JPS62128571A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池Info
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- JPS62128571A JPS62128571A JP60268638A JP26863885A JPS62128571A JP S62128571 A JPS62128571 A JP S62128571A JP 60268638 A JP60268638 A JP 60268638A JP 26863885 A JP26863885 A JP 26863885A JP S62128571 A JPS62128571 A JP S62128571A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
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- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、太陽電池の外部引出し導体との接続が端子部
とばね接触子の接触によって行われるアモルファスシリ
コン（ａ−５ｉ）太陽電池に関する。
とばね接触子の接触によって行われるアモルファスシリ
コン（ａ−５ｉ）太陽電池に関する。
これらａ −３ｉ太陽電池の端子部の構造としてガラス
板のような絶縁基板上に透明導電膜を被着した電極、あ
るいは金属層を被着した電極、または透明導電膜の上に
金属層を被着した電極等が知られている。ところが外部
引出し導体としてばね接触子を用いると、振動などによ
り加圧力が変動することおよび接触子により接着面に剪
断力が生ずることなどにより基板と電橋間あるいは電極
の眉間にはがれを起こすという欠点があった。
板のような絶縁基板上に透明導電膜を被着した電極、あ
るいは金属層を被着した電極、または透明導電膜の上に
金属層を被着した電極等が知られている。ところが外部
引出し導体としてばね接触子を用いると、振動などによ
り加圧力が変動することおよび接触子により接着面に剪
断力が生ずることなどにより基板と電橋間あるいは電極
の眉間にはがれを起こすという欠点があった。
本発明は、上述の欠点を除去してばね接触子に接触する
端子部におけるはがれによる接触不良の生じないａ−５
ｉ太陽電池を提供することを目的とする。
端子部におけるはがれによる接触不良の生じないａ−５
ｉ太陽電池を提供することを目的とする。
本発明によるａ−Ｓｉ太陽電池は、接触子の接触する端
子部の表面が金属層からなり、その金属層と絶縁透明基
板の間に少なくとも金属層に隣接してａ−５ｉ膜が介在
するもので、ａ −３ｉが金属層。 透明導電膜、ガラスと良好な付着性を示すので、はがれ
の発生がなく上記の目的が達成される。
子部の表面が金属層からなり、その金属層と絶縁透明基
板の間に少なくとも金属層に隣接してａ−５ｉ膜が介在
するもので、ａ −３ｉが金属層。 透明導電膜、ガラスと良好な付着性を示すので、はがれ
の発生がなく上記の目的が達成される。
第１図は本発明の実施例を示すもので、絶縁透明基板と
してのガラス板１の上にＩｎ０ｇ ＋ ＳｎＯ□ＳｎＯ
。 などの透明導電材料からなる透明導電膜２．ａ−Ｓｉ膜
３．金属１１４が積層され、ａ −５ｉ太陽電池の発電
領域ｌＯが形成されている。透明導電膜２は、その一部
分が延長され端子部１１の基盤となり、その上に端子部
のａ−５ｉ膜３１が、そして端子部金属Ｉ！４１が形成
される。この時端子部金属層４１は、Ｔｉ層、あるいは
ｋｌ −Ｔｉ、 Ａ／−Ｎｉ ２ Ｎからなる発電領域
の金属層４と同様の金属が蒸着されている。この金属層
４１の下にａ−５ｉ膜３１を介在させることにより、ａ
−Ｓｉは金属あるいは透明導電材料との密着性が良い
ため、ばね接触子５から加わる振動あるいは剪断力によ
り金属ＦＪ４１とａ −５ｉ膜３１との間あるいはａ−
５ｉ膜３１と透明導電膜２との間ではがれることはない
という利点が得られる。この第１図はａ−５ｉ膜３が基
板側からＰＩＮという順序に積層されている場合でこの
端子１１は正極となる。 逆に負極の端子部１２は、第２図に示すように金属［４
を端子部透明導電膜２１およびａ −３ｉ膜の上に延長
した形となる。 第３図は別の実施例で正極の端子部を表わし、端子部り
投構造を基板１１端子部ａ−３ｉ膜３１．端子部金属層
４１の順に形成したもので、端子部金属Ｎ４１と透明導
電膜２は端子部１０の外側で接触している。この場合は
、ａ−３ｉとガラスとの密着性も良好でありはがれのお
それはない、第４図は負極の端子部を表し、金属層４が
延長されて端子部ａ−５ｉ膜３１上に形成され、同様の
利点が得られる。 なお発明者らの所見では、密着性は良好な方からａ−３
ｉと金属、ａ−Ｓｉと透明導電材料、ａ−５ｉとガラス
、ｉ３明導電材料とガラス、金属とガラス。 金属と透明導電材料の組合わせで、本発明による端子部
における接着面の密着性の良好なことがわかる。 【発明の効果］ 本発明によれば、端子部を基板上に透明導電膜。 ａ−３ｉ膜および金属層あるいはａ−Ｓｉ膜および金属
層により形成したため、層相互あるいは層と基板との密
着性が良好となり、ばね接触子から加わる力によるはが
れの発生が極めて少な（なり、ａ−Ｓｔ太陽電池の端子
部の信転性の向上に極めて存効である。
してのガラス板１の上にＩｎ０ｇ ＋ ＳｎＯ□ＳｎＯ
。 などの透明導電材料からなる透明導電膜２．ａ−Ｓｉ膜
３．金属１１４が積層され、ａ −５ｉ太陽電池の発電
領域ｌＯが形成されている。透明導電膜２は、その一部
分が延長され端子部１１の基盤となり、その上に端子部
のａ−５ｉ膜３１が、そして端子部金属Ｉ！４１が形成
される。この時端子部金属層４１は、Ｔｉ層、あるいは
ｋｌ −Ｔｉ、 Ａ／−Ｎｉ ２ Ｎからなる発電領域
の金属層４と同様の金属が蒸着されている。この金属層
４１の下にａ−５ｉ膜３１を介在させることにより、ａ
−Ｓｉは金属あるいは透明導電材料との密着性が良い
ため、ばね接触子５から加わる振動あるいは剪断力によ
り金属ＦＪ４１とａ −５ｉ膜３１との間あるいはａ−
５ｉ膜３１と透明導電膜２との間ではがれることはない
という利点が得られる。この第１図はａ−５ｉ膜３が基
板側からＰＩＮという順序に積層されている場合でこの
端子１１は正極となる。 逆に負極の端子部１２は、第２図に示すように金属［４
を端子部透明導電膜２１およびａ −３ｉ膜の上に延長
した形となる。 第３図は別の実施例で正極の端子部を表わし、端子部り
投構造を基板１１端子部ａ−３ｉ膜３１．端子部金属層
４１の順に形成したもので、端子部金属Ｎ４１と透明導
電膜２は端子部１０の外側で接触している。この場合は
、ａ−３ｉとガラスとの密着性も良好でありはがれのお
それはない、第４図は負極の端子部を表し、金属層４が
延長されて端子部ａ−５ｉ膜３１上に形成され、同様の
利点が得られる。 なお発明者らの所見では、密着性は良好な方からａ−３
ｉと金属、ａ−Ｓｉと透明導電材料、ａ−５ｉとガラス
、ｉ３明導電材料とガラス、金属とガラス。 金属と透明導電材料の組合わせで、本発明による端子部
における接着面の密着性の良好なことがわかる。 【発明の効果］ 本発明によれば、端子部を基板上に透明導電膜。 ａ−３ｉ膜および金属層あるいはａ−Ｓｉ膜および金属
層により形成したため、層相互あるいは層と基板との密
着性が良好となり、ばね接触子から加わる力によるはが
れの発生が極めて少な（なり、ａ−Ｓｔ太陽電池の端子
部の信転性の向上に極めて存効である。
第１図１第２図、第３図、第４図はそれぞれ本発明の異
なる実施例における端子部近傍の断面図である。 １ニガラス基板、２．２１：ｉ３明導電膜、３．３１ｊ
ａ−５ｉ膜、４．４１；金属層、５：ばね接触子、１０
：発電領域、１１：王権端子部、１２：負極端子部。 ど、°＋。 ５− 迫 第３図 ｉ 第４図
なる実施例における端子部近傍の断面図である。 １ニガラス基板、２．２１：ｉ３明導電膜、３．３１ｊ
ａ−５ｉ膜、４．４１；金属層、５：ばね接触子、１０
：発電領域、１１：王権端子部、１２：負極端子部。 ど、°＋。 ５− 迫 第３図 ｉ 第４図
Claims (1)
- １）外部引出し導体との接続が端子部とばね接触子の接
触によって行われるものにおいて、接触子の接触する端
子部の表面が金属層からなり、該金属層と絶縁透明基板
との間に少なくとも金属層に隣接してアモルファスシリ
コン膜が介在することを特徴とするアモルファスシリコ
ン太陽電池。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60268638A JPS62128571A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
| US06/935,186 US4776896A (en) | 1985-11-29 | 1986-11-26 | Amorphous silicon solar battery |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60268638A JPS62128571A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128571A true JPS62128571A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17461330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60268638A Pending JPS62128571A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4776896A (ja) |
| JP (1) | JPS62128571A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012160519A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Sharp Corp | 太陽電池装置およびその製造方法、ならびに、当該太陽電池装置を備えた電子機器 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5503684A (en) * | 1994-12-30 | 1996-04-02 | Silicon Energy Corporation | Termination system for solar panels |
| US5838054A (en) * | 1996-12-23 | 1998-11-17 | General Electric Company | Contact pads for radiation imagers |
| US8846149B2 (en) * | 2006-02-21 | 2014-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Delamination resistant semiconductor film and method for forming the same |
| US7897471B2 (en) | 2008-06-19 | 2011-03-01 | Fairchild Semiconductor Corporation | Method and apparatus to improve the reliability of the breakdown voltage in high voltage devices |
| FR2959871B1 (fr) * | 2010-05-07 | 2012-07-06 | Inst Rech Fondamentale En Technologies Solaires Irfts | Dispositif de montage de cellules photovoltaiques sur un support de connectique |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4281208A (en) * | 1979-02-09 | 1981-07-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device and method of manufacturing thereof |
| JPS5839073A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | アモルフアス太陽電池 |
| JPS58112374A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-04 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS597062B2 (ja) * | 1982-02-26 | 1984-02-16 | 重孝 大出 | プラスチツク遊星歯車装置 |
| JPS58215082A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | アモルフアス太陽電池 |
| US4593152A (en) * | 1982-11-24 | 1986-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP60268638A patent/JPS62128571A/ja active Pending
-
1986
- 1986-11-26 US US06/935,186 patent/US4776896A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012160519A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Sharp Corp | 太陽電池装置およびその製造方法、ならびに、当該太陽電池装置を備えた電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4776896A (en) | 1988-10-11 |
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