JPS59195879A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池Info
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- JPS59195879A JPS59195879A JP58070513A JP7051383A JPS59195879A JP S59195879 A JPS59195879 A JP S59195879A JP 58070513 A JP58070513 A JP 58070513A JP 7051383 A JP7051383 A JP 7051383A JP S59195879 A JPS59195879 A JP S59195879A
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- amorphous silicon
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- solar cell
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はアモルファスシリコン（以下ａ −８ｉト記す
）に形成された接合によって生ずる光起電力の取り出し
のためにａ−８ｉ層の面上に直接または透明導電膜を介
して金属電極が設けられる太陽電池に関する。
）に形成された接合によって生ずる光起電力の取り出し
のためにａ−８ｉ層の面上に直接または透明導電膜を介
して金属電極が設けられる太陽電池に関する。
ａ−８ｉ太＠電池の電極は、光の入射のために透明絶縁
基板上には透明導電膜からなる透明電極が設けられ、反
基板側には通常金属電極が設けられる。あるいは導電性
基板上にａ−８ｉ層が設けられるときは反基板側に透明
電極を介して部分的に金属集電電極が設けられる。この
ような金属電極としてはアルミニウム層を用いることが
知られている。しかしＡＩ主電極耐湿性および耐熱性に
乏しい欠点がある。そこでＡ１層の上にさらにチタン層
を被覆したＡ Ｉ ／ Ｔ ｉ層も用いられる。この場
合も、耐湿性向上には効果があるものの耐熱性は劣る。
基板上には透明導電膜からなる透明電極が設けられ、反
基板側には通常金属電極が設けられる。あるいは導電性
基板上にａ−８ｉ層が設けられるときは反基板側に透明
電極を介して部分的に金属集電電極が設けられる。この
ような金属電極としてはアルミニウム層を用いることが
知られている。しかしＡＩ主電極耐湿性および耐熱性に
乏しい欠点がある。そこでＡ１層の上にさらにチタン層
を被覆したＡ Ｉ ／ Ｔ ｉ層も用いられる。この場
合も、耐湿性向上には効果があるものの耐熱性は劣る。
ＡＩ主電極Ａ Ｉ ／ Ｔ ｉ電極も耐熱性はせいぜい
１２０℃まである。しかるに太陽電池は直射日光にさら
されるから１２０°Ｃ以上に耐えられることが要求され
る。
１２０℃まである。しかるに太陽電池は直射日光にさら
されるから１２０°Ｃ以上に耐えられることが要求され
る。
さらにＡＩ主電極Ａｌ／Ｔｉ電極ともに通常のはんだに
よるろう付はが不可能であり、喘殊なろう付は法を採用
しなければならず技術的に簡単でない。
よるろう付はが不可能であり、喘殊なろう付は法を採用
しなければならず技術的に簡単でない。
本発明はこれに対し、耐湿性、耐熱性共にすぐれ、かつ
容易にはんだ付けができる金属電極を設けた太陽′成性
を提供することを目的とする。
容易にはんだ付けができる金属電極を設けた太陽′成性
を提供することを目的とする。
本発明は、光電変換のための接合を有するａ −８ｉ層
の面の上にｉ７！接または透明導電膜を介してａ−８ｉ
層側から順にクロム層、ニッケル層よりなる金属電極が
設けられることにより上記の目的を達成した。
の面の上にｉ７！接または透明導電膜を介してａ−８ｉ
層側から順にクロム層、ニッケル層よりなる金属電極が
設けられることにより上記の目的を達成した。
第１図においては、透明絶縁基板、例えはガラス板１の
上に例えばＩＴＯからなる透明導電膜からなる透明゛ぼ
甑２が形成され、その上に例えばシランガスのグロー放
電分解によりａ−８ｉ層３が成膜されている。この上に
本発明により、ａ−８ｉ層（Ｉｔりからｊ順に０１層４
、ＮｉＪ脩５が例えばそれぞれ０．２μｎ１の厚さに蒸
着＠沿されている。この構造を有する太陽電池に光６が
入射したとき生する光起電力は透明成極２およびＮｉｆ
鰻５から取り出されるが、接続導体はＮｉ層５に容易に
はんだ伺けができる。
上に例えばＩＴＯからなる透明導電膜からなる透明゛ぼ
甑２が形成され、その上に例えばシランガスのグロー放
電分解によりａ−８ｉ層３が成膜されている。この上に
本発明により、ａ−８ｉ層（Ｉｔりからｊ順に０１層４
、ＮｉＪ脩５が例えばそれぞれ０．２μｎ１の厚さに蒸
着＠沿されている。この構造を有する太陽電池に光６が
入射したとき生する光起電力は透明成極２およびＮｉｆ
鰻５から取り出されるが、接続導体はＮｉ層５に容易に
はんだ伺けができる。
第２図においては、ａ−８ｉ層３は例えばステンレス鋼
からなる導ａ性基板７と透明導電膜２の間にはさまれる
ように生成され、透明導電膜２の上に集電のための金側
υ返がａ−８ｉ層３の側からＯｙ一層４、Ｎｉ層５の顯
に蒸着、積層される。
からなる導ａ性基板７と透明導電膜２の間にはさまれる
ように生成され、透明導電膜２の上に集電のための金側
υ返がａ−８ｉ層３の側からＯｙ一層４、Ｎｉ層５の顯
に蒸着、積層される。
本発明によるａ−８ｉ太陽電池の金属電極はａ−８１層
側からＯｙ層、Ｎｉ層の順に積層して構成され、これに
より耐湿度、耐熱性は共に著しく向上する。
側からＯｙ層、Ｎｉ層の順に積層して構成され、これに
より耐湿度、耐熱性は共に著しく向上する。
すなわち、ＲＨ１００％、８５°Ｃのふん囲気に１０時
間さらす湿度試験の結果ＡＩ電極は１００％の腐食率を
示したのに対し、Ｃγ／Ｎｉ電極は腐食率Ｏてあった。
間さらす湿度試験の結果ＡＩ電極は１００％の腐食率を
示したのに対し、Ｃγ／Ｎｉ電極は腐食率Ｏてあった。
また耐熱性はＡｌ／Ｔｉ電極の１００〜１２０℃である
のに対し、Ｃγ／ Ｎ ｉ 電極では１８０°Ｃまで向
上した。このような金属電極は蒸着により容易に形成で
き、ａ−８ｉ太陽電池の信頼性向上に対し極めて大きな
効果を示す。
のに対し、Ｃγ／ Ｎ ｉ 電極では１８０°Ｃまで向
上した。このような金属電極は蒸着により容易に形成で
き、ａ−８ｉ太陽電池の信頼性向上に対し極めて大きな
効果を示す。
第１図は本発明の一実施の断面図、第２図は別の実施例
の断面図である。
の断面図である。
Claims (1)
- １）光電変換のための接合を有するアモルファスシリコ
ン層の面上に直摘丈たは透明導電膜を介しＴａ−８ｉ層
側から１願にクロム層、ニッケル層よりなる金属電極が
設けられたことを特徴とするアモルファスシリコン太陽
電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070513A JPS59195879A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070513A JPS59195879A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195879A true JPS59195879A (ja) | 1984-11-07 |
Family
ID=13433682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58070513A Pending JPS59195879A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195879A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0275166A2 (en) * | 1987-01-13 | 1988-07-20 | Siemens Solar Industries L.P. | Thin film solar cell |
| US5455430A (en) * | 1991-08-01 | 1995-10-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device having a semiconductor grade silicon layer formed on a metallurgical grade substrate |
| JP2007243230A (ja) * | 2007-06-26 | 2007-09-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57103370A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-26 | Agency Of Ind Science & Technol | Amorphous semiconductor solar cell |
| JPS57208182A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacture of phtoelectric converter |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP58070513A patent/JPS59195879A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57103370A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-26 | Agency Of Ind Science & Technol | Amorphous semiconductor solar cell |
| JPS57208182A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacture of phtoelectric converter |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0275166A2 (en) * | 1987-01-13 | 1988-07-20 | Siemens Solar Industries L.P. | Thin film solar cell |
| US5455430A (en) * | 1991-08-01 | 1995-10-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device having a semiconductor grade silicon layer formed on a metallurgical grade substrate |
| JP2007243230A (ja) * | 2007-06-26 | 2007-09-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子 |
| JP4549367B2 (ja) * | 2007-06-26 | 2010-09-22 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子 |
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