JPS58112374A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPS58112374A JPS58112374A JP56211728A JP21172881A JPS58112374A JP S58112374 A JPS58112374 A JP S58112374A JP 56211728 A JP56211728 A JP 56211728A JP 21172881 A JP21172881 A JP 21172881A JP S58112374 A JPS58112374 A JP S58112374A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、非晶質シリコン膜の光起電力装置の改良及び
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
透明絶縁基板上に非晶質シリコン膜を設けてなる光起電
力装置が知られている。この種の非晶質シリコン光起電
力装置として代表的なものは、第１図に示すように、透
明絶縁基板１上に透明電極２を形成し、次いで非晶質シ
リコン膜３を全面にわたって形成させ、次いで金属電極
４を形成させてなるものである。このような光起電力装
置では、非晶質シリコン膜が透明絶縁基板上に直接形成
される部分が存在し、そのためにシリコン膜の形成（成
長）速度を上げると絶縁基板上に直接成長した非晶質シ
リコンの部分が剥離しやすくなるという欠″点がある。
力装置が知られている。この種の非晶質シリコン光起電
力装置として代表的なものは、第１図に示すように、透
明絶縁基板１上に透明電極２を形成し、次いで非晶質シ
リコン膜３を全面にわたって形成させ、次いで金属電極
４を形成させてなるものである。このような光起電力装
置では、非晶質シリコン膜が透明絶縁基板上に直接形成
される部分が存在し、そのためにシリコン膜の形成（成
長）速度を上げると絶縁基板上に直接成長した非晶質シ
リコンの部分が剥離しやすくなるという欠″点がある。
さらに、上記のような方法では非晶質シリコン膜の形成
（成長）時間が長く、工程数が多くなるという欠点があ
る。この種のシリコン膜の形成は、成長時間が短く、シ
かもその膜が剥離しにくいということが望ましい。
（成長）時間が長く、工程数が多くなるという欠点があ
る。この種のシリコン膜の形成は、成長時間が短く、シ
かもその膜が剥離しにくいということが望ましい。
したがって、本発明の目的は、上述の欠点を除去して、
非晶質シリコン膜の形成（成長）時間がより短かくてす
み、しかも薄膜の剥離が起りにくい、非晶質シリコン光
起電力装置の製造方法を提供することである。
非晶質シリコン膜の形成（成長）時間がより短かくてす
み、しかも薄膜の剥離が起りにくい、非晶質シリコン光
起電力装置の製造方法を提供することである。
ここに、非晶質シリコン膜が透明絶縁基板上に直接形成
するのを回避するようにマスクすることによって透明電
極上に選択的に形成させるならば、膜の形成速度を上げ
ても膜の剥離が起きにくく、形成時間も相当に短縮でき
ることがわかった。また、透明絶縁基板上に予め非晶質
二酸化けい素の薄膜を形成させておくならば、上述のよ
うに非晶質シリコン膜をマスクすることにより選択的に
透明電極上に選択的に形成させる必要もなく、全面にわ
たって非晶質シリコン膜を形成させることができ、しか
も非晶質シリコン膜の剥離は起きにくいことがわかった
。
するのを回避するようにマスクすることによって透明電
極上に選択的に形成させるならば、膜の形成速度を上げ
ても膜の剥離が起きにくく、形成時間も相当に短縮でき
ることがわかった。また、透明絶縁基板上に予め非晶質
二酸化けい素の薄膜を形成させておくならば、上述のよ
うに非晶質シリコン膜をマスクすることにより選択的に
透明電極上に選択的に形成させる必要もなく、全面にわ
たって非晶質シリコン膜を形成させることができ、しか
も非晶質シリコン膜の剥離は起きにくいことがわかった
。
しかして、本発明に従えば、透明絶縁基板上に１個又は
複数個の透明電極を形成し、その透明電極上にのみ非晶
質シリコン膜を選択的に形成し、次いで１個又は数個の
金属電極を非晶質シリコン膜上に形成することからなる
非晶質シリコン光起電力装置の製造法が提供される。
複数個の透明電極を形成し、その透明電極上にのみ非晶
質シリコン膜を選択的に形成し、次いで１個又は数個の
金属電極を非晶質シリコン膜上に形成することからなる
非晶質シリコン光起電力装置の製造法が提供される。
本発明の方法に用いることのできる透明絶縁基板として
は、この種の光起電力装置の製造に用いられている各種
の基板があげられる。例えば、透明セラミック（例えば
、コランダム、サファイアなどのアルミナ系、ジルコン
系など）、各種の透明ガラスなどを用いることができる
０ 透明絶縁基板上に形成される透明電極は、好ましくは透
明な金属酸化物皮膜である０例えば、５ｎ０２． ｓｂ
を含む８ｎＯｚ 、 Ｉｎ２Ｏ３、８ｎ０２− ｌ１１
２０３系などがある０これらの金属酸化物皮膜は、金属
の塩類溶液を加熱された基板上に吹き付けることにより
、金属を蒸着させた後に酸化させることにより、或いは
いわゆるスパッタリング法、塗布法などにより形成させ
ることができる０ 透明電極上への非晶質シリコン膜の形成は、形成された
透明電極上にのみシリコン膜が選択的に行なわれるよう
に金属製マスク、例えばステンレス製マスクを用い、水
素雰囲気下でのプラズマ気相成長法、スパッタリング法
などによって行なわれる。シリコン膜の厚さは、一般に
Ｏ１３〜／−←島好ましくは０．８〜ｌ←帆である。
は、この種の光起電力装置の製造に用いられている各種
の基板があげられる。例えば、透明セラミック（例えば
、コランダム、サファイアなどのアルミナ系、ジルコン
系など）、各種の透明ガラスなどを用いることができる
０ 透明絶縁基板上に形成される透明電極は、好ましくは透
明な金属酸化物皮膜である０例えば、５ｎ０２． ｓｂ
を含む８ｎＯｚ 、 Ｉｎ２Ｏ３、８ｎ０２− ｌ１１
２０３系などがある０これらの金属酸化物皮膜は、金属
の塩類溶液を加熱された基板上に吹き付けることにより
、金属を蒸着させた後に酸化させることにより、或いは
いわゆるスパッタリング法、塗布法などにより形成させ
ることができる０ 透明電極上への非晶質シリコン膜の形成は、形成された
透明電極上にのみシリコン膜が選択的に行なわれるよう
に金属製マスク、例えばステンレス製マスクを用い、水
素雰囲気下でのプラズマ気相成長法、スパッタリング法
などによって行なわれる。シリコン膜の厚さは、一般に
Ｏ１３〜／−←島好ましくは０．８〜ｌ←帆である。
非晶質シリコン膜上への金属電極の形成は、周知の方法
、例えば抵抗加熱又は電子ビーム蒸着法、スパッタリン
グ法などにより行なうことができる。
、例えば抵抗加熱又は電子ビーム蒸着法、スパッタリン
グ法などにより行なうことができる。
用いられる金属は、好ましくは金、鋏、アルミなどであ
る。
る。
また、本発明に従えば、透明絶縁基板上に非晶質二酸化
けい素膜を形成し、その二酸化けい素膜上に１個又は複
数個の透明電極を形成し、しかる後非晶質シリコン膜を
形成し、次いで１個又は複数個の金属電極を形成するこ
とからなる非晶質シリコン光起電力装置の製造方法が提
供される。
けい素膜を形成し、その二酸化けい素膜上に１個又は複
数個の透明電極を形成し、しかる後非晶質シリコン膜を
形成し、次いで１個又は複数個の金属電極を形成するこ
とからなる非晶質シリコン光起電力装置の製造方法が提
供される。
この第二の方法においては、透明絶縁基板に予め非晶質
二酸化けい素の薄膜が形成される０これは、例えば気相
形成法、スパッタリング法などによって形成することが
できる。非晶質二酸化けい素膜の厚さは、好ましくは数
巨〜数十λである。
二酸化けい素の薄膜が形成される０これは、例えば気相
形成法、スパッタリング法などによって形成することが
できる。非晶質二酸化けい素膜の厚さは、好ましくは数
巨〜数十λである。
二酸化けい素膜を形成させた場合には、第一の方法のよ
うにマスクを用いないで非晶質シリコン膜を形成させる
ことができる。その他の操作及び条件は、第一の方法の
場合と同じである。
うにマスクを用いないで非晶質シリコン膜を形成させる
ことができる。その他の操作及び条件は、第一の方法の
場合と同じである。
以上のように、本発明によれば、非晶質シリコンを透明
絶縁基板上に直接形成させないか、又は透明絶縁基板と
非晶質シリコン膜との間に非晶質二酸化けい素膜を介在
させることにより、剥離が起シに〈＜、シかも成長時間
の短い非晶質シリコン膜を形成させることができる。
絶縁基板上に直接形成させないか、又は透明絶縁基板と
非晶質シリコン膜との間に非晶質二酸化けい素膜を介在
させることにより、剥離が起シに〈＜、シかも成長時間
の短い非晶質シリコン膜を形成させることができる。
以下、本発明の実施湘いくつかを例示する。
第２−図は、本発明の方法の一具体例によって製造され
た光起電力装置の断面図である。まず、透明絶縁基板１
上に透明電極２を形成する。次いで、透明電極２上にの
み非晶質シリコン膜３が形成されるようにステンレス製
マスクを用いて、プラズマ気相生長法により非晶質シリ
コン膜を形成させ、次いで適当な金属電極４を形成させ
る。
た光起電力装置の断面図である。まず、透明絶縁基板１
上に透明電極２を形成する。次いで、透明電極２上にの
み非晶質シリコン膜３が形成されるようにステンレス製
マスクを用いて、プラズマ気相生長法により非晶質シリ
コン膜を形成させ、次いで適当な金属電極４を形成させ
る。
第３図は、他の具体例によって製造された光起電力装置
の断面図である。この具体例では、まず、透明絶縁基板
１に数百〜数千λの厚さの非晶質二酸化けい素膜５を周
知の方法で形成させる０次いで透明電極２を形成し、非
晶質シリコン膜３をプラズマ気相成長法により形成し、
最後に金属電極を形成することによシ光起電力装置が製
造される。
の断面図である。この具体例では、まず、透明絶縁基板
１に数百〜数千λの厚さの非晶質二酸化けい素膜５を周
知の方法で形成させる０次いで透明電極２を形成し、非
晶質シリコン膜３をプラズマ気相成長法により形成し、
最後に金属電極を形成することによシ光起電力装置が製
造される。
第１図は、従来技術の光起電力装置の断面図である。
第２図及び第３図は、本発明の方法によって製造された
いくつかの光起電力装置の断面図である。 ここで、１は透明絶縁基板、２は透明電極、３は非晶質
シリコン膜、４は金属電極、５は非晶質二酸化けい素膜
。 特許出願人 株式会社富士電機総合研究所同
富士電機製造株式会社
いくつかの光起電力装置の断面図である。 ここで、１は透明絶縁基板、２は透明電極、３は非晶質
シリコン膜、４は金属電極、５は非晶質二酸化けい素膜
。 特許出願人 株式会社富士電機総合研究所同
富士電機製造株式会社
Claims (2)
- （１）透明絶縁基板上に１個又は複数個の透明電極を形
成し、その透明電極上にのみ非晶質シリコン膜を選択的
に形成し、次いで必要に応じて１個又は複数個の金属電
極を非晶質シリコン膜上に形成することからなる非晶質
シリコン光起電力装置の製造方法。 - （２）透明絶縁基板上に非晶質二酸化けい素膜を形成し
、その二酸化けい素膜上に１個又は複数個の透明電極を
形成し、しかる後非晶質シリコン膜を形成し、次いで必
要に応じて１個又は複数個の金属電極を形成することか
らなる非晶質シリコン光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56211728A JPS58112374A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 光起電力装置の製造方法 |
| JP2113571A JP2751122B2 (ja) | 1981-12-25 | 1990-04-27 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56211728A JPS58112374A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 光起電力装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2113571A Division JP2751122B2 (ja) | 1981-12-25 | 1990-04-27 | 光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58112374A true JPS58112374A (ja) | 1983-07-04 |
| JPS6246074B2 JPS6246074B2 (ja) | 1987-09-30 |
Family
ID=16610612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56211728A Granted JPS58112374A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58112374A (ja) |
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| JPS55107276A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Photoelectromotive force device |
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1981
- 1981-12-25 JP JP56211728A patent/JPS58112374A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6246074B2 (ja) | 1987-09-30 |
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