JPS62128571A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池Info
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- JPS62128571A JPS62128571A JP60268638A JP26863885A JPS62128571A JP S62128571 A JPS62128571 A JP S62128571A JP 60268638 A JP60268638 A JP 60268638A JP 26863885 A JP26863885 A JP 26863885A JP S62128571 A JPS62128571 A JP S62128571A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
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- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、太陽電池の外部引出し導体との接続が端子部
とばね接触子の接触によって行われるアモルファスシリ
コン(a−5i)太陽電池に関する。
とばね接触子の接触によって行われるアモルファスシリ
コン(a−5i)太陽電池に関する。
これらa −3i太陽電池の端子部の構造としてガラス
板のような絶縁基板上に透明導電膜を被着した電極、あ
るいは金属層を被着した電極、または透明導電膜の上に
金属層を被着した電極等が知られている。ところが外部
引出し導体としてばね接触子を用いると、振動などによ
り加圧力が変動することおよび接触子により接着面に剪
断力が生ずることなどにより基板と電橋間あるいは電極
の眉間にはがれを起こすという欠点があった。
板のような絶縁基板上に透明導電膜を被着した電極、あ
るいは金属層を被着した電極、または透明導電膜の上に
金属層を被着した電極等が知られている。ところが外部
引出し導体としてばね接触子を用いると、振動などによ
り加圧力が変動することおよび接触子により接着面に剪
断力が生ずることなどにより基板と電橋間あるいは電極
の眉間にはがれを起こすという欠点があった。
本発明は、上述の欠点を除去してばね接触子に接触する
端子部におけるはがれによる接触不良の生じないa−5
i太陽電池を提供することを目的とする。
端子部におけるはがれによる接触不良の生じないa−5
i太陽電池を提供することを目的とする。
本発明によるa−Si太陽電池は、接触子の接触する端
子部の表面が金属層からなり、その金属層と絶縁透明基
板の間に少なくとも金属層に隣接してa−5i膜が介在
するもので、a −3iが金属層。 透明導電膜、ガラスと良好な付着性を示すので、はがれ
の発生がなく上記の目的が達成される。
子部の表面が金属層からなり、その金属層と絶縁透明基
板の間に少なくとも金属層に隣接してa−5i膜が介在
するもので、a −3iが金属層。 透明導電膜、ガラスと良好な付着性を示すので、はがれ
の発生がなく上記の目的が達成される。
第1図は本発明の実施例を示すもので、絶縁透明基板と
してのガラス板1の上にIn0g + SnO□SnO
。 などの透明導電材料からなる透明導電膜2.a−Si膜
3.金属114が積層され、a −5i太陽電池の発電
領域lOが形成されている。透明導電膜2は、その一部
分が延長され端子部11の基盤となり、その上に端子部
のa−5i膜31が、そして端子部金属I!41が形成
される。この時端子部金属層41は、Ti層、あるいは
kl −Ti、 A/−Ni 2 Nからなる発電領域
の金属層4と同様の金属が蒸着されている。この金属層
41の下にa−5i膜31を介在させることにより、a
−Siは金属あるいは透明導電材料との密着性が良い
ため、ばね接触子5から加わる振動あるいは剪断力によ
り金属FJ41とa −5i膜31との間あるいはa−
5i膜31と透明導電膜2との間ではがれることはない
という利点が得られる。この第1図はa−5i膜3が基
板側からPINという順序に積層されている場合でこの
端子11は正極となる。 逆に負極の端子部12は、第2図に示すように金属[4
を端子部透明導電膜21およびa −3i膜の上に延長
した形となる。 第3図は別の実施例で正極の端子部を表わし、端子部り
投構造を基板11端子部a−3i膜31.端子部金属層
41の順に形成したもので、端子部金属N41と透明導
電膜2は端子部10の外側で接触している。この場合は
、a−3iとガラスとの密着性も良好でありはがれのお
それはない、第4図は負極の端子部を表し、金属層4が
延長されて端子部a−5i膜31上に形成され、同様の
利点が得られる。 なお発明者らの所見では、密着性は良好な方からa−3
iと金属、a−Siと透明導電材料、a−5iとガラス
、i3明導電材料とガラス、金属とガラス。 金属と透明導電材料の組合わせで、本発明による端子部
における接着面の密着性の良好なことがわかる。 【発明の効果] 本発明によれば、端子部を基板上に透明導電膜。 a−3i膜および金属層あるいはa−Si膜および金属
層により形成したため、層相互あるいは層と基板との密
着性が良好となり、ばね接触子から加わる力によるはが
れの発生が極めて少な(なり、a−St太陽電池の端子
部の信転性の向上に極めて存効である。
してのガラス板1の上にIn0g + SnO□SnO
。 などの透明導電材料からなる透明導電膜2.a−Si膜
3.金属114が積層され、a −5i太陽電池の発電
領域lOが形成されている。透明導電膜2は、その一部
分が延長され端子部11の基盤となり、その上に端子部
のa−5i膜31が、そして端子部金属I!41が形成
される。この時端子部金属層41は、Ti層、あるいは
kl −Ti、 A/−Ni 2 Nからなる発電領域
の金属層4と同様の金属が蒸着されている。この金属層
41の下にa−5i膜31を介在させることにより、a
−Siは金属あるいは透明導電材料との密着性が良い
ため、ばね接触子5から加わる振動あるいは剪断力によ
り金属FJ41とa −5i膜31との間あるいはa−
5i膜31と透明導電膜2との間ではがれることはない
という利点が得られる。この第1図はa−5i膜3が基
板側からPINという順序に積層されている場合でこの
端子11は正極となる。 逆に負極の端子部12は、第2図に示すように金属[4
を端子部透明導電膜21およびa −3i膜の上に延長
した形となる。 第3図は別の実施例で正極の端子部を表わし、端子部り
投構造を基板11端子部a−3i膜31.端子部金属層
41の順に形成したもので、端子部金属N41と透明導
電膜2は端子部10の外側で接触している。この場合は
、a−3iとガラスとの密着性も良好でありはがれのお
それはない、第4図は負極の端子部を表し、金属層4が
延長されて端子部a−5i膜31上に形成され、同様の
利点が得られる。 なお発明者らの所見では、密着性は良好な方からa−3
iと金属、a−Siと透明導電材料、a−5iとガラス
、i3明導電材料とガラス、金属とガラス。 金属と透明導電材料の組合わせで、本発明による端子部
における接着面の密着性の良好なことがわかる。 【発明の効果] 本発明によれば、端子部を基板上に透明導電膜。 a−3i膜および金属層あるいはa−Si膜および金属
層により形成したため、層相互あるいは層と基板との密
着性が良好となり、ばね接触子から加わる力によるはが
れの発生が極めて少な(なり、a−St太陽電池の端子
部の信転性の向上に極めて存効である。
第1図1第2図、第3図、第4図はそれぞれ本発明の異
なる実施例における端子部近傍の断面図である。 1ニガラス基板、2.21:i3明導電膜、3.31j
a−5i膜、4.41;金属層、5:ばね接触子、10
:発電領域、11:王権端子部、12:負極端子部。 ど、°+。 5− 迫 第3図 i 第4図
なる実施例における端子部近傍の断面図である。 1ニガラス基板、2.21:i3明導電膜、3.31j
a−5i膜、4.41;金属層、5:ばね接触子、10
:発電領域、11:王権端子部、12:負極端子部。 ど、°+。 5− 迫 第3図 i 第4図
Claims (1)
- 1)外部引出し導体との接続が端子部とばね接触子の接
触によって行われるものにおいて、接触子の接触する端
子部の表面が金属層からなり、該金属層と絶縁透明基板
との間に少なくとも金属層に隣接してアモルファスシリ
コン膜が介在することを特徴とするアモルファスシリコ
ン太陽電池。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60268638A JPS62128571A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
US06/935,186 US4776896A (en) | 1985-11-29 | 1986-11-26 | Amorphous silicon solar battery |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60268638A JPS62128571A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62128571A true JPS62128571A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17461330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60268638A Pending JPS62128571A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4776896A (ja) |
JP (1) | JPS62128571A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012160519A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Sharp Corp | 太陽電池装置およびその製造方法、ならびに、当該太陽電池装置を備えた電子機器 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5503684A (en) * | 1994-12-30 | 1996-04-02 | Silicon Energy Corporation | Termination system for solar panels |
US5838054A (en) * | 1996-12-23 | 1998-11-17 | General Electric Company | Contact pads for radiation imagers |
US8846149B2 (en) * | 2006-02-21 | 2014-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Delamination resistant semiconductor film and method for forming the same |
US7897471B2 (en) * | 2008-06-19 | 2011-03-01 | Fairchild Semiconductor Corporation | Method and apparatus to improve the reliability of the breakdown voltage in high voltage devices |
FR2959871B1 (fr) * | 2010-05-07 | 2012-07-06 | Inst Rech Fondamentale En Technologies Solaires Irfts | Dispositif de montage de cellules photovoltaiques sur un support de connectique |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4281208A (en) * | 1979-02-09 | 1981-07-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device and method of manufacturing thereof |
JPS5839073A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | アモルフアス太陽電池 |
JPS58112374A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-04 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
JPS597062B2 (ja) * | 1982-02-26 | 1984-02-16 | 重孝 大出 | プラスチツク遊星歯車装置 |
JPS58215082A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | アモルフアス太陽電池 |
US4593152A (en) * | 1982-11-24 | 1986-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP60268638A patent/JPS62128571A/ja active Pending
-
1986
- 1986-11-26 US US06/935,186 patent/US4776896A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012160519A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Sharp Corp | 太陽電池装置およびその製造方法、ならびに、当該太陽電池装置を備えた電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4776896A (en) | 1988-10-11 |
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