JPS58215082A - アモルフアス太陽電池 - Google Patents
アモルフアス太陽電池Info
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- JPS58215082A JPS58215082A JP57098644A JP9864482A JPS58215082A JP S58215082 A JPS58215082 A JP S58215082A JP 57098644 A JP57098644 A JP 57098644A JP 9864482 A JP9864482 A JP 9864482A JP S58215082 A JPS58215082 A JP S58215082A
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- JP
- Japan
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- amorphous
- electrodes
- epoxy resin
- electrode
- flexibility
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明４にアモルファスシリコン等を用いた光−電タエ
不ルキ変」Ｌ所謂アモルファス太陽寅池の改良に関する
ものである。
不ルキ変」Ｌ所謂アモルファス太陽寅池の改良に関する
ものである。
アモルファス太陽電池に基板上に高周波放電に工り形成
したプラズマ反「膜のアモルファスシリコン層に、太陽
光、蛍光灯等の光を受光せしめるとその光エネルギが電
気エネルギに変換されることを利用［たものであり、近
時その利用が進んでいる。而して腕時計、電卓等の携帯
用ｔ５器に利用する場合に耐衝撃性を高めることが９才
れる。このために従来はアモルファス層を保護すべく硬
物のエポキシ樹脂膜で被覆することと１７でいた。し７
カ・１．′ｆ：から携帯用侵器の場合に急激な温度変化
に曝されることか多く、前記エポキシ樹脂膜も含めてア
モルファス太陽電池を描我する各伸材糾１ハ；σ）熱膨
張率差に基〈熱応力Ｑτよる破壊を防止する必要があり
、この面では上記エポキシ樹脂膜は必ずしも望ましいも
のではな楚・つた。叩ちその煕脇張率はカラス基板、電
極膜、アモルファス層に比較して数倍〜１０倍程度高く
、カラス基板σ）φ損。
したプラズマ反「膜のアモルファスシリコン層に、太陽
光、蛍光灯等の光を受光せしめるとその光エネルギが電
気エネルギに変換されることを利用［たものであり、近
時その利用が進んでいる。而して腕時計、電卓等の携帯
用ｔ５器に利用する場合に耐衝撃性を高めることが９才
れる。このために従来はアモルファス層を保護すべく硬
物のエポキシ樹脂膜で被覆することと１７でいた。し７
カ・１．′ｆ：から携帯用侵器の場合に急激な温度変化
に曝されることか多く、前記エポキシ樹脂膜も含めてア
モルファス太陽電池を描我する各伸材糾１ハ；σ）熱膨
張率差に基〈熱応力Ｑτよる破壊を防止する必要があり
、この面では上記エポキシ樹脂膜は必ずしも望ましいも
のではな楚・つた。叩ちその煕脇張率はカラス基板、電
極膜、アモルファス層に比較して数倍〜１０倍程度高く
、カラス基板σ）φ損。
アモルファス層等の剥難を生じた。またこび）％−ｉ１
ｉ！策のエホキシ樹脂は硬化収縮の際の収縮５１・・力
による悪影響もみられた。
ｉ！策のエホキシ樹脂は硬化収縮の際の収縮５１・・力
による悪影響もみられた。
本発明は所かる事情に鑑みてなされたものであって可撓
・罷を有するエホキシ標脂をｌｆｉいることにより耐衝
撃性、耐応力性を謳めたアモルファス太陽電池を提供す
ることを目げ５１とする。
・罷を有するエホキシ標脂をｌｆｉいることにより耐衝
撃性、耐応力性を謳めたアモルファス太陽電池を提供す
ることを目げ５１とする。
以下本発明をその実施例ケ示す図面に基き具体的に説明
する。
する。
第１図は本発明ＶＣ係る樹脂膜歴収市にお・ｄる状態全
良面伊１ｉ７）・ら示している。図において１はカラス
基板であって、その裏面にに透ｉ＋１％峨２，２・・・
が複数条を平行にして形成されているっこの透明電極２
及びカラス基板１の所要領′Ｍ、を覆うようにアモルフ
ァスシリコン族３が被着形成されている。
良面伊１ｉ７）・ら示している。図において１はカラス
基板であって、その裏面にに透ｉ＋１％峨２，２・・・
が複数条を平行にして形成されているっこの透明電極２
及びカラス基板１の所要領′Ｍ、を覆うようにアモルフ
ァスシリコン族３が被着形成されている。
アモルファスシリコン層３の下面には複数条の裏面電極
４，４・・・が透明電極２，２・とその平面視位置を少
し偏らせて平行的に形成されているっ裏面電極４は夫々
の一側方に偏って位置する透明電極２と接続されており
、−側端部の透明電極２及び他１ｕｌｌ端邪の裏面電極
４にはリード端子５５が接続されており、裏面電極４（
！：その他側方に偏っテ位置する透明電極（つ壕りアモ
ルファスシリコン、−３を挾んで略々対向しており、当
該裏面電極４と接続されていない方の透明電極）２とで
構成される電池素子を直列接続した構成として、リード
端子５，５から外部へ起宙力全収出するようにしている
。
４，４・・・が透明電極２，２・とその平面視位置を少
し偏らせて平行的に形成されているっ裏面電極４は夫々
の一側方に偏って位置する透明電極２と接続されており
、−側端部の透明電極２及び他１ｕｌｌ端邪の裏面電極
４にはリード端子５５が接続されており、裏面電極４（
！：その他側方に偏っテ位置する透明電極（つ壕りアモ
ルファスシリコン、−３を挾んで略々対向しており、当
該裏面電極４と接続されていない方の透明電極）２とで
構成される電池素子を直列接続した構成として、リード
端子５，５から外部へ起宙力全収出するようにしている
。
このような状急に構成したあと、第２図、第３図に断面
構造図で示す如く、保護膜６を形成する。
構造図で示す如く、保護膜６を形成する。
この保護膜６は下式で示される長鎖脂肋族エポキシ主剤
と、
トリエチレンテトラミン
ＮＨ２ＣＨ２−ＣＨ２ＮＨＣＨ２−ＣＨ２ＮＨＣＨ２Ｃ
Ｈ２ＮＨ２等の変性脂肪族ポリアミン硬化剤（例えば前
者としては商品名アラルダイ）ＣＹ２２１主剤、後者と
してけＨＹ２９６７硬化剤が挙げられる）とを混合し、
要所にハケ塗り等によって塗着して硬化させてなるもの
であり、可撓性樹脂被膜とかっている。保護膜６の形成
箇処としてはガラス基板ｌの有効受光面となる孔分汐ひ
リード端子５，５の外部回路に接続すべき部分は少くと
も除かれ第２゜第３図に示すように下面の略全邪、横周
面の略々全部及び上面内縁部に該保護膜６が形成される
。
Ｈ２ＮＨ２等の変性脂肪族ポリアミン硬化剤（例えば前
者としては商品名アラルダイ）ＣＹ２２１主剤、後者と
してけＨＹ２９６７硬化剤が挙げられる）とを混合し、
要所にハケ塗り等によって塗着して硬化させてなるもの
であり、可撓性樹脂被膜とかっている。保護膜６の形成
箇処としてはガラス基板ｌの有効受光面となる孔分汐ひ
リード端子５，５の外部回路に接続すべき部分は少くと
も除かれ第２゜第３図に示すように下面の略全邪、横周
面の略々全部及び上面内縁部に該保護膜６が形成される
。
前記主剤及び硬化剤からなる長鎖脂肪族型エポキシ樹脂
に室温硬化梨のものであって、硬化機の物性が例えばテ
ユロメータ硬度（測定法ＡＳＴＭＤ−２２４０）でＡ−
８膜程度である。従って従来便用されていた如き硬質の
ものとは異り、硬化のために高温にする必要が〃く、従
ってそれによってアモルファス膜面の劣化か促進される
ことが庁い。また従来のものけ硬質であるので脆く、耐
衝撃性が低いが未発明品は司挟、性ｌ（富み、前述した
如き携帯用機器を落下したり衝突させたりした場合も衝
撃応力？吸収して破壊から守られる。
に室温硬化梨のものであって、硬化機の物性が例えばテ
ユロメータ硬度（測定法ＡＳＴＭＤ−２２４０）でＡ−
８膜程度である。従って従来便用されていた如き硬質の
ものとは異り、硬化のために高温にする必要が〃く、従
ってそれによってアモルファス膜面の劣化か促進される
ことが庁い。また従来のものけ硬質であるので脆く、耐
衝撃性が低いが未発明品は司挟、性ｌ（富み、前述した
如き携帯用機器を落下したり衝突させたりした場合も衝
撃応力？吸収して破壊から守られる。
また黛り力についてもエポキシ極脂の熱膨張率に前述し
たように高いのであるが、本発明品の場合は保護膜のゴ
１撓件故１て熱トカが伏和されることトナリ、アモルフ
ァス層」１膜の剥ｉｔ生ずることがない。更ｆエポキシ
榛脂の硬化収縮によって発生する収ｆ応力の発生も避け
Ｐないところであるが、本発明品の場＠−は保護膜の可
撓性による柔軟さ及び低ヤングボ故に収縮応力が低下せ
しめられ、アモルファス層等の剥離は一層有効に防止さ
れることになる。
たように高いのであるが、本発明品の場合は保護膜のゴ
１撓件故１て熱トカが伏和されることトナリ、アモルフ
ァス層」１膜の剥ｉｔ生ずることがない。更ｆエポキシ
榛脂の硬化収縮によって発生する収ｆ応力の発生も避け
Ｐないところであるが、本発明品の場＠−は保護膜の可
撓性による柔軟さ及び低ヤングボ故に収縮応力が低下せ
しめられ、アモルファス層等の剥離は一層有効に防止さ
れることになる。
以上のように本発明に係るアモルファス太陽′町池は長
鎖脂肪族型のエポキシ主剤と変性脂肪族ホリアミン硬化
剤とからなる可挟性榛脂膜を保護膜として形成したこと
を特徴とするものであるから耐衝撃性、耐応力性を高め
たアモルファス太陽９池が負現できる。
鎖脂肪族型のエポキシ主剤と変性脂肪族ホリアミン硬化
剤とからなる可挟性榛脂膜を保護膜として形成したこと
を特徴とするものであるから耐衝撃性、耐応力性を高め
たアモルファス太陽９池が負現できる。
上述の実施例ではアモルファス＆ｉｄアモルファスシリ
コン層としたが、こｆ″Ｌに限らずアモルファスシＩＪ
フンカーバイド層をＰ卆に、またアモルファスシリフン
ケルマニウム、アモルファスシリコンスズをＮ型に用い
たものにも本発明に適用可餡である。また接合構造につ
いてもＰＩＮ卆に限らすＰＩ、ＩＮ、Ｆ’Ｎ、ショット
キバリア等を採用したものにも本発明は適中可能である
。
コン層としたが、こｆ″Ｌに限らずアモルファスシＩＪ
フンカーバイド層をＰ卆に、またアモルファスシリフン
ケルマニウム、アモルファスシリコンスズをＮ型に用い
たものにも本発明に適用可餡である。また接合構造につ
いてもＰＩＮ卆に限らすＰＩ、ＩＮ、Ｆ’Ｎ、ショット
キバリア等を採用したものにも本発明は適中可能である
。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例に示すもので歩って第１図は保護
膜形ＹＬ前の状悪のり面画］斜視図、第２区Ｉ。 第３図は本発明品の断面構造図であるっｌ・・・カラス
基板 ２・・・透明電極 ３・・アモルファスシリコン
層 ４・・・裏面電極 ５−・・リード端子６・−保護
膜 特許出願人 三洋電景株式会社 代理人 弁理士 河 ！？ 合 央 ２ ７ ２ 第 ２図
膜形ＹＬ前の状悪のり面画］斜視図、第２区Ｉ。 第３図は本発明品の断面構造図であるっｌ・・・カラス
基板 ２・・・透明電極 ３・・アモルファスシリコン
層 ４・・・裏面電極 ５−・・リード端子６・−保護
膜 特許出願人 三洋電景株式会社 代理人 弁理士 河 ！？ 合 央 ２ ７ ２ 第 ２図
Claims (1)
- １、長鋲脂肪族梨のエボヤシ主剤と、変性脂肪族ポリア
ミン硬イヒ翻とからなる司撓性樹胆撲を保護膜として形
収し元ことを特徴とするアモルファス大降電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57098644A JPS58215082A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | アモルフアス太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57098644A JPS58215082A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | アモルフアス太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58215082A true JPS58215082A (ja) | 1983-12-14 |
Family
ID=14225206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57098644A Pending JPS58215082A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | アモルフアス太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58215082A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4776896A (en) * | 1985-11-29 | 1988-10-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Amorphous silicon solar battery |
-
1982
- 1982-06-08 JP JP57098644A patent/JPS58215082A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4776896A (en) * | 1985-11-29 | 1988-10-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Amorphous silicon solar battery |
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