이, 절연막, 비정질 실리콘, 외인성 반도체막으로 차례로 적층한 후 액티브 패턴(9)을 형성한다.
이때 제1 및 제2 게이트선 위에 제1 게이트선(6-1)의 일부분에 비정질 실리콘막(10)이 남도록 패터닝한다.
다음, 제6도의 (e)에 도시한 바와 같이, 크롬을 적층한 후 패터닝하여 소스/드레인 전극(9)과 데이터선(12)을 형성한다.
이때 데이터선(12)은 제5도에 도시한 바와 같이 산화막인 CrOx막(4)위에 Cr막(12)이 형성되어 있는 구조를 갖는다.
데이터선(12)은 CrOx막(4) 보다 좁은 폭을 갖게 형성하거나 같은 폭을 형성한다.
다음, 제6도의 (f)에 도시한 바와 같이, 보호막(13)을 적층한 후 컨택홀을 형성한다.
다음, 제6도의 (g)에 도시한 바와 같이 ITO막을 적층한 후 패터닝하여 화소 전극(14)을 형성한다.
이와 같은 공정에 의해 만들어진 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판은 소스/드레인 전극 및 데이터선 하부에는 항상 CrOx막이 남게 된다.
또한 게이트선과 데이터선의 교차부에는 비정질 실리콘막이 존재하여 박막 트랜지스터 쪽에서 바라볼 때 저반사를 실현할 수 있다.
그러므로 본 발명은 게이트선 하부와 데이터선 하부에는 CrOx막이 형성되어 있어 액정 표시 장치의 저반사화를 실현할 수 있다.
Claims (9)
- 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성되어 있는 다수의 화소 단위가 행렬의 형태로 형성되어 있으며, 게이트선 및 데이터선이 각각 화소 행과 화소 열을 따라 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판, 공통전극이 형성되어 있는 컬러 필터 기판, 그리고 그 사이에 봉입되어 있는 액정물질을 포함하는 액정 표시장치에 있어서, 상기 게이트선 및 상기 데이터선의 하부에 산화막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 CrOx막으로 형성되어 있는 액정 표시장치.
- 제2항에 있어서, 상기 CrOx막이 400Å 내지 800Å의 두께로 형성되어 있는 액정 표시장치.
- 제1항에서, 상기 산화막은 상기 게이트선 보다 폭이 넓거나 같게 형성되어 있는 액정 표시장치.
- 제1항에서, 상기 산화막은 상기 데이터선 보다 폭이 넓거나 같게 형성되어 있는 액정 표시장치.
- 제1항에서, 상기 게이트선은 A1으로 형성되어 있는 액정 표시장치.
- 제1항에서, 상기 제2 게이트선은 상기 제1 게이트선 보다 폭이 같거나 넓은 액정 표시장치.
- 제1항에서, 상기 데이터선은 Cr으로 형성되어 있는 액정 표시장치.
- 기판 위에 CrOx막을 형성한 다음, A1막을 적층한 후 가로선 및 세로선이 형성되도록 패터닝하여 제1 게이트선 및 세로 배선을 형성하는 단계, 상기 제1 게이트선 위에 Cr막을 적층한 후 패터닝하여 제2 게이트선 및 게이트 패드 그리고 데이터 패드를 형성하는 단계, 상기 제2 게이트선 및 상기 세로 배선을 마스크로 하여 CrOx막을 패터닝하는 단계, 상기 세로 배선을 제거하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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| KR1019950052850A KR0182040B1 (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950052850A KR0182040B1 (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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| KR1019950052850A KR0182040B1 (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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|---|---|---|---|---|
| US9599869B2 (en) | 2013-01-23 | 2017-03-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
-
1995
- 1995-12-20 KR KR1019950052850A patent/KR0182040B1/ko not_active IP Right Cessation
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| US9599869B2 (en) | 2013-01-23 | 2017-03-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
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| KR970048716A (ko) | 1997-07-29 |
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