JPH0522517A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
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- JPH0522517A JPH0522517A JP3194954A JP19495491A JPH0522517A JP H0522517 A JPH0522517 A JP H0522517A JP 3194954 A JP3194954 A JP 3194954A JP 19495491 A JP19495491 A JP 19495491A JP H0522517 A JPH0522517 A JP H0522517A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 密着型イメージセンサにおいて、導電膜が形
成されている薄板ガラスを用いることなく、静電誘導を
防止することを実現する。 【構成】 透光性絶縁基板1上に、遮光性下部電極2、
光電変換層3、透光性上部電極4よりなる光電変換素子
部と、電極5、接地電極6等を形成し、その上に保護層
として透光性パッシベーション膜9を設ける。薄板ガラ
ス13を接着する接着剤として、導電性接着剤10を用
いることにより、原稿と薄板ガラスとの摩擦により発生
した静電気を除去できる。
成されている薄板ガラスを用いることなく、静電誘導を
防止することを実現する。 【構成】 透光性絶縁基板1上に、遮光性下部電極2、
光電変換層3、透光性上部電極4よりなる光電変換素子
部と、電極5、接地電極6等を形成し、その上に保護層
として透光性パッシベーション膜9を設ける。薄板ガラ
ス13を接着する接着剤として、導電性接着剤10を用
いることにより、原稿と薄板ガラスとの摩擦により発生
した静電気を除去できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリやスキャ
ナ等の画像入力部に用いる密着型イメージセンサに関す
るものである。
ナ等の画像入力部に用いる密着型イメージセンサに関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】完全密着型イメージセンサは、原稿を薄
板ガラス等の透明カバーに密着させて読み取るものであ
る。原稿と透明カバーとが、副走査方向に相対移動する
ことによって、2次元的な走査が行なわれ、原稿が読み
取られる。原稿が、透明カバー、例えば、薄板ガラスと
移動接触することによる摩擦によって、静電誘導による
電位が蓄積される。静電誘導に蓄積電位は、ノイズの原
因となるから、これを低減する必要があり、薄板ガラス
の表面に透明導電膜を着膜したり、あるいは、特開昭6
4−71173号公報に記載されているように、透明導
電膜付きの薄板ガラスを用いて、透明導電膜をアース電
位に接続することが行なわれている。
板ガラス等の透明カバーに密着させて読み取るものであ
る。原稿と透明カバーとが、副走査方向に相対移動する
ことによって、2次元的な走査が行なわれ、原稿が読み
取られる。原稿が、透明カバー、例えば、薄板ガラスと
移動接触することによる摩擦によって、静電誘導による
電位が蓄積される。静電誘導に蓄積電位は、ノイズの原
因となるから、これを低減する必要があり、薄板ガラス
の表面に透明導電膜を着膜したり、あるいは、特開昭6
4−71173号公報に記載されているように、透明導
電膜付きの薄板ガラスを用いて、透明導電膜をアース電
位に接続することが行なわれている。
【0003】図2は、透明導電膜付きの薄板ガラスを用
いた密着型イメージセンサの一例の断面図である。図
中、1は透光性絶縁基板、2は遮光性下部電極、3は光
電変換層、4は透光性上部電極、5は電極、6は接地電
極、7は透光性層間絶縁膜、8は引き出し配線、9は透
光性パッシベーション膜、11は透光性接着剤、12は
透光性導電膜、13は薄板ガラス、15は採光用窓部、
16は光源である。
いた密着型イメージセンサの一例の断面図である。図
中、1は透光性絶縁基板、2は遮光性下部電極、3は光
電変換層、4は透光性上部電極、5は電極、6は接地電
極、7は透光性層間絶縁膜、8は引き出し配線、9は透
光性パッシベーション膜、11は透光性接着剤、12は
透光性導電膜、13は薄板ガラス、15は採光用窓部、
16は光源である。
【0004】ガラスを用いた透光性絶縁基板1の上に、
Cr等の金属電極が遮光性下部電極2として設けられ、
その上に、a−Siの光電変換層3、ITOの透光性上
部電極4が形成され、これらによって、光電変換素子部
が構成されている。この光電変換素子部上には、ポリイ
ミドによって形成される透光性層間絶縁膜7が設けら
れ、引き出し配線8が、透光性層間絶縁膜7が設けられ
ていない部分において、透光性上部電極4に接続されて
いる。電極5、接地電極6は、周辺回路やコンデンサを
構成しているが、透光性の電極を用いることができる
が、必ずしも、透光性である必要はない。これらの上
に、透光性パッシベーション膜9が形成され、透光性接
着剤11により、透光性導電膜12を施した薄板ガラス
13が接着されている。透光性パッシベーション膜9に
は、ポリイミドや、SiO2 、SiNx などが用いら
れ、透光性接着剤11としては、エポキシ樹脂系などの
接着剤が用いられるのが普通である。
Cr等の金属電極が遮光性下部電極2として設けられ、
その上に、a−Siの光電変換層3、ITOの透光性上
部電極4が形成され、これらによって、光電変換素子部
が構成されている。この光電変換素子部上には、ポリイ
ミドによって形成される透光性層間絶縁膜7が設けら
れ、引き出し配線8が、透光性層間絶縁膜7が設けられ
ていない部分において、透光性上部電極4に接続されて
いる。電極5、接地電極6は、周辺回路やコンデンサを
構成しているが、透光性の電極を用いることができる
が、必ずしも、透光性である必要はない。これらの上
に、透光性パッシベーション膜9が形成され、透光性接
着剤11により、透光性導電膜12を施した薄板ガラス
13が接着されている。透光性パッシベーション膜9に
は、ポリイミドや、SiO2 、SiNx などが用いら
れ、透光性接着剤11としては、エポキシ樹脂系などの
接着剤が用いられるのが普通である。
【0005】原稿は、薄板ガラス13上に載置され、光
源16よりの照明光が採光用窓部15を通して原稿に照
射される。原稿からの反射光は、原稿の明暗に応じたも
のであるから、反射光を光電変換素子部に入射させるこ
とにより、原稿の1ライン分の読み取りが行なわれる。
薄板ガラス13の下面に設けられた透光性導電膜12
は、接地電極に接続されているから、原稿の摩擦により
薄板ガラス13に発生した静電気を、透光性導電膜12
により逃がすことができる。
源16よりの照明光が採光用窓部15を通して原稿に照
射される。原稿からの反射光は、原稿の明暗に応じたも
のであるから、反射光を光電変換素子部に入射させるこ
とにより、原稿の1ライン分の読み取りが行なわれる。
薄板ガラス13の下面に設けられた透光性導電膜12
は、接地電極に接続されているから、原稿の摩擦により
薄板ガラス13に発生した静電気を、透光性導電膜12
により逃がすことができる。
【0006】しかしながら、上述したような透明導電膜
付きの薄板ガラスを用いる場合は、コスト高の原因とな
り、また、透明導電膜とアース電位部分との接続を行な
う必要があり、その接続のために、上記公報第2図
(A)に記載するように、薄板ガラスの側部から上面ま
で設けたり、導電ゴムを用いたり、半田付けによるな
ど、余分な工程を要するという問題がある。薄板ガラス
の表面に透明導電膜を着膜したものは、原稿との摩擦に
より、透明導電膜に傷が付いたり、摩耗するという問題
がある。
付きの薄板ガラスを用いる場合は、コスト高の原因とな
り、また、透明導電膜とアース電位部分との接続を行な
う必要があり、その接続のために、上記公報第2図
(A)に記載するように、薄板ガラスの側部から上面ま
で設けたり、導電ゴムを用いたり、半田付けによるな
ど、余分な工程を要するという問題がある。薄板ガラス
の表面に透明導電膜を着膜したものは、原稿との摩擦に
より、透明導電膜に傷が付いたり、摩耗するという問題
がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した問
題点を解決するためになされたもので、導電膜が形成さ
れた薄板ガラスを用いることなく、静電誘導を防止でき
る密着型イメージセンサを提供することを目的とするも
のである。
題点を解決するためになされたもので、導電膜が形成さ
れた薄板ガラスを用いることなく、静電誘導を防止でき
る密着型イメージセンサを提供することを目的とするも
のである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、光電変換素子
部と、該光電素子部上に設けられた透明保護層と、該透
明保護層上に設けられた透明カバーを有する密着型イメ
ージセンサにおいて、前記透明カバーが導電性接着剤に
より接着されていることを特徴とするものである。
部と、該光電素子部上に設けられた透明保護層と、該透
明保護層上に設けられた透明カバーを有する密着型イメ
ージセンサにおいて、前記透明カバーが導電性接着剤に
より接着されていることを特徴とするものである。
【0009】導電性接着剤として不透明な接着剤を用
い、原稿読み取り部を避けて接着剤層を設けることがで
きる。また、導電性接着剤として、透光性の接着剤を用
いることもできる。
い、原稿読み取り部を避けて接着剤層を設けることがで
きる。また、導電性接着剤として、透光性の接着剤を用
いることもできる。
【0010】
【作用】本発明は、密着型イメージセンサにおいて、透
明カバーを導電性接着剤により接着したことにより、透
明カバーと原稿との摩擦により発生した静電気を導電性
接着剤の層を介して逃がすことができる。したがって、
透明カバーに透光性導電膜を施す必要はない。
明カバーを導電性接着剤により接着したことにより、透
明カバーと原稿との摩擦により発生した静電気を導電性
接着剤の層を介して逃がすことができる。したがって、
透明カバーに透光性導電膜を施す必要はない。
【0011】導電性接着剤の塗布の際に、透明保護層に
穴を開けておき、接地電極に直接導電性接着剤を接触さ
せるなど、導電性接着剤の流動性を利用することによっ
て、接地電極等、特定の電位に導電性接着剤層を接続す
ることが容易にできる。
穴を開けておき、接地電極に直接導電性接着剤を接触さ
せるなど、導電性接着剤の流動性を利用することによっ
て、接地電極等、特定の電位に導電性接着剤層を接続す
ることが容易にできる。
【0012】
【実施例】図1は、本発明の密着型イメージセンサの一
実施例の断面図であり、図3は、外観の斜視図である。
図中、図2と同様な部分には同じ符号を付して説明を省
略する。10は導電性接着剤である。この実施例では、
導電性接着剤として、不透光性のものを用いたので、1
4で図示した原稿読み取り部分の領域には、導電性接着
剤を設けないようにした。この部分14は、透光性の樹
脂等を充填してもよいが、後述するように、導電性接着
剤の層の厚みが僅かであるから、そのままとしておいて
もよい。
実施例の断面図であり、図3は、外観の斜視図である。
図中、図2と同様な部分には同じ符号を付して説明を省
略する。10は導電性接着剤である。この実施例では、
導電性接着剤として、不透光性のものを用いたので、1
4で図示した原稿読み取り部分の領域には、導電性接着
剤を設けないようにした。この部分14は、透光性の樹
脂等を充填してもよいが、後述するように、導電性接着
剤の層の厚みが僅かであるから、そのままとしておいて
もよい。
【0013】図2で説明したように、透光性絶縁基板1
としてガラス基板を用い、その上に、Crの下部電極
2、a−Siの光電変換層3、ITOの透光性上部電極
4よりなるa−Siフォトダイオードの光電変換素子部
を形成した。採光用窓部15および、その他の回路を作
成し、透光性パッシペーション膜9を形成した後、導電
性接着剤10をディスペンサなどにより30μm厚程度
に塗布した。導電性接着剤10としては、スズ含有酸化
インジウムや、アンチモン含有酸化スズ超微粒子などを
フィラーとする接着剤を用いた。接着剤が透光性の場合
には、全面に塗布してよいが、金、銀、銀パラジウム、
ニッケル、カーボンブラックなどをフィラーとする遮光
性の接着剤の場合には、光電変換素子部および採光用窓
部の部分を避けて、それ以外の部分に塗布する必要があ
る。導電性接着剤の塗布後、その上に、厚さ50μm程
度の薄板ガラスを貼り付け、その後、接着剤硬化のため
のベークを行なった。ベーク条件は、150℃、1時間
とした。また、導電性接着剤による導電層を接地するた
めに、接地電極6との間の透光性パッシベーション膜の
一部に、膜を形成せずに、通路17を設けるようにし
て、導電性接着剤10を接地電極6に接触させて電気的
接続を行なった。この実施例では、接地電極6は、アル
ミニウム電極を用いた。
としてガラス基板を用い、その上に、Crの下部電極
2、a−Siの光電変換層3、ITOの透光性上部電極
4よりなるa−Siフォトダイオードの光電変換素子部
を形成した。採光用窓部15および、その他の回路を作
成し、透光性パッシペーション膜9を形成した後、導電
性接着剤10をディスペンサなどにより30μm厚程度
に塗布した。導電性接着剤10としては、スズ含有酸化
インジウムや、アンチモン含有酸化スズ超微粒子などを
フィラーとする接着剤を用いた。接着剤が透光性の場合
には、全面に塗布してよいが、金、銀、銀パラジウム、
ニッケル、カーボンブラックなどをフィラーとする遮光
性の接着剤の場合には、光電変換素子部および採光用窓
部の部分を避けて、それ以外の部分に塗布する必要があ
る。導電性接着剤の塗布後、その上に、厚さ50μm程
度の薄板ガラスを貼り付け、その後、接着剤硬化のため
のベークを行なった。ベーク条件は、150℃、1時間
とした。また、導電性接着剤による導電層を接地するた
めに、接地電極6との間の透光性パッシベーション膜の
一部に、膜を形成せずに、通路17を設けるようにし
て、導電性接着剤10を接地電極6に接触させて電気的
接続を行なった。この実施例では、接地電極6は、アル
ミニウム電極を用いた。
【0014】導電性接着剤10と接地電極6との接続
は、通路を形成することに限られるものではない。接地
電極6から、導電性接着剤10の少なくとも下部に達す
る電極部材を設けておいて、塗布した導電性接着剤がそ
の電極部材に接続されるようにしてもよい。また、セン
サの端部近傍等において、接続を行なうようにしてもよ
い。
は、通路を形成することに限られるものではない。接地
電極6から、導電性接着剤10の少なくとも下部に達す
る電極部材を設けておいて、塗布した導電性接着剤がそ
の電極部材に接続されるようにしてもよい。また、セン
サの端部近傍等において、接続を行なうようにしてもよ
い。
【0015】なお、実施例における材料や数値は一例で
あり、本発明がこの例に限られるものでないことは明か
なことである。また、導電性接着剤が接続される電極
も、接地電極に限らず、適当な電位の電極であってもよ
いことは勿論である。
あり、本発明がこの例に限られるものでないことは明か
なことである。また、導電性接着剤が接続される電極
も、接地電極に限らず、適当な電位の電極であってもよ
いことは勿論である。
【0016】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、静電気対策のための導電膜が、透明カバーの
接着剤を導電性としたことにより形成できるので、従来
のように、薄板ガラスに透光性導電膜を設ける必要がな
く、電極との接続も容易であるという効果がある。
によれば、静電気対策のための導電膜が、透明カバーの
接着剤を導電性としたことにより形成できるので、従来
のように、薄板ガラスに透光性導電膜を設ける必要がな
く、電極との接続も容易であるという効果がある。
【図1】 本発明の密着型イメージセンサの一実施例の
断面図である。
断面図である。
【図2】 従来の密着型イメージセンサの一例の断面図
である。
である。
【図3】 本発明の密着型イメージセンサの一実施例の
外観の斜視図である。
外観の斜視図である。
1 透光性絶縁基板、2 遮光性下部電極、3 光電変
換層、4 透光性上部電極、5 電極、6 接地電極、
7 透光性層間絶縁膜、8 引き出し配線、9 透光性
パッシベーション膜、10 導電性接着剤、11 透光
性接着剤、13 薄板ガラス、15 採光用窓部、16
光源。
換層、4 透光性上部電極、5 電極、6 接地電極、
7 透光性層間絶縁膜、8 引き出し配線、9 透光性
パッシベーション膜、10 導電性接着剤、11 透光
性接着剤、13 薄板ガラス、15 採光用窓部、16
光源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 光電変換素子部と、該光電素子部上に設
けられた透明保護層と、該透明保護層上に設けられた透
明カバーを有する密着型イメージセンサにおいて、前記
透明カバーが導電性接着剤により接着されていることを
特徴とする密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3194954A JPH0522517A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3194954A JPH0522517A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0522517A true JPH0522517A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16333094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3194954A Pending JPH0522517A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0522517A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012022341A (ja) * | 2011-10-17 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013140371A (ja) * | 2013-02-04 | 2013-07-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
KR20200026274A (ko) | 2017-07-04 | 2020-03-10 | 가부시키가이샤 야쿠르트 혼샤 | 갈락토올리고당의 제조 방법 |
-
1991
- 1991-07-09 JP JP3194954A patent/JPH0522517A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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