JPS5946426B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPS5946426B2 JPS5946426B2 JP54146651A JP14665179A JPS5946426B2 JP S5946426 B2 JPS5946426 B2 JP S5946426B2 JP 54146651 A JP54146651 A JP 54146651A JP 14665179 A JP14665179 A JP 14665179A JP S5946426 B2 JPS5946426 B2 JP S5946426B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- solar cell
- semiconductor layer
- solar cells
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は大面積の半導体層を用いた太陽電池の製造方法
に関する。
に関する。
太陽エネルギーを電気エネルギーに変換するのに半導体
による太陽電池が利用されるが、その変換効率は１０％
程度であり、１００Ｗの出力を得るのには１７７Ｚ″前
後のパネル面積の太陽電池が必要である。
による太陽電池が利用されるが、その変換効率は１０％
程度であり、１００Ｗの出力を得るのには１７７Ｚ″前
後のパネル面積の太陽電池が必要である。
従つて太陽電池素子の面積が小さい時には多数の素子を
並列または直列に接続して用いなければならず、組立あ
るいは保守の面で面倒な点が多む）。それ故電池素子の
面積はできるだけ大きいことが望ましい。このためには
共通基板上にグロー放電法、スパッタリング法あるいは
ＣＶＤ法などにより広い面積の半導体層を被着し、その
層を利用して光電変換活性領域を形成する。このような
太陽電池の一例を第１図に示す。
並列または直列に接続して用いなければならず、組立あ
るいは保守の面で面倒な点が多む）。それ故電池素子の
面積はできるだけ大きいことが望ましい。このためには
共通基板上にグロー放電法、スパッタリング法あるいは
ＣＶＤ法などにより広い面積の半導体層を被着し、その
層を利用して光電変換活性領域を形成する。このような
太陽電池の一例を第１図に示す。
図において大面積、例えば１×ｌｗｌのステンレス鋼の
平滑な基板１の全面にモノシランガスをグロー放電によ
り分解し析出させることで非晶質シリコン層が形成され
ている。この非晶質シリコン層は、供給モノシランガス
の切換によつて導電形および導電率を変えることで、基
板側から順に、例えば、ｎ形低抵抗シリコンのｎ１層２
、真性またはｎ形高抵抗シリコンのｌ層３およびｐ形低
抵抗シリコンのｐｆ層４の三層構造とされｐｉｎ接合を
形成している。この太陽電池に光が入射すると、シリコ
ン層内に正孔・電子対が発生し、Ｐｌｎ接合に基づく空
乏層の内部電界によつて電子は基板側にそして正孔はｐ
１層側に分離されて光起電力を生ずる。
平滑な基板１の全面にモノシランガスをグロー放電によ
り分解し析出させることで非晶質シリコン層が形成され
ている。この非晶質シリコン層は、供給モノシランガス
の切換によつて導電形および導電率を変えることで、基
板側から順に、例えば、ｎ形低抵抗シリコンのｎ１層２
、真性またはｎ形高抵抗シリコンのｌ層３およびｐ形低
抵抗シリコンのｐｆ層４の三層構造とされｐｉｎ接合を
形成している。この太陽電池に光が入射すると、シリコ
ン層内に正孔・電子対が発生し、Ｐｌｎ接合に基づく空
乏層の内部電界によつて電子は基板側にそして正孔はｐ
１層側に分離されて光起電力を生ずる。
即ちｐｌｎ接合は光電変換活性領域としての機能を果す
。この起電力はｐ１層４の上に、例えば格子状に設けら
れた電極層５と基板１とから取出される。なお、一般的
には、ｐ層４と電極層５との間に透明電極を介挿し、横
方向の電気抵抗を低減させるようにしている。このよう
な太陽電池において、半導体層の厚さは図では拡大して
示してあるが、ｎ１層２、ｉ層３およびｐ１層４を合せ
ても１μｍ程度である。
。この起電力はｐ１層４の上に、例えば格子状に設けら
れた電極層５と基板１とから取出される。なお、一般的
には、ｐ層４と電極層５との間に透明電極を介挿し、横
方向の電気抵抗を低減させるようにしている。このよう
な太陽電池において、半導体層の厚さは図では拡大して
示してあるが、ｎ１層２、ｉ層３およびｐ１層４を合せ
ても１μｍ程度である。
そのため半導体層生成の際にピンホールを生ずることが
あり、この場合には基板と電極層とが局部的に短絡状態
となる。また基板上にごく微細な導電性の塵が付着した
だけでも同様の事態となる。そしてこのような欠陥部が
存在すると、光入射時の光電流がこの部分を通つて無効
電流として流れてしまい太陽電池の出力を低下させる。
電池の面積が大きければ大きいほどこの欠陥の発生する
確率は高くなる。この問題はＰｉｎ接合の代りにシヨツ
トキ一障壁を形成して光電変換を行う太陽電池において
も同様に存在する。本発明の目的は半導体層に欠陥が存
在しても出力の低下を最小限に抑えることができる太陽
電池の製造方法を提供することにある。
あり、この場合には基板と電極層とが局部的に短絡状態
となる。また基板上にごく微細な導電性の塵が付着した
だけでも同様の事態となる。そしてこのような欠陥部が
存在すると、光入射時の光電流がこの部分を通つて無効
電流として流れてしまい太陽電池の出力を低下させる。
電池の面積が大きければ大きいほどこの欠陥の発生する
確率は高くなる。この問題はＰｉｎ接合の代りにシヨツ
トキ一障壁を形成して光電変換を行う太陽電池において
も同様に存在する。本発明の目的は半導体層に欠陥が存
在しても出力の低下を最小限に抑えることができる太陽
電池の製造方法を提供することにある。
この目的は導電性基板のほぼ全面に光電変換活性領域を
構成する半導体層を設け、この半導体層の基板と反対の
側に相互に離された複数の電極を形成し、それらの電極
のうち基板との間に所定の光電特性を示すものを基板と
絶縁して設けられた共通引出導体と接続することにより
達成される。
構成する半導体層を設け、この半導体層の基板と反対の
側に相互に離された複数の電極を形成し、それらの電極
のうち基板との間に所定の光電特性を示すものを基板と
絶縁して設けられた共通引出導体と接続することにより
達成される。
以下図面を用いて本発明の実施例について説明する。第
２図において、厚さ０．２ｍｍの片面を研磨処理したス
テンレス鋼からなる基板１の上に、膜厚３０ｎｍの非晶
質シリコンｎ＋層２、膜厚０．５μｍの非晶質シリコン
ｉ層３、膜厚１０ｎｍ１の非晶質シリコンｐ＋層４が順
次堆積されている。非晶質シリコン層は圧力０．１〜１
Ｔ０ｒｒ０）ＳｉＨ４ガスに１３．５６ＭＨｚの高周波
電界を印加し、グロー放電を生起することにより分解し
、２００〜３００℃に加熱した基板上に堆積させる。ｎ
＋層、ｐ＋層の場合はＳｉＨ４ガスにそれぞれモル比で
１％のＰＩＩ３ガス、Ｂ２Ｈ６ガスを添加し、グロー放
電分解することにより形成される。ｐ＋層４の上には、
第３図から分かるように、複数の櫛形電極５および櫛形
の共通引出導体６が、例えば積層蒸着されたＴｉ層およ
びＡｇ層により形成されている。各電極５は相互にそし
てさらに共通引出導体６とも離して配置されている。な
お、各櫛形電極５毎に分離した透明電極をｐ＋層４上に
設け、電池の内部抵抗を低減することも勿論可能である
。透明電極としては、例えばＩＴＯ膜が真空蒸着法によ
り形成される。電極５あるいは透明電極相互間またそれ
らと共通引出導体６との間隔は、その部分にある非晶質
半導体層２，３，４の横方向の抵抗によつて電極５と基
板１の間に形成される各光電変換単位７間を電気的に分
離するに充分な寸法にされている。例えば非晶質シリコ
ン層を用いた本実施例の場合は、３ｎ程度の間隔が必要
である。各単位７は独立に光電特性を試験することが可
能で、例えば光照射時の開放電圧が所定の値に達してい
るかどうかによつて特性の良否、すなわちその部分の非
晶質半導体層の欠陥の有無を判定することができる。次
いで半導体層に欠陥の存在する光電変換単位７を除き他
の単位７を、共通引出線６と電気的に接続する。接続は
例えば導電性ペースト（Ａｇ系、Ｃｕ系、カーボン系）
をスクリーン印刷等のマニユアル的な方法で所定の部分
に塗布し、１５０℃で１時間空気中で硬化させることに
よつてなされる。導電性ペーストの代りに導線のろう付
けによつて接続してもよい。このようにすれば良品の変
換単位７のみが並列接続され、光入射時に無効電力が流
れることがないから、引出導体６と基板１とから高い出
力を取出すことができる。上述の方法によつて１ｍ×１
ｍのステンレス基板上にｎ＋層、ｉ層、ｐ＋層よりなる
非晶質シリコン膜を形成し、その上に９５ｍｍ×９５ｍ
ｕの寸法の互いに分離されたＴＯを形成し、さらに各０
の上に櫛形電極を形成することにより、合計１００個の
光電変換活性領域を形成した。それら各々について、太
陽光下で出力特性を測定したところ、殆どものの開放電
圧は０．７Ｖ以上であつたが、３個については短絡特性
に近い約０．１Ｖの値を示した。これら１００個を全て
共通引出線に接続した場合の太陽光下における出力特性
は開放電圧０．７５Ｖ１短絡電流９０Ａ１曲線因子０．
４７で出力は３１．７Ｗであつた。一方、本発明に従い
、著しく開放電圧の低い３個を除外して接続したときの
特性は、開放電圧０．８０Ｖ１短絡電流８７．５Ａ１曲
線因子０．６４で出力は４４．８Ｗであつた。即ち、本
発明の適用により、従来の方法の約１４０％の出力が得
られ、極めて高い効果が確認された。共通引出導体６を
半導体層と絶縁すると特に有効である。なぜなら引出導
体６で覆われた半導体層の部分に欠陥が存在し、引出導
体６と基板１の間に無効電流が流れるのを防止できるか
らである。このためには引出導体６を、例えば半導体層
３に絶縁性接着剤ではりつけた良導電性金属条で構成す
るのが望ましい。基板１としてはアルミニウム板を用い
てもよく、また導電膜を塗布したガラス板を用いてもよ
い。
２図において、厚さ０．２ｍｍの片面を研磨処理したス
テンレス鋼からなる基板１の上に、膜厚３０ｎｍの非晶
質シリコンｎ＋層２、膜厚０．５μｍの非晶質シリコン
ｉ層３、膜厚１０ｎｍ１の非晶質シリコンｐ＋層４が順
次堆積されている。非晶質シリコン層は圧力０．１〜１
Ｔ０ｒｒ０）ＳｉＨ４ガスに１３．５６ＭＨｚの高周波
電界を印加し、グロー放電を生起することにより分解し
、２００〜３００℃に加熱した基板上に堆積させる。ｎ
＋層、ｐ＋層の場合はＳｉＨ４ガスにそれぞれモル比で
１％のＰＩＩ３ガス、Ｂ２Ｈ６ガスを添加し、グロー放
電分解することにより形成される。ｐ＋層４の上には、
第３図から分かるように、複数の櫛形電極５および櫛形
の共通引出導体６が、例えば積層蒸着されたＴｉ層およ
びＡｇ層により形成されている。各電極５は相互にそし
てさらに共通引出導体６とも離して配置されている。な
お、各櫛形電極５毎に分離した透明電極をｐ＋層４上に
設け、電池の内部抵抗を低減することも勿論可能である
。透明電極としては、例えばＩＴＯ膜が真空蒸着法によ
り形成される。電極５あるいは透明電極相互間またそれ
らと共通引出導体６との間隔は、その部分にある非晶質
半導体層２，３，４の横方向の抵抗によつて電極５と基
板１の間に形成される各光電変換単位７間を電気的に分
離するに充分な寸法にされている。例えば非晶質シリコ
ン層を用いた本実施例の場合は、３ｎ程度の間隔が必要
である。各単位７は独立に光電特性を試験することが可
能で、例えば光照射時の開放電圧が所定の値に達してい
るかどうかによつて特性の良否、すなわちその部分の非
晶質半導体層の欠陥の有無を判定することができる。次
いで半導体層に欠陥の存在する光電変換単位７を除き他
の単位７を、共通引出線６と電気的に接続する。接続は
例えば導電性ペースト（Ａｇ系、Ｃｕ系、カーボン系）
をスクリーン印刷等のマニユアル的な方法で所定の部分
に塗布し、１５０℃で１時間空気中で硬化させることに
よつてなされる。導電性ペーストの代りに導線のろう付
けによつて接続してもよい。このようにすれば良品の変
換単位７のみが並列接続され、光入射時に無効電力が流
れることがないから、引出導体６と基板１とから高い出
力を取出すことができる。上述の方法によつて１ｍ×１
ｍのステンレス基板上にｎ＋層、ｉ層、ｐ＋層よりなる
非晶質シリコン膜を形成し、その上に９５ｍｍ×９５ｍ
ｕの寸法の互いに分離されたＴＯを形成し、さらに各０
の上に櫛形電極を形成することにより、合計１００個の
光電変換活性領域を形成した。それら各々について、太
陽光下で出力特性を測定したところ、殆どものの開放電
圧は０．７Ｖ以上であつたが、３個については短絡特性
に近い約０．１Ｖの値を示した。これら１００個を全て
共通引出線に接続した場合の太陽光下における出力特性
は開放電圧０．７５Ｖ１短絡電流９０Ａ１曲線因子０．
４７で出力は３１．７Ｗであつた。一方、本発明に従い
、著しく開放電圧の低い３個を除外して接続したときの
特性は、開放電圧０．８０Ｖ１短絡電流８７．５Ａ１曲
線因子０．６４で出力は４４．８Ｗであつた。即ち、本
発明の適用により、従来の方法の約１４０％の出力が得
られ、極めて高い効果が確認された。共通引出導体６を
半導体層と絶縁すると特に有効である。なぜなら引出導
体６で覆われた半導体層の部分に欠陥が存在し、引出導
体６と基板１の間に無効電流が流れるのを防止できるか
らである。このためには引出導体６を、例えば半導体層
３に絶縁性接着剤ではりつけた良導電性金属条で構成す
るのが望ましい。基板１としてはアルミニウム板を用い
てもよく、また導電膜を塗布したガラス板を用いてもよ
い。
高い出力電圧が必要な場合は、この太陽電池を直列にし
て用いる。小面積の太陽電池を直列にした場合は、鳥が
とまつたりして太陽電池が影になればその太陽電池が絶
縁体となり、直列の系全体の出力が零になつてしまうが
、本発明によつてつくられた大面積の太陽電池を用いれ
ば全面が影になることが無く、系全体の出力が零になる
のを防止できる。以上のように本発明は大面積の半導体
層上に分割電極を設け、半導体層に欠陥のない個所の電
極のみを引出導体に接続して大面積の太陽電池を得るも
のであり、欠陥に帰因する無効電流を除いた出力の高い
太陽電池の製造を可能にする。
て用いる。小面積の太陽電池を直列にした場合は、鳥が
とまつたりして太陽電池が影になればその太陽電池が絶
縁体となり、直列の系全体の出力が零になつてしまうが
、本発明によつてつくられた大面積の太陽電池を用いれ
ば全面が影になることが無く、系全体の出力が零になる
のを防止できる。以上のように本発明は大面積の半導体
層上に分割電極を設け、半導体層に欠陥のない個所の電
極のみを引出導体に接続して大面積の太陽電池を得るも
のであり、欠陥に帰因する無効電流を除いた出力の高い
太陽電池の製造を可能にする。
第１図は従来の太陽電池の一例の部分断面図、第２図は
本発明の一実施例による太陽電池の部分断面図、第３図
はその平面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・半導体ｎ＋層、３
・・・・・・半導体１層、４・・・・・・半導体ｐ＋層
、５・・・・・・電極、６・・・・・・共通引出導体。
本発明の一実施例による太陽電池の部分断面図、第３図
はその平面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・半導体ｎ＋層、３
・・・・・・半導体１層、４・・・・・・半導体ｐ＋層
、５・・・・・・電極、６・・・・・・共通引出導体。
Claims (1)
- １ 導電性基板のほぼ全面に光電変換活性領域を構成す
る半導体層を設け、該半導体層の前記基板と反対の側に
相互に離された複数の電極を備え、該電極のうち前記基
板との間に所定の光電特性を示すものを基板と絶縁して
設けられた共通引出導体と接続することを特徴とする太
陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54146651A JPS5946426B2 (ja) | 1979-11-13 | 1979-11-13 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54146651A JPS5946426B2 (ja) | 1979-11-13 | 1979-11-13 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5669873A JPS5669873A (en) | 1981-06-11 |
| JPS5946426B2 true JPS5946426B2 (ja) | 1984-11-12 |
Family
ID=15412541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54146651A Expired JPS5946426B2 (ja) | 1979-11-13 | 1979-11-13 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946426B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4451970A (en) * | 1982-10-21 | 1984-06-05 | Energy Conversion Devices, Inc. | System and method for eliminating short circuit current paths in photovoltaic devices |
| US4464823A (en) * | 1982-10-21 | 1984-08-14 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for eliminating short and latent short circuit current paths in photovoltaic devices |
| US4443652A (en) * | 1982-11-09 | 1984-04-17 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrically interconnected large area photovoltaic cells and method of producing said cells |
| FR2548443B2 (fr) * | 1983-06-30 | 1987-05-07 | Telemecanique Electrique | Perfectionnement aux interrupteurs electriques utilisant un ecran isolant qui cisaille l'arc apparaissant entre les contacts |
| EP2232567A2 (en) * | 2007-12-11 | 2010-09-29 | Evergreen Solar, Inc. | Photovoltaic panel and cell with fine fingers and method of manufacture of the same |
-
1979
- 1979-11-13 JP JP54146651A patent/JPS5946426B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5669873A (en) | 1981-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103460393B (zh) | 具有改进的钝化的光伏器件和模块及其制造的方法 | |
| US5626686A (en) | Thin-film solar cell and method of manufacturing the same | |
| US5259891A (en) | Integrated type solar battery | |
| JPS62221167A (ja) | 多層型薄膜太陽電池 | |
| JPS60240171A (ja) | 太陽光発電装置 | |
| JP3815875B2 (ja) | 集積型薄膜光電変換装置の製造方法 | |
| US20240304738A1 (en) | Heterojunction cell, and photovoltaic module cell string and manufacturing method therefor | |
| JPH06318724A (ja) | 電極及び光起電力素子 | |
| JPS5943102B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JPS5946426B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPS60149178A (ja) | 太陽電池 | |
| JPH09172193A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPH1065198A (ja) | 直角三角形型太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| JP2786600B2 (ja) | 薄膜太陽電池及びその製造方法 | |
| US9147794B2 (en) | Three terminal thin film photovoltaic module and their methods of manufacture | |
| EP3573113B1 (en) | Photovoltaic module | |
| JPS59161081A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JP2001085708A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JPS6321880A (ja) | 光起電力装置 | |
| JP2001127319A (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| JPS58196060A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| JPS5975679A (ja) | 光起電力装置 | |
| JP2862309B2 (ja) | 集積化太陽電池及び太陽電池の集積化法 | |
| JP2019054167A (ja) | 光電変換モジュール | |
| JP2975751B2 (ja) | 光起電力装置 |