JPH0536282Y2 - - Google Patents
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- JPH0536282Y2 JPH0536282Y2 JP1986168343U JP16834386U JPH0536282Y2 JP H0536282 Y2 JPH0536282 Y2 JP H0536282Y2 JP 1986168343 U JP1986168343 U JP 1986168343U JP 16834386 U JP16834386 U JP 16834386U JP H0536282 Y2 JPH0536282 Y2 JP H0536282Y2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Electromechanical Clocks (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は支持基板の絶縁表面で複数の膜状光電
変換素子を電気的に直列接続せしめた光起電力装
置に関する。
変換素子を電気的に直列接続せしめた光起電力装
置に関する。
(ロ) 従来の技術
光起電力装置、所謂太陽電池はその用途がハン
デイタイプの電卓からデスクトツプタイプ更にカ
ードタイプに、またデイジタル式の腕時計からア
ナログ式と拡大するに従つて、可撓性を有し、薄
くて破損しないと云う要求が高まつて来ている。
この市場ニーズに応えるべく、表面が絶縁処理さ
れたステンレス製の支持基板やポリイミド等の耐
熱性高分子材料製の支持基板を利用することが試
みられている（例えば実開昭59−166456号公報、
特開昭59−208793号公報参照）。
デイタイプの電卓からデスクトツプタイプ更にカ
ードタイプに、またデイジタル式の腕時計からア
ナログ式と拡大するに従つて、可撓性を有し、薄
くて破損しないと云う要求が高まつて来ている。
この市場ニーズに応えるべく、表面が絶縁処理さ
れたステンレス製の支持基板やポリイミド等の耐
熱性高分子材料製の支持基板を利用することが試
みられている（例えば実開昭59−166456号公報、
特開昭59−208793号公報参照）。
斯るステンレス製や高分子材料製の支持基板は
本質的に不透明であるために、該支持基板の絶縁
表面に設けられた複数の膜状光電変換素子への光
の入射は、支持基板の反射側から行なわれること
になる。従つて、上記膜状光電変換素子は支持基
板の絶縁表面側から金属製の背面電極、半導体接
合を持つ半導体層、及びSoO2、ITO等の透光製
導電酸化物製の受光面電極を順次積層した基本構
成を持ち、そして上記基本構成の光電変換素子は
支持基板の絶縁表面上で電気的に直列接続せしめ
られ、斯る直列出力は両端の光電変換素子の直列
出力端から導出される。即ち、支持基板として不
透明なものを用いると、直列出力端子も支持基板
に対して表面側に配置されることとなる。
本質的に不透明であるために、該支持基板の絶縁
表面に設けられた複数の膜状光電変換素子への光
の入射は、支持基板の反射側から行なわれること
になる。従つて、上記膜状光電変換素子は支持基
板の絶縁表面側から金属製の背面電極、半導体接
合を持つ半導体層、及びSoO2、ITO等の透光製
導電酸化物製の受光面電極を順次積層した基本構
成を持ち、そして上記基本構成の光電変換素子は
支持基板の絶縁表面上で電気的に直列接続せしめ
られ、斯る直列出力は両端の光電変換素子の直列
出力端から導出される。即ち、支持基板として不
透明なものを用いると、直列出力端子も支持基板
に対して表面側に配置されることとなる。
然し乍ら、支持基板に対して表面側、換言する
と、受光面側に直列出力端が配置されると、少な
くとも該直列出力端と負荷回路とを結ぶリード線
等の配線を受光面側に施さなければならず美観を
損ねると共に、通常負荷回路は支持基板に対して
背面側に設けられているので、配線を背面にまで
延長する必要性があり、配線作業が煩雑となる。
と、受光面側に直列出力端が配置されると、少な
くとも該直列出力端と負荷回路とを結ぶリード線
等の配線を受光面側に施さなければならず美観を
損ねると共に、通常負荷回路は支持基板に対して
背面側に設けられているので、配線を背面にまで
延長する必要性があり、配線作業が煩雑となる。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
本考案は支持基板の受光面側に直列接続形態の
光電変換素子を配置するとリード線等の配線が美
観を損ねたり、配線作業が煩雑となる点を解決し
ようとするものである。
光電変換素子を配置するとリード線等の配線が美
観を損ねたり、配線作業が煩雑となる点を解決し
ようとするものである。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案は上記問題点を解決するために、複数の
膜状光電変換素子を支持基板の絶縁表面で支持
し、当該絶縁表面上で上記光電変換素子を電気的
に直列接続せしめた光起電力装置であつて、上記
支持基板の絶縁表面と背面とを連通せしめる連通
手段と、上記光電変換素子の直列出力を取り出す
結合端子に電気的に連なる一対の導電材を有する
外部出力端子部材とを備え、この外部出力端子部
材は、該連通手段を通して上記導電材の一部を上
記背面に臨ませるように支持基板に取り付けられ
たことを特徴とする。
膜状光電変換素子を支持基板の絶縁表面で支持
し、当該絶縁表面上で上記光電変換素子を電気的
に直列接続せしめた光起電力装置であつて、上記
支持基板の絶縁表面と背面とを連通せしめる連通
手段と、上記光電変換素子の直列出力を取り出す
結合端子に電気的に連なる一対の導電材を有する
外部出力端子部材とを備え、この外部出力端子部
材は、該連通手段を通して上記導電材の一部を上
記背面に臨ませるように支持基板に取り付けられ
たことを特徴とする。
(ホ) 作用
上述の如く、支持基板の絶縁表面と背面とを連
通する連通手段を介して、光電変換素子の直列出
力を出力する結合端子に電気的に接続された外部
出力端子部材の一対の導電材が、支持基板の背面
に臨み、従つて、斯る連通手段から複数の光電変
換素子の直列出力が背面に導出される。
通する連通手段を介して、光電変換素子の直列出
力を出力する結合端子に電気的に接続された外部
出力端子部材の一対の導電材が、支持基板の背面
に臨み、従つて、斯る連通手段から複数の光電変
換素子の直列出力が背面に導出される。
(ヘ) 実施例
第１図乃至第３図は本考案の一実施例を示し、
１は厚み0.1mm〜0.3mm程度の柔軟なステンレス、
アルミニウム等の金属からなる支持基板、２は該
支持基板１の一方の主面を絶縁表面１ａとすべく
全面に形成された絶縁膜で、該絶縁膜２は膜厚
500Å〜10μm程度の電子ビーム蒸着により被着さ
れた窒化シリコン、酸化シリコン等の窒化物若し
くは酸化物及びポリイミド等の耐熱性高分子樹脂
からなる。３ａ〜３ｄは上記絶縁膜２上に中心対
称に４分割配置された複数の膜状光電変換素子
で、該光電変換素子３ａ〜３ｄは、絶縁膜２側、
即ち絶縁表面１ａ側から各素子毎に分割された膜
厚3000Å〜1μm程度の金属製背面電極４ａ〜４ｄ
と、各素子に連続的に跨つた厚み4000Å〜1μm程
度の膜状半導体層５と、各素子毎に分割された膜
厚400Å〜700Å程度の酸化スズ、酸化インジウム
スズ等の透明な受光面電極６ａ〜６ｄと、を順次
積層せしめた積層構造を持つ。上記半導体層５は
例えば周知のシリコン化合物雰囲気中でのプラズ
マ分解、或いは光分解により形成されるアモルフ
アスシリコンから成り、膜面に平行な受光面側か
ら見てPIN接合を有する。
１は厚み0.1mm〜0.3mm程度の柔軟なステンレス、
アルミニウム等の金属からなる支持基板、２は該
支持基板１の一方の主面を絶縁表面１ａとすべく
全面に形成された絶縁膜で、該絶縁膜２は膜厚
500Å〜10μm程度の電子ビーム蒸着により被着さ
れた窒化シリコン、酸化シリコン等の窒化物若し
くは酸化物及びポリイミド等の耐熱性高分子樹脂
からなる。３ａ〜３ｄは上記絶縁膜２上に中心対
称に４分割配置された複数の膜状光電変換素子
で、該光電変換素子３ａ〜３ｄは、絶縁膜２側、
即ち絶縁表面１ａ側から各素子毎に分割された膜
厚3000Å〜1μm程度の金属製背面電極４ａ〜４ｄ
と、各素子に連続的に跨つた厚み4000Å〜1μm程
度の膜状半導体層５と、各素子毎に分割された膜
厚400Å〜700Å程度の酸化スズ、酸化インジウム
スズ等の透明な受光面電極６ａ〜６ｄと、を順次
積層せしめた積層構造を持つ。上記半導体層５は
例えば周知のシリコン化合物雰囲気中でのプラズ
マ分解、或いは光分解により形成されるアモルフ
アスシリコンから成り、膜面に平行な受光面側か
ら見てPIN接合を有する。
７ｂ〜７ｄは各背面電極４ｂ〜４ｄから外周に
向かつて延在し半導体層５から露出した第１の接
続端子、８ａ〜８ｃは時計回りに隣接した光電変
換素子３ａ〜３ｃの第１の接続端子７ｂ〜７ｄに
結合すべく受光面電極６ａ〜６ｃから延在せしめ
られた鉤状の第２の接続端子、９，１０は左下若
しくは右下の光電変換素子３ａ，３ｄの背面電極
４ａ若しくは受光面電極６ｄから下辺に向つて延
在せしめられた結合端子、１１は該結合端子９，
１０間の支持基板１が切り欠かれた切欠による連
通手段、１２は支持基板１の絶縁表面１ａ側に於
いて該連通手段１１を跨いで設けられた外部出力
端子部材である。
向かつて延在し半導体層５から露出した第１の接
続端子、８ａ〜８ｃは時計回りに隣接した光電変
換素子３ａ〜３ｃの第１の接続端子７ｂ〜７ｄに
結合すべく受光面電極６ａ〜６ｃから延在せしめ
られた鉤状の第２の接続端子、９，１０は左下若
しくは右下の光電変換素子３ａ，３ｄの背面電極
４ａ若しくは受光面電極６ｄから下辺に向つて延
在せしめられた結合端子、１１は該結合端子９，
１０間の支持基板１が切り欠かれた切欠による連
通手段、１２は支持基板１の絶縁表面１ａ側に於
いて該連通手段１１を跨いで設けられた外部出力
端子部材である。
而して、本考案の特徴は第４図及び第５図の基
本構成に、第６図に示す外部出力端子部材１２を
付加したところにある。即ち、上記外部出力端子
部材１２は、差し渡しが上記結合端子９，１０を
十分に跨ぐ絶縁板１３上に、プラスの直列出力端
とマイナスの直列出力端を各々司どる一対の導電
膜１４，１５が並置して設けられ、各々の導電膜
１４，１５上には熱可塑性の接着層１６，１６…
…が適宜配置されている。また上記導電膜１４，
１５に必要に応じて予めリード線を固着しておい
ても良い。そして、斯る外部出力端子部材１２は
第３図に示す如く、支持基板１の絶縁表面１ａに
於ける連通手段１１近傍にまで延在した結合端子
９，１０と、上記一対の導電膜１４，１５が各々
面接触することにより電気的に連なると共に、上
記接着層１６，１６……への加熱によつて支持基
板１への機械的固定が施されている。このように
差し渡しが結合端子９，１０を十分に跨ぐ外部出
力端子部材１２を用い、該出力端子部材１２の一
対の導電膜１４，１５を上記結合端子９，１０と
結合させると、斯る導電膜１４，１５の隣接端は
連通手段１１に露出することとなり、その結果該
導電膜１４，１５は連通手段１１を通して支持基
板１の背面１ｂ向かつて設けられる。即ち、上記
連通手段１１を通して光電変換素子３ａ〜３ｄの
直列出力は支持基板１の背面に導出されることと
なる。
本構成に、第６図に示す外部出力端子部材１２を
付加したところにある。即ち、上記外部出力端子
部材１２は、差し渡しが上記結合端子９，１０を
十分に跨ぐ絶縁板１３上に、プラスの直列出力端
とマイナスの直列出力端を各々司どる一対の導電
膜１４，１５が並置して設けられ、各々の導電膜
１４，１５上には熱可塑性の接着層１６，１６…
…が適宜配置されている。また上記導電膜１４，
１５に必要に応じて予めリード線を固着しておい
ても良い。そして、斯る外部出力端子部材１２は
第３図に示す如く、支持基板１の絶縁表面１ａに
於ける連通手段１１近傍にまで延在した結合端子
９，１０と、上記一対の導電膜１４，１５が各々
面接触することにより電気的に連なると共に、上
記接着層１６，１６……への加熱によつて支持基
板１への機械的固定が施されている。このように
差し渡しが結合端子９，１０を十分に跨ぐ外部出
力端子部材１２を用い、該出力端子部材１２の一
対の導電膜１４，１５を上記結合端子９，１０と
結合させると、斯る導電膜１４，１５の隣接端は
連通手段１１に露出することとなり、その結果該
導電膜１４，１５は連通手段１１を通して支持基
板１の背面１ｂ向かつて設けられる。即ち、上記
連通手段１１を通して光電変換素子３ａ〜３ｄの
直列出力は支持基板１の背面に導出されることと
なる。
尚、上記実施例に於ける連通手段１１は切欠で
あつたが透孔であつても良く、またその箇所も１
箇所に限らずプラス側、マイナス側と２箇所とし
ても良い。また外部出力端子部材１２の支持基板
１に対する機械的固定は接着層１６，１６……に
限定されるものではなく、例えば螺旋を利用した
螺着や、他の部材との挟着等種々の手法を用いる
ことができる。
あつたが透孔であつても良く、またその箇所も１
箇所に限らずプラス側、マイナス側と２箇所とし
ても良い。また外部出力端子部材１２の支持基板
１に対する機械的固定は接着層１６，１６……に
限定されるものではなく、例えば螺旋を利用した
螺着や、他の部材との挟着等種々の手法を用いる
ことができる。
(ト) 考案の効果
本考案は以上の説明から明らかな如く、支持基
板の絶縁表面と背面とを連通する連通手段を介し
て、光電変換素子の直列出力を出力する結合端子
に電気的に接続された外部出力端子部材の一対の
導電材が、支持基板の背面に臨み、従つて、斯る
連通手段を通して光電変換素子の直列出力端を背
面に臨ませることができるので、支持基板の受光
面側に直列接続形態の光電変換素子を配置したに
も拘らず、美観を損ねたり、配線作業の煩雑さも
なく背面側に直列出力端を容易に導出することが
できる。
板の絶縁表面と背面とを連通する連通手段を介し
て、光電変換素子の直列出力を出力する結合端子
に電気的に接続された外部出力端子部材の一対の
導電材が、支持基板の背面に臨み、従つて、斯る
連通手段を通して光電変換素子の直列出力端を背
面に臨ませることができるので、支持基板の受光
面側に直列接続形態の光電変換素子を配置したに
も拘らず、美観を損ねたり、配線作業の煩雑さも
なく背面側に直列出力端を容易に導出することが
できる。
第１図乃至第３図は本考案光起電力装置の一実
施例を示し、第１図は正面図、第２図は第１図の
−′線断面図、第３図は第１図の−′線断
面図、第４図は本考案の基本構成の正面図、第５
図は第４図の−′線断面図、第６図は本考案
の要部である外部出力端子部材の断面図、を夫々
示している。 １……支持基板、３ａ〜３ｄ……光電変換素
子、９，１０……結合端子、１１……連通手段、
１２……外部出力端子部材、１４，１５……直列
出力端を司どる導電膜。
施例を示し、第１図は正面図、第２図は第１図の
−′線断面図、第３図は第１図の−′線断
面図、第４図は本考案の基本構成の正面図、第５
図は第４図の−′線断面図、第６図は本考案
の要部である外部出力端子部材の断面図、を夫々
示している。 １……支持基板、３ａ〜３ｄ……光電変換素
子、９，１０……結合端子、１１……連通手段、
１２……外部出力端子部材、１４，１５……直列
出力端を司どる導電膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 複数の膜状光電変換素子を支持基板の絶縁表
面で支持し、当該絶縁表面上で上記光電変換素
子を電気的に直列接続せしめた光起電力装置で
あつて、上記支持基板の絶縁表面と背面とを連
通せしめる連通手段と、上記光電変換素子の直
列出力を取り出す結合端子に電気的に連なる一
対の導電材を有する外部出力端子部材とを備
え、この外部出力端子部材は、該連通手段を通
して上記導電材の一部を上記背面に臨ませるよ
うに支持基板に取り付けられたことを特徴とし
た光起電力装置。 (2) 上記連通手段は支持基板の切欠であることを
特徴とした実用新案登録請求の範囲第１項記載
の光起電力装置。 (3) 上記連通手段は支持基板の透孔であることを
特徴とした実用新案登録請求の範囲第１項記載
の光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986168343U JPH0536282Y2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986168343U JPH0536282Y2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373953U JPS6373953U (ja) | 1988-05-17 |
| JPH0536282Y2 true JPH0536282Y2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=31101135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986168343U Expired - Lifetime JPH0536282Y2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536282Y2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5217746A (en) * | 1975-07-31 | 1977-02-09 | Showa Electric Wire & Cable Co Ltd | Half-distributed winding type electromagnetic delay line manufacturing machine |
| JPS5286788A (en) * | 1976-01-13 | 1977-07-19 | Seiko Epson Corp | Solar cell wristwatch |
| JPS5288070A (en) * | 1976-01-16 | 1977-07-22 | Seiko Epson Corp | Solar cell type wristwatch |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5223347Y2 (ja) * | 1972-04-19 | 1977-05-27 |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP1986168343U patent/JPH0536282Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5217746A (en) * | 1975-07-31 | 1977-02-09 | Showa Electric Wire & Cable Co Ltd | Half-distributed winding type electromagnetic delay line manufacturing machine |
| JPS5286788A (en) * | 1976-01-13 | 1977-07-19 | Seiko Epson Corp | Solar cell wristwatch |
| JPS5288070A (en) * | 1976-01-16 | 1977-07-22 | Seiko Epson Corp | Solar cell type wristwatch |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6373953U (ja) | 1988-05-17 |
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