JPH01270266A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH01270266A JPH01270266A JP63098708A JP9870888A JPH01270266A JP H01270266 A JPH01270266 A JP H01270266A JP 63098708 A JP63098708 A JP 63098708A JP 9870888 A JP9870888 A JP 9870888A JP H01270266 A JPH01270266 A JP H01270266A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output terminal
- chromium
- image sensor
- amorphous silicon
- resin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はファクシミリ、ＯＣＲ，イメージスキャナなど
の読取部として用いられる長尺のイメージセンサに関す
るものである。
の読取部として用いられる長尺のイメージセンサに関す
るものである。
従来、この種のイメージセンサは、第３図に示すように
層間絶縁膜４として樹脂膜４が出力端子８の下地部分ま
で、ガラス基板１のほぼ全面にわたって被着していた。
層間絶縁膜４として樹脂膜４が出力端子８の下地部分ま
で、ガラス基板１のほぼ全面にわたって被着していた。
前述の従来のイメージセンサはイメージセンサと外部と
を接続するために絶縁基板上の出力端子の下地部分にも
樹脂膜が被着している。このためワイヤボンディングあ
るいは半田付けなどで外部と接続した場合、一般に出力
端子金属と樹脂膜との接着性が良くないために、ワイヤ
ボンディングあるいは半田付けした部分の出力端子金属
が樹脂膜から剥離してしまい断線不良となってしまうと
いう欠点があった。
を接続するために絶縁基板上の出力端子の下地部分にも
樹脂膜が被着している。このためワイヤボンディングあ
るいは半田付けなどで外部と接続した場合、一般に出力
端子金属と樹脂膜との接着性が良くないために、ワイヤ
ボンディングあるいは半田付けした部分の出力端子金属
が樹脂膜から剥離してしまい断線不良となってしまうと
いう欠点があった。
本発明のイメージセンサは絶縁基板上に形成されたアモ
ルファスシリコンを主成分とする光導電層と、該光導電
層の同一表面上にあり、前記光導電層とオーミック性接
触となる、一定の間隔をもった一対の電極により構成さ
れる複数のフォトセンサと樹脂膜により層間絶縁された
多層配線部分とを含むイメージセンサにおいて、このイ
メージセンサと外部回路とを接続するために設けられた
出力端子の少なくとも下地部分では前記樹脂膜が除去さ
れている。
ルファスシリコンを主成分とする光導電層と、該光導電
層の同一表面上にあり、前記光導電層とオーミック性接
触となる、一定の間隔をもった一対の電極により構成さ
れる複数のフォトセンサと樹脂膜により層間絶縁された
多層配線部分とを含むイメージセンサにおいて、このイ
メージセンサと外部回路とを接続するために設けられた
出力端子の少なくとも下地部分では前記樹脂膜が除去さ
れている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
ガラス基板１上にアモルファスシリコン２をプラズマＣ
ＶＤ１μロ、クロムをスパッタで２０００人それぞれ堆
積した。次いで、クロムを電極形状にパターン化してク
ロム下層配線３を形成した。次に、感光性ポリイミドを
スピン塗布し、露光、現像後所定の温度でキュアして層
間絶縁膜４を形成した。この時、後にワイヤボンディン
グすべき出力端子の下地となる部分のアモルファスシリ
コン２が露出するようにパターン化を行なう必要がある
。次にクロムを２０００人、金を３０００人それぞれス
パッタで堆積後、パターン化を行ない、クロムと金の上
層配線５，６および出力端子８を形成した。その後出力
端子８と外部回路とをボンディングワイヤ７で接続して
完成する。
ＶＤ１μロ、クロムをスパッタで２０００人それぞれ堆
積した。次いで、クロムを電極形状にパターン化してク
ロム下層配線３を形成した。次に、感光性ポリイミドを
スピン塗布し、露光、現像後所定の温度でキュアして層
間絶縁膜４を形成した。この時、後にワイヤボンディン
グすべき出力端子の下地となる部分のアモルファスシリ
コン２が露出するようにパターン化を行なう必要がある
。次にクロムを２０００人、金を３０００人それぞれス
パッタで堆積後、パターン化を行ない、クロムと金の上
層配線５，６および出力端子８を形成した。その後出力
端子８と外部回路とをボンディングワイヤ７で接続して
完成する。
アモルファスシリコン２と出力端子８のクロムとの接着
性は層間絶縁膜４とクロムとの接着性よりも良好である
ためワイヤボンディング後の出力端子の剥離を防ぐこと
ができた。
性は層間絶縁膜４とクロムとの接着性よりも良好である
ためワイヤボンディング後の出力端子の剥離を防ぐこと
ができた。
次に本発明の他の実施例について、第２図を参照して説
明する。
明する。
ガラス基板上１にアモルファスシリコン２を堆積し、ク
ロム下層配線３を形成するまでは第１図の一実施例と同
様である。次に、エポキシ樹脂をスクリーン印刷により
被着し、所定の温度でキュアを行ない層間絶縁膜４を形
成した。この時出力端子８下の部分のアモルファスシリ
コンを露出させるのは前述の実施例と同様である。さら
に、接着性を向上させるために、露出したアモルファス
シリコン部分をドライエツチングにより除去し、ガラス
基板表面を露出させた。
ロム下層配線３を形成するまでは第１図の一実施例と同
様である。次に、エポキシ樹脂をスクリーン印刷により
被着し、所定の温度でキュアを行ない層間絶縁膜４を形
成した。この時出力端子８下の部分のアモルファスシリ
コンを露出させるのは前述の実施例と同様である。さら
に、接着性を向上させるために、露出したアモルファス
シリコン部分をドライエツチングにより除去し、ガラス
基板表面を露出させた。
その後前記実施例と同様にクロムと金の上層配線５，６
および出力端子８を形成し、出力端子にフレキシブルプ
リント板（ＦＰＣ）９を半田付けして外部回路との接続
をとった。この結果、従来より良好な接着性が得られた
。
および出力端子８を形成し、出力端子にフレキシブルプ
リント板（ＦＰＣ）９を半田付けして外部回路との接続
をとった。この結果、従来より良好な接着性が得られた
。
以上説明したように、本発明はイメージセンサ基板上の
出力端子の下地部分に樹脂膜が存在しないため出力端子
金属と樹脂膜の接着力の不足からひきおこされる出力端
子金属の剥離およびそのため断線不良という事態を防ぐ
ことができ、高い信頼性のイメージセンサを提供できる
という効果がある。
出力端子の下地部分に樹脂膜が存在しないため出力端子
金属と樹脂膜の接着力の不足からひきおこされる出力端
子金属の剥離およびそのため断線不良という事態を防ぐ
ことができ、高い信頼性のイメージセンサを提供できる
という効果がある。
第１図は本発明の一実施例によるイメージセンサの縦断
面図、第２図は本発明の他の実施例によるイメージセン
サの縦断面図、第３図は従来の実施例の縦断面図である
。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・アモルファ
スシリコン、３・・・・・・クロム下層電極、４・・・
・・・層間絶縁膜、訃・・・・・クロム上層配線、６・
・・・・・全上層配線、７・・・・・・ボンディングワ
イヤ、８・・・・・・出力端子、９・・・・・・フレキ
シブルプリント板。 代理人 弁理士 内 原 晋 死 Ｉ 田 り：ブレキンツブ）し７°クント才反 り９シ り 図 ＄ ３ 深
面図、第２図は本発明の他の実施例によるイメージセン
サの縦断面図、第３図は従来の実施例の縦断面図である
。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・アモルファ
スシリコン、３・・・・・・クロム下層電極、４・・・
・・・層間絶縁膜、訃・・・・・クロム上層配線、６・
・・・・・全上層配線、７・・・・・・ボンディングワ
イヤ、８・・・・・・出力端子、９・・・・・・フレキ
シブルプリント板。 代理人 弁理士 内 原 晋 死 Ｉ 田 り：ブレキンツブ）し７°クント才反 り９シ り 図 ＄ ３ 深
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板上に形成されたアモルファスシリコンを主
成分とする光導電層と、該光導電層の同一表面上にあり
、前記光導電層とオーミック性接触となる、一定の間隔
をもった一対の電極により構成される複数のフォトセン
サと、樹脂膜により層間絶縁された多層配線部分とを含
んで構成されるイメージセンサにおいて、前記イメージ
センサと外部回路とを接続するために設けられた出力端
子下には前記樹脂膜を有していないことを特徴とするイ
メージセンサ。 ２、前記樹脂膜が感光性であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63098708A JPH01270266A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63098708A JPH01270266A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270266A true JPH01270266A (ja) | 1989-10-27 |
Family
ID=14227012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63098708A Pending JPH01270266A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01270266A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105355621A (zh) * | 2015-11-26 | 2016-02-24 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种堆叠式图像传感器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59108031A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-22 | Ube Ind Ltd | 感光性ポリイミド |
| JPS59138373A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-08 | Canon Inc | フオトセンサ |
| JPS60134463A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-17 | Toshiba Corp | 密着型イメ−ジセンサおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP63098708A patent/JPH01270266A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59108031A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-22 | Ube Ind Ltd | 感光性ポリイミド |
| JPS59138373A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-08 | Canon Inc | フオトセンサ |
| JPS60134463A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-17 | Toshiba Corp | 密着型イメ−ジセンサおよびその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105355621A (zh) * | 2015-11-26 | 2016-02-24 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种堆叠式图像传感器 |
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