JPS6218756A - イメ−ジセンサの製造方法 - Google Patents
イメ−ジセンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS6218756A JPS6218756A JP60156955A JP15695585A JPS6218756A JP S6218756 A JPS6218756 A JP S6218756A JP 60156955 A JP60156955 A JP 60156955A JP 15695585 A JP15695585 A JP 15695585A JP S6218756 A JPS6218756 A JP S6218756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- image sensor
- conversion element
- manufacturing
- drive circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、例えばファクシミリ等に用いられ、原稿など
の画像情報を時系列の電気信号に変換するイメージ七／
すの製造方法に係り、特に七の光電変換素子と駆動回路
とを電気的に接続する工程に関する。
の画像情報を時系列の電気信号に変換するイメージ七／
すの製造方法に係り、特に七の光電変換素子と駆動回路
とを電気的に接続する工程に関する。
近年、ファクシミリ等に用いられる画像読取シ装置を小
型化するために、密着型イメージセンサの開発が盛んで
るる。密着型イメージセンサは、原稿と同一幅に所望の
解像度で光電変換素子を一列に配し、原稿を近接させて
画像情報を読取るイメージセンサでらる。
型化するために、密着型イメージセンサの開発が盛んで
るる。密着型イメージセンサは、原稿と同一幅に所望の
解像度で光電変換素子を一列に配し、原稿を近接させて
画像情報を読取るイメージセンサでらる。
このイメージセンサは、光の強弱を電気信号に変換する
充電変換素子とこの光電変換素子から電気出力を信号処
理する駆動回路とから基本的に構成されている。この光
電変換素子は、駆動回路とワイヤボンデング、フレキシ
ブルテープ、導体配線、またはスルーホール等によシ接
続されている。
充電変換素子とこの光電変換素子から電気出力を信号処
理する駆動回路とから基本的に構成されている。この光
電変換素子は、駆動回路とワイヤボンデング、フレキシ
ブルテープ、導体配線、またはスルーホール等によシ接
続されている。
この駆動回路を大別すると、導体配線をマトリックス状
にパターン化したものと、アナログスイッチ機能を有し
た集積回路を実装したものとの２種類ろる。
にパターン化したものと、アナログスイッチ機能を有し
た集積回路を実装したものとの２種類ろる。
一方、光電変換素子は例えば薄膜積層構造をとる。光電
変換素子特に薄膜積層構造の光電変換膜ｒ 子は、まずセラミック基板上に翅からなる個別電極とＯ
ｒからなる共通電極の一部を形成する。この後、ａ−８
ｉを略１μｍ乃至２μｍ１個別電極とセラミック基板の
表面上に（共通電極上に被着しないように）積層し、光
電変換膜を形成する。次に共通電極を完全に形成するた
め、光電変換膜上にＩＴＯを共通電極と接続する様に形
成する。それと平行して、個別電極上にＡｕからなるボ
ンデングパッドを形成する。
変換素子特に薄膜積層構造の光電変換膜ｒ 子は、まずセラミック基板上に翅からなる個別電極とＯ
ｒからなる共通電極の一部を形成する。この後、ａ−８
ｉを略１μｍ乃至２μｍ１個別電極とセラミック基板の
表面上に（共通電極上に被着しないように）積層し、光
電変換膜を形成する。次に共通電極を完全に形成するた
め、光電変換膜上にＩＴＯを共通電極と接続する様に形
成する。それと平行して、個別電極上にＡｕからなるボ
ンデングパッドを形成する。
この光電変換素子では、共通電極と個別電極との間隔が
通常は非常に狭く略１μｍ乃至２μｍ前後でらる。この
ため、共通電極と個別電極との間の電位差によシ光電変
換素子の素子破壊が発生する危険がある。本発明者らが
、行なった実験の一例では、光電変換膜に１．５μｍ厚
のａ−８ｉ：Ｈ薄膜を使用した際、印加電圧３０Ｖ以上
とすると光電変換素子の素子破壊が発生することを確認
した。したかってイメージセンサ特に光電変換素子の製
造工程では、静電気等の外部要因によシ光電変換素子の
共通電極および（または）個別電極に電荷が帯電し、光
電変換素子に過大な電圧付加が加わらないように充分注
意する必要がある。
通常は非常に狭く略１μｍ乃至２μｍ前後でらる。この
ため、共通電極と個別電極との間の電位差によシ光電変
換素子の素子破壊が発生する危険がある。本発明者らが
、行なった実験の一例では、光電変換膜に１．５μｍ厚
のａ−８ｉ：Ｈ薄膜を使用した際、印加電圧３０Ｖ以上
とすると光電変換素子の素子破壊が発生することを確認
した。したかってイメージセンサ特に光電変換素子の製
造工程では、静電気等の外部要因によシ光電変換素子の
共通電極および（または）個別電極に電荷が帯電し、光
電変換素子に過大な電圧付加が加わらないように充分注
意する必要がある。
ところで、従来のイメージセンサ特に光電変換素子と駆
動回路との電気的接続例えばワイヤボンデングを用いる
接続工程では、ボンディングツール等を介して光電変換
素子に電荷が帯電することが多く、またこの電荷を逃が
す方法が皆無でらったため光電変換素子の素子破壊の発
生率が高くなる。このため、イメージセンサの製造歩留
が低下し、製造コストが増加する問題がラシ、イメージ
七／すの低価格化という技術課題に反する危険がらるＯ 〔発明の目的〕 本発明は上述の問題を鑑みてなされたものでら夛、光電
変換素子の素子破壊を防止し、かつ製造歩留が高いイメ
ージセンサの製造方法を提供することを目的とする。
動回路との電気的接続例えばワイヤボンデングを用いる
接続工程では、ボンディングツール等を介して光電変換
素子に電荷が帯電することが多く、またこの電荷を逃が
す方法が皆無でらったため光電変換素子の素子破壊の発
生率が高くなる。このため、イメージセンサの製造歩留
が低下し、製造コストが増加する問題がラシ、イメージ
七／すの低価格化という技術課題に反する危険がらるＯ 〔発明の目的〕 本発明は上述の問題を鑑みてなされたものでら夛、光電
変換素子の素子破壊を防止し、かつ製造歩留が高いイメ
ージセンサの製造方法を提供することを目的とする。
上述の目的を達成するため、本発明のイメージセンサの
製造方法は、光電変換素子と駆動回路とを電気的に接続
する工程時に、少なくとも光電変換素子面に光照射を行
なうことを特徴としている。
製造方法は、光電変換素子と駆動回路とを電気的に接続
する工程時に、少なくとも光電変換素子面に光照射を行
なうことを特徴としている。
このため、光電変換素子の素子破壊を防止することがで
きる。
きる。
以下本発明の一実施例を第１図乃至第２図（ｄ）を参照
して説明する。
して説明する。
第２図（ａｌにおいて、セラミック基板の表面上に厚さ
２５００ＡのＯｒをスパッタリング、真空蒸着等で被着
する。その後、エツチングまたはドライエツチング等の
技術を用いて、第２図（ｂ）に示す如く個別電極（２〕
と共通電極の一部（３）を形成する。次に第２図（ｃ）
に示す如く、個別電極（２）の一部とセラミック基板（
１）の表面とにａ−８ｉを略１μｍ乃至２μｍの厚さに
プラズマ０ＶＤ等で形成し、光電変換膜（４）を構成す
る。その次に、第２図（ｄ）に示す如く、共通電極を完
全に形成するため、共通ｔ′！Ｍの一部（３）と光電変
換膜（４）とを接続するようにＩ Ｔ Ｏ（５）を厚ｇ
８００Ａでスパッタリング等の技術で形成する。
２５００ＡのＯｒをスパッタリング、真空蒸着等で被着
する。その後、エツチングまたはドライエツチング等の
技術を用いて、第２図（ｂ）に示す如く個別電極（２〕
と共通電極の一部（３）を形成する。次に第２図（ｃ）
に示す如く、個別電極（２）の一部とセラミック基板（
１）の表面とにａ−８ｉを略１μｍ乃至２μｍの厚さに
プラズマ０ＶＤ等で形成し、光電変換膜（４）を構成す
る。その次に、第２図（ｄ）に示す如く、共通電極を完
全に形成するため、共通ｔ′！Ｍの一部（３）と光電変
換膜（４）とを接続するようにＩ Ｔ Ｏ（５）を厚ｇ
８００Ａでスパッタリング等の技術で形成する。
この共通電極の一部（３）とＩ Ｔ Ｏ（５）とで共通
電極が形成される。最後に、個別電極（２）上にＡｕを
被着することにより、ポンディングパッド（６）を形成
し、光電変換素子が構成される。
電極が形成される。最後に、個別電極（２）上にＡｕを
被着することにより、ポンディングパッド（６）を形成
し、光電変換素子が構成される。
第１図において、第２図は）の如く形成された光電変換
素子基板ａωを鉄板（至）上に接着部材（図示せず）を
介して固定する。その後、この鉄板（至）上に駆動回路
が形成され九駆動回路基板（至）を接着部材（図示せず
）を介して固定する。この駆動回路基板（至）上には、
駆動回路例えばｌＯ１２υが載置されてお）、このＩ（
Ｊυは、リード線（２）、＠とワイヤボンディング（財
）を介して電気的に接続されている。
素子基板ａωを鉄板（至）上に接着部材（図示せず）を
介して固定する。その後、この鉄板（至）上に駆動回路
が形成され九駆動回路基板（至）を接着部材（図示せず
）を介して固定する。この駆動回路基板（至）上には、
駆動回路例えばｌＯ１２υが載置されてお）、このＩ（
Ｊυは、リード線（２）、＠とワイヤボンディング（財
）を介して電気的に接続されている。
この充電変換素子とＩＯ！！υとをワイヤボンディング
（ハ）を用いて電気的に接続する際、光−を照射する。
（ハ）を用いて電気的に接続する際、光−を照射する。
仁のため光電変換素子の個別電極（２）および（または
）共通電極（３） 、 （５）に帯電した電荷を導通し
、電圧付加を解消することができる。この光照射の光は
、イメージセンサの感度に光の波長をあわせたとき、最
も効果がろることを本発明者らは確認した。すなわち、
光の波長が実質的に４００ｎｍ （ナノメータ）乃至７
００ｎｍ（ナノメータ）の範囲にあるとき、最も効果が
おる。
）共通電極（３） 、 （５）に帯電した電荷を導通し
、電圧付加を解消することができる。この光照射の光は
、イメージセンサの感度に光の波長をあわせたとき、最
も効果がろることを本発明者らは確認した。すなわち、
光の波長が実質的に４００ｎｍ （ナノメータ）乃至７
００ｎｍ（ナノメータ）の範囲にあるとき、最も効果が
おる。
また、光照射の光の照度は、実質的に１ 、０ＯＯＬＸ
（ルックス）乃至２０，０ＯＯＬＸ （ルックス）の範
囲にらると、光電変換素子の個別電極および（またＦｉ
）共通電極に帯電した電荷を導通するのに最も適してお
９、光電変換素子の素子破壊を防止することができる。
（ルックス）乃至２０，０ＯＯＬＸ （ルックス）の範
囲にらると、光電変換素子の個別電極および（またＦｉ
）共通電極に帯電した電荷を導通するのに最も適してお
９、光電変換素子の素子破壊を防止することができる。
なお、第１図中（６）はポンディングパッドでらる。
次に、第３図及び第４図を参照して本発明の他の実施例
を説明する。なお、同所同部材には同符号を付する。
を説明する。なお、同所同部材には同符号を付する。
第３図は、光電変換素子基板ａ１を駆動回路基板ａｎ上
に接着部材−を介して載置されているものでらる〇 また、第４図に示したものは、光電変換素子と駆動回路
とを同一基板σ力上に載置したものである。
に接着部材−を介して載置されているものでらる〇 また、第４図に示したものは、光電変換素子と駆動回路
とを同一基板σ力上に載置したものである。
この第３図または第４図に示したイメージセンサも第１
図に示したイメージセンサと同じ製造工程によ〕製造さ
れる。
図に示したイメージセンサと同じ製造工程によ〕製造さ
れる。
なお、上述の実施例では、充電変換素子と駆動回路とを
電気的に接続する際のみに光照射する実施例で説明した
が、本発明は辷れに限られず、例えば全工程中に光照射
しても良い。さらに、光電変換素子と駆動回路とを電気
的に接続する手段は、７レキシプルテープ、導体配線、
またはスルーホール等によっても良いことは言うまでも
ない。
電気的に接続する際のみに光照射する実施例で説明した
が、本発明は辷れに限られず、例えば全工程中に光照射
しても良い。さらに、光電変換素子と駆動回路とを電気
的に接続する手段は、７レキシプルテープ、導体配線、
またはスルーホール等によっても良いことは言うまでも
ない。
上述の如く、本発明のイメージセンサの製造方法は、少
なくとも光電変換素子と駆動回路との電気的接続工程時
において、光照射を行なうととＫよフ、光電変換素子の
素子破壊を防止することができる。
なくとも光電変換素子と駆動回路との電気的接続工程時
において、光照射を行なうととＫよフ、光電変換素子の
素子破壊を防止することができる。
第１図は本発明のイメージセンサの製造方法を説明する
ための模式断面図、第２図（−乃至第２図（イ）は本発
明のイメージセンサの光電変換素子の製造工程を説明す
るための説明簡略図、第３図乃至第４図は本発明のイメ
ージセンサの製造方法の他の実施例を示す模式断面図で
るる。 （２）・・・個別電極 （３）・・・共通電極の一部 （４）・・・光電変換膜 （５）・・・ＩＴＯ （２Ｉ）・・・ＩＯ αυ・・・光 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫 （ａ） （移ン （ｄ） 第２図
ための模式断面図、第２図（−乃至第２図（イ）は本発
明のイメージセンサの光電変換素子の製造工程を説明す
るための説明簡略図、第３図乃至第４図は本発明のイメ
ージセンサの製造方法の他の実施例を示す模式断面図で
るる。 （２）・・・個別電極 （３）・・・共通電極の一部 （４）・・・光電変換膜 （５）・・・ＩＴＯ （２Ｉ）・・・ＩＯ αυ・・・光 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫 （ａ） （移ン （ｄ） 第２図
Claims (6)
- （１）第１の高抵抗基体上に共通電極と光電変換膜とこ
の光電変換膜を介してこの共通電極と電気的に接続する
個別電極とからなる光電変換素子を形成する工程と、 第２の高抵抗基体上に前記光電変換素子からの出力信号
を処理する駆動回路を形成する工程と、前記光電変換素
子と前記駆動回路とを電気的に接続する工程とを少なく
とも具備したイメージセンサの製造方法において、 前記光電変換素子と前記駆動回路とを電気的に接続する
工程時には、少なくとも前記光電変換素子面に光照射を
行なうことを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - （２）前記光照射の光の波長は、実質的に４００ｎｍ（
ナノメータ）乃至７００ｎｍ（ナノメータ）の範囲にあ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイメー
ジセンサの製造方法。 - （３）前記光照射の光の照度は、実質的に１，０００Ｌ
Ｘ（ルックス）乃至２０，０００ＬＸ（ルックス）の範
囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
イメージセンサの製造方法。 - （４）前記第１の高抵抗基体と前記第２の高抵抗基体と
は、同一基体であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のイメージセンサの製造方法。 - （５）前記第１の高抵抗基体と前記第２の高抵抗基体と
は、別基体であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のイメージセンサの製造方法。 - （６）前記光電変換素子と前記駆動回路とを接続する手
段は、ワイヤボンディング、フレキシブルテープ、導体
配線、またはスルーホールのいずれかの手段によること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイメージセン
サの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60156955A JPH0626247B2 (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60156955A JPH0626247B2 (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218756A true JPS6218756A (ja) | 1987-01-27 |
| JPH0626247B2 JPH0626247B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=15638977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60156955A Expired - Lifetime JPH0626247B2 (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0626247B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0236057U (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | ||
| JPH0612794U (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-18 | 株式会社大阪真空機器製作所 | 複合型真空ポンプの加熱装置 |
-
1985
- 1985-07-18 JP JP60156955A patent/JPH0626247B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0236057U (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | ||
| JPH0612794U (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-18 | 株式会社大阪真空機器製作所 | 複合型真空ポンプの加熱装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0626247B2 (ja) | 1994-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0328011A2 (en) | Photo sensor array and reader | |
| JPH0421353B2 (ja) | ||
| US4772951A (en) | Solid state image sensor with cell array of amorphous semiconductor photoelectric converting elements | |
| JPS6218756A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JP2000082720A (ja) | 発光装置、露光装置及び画像形成装置 | |
| US4808833A (en) | Image sensors using a photo-sensing element array and matrix wires methods of manufacturing same | |
| JPS61263156A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| Ozawa et al. | Recent development in amorphous silicon image sensor | |
| JP2578954B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0222872A (ja) | 光センサ装置 | |
| JP3026395B2 (ja) | 受光素子 | |
| JP3049174B2 (ja) | 密着型イメージセンサユニット | |
| JPH07106536A (ja) | 受光素子アレイ及びその製造方法 | |
| JPH0434861B2 (ja) | ||
| JPH06302796A (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| JPS60170254A (ja) | 原稿読取装置 | |
| JP2685397B2 (ja) | 密着型イメージセンサの製造方法 | |
| JPS60256885A (ja) | 情報格納カ−ド | |
| JPS614272A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JPS60134463A (ja) | 密着型イメ−ジセンサおよびその製造方法 | |
| JPS63141378A (ja) | 薄膜光センサ | |
| JPS6041736Y2 (ja) | 等倍イメ−ジセンサ | |
| JPH0536282Y2 (ja) | ||
| JPS63122166A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH1140791A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 |