JPS5954373A - 密着形イメ−ジセンサ - Google Patents
密着形イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS5954373A JPS5954373A JP57164028A JP16402882A JPS5954373A JP S5954373 A JPS5954373 A JP S5954373A JP 57164028 A JP57164028 A JP 57164028A JP 16402882 A JP16402882 A JP 16402882A JP S5954373 A JPS5954373 A JP S5954373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- image sensor
- window
- transparent
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、例えばｌアクソミリ用送信原稿と寸法的に
ｌ対ｌに対応させて、複数個の光電変換素子を透明基板
に配列し、その上に置いた原稿を透明基板の下方より照
明し、反射光を光電変換素子列で捕獲して光電変換する
密着形イメージセンサに関するものである。
ｌ対ｌに対応させて、複数個の光電変換素子を透明基板
に配列し、その上に置いた原稿を透明基板の下方より照
明し、反射光を光電変換素子列で捕獲して光電変換する
密着形イメージセンサに関するものである。
従来の密着形イメージセンサによる原稿の読み取り方法
を第１図に示す。密着形イメージセンサ１０の上に原稿
１を置き、げい光灯等からの照明光２を密着形イメージ
センサ１０の内部の透明窓１９を通して原稿１を照明し
、その反射光を光電変換素子１４で捕獲して読み取るも
のである。
を第１図に示す。密着形イメージセンサ１０の上に原稿
１を置き、げい光灯等からの照明光２を密着形イメージ
センサ１０の内部の透明窓１９を通して原稿１を照明し
、その反射光を光電変換素子１４で捕獲して読み取るも
のである。
、第２図（ａ）に上記従来の密着形イメージセンサ１０
の平面拡大図を、第２図（ｂ）に断面拡大図を示す。
の平面拡大図を、第２図（ｂ）に断面拡大図を示す。
ガラス等の透明基板１１の上に原稿１の照明する領域を
制限する光学的に不透明な遮光層１２を形成し、その上
を電気的に不良導体の絶縁層１３でおおい、その上に光
電変換素子１４１個別電極１５゜共通電極１６を形成し
、接着材１７により全体または一部に透明保護層１８を
接着した構成にたつ（いる。
制限する光学的に不透明な遮光層１２を形成し、その上
を電気的に不良導体の絶縁層１３でおおい、その上に光
電変換素子１４１個別電極１５゜共通電極１６を形成し
、接着材１７により全体または一部に透明保護層１８を
接着した構成にたつ（いる。
ここで、遮光層１２によって形成される透明窓１９０面
槓は、密層形イメージセッサ１０の分解能とＳＮ比を左
右する要因であるため、一定面積に形成し１．ｃければ
ならない（「直接読み取り・密着形イメージセンサ素子
構成の検討」市１子通信学会イ１）［究会負料Ｅ Ｉ）
８１−３５ Ｊ参照９゜また、遮光層１２は光電変換
素子１４にＣｄＳ 等を用いた場合、遮光層１２１元電
変換素子１４を形成した後に６（）Ｏ″Ｃ０前後処理し
なければならないため、耐熱性があり、かつ光学的に不
透明でなければならない。
槓は、密層形イメージセッサ１０の分解能とＳＮ比を左
右する要因であるため、一定面積に形成し１．ｃければ
ならない（「直接読み取り・密着形イメージセンサ素子
構成の検討」市１子通信学会イ１）［究会負料Ｅ Ｉ）
８１−３５ Ｊ参照９゜また、遮光層１２は光電変換
素子１４にＣｄＳ 等を用いた場合、遮光層１２１元電
変換素子１４を形成した後に６（）Ｏ″Ｃ０前後処理し
なければならないため、耐熱性があり、かつ光学的に不
透明でなければならない。
このため、】卯九Ｊ−１２の材料にはＣｒ等の金属膜薄
が用いられていた。従って、遮光層１２と光電変換素子
１４１個別電極１５．共通電極１６を電気的に分離する
絶縁層１３が不可欠であるが、ＳｉＯ２等をスパッタ法
等で遮光層１２上に形成するため、時間がかかるばかり
か、絶縁層１３に生ずるピンホール等により遮光Ｉ＠１
２との絶縁が保てず、歩留りが悪かった。ｆた、各電極
１５，１６と遮光Ｊ曽１２間の浮遊容量に、しり駆動特
性が劣化する等の欠点があった。
が用いられていた。従って、遮光層１２と光電変換素子
１４１個別電極１５．共通電極１６を電気的に分離する
絶縁層１３が不可欠であるが、ＳｉＯ２等をスパッタ法
等で遮光層１２上に形成するため、時間がかかるばかり
か、絶縁層１３に生ずるピンホール等により遮光Ｉ＠１
２との絶縁が保てず、歩留りが悪かった。ｆた、各電極
１５，１６と遮光Ｊ曽１２間の浮遊容量に、しり駆動特
性が劣化する等の欠点があった。
この発明は、これらの欠点を解決するために、光電変換
素子の下側に下部電極を設け、光電変換素子の上部に上
部電極を設け、前記上部電極の上方Ｖ−電気的に不良導
体で、不透明な上部遮光層を設けた構成としたものであ
る。以下図面しこついてこの発明の詳細な説明する。
素子の下側に下部電極を設け、光電変換素子の上部に上
部電極を設け、前記上部電極の上方Ｖ−電気的に不良導
体で、不透明な上部遮光層を設けた構成としたものであ
る。以下図面しこついてこの発明の詳細な説明する。
第３図（ａ）、（ｂ）はこの発明の一実施例を示すもの
で、第３図（ａ）が密着形イメージセンサ２０の平面拡
大図、第３図（ｂ）がその断面拡大図を示している。
で、第３図（ａ）が密着形イメージセンサ２０の平面拡
大図、第３図（ｂ）がその断面拡大図を示している。
これらの図において、ガラス等の透明基板２１の上にス
リット状の透明窓２２を除いて光学的に不透明な導電材
料、例えばＣｒにより下部筒、極２３゜引出電極２４を
形成し、下部電極２３の透明窓２２側に離散的に光電変
換素子２５を形成する。光電変換素子２５の材料として
は、入射する光量によって抵抗値が変化するものであれ
ばよく、例えばＣｄＳ 、 ＣｄＳｅが用いられる。つ
ぎに、光電変換素子２５の透明窓２２側の一部から、少
なくとも下部電極２３の透明窓２２側の端部までをおお
うようにｓｈｏ、 等により絶縁膜２６を形成した後
、九′蛭変換素子２５の上側にＩＴＯ等により透明な上
部゛「Ｌ極２７を形成し、対向する引出電極２４とを結
Ｉｖ８１ｆる。そし壬、透明窓２２を除いて、光学的に
不透明な不透明薄膜によって、少な（とも引出１ｂ、４
ヶ２４間の透明なすき間部分をおおうように、上部遮光
層２Ｂを形成した後、透明保護層２９を接着材３０によ
って接着した構成になっている。
リット状の透明窓２２を除いて光学的に不透明な導電材
料、例えばＣｒにより下部筒、極２３゜引出電極２４を
形成し、下部電極２３の透明窓２２側に離散的に光電変
換素子２５を形成する。光電変換素子２５の材料として
は、入射する光量によって抵抗値が変化するものであれ
ばよく、例えばＣｄＳ 、 ＣｄＳｅが用いられる。つ
ぎに、光電変換素子２５の透明窓２２側の一部から、少
なくとも下部電極２３の透明窓２２側の端部までをおお
うようにｓｈｏ、 等により絶縁膜２６を形成した後
、九′蛭変換素子２５の上側にＩＴＯ等により透明な上
部゛「Ｌ極２７を形成し、対向する引出電極２４とを結
Ｉｖ８１ｆる。そし壬、透明窓２２を除いて、光学的に
不透明な不透明薄膜によって、少な（とも引出１ｂ、４
ヶ２４間の透明なすき間部分をおおうように、上部遮光
層２Ｂを形成した後、透明保護層２９を接着材３０によ
って接着した構成になっている。
ここで、上部遮光層２８に用いる不透明薄膜としてはＢ
Ｔ樹脂（１−成型や加工が楽な高耐熱性樹脂」日経エレ
クト一二りス、１９７８．９．１８号参照）等が用いら
れ、接着材３０としてはレンズボンド、透明保設層２９
としてはガラス薄板が用いらハ、イ）。
Ｔ樹脂（１−成型や加工が楽な高耐熱性樹脂」日経エレ
クト一二りス、１９７８．９．１８号参照）等が用いら
れ、接着材３０としてはレンズボンド、透明保設層２９
としてはガラス薄板が用いらハ、イ）。
このよつブエ構造になっていることから、光電変換素子
２５に光導電特性をもたせるために、熱処理が必要な場
合であっても、上部遮光層２８を設けるＯｌｌのＪｆｉ
明基板基板２１上部電極２３１元電変換糸子２５を形成
した段階で熱処理かできる。従来の密層形イア−、＞セ
ンサの遮光１４１２ （第２図）は、光学的に不透明Ｃ
，杷縁物であり、かつ耐熱性が要求されていたため、金
属薄膜と絶縁膜の二層で構成されたが、この発明の密着
形イメージセンサの上部遮光層２８は不透明で絶縁物で
あればよいため高分子材料、樹脂等による単一膜でよく
構成が簡易になる。また、絶縁膜２６の面積が従来のも
のに比較し、格段に小さくなるため、ピンホール等圧よ
る不良も激減する。
２５に光導電特性をもたせるために、熱処理が必要な場
合であっても、上部遮光層２８を設けるＯｌｌのＪｆｉ
明基板基板２１上部電極２３１元電変換糸子２５を形成
した段階で熱処理かできる。従来の密層形イア−、＞セ
ンサの遮光１４１２ （第２図）は、光学的に不透明Ｃ
，杷縁物であり、かつ耐熱性が要求されていたため、金
属薄膜と絶縁膜の二層で構成されたが、この発明の密着
形イメージセンサの上部遮光層２８は不透明で絶縁物で
あればよいため高分子材料、樹脂等による単一膜でよく
構成が簡易になる。また、絶縁膜２６の面積が従来のも
のに比較し、格段に小さくなるため、ピンホール等圧よ
る不良も激減する。
さらに上部遮光層２Ｂが絶縁物で構成されるため、浮遊
容量が減少し、密着形イメージセンサの駆動特性もよく
なるという効果がある。
容量が減少し、密着形イメージセンサの駆動特性もよく
なるという効果がある。
なお、以上は説明の都合上、光電変換素子２５を光導電
モードで動作するものとして述べたが、光電変換素子２
５がａ−８ｉ 等を用い、蓄積モードで動作するもの
についてもこの発明は同様の効果が得られる。
モードで動作するものとして述べたが、光電変換素子２
５がａ−８ｉ 等を用い、蓄積モードで動作するもの
についてもこの発明は同様の効果が得られる。
以上説明したように、この発明の密着形イメージセンサ
は、透明基板上に、電気１ｌｙｉ号取出用の下部電極と
、前記下部電極上に形成した光電変換素子より電気信号
を取り出す上部電極及び引出電極を設け、前記上部電極
及び引出電極の上面に透明窓を除いて光学的に不透明で
、かつ電気的に不良導体の上部遮ブローで被った構成と
したため、構成が口）１易になり、かつ耐熱性が要求さ
れる従来のような遮光膜を用い１．ｃいでよいため、駆
動特性が向上する等の利点がある。
は、透明基板上に、電気１ｌｙｉ号取出用の下部電極と
、前記下部電極上に形成した光電変換素子より電気信号
を取り出す上部電極及び引出電極を設け、前記上部電極
及び引出電極の上面に透明窓を除いて光学的に不透明で
、かつ電気的に不良導体の上部遮ブローで被った構成と
したため、構成が口）１易になり、かつ耐熱性が要求さ
れる従来のような遮光膜を用い１．ｃいでよいため、駆
動特性が向上する等の利点がある。
第１図は従来の密着形イメージセンサによる原矛高の読
み取り方法を説、明するための側断面略図、第２図（ａ
Ｊ、 （ｂ）は従来の密着形イメージセンサの部分平面
拡大図およびその断面拡大図、第３図（ａ）。 （ｂ）はこの発明の一実施例を示すもので、第３図（ａ
）は平面拡大図、第３図（ｂ）はそのｂｉ而面大図であ
る。 図中、２０は密着形イメージセンサ、２１は透明基板、
２２は透明窓、２３は下部電極、２４は、引１出准極、
２５は光雷、変換素子、２６は絶縁膜、２γは上部′ｌ
χ極、２８は上部遮′Ｌ層、２９は透明保。暢層、３０
は区庸剤である。 第１図 第２図 （ａ） （ｂ） ウ １０ １８１’／ １０ 第 ３ 図 （ａ） （ｂ） ５
み取り方法を説、明するための側断面略図、第２図（ａ
Ｊ、 （ｂ）は従来の密着形イメージセンサの部分平面
拡大図およびその断面拡大図、第３図（ａ）。 （ｂ）はこの発明の一実施例を示すもので、第３図（ａ
）は平面拡大図、第３図（ｂ）はそのｂｉ而面大図であ
る。 図中、２０は密着形イメージセンサ、２１は透明基板、
２２は透明窓、２３は下部電極、２４は、引１出准極、
２５は光雷、変換素子、２６は絶縁膜、２γは上部′ｌ
χ極、２８は上部遮′Ｌ層、２９は透明保。暢層、３０
は区庸剤である。 第１図 第２図 （ａ） （ｂ） ウ １０ １８１’／ １０ 第 ３ 図 （ａ） （ｂ） ５
Claims (1)
- 原稿を光学的に透明な透明基板の下方より照明し、反射
光を光電変換素子列で捕獲して光電変換する密着形イメ
ージセンサにおいて、前記透明基板上に電気信号取出用
の下部電極を設け、この下部′市、極上Ｖｃ核数個の光
電変換素子を形成し５、これら各光電変検素子より電気
信号を取り出す上部電極を設け、前記各上部電極に引出
電極を設け、前記各上部電極及び引出電極の上側に透明
窓を除いて光学的に不透明で、かつ電気的に不良導体の
上部遮光層を設けたことを特徴とする密着形イメージセ
ンナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164028A JPS5954373A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 密着形イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164028A JPS5954373A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 密着形イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954373A true JPS5954373A (ja) | 1984-03-29 |
| JPH0230586B2 JPH0230586B2 (ja) | 1990-07-06 |
Family
ID=15785426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57164028A Granted JPS5954373A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 密着形イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954373A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0568858U (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-17 | 株式会社吉野工業所 | 傘形弁体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5291314A (en) * | 1976-01-28 | 1977-08-01 | Hitachi Ltd | Image pick-up device |
| JPS5738062A (en) * | 1980-08-18 | 1982-03-02 | Ricoh Co Ltd | Input and output device |
-
1982
- 1982-09-22 JP JP57164028A patent/JPS5954373A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5291314A (en) * | 1976-01-28 | 1977-08-01 | Hitachi Ltd | Image pick-up device |
| JPS5738062A (en) * | 1980-08-18 | 1982-03-02 | Ricoh Co Ltd | Input and output device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0230586B2 (ja) | 1990-07-06 |
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