JPS62248267A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPS62248267A JPS62248267A JP61092740A JP9274086A JPS62248267A JP S62248267 A JPS62248267 A JP S62248267A JP 61092740 A JP61092740 A JP 61092740A JP 9274086 A JP9274086 A JP 9274086A JP S62248267 A JPS62248267 A JP S62248267A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 10
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は静電気による光電変換素子の誤動作を防止する
機能を備えた、複写機などに利用される光電変換装置に
関するものである。
機能を備えた、複写機などに利用される光電変換装置に
関するものである。
従来の技術
情報化社会の進展に伴い、複写機、ファクシミリ等のオ
フィス・オートメーションの分野、また光通信等のニュ
ーメディアの分野において、その入力装置である光電変
換装置に対するニーズには目ざましいものがあり、高速
化、小型軽量化、また生産技術の向上によるコストダウ
ンなど、さまざまな発展を遂げている。しかしその反面
、光取外の静電気等のノイズによる回路の誤動作につい
ては、おろそかにされがちである。以下に従来の光電変
換装置について説明する。第2図は従来の光電変換装置
の断面図を示すものである。第2図において、1は透光
性部材であり、これはその断面形状も光電変換素子3へ
の情報光入射領域が、情報光を歪めない形状を有したも
のであればよい。
フィス・オートメーションの分野、また光通信等のニュ
ーメディアの分野において、その入力装置である光電変
換装置に対するニーズには目ざましいものがあり、高速
化、小型軽量化、また生産技術の向上によるコストダウ
ンなど、さまざまな発展を遂げている。しかしその反面
、光取外の静電気等のノイズによる回路の誤動作につい
ては、おろそかにされがちである。以下に従来の光電変
換装置について説明する。第2図は従来の光電変換装置
の断面図を示すものである。第2図において、1は透光
性部材であり、これはその断面形状も光電変換素子3へ
の情報光入射領域が、情報光を歪めない形状を有したも
のであればよい。
6及び8は基板9上に、印刷、焼成、スパッタ等の工法
により形成された回路導体層であり、光電変換素子3は
、金属細線6により回路導体層6に接続され、また接着
剤層7を介して基板9に接着される。さらに透光性部材
1もまた接着剤7により基板9に接着され、光電変換素
子3を取り囲む構成になっている。以上のように構成さ
れた光電変換装置において、光電変換素子3は、透光性
部材1からの透過光を受光して電気信号に変換するので
ある。
により形成された回路導体層であり、光電変換素子3は
、金属細線6により回路導体層6に接続され、また接着
剤層7を介して基板9に接着される。さらに透光性部材
1もまた接着剤7により基板9に接着され、光電変換素
子3を取り囲む構成になっている。以上のように構成さ
れた光電変換装置において、光電変換素子3は、透光性
部材1からの透過光を受光して電気信号に変換するので
ある。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記従来の構成では、静電気による静電界
により光電変換素子30表面が帯電してしまい誤動作を
起こすと云う問題点を有していた。
により光電変換素子30表面が帯電してしまい誤動作を
起こすと云う問題点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、光電変換
素子を電気的にシールドすることによって、光電変換素
子表面の帯電を防ぎ、誤動作の発生しない光電変換装置
を提供することを目的とするものである。
素子を電気的にシールドすることによって、光電変換素
子表面の帯電を防ぎ、誤動作の発生しない光電変換装置
を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
この目的を達成するために、本発明の光電変換装置は、
光電変換素子を取り囲む透光性部材の表面、もしくは裏
面に、透明導電膜の皮膜を形成し、この皮膜を基板上の
回路導体層のアースラインに接続した構成を有している
。
光電変換素子を取り囲む透光性部材の表面、もしくは裏
面に、透明導電膜の皮膜を形成し、この皮膜を基板上の
回路導体層のアースラインに接続した構成を有している
。
作用
この構成によって、光電変換素子を電気的にシールドす
ることになり、光電変換装置外部から発生する静電気等
のノイズの進入を防止することができる。そのため光電
変換素子の静電気等による誤動作を未然に防ぐことがで
きる。
ることになり、光電変換装置外部から発生する静電気等
のノイズの進入を防止することができる。そのため光電
変換素子の静電気等による誤動作を未然に防ぐことがで
きる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第1図は本発明の一実施例における光電変換装
置の断面図を示すものである。第1図において、11は
平板ガラスなどの透光性部材、12は主としてガラスな
どの表面に酸化アンチモンと酸化錫の皮膜を形成した透
明導電膜、13は光電変換素子であり、導電性樹脂14
は透光性部材11と基板19との接着と同時に、透明導
電膜12と回路導体層(アース)18との電気的接続を
兼ねており、透明導電膜12は基板19上のアースに接
続しであることになる。16は回路導体層であり金属細
線16により光電変換素子13と接続されている。また
、光電変換素子13は基板19との間の接着剤層17に
よシ基板19に取り付けられている。
明する。第1図は本発明の一実施例における光電変換装
置の断面図を示すものである。第1図において、11は
平板ガラスなどの透光性部材、12は主としてガラスな
どの表面に酸化アンチモンと酸化錫の皮膜を形成した透
明導電膜、13は光電変換素子であり、導電性樹脂14
は透光性部材11と基板19との接着と同時に、透明導
電膜12と回路導体層(アース)18との電気的接続を
兼ねており、透明導電膜12は基板19上のアースに接
続しであることになる。16は回路導体層であり金属細
線16により光電変換素子13と接続されている。また
、光電変換素子13は基板19との間の接着剤層17に
よシ基板19に取り付けられている。
以上のように構成された本実施例によれば、光電変換素
子13を取り囲む透光性部材11に、透明導電膜12を
蒸着してあり、さらにこれを基板19上に形成された回
路導体層(アース)18と接続しであるため、光電変換
素子13は透明導電膜12により電気的にシールドされ
た形になる。
子13を取り囲む透光性部材11に、透明導電膜12を
蒸着してあり、さらにこれを基板19上に形成された回
路導体層(アース)18と接続しであるため、光電変換
素子13は透明導電膜12により電気的にシールドされ
た形になる。
なお、透明導電膜12は透光性部材11の内壁に蒸着し
たが、外壁に蒸着した場合でも同様の効果が得られる。
たが、外壁に蒸着した場合でも同様の効果が得られる。
さらに、上記実施例では透明導電膜12と回路導体層(
アース)18との接続に導電性樹脂14を用いたが、導
電性樹脂14を用いずに、回路導体層(アース)1日か
ら金属バネを立てて、透明導電膜12にそれを接触させ
て電気的接続を行う方法もある。
アース)18との接続に導電性樹脂14を用いたが、導
電性樹脂14を用いずに、回路導体層(アース)1日か
ら金属バネを立てて、透明導電膜12にそれを接触させ
て電気的接続を行う方法もある。
発明の効果
以上のように本発明の光電変換装置は、光電変換素子を
取り囲む透光性部材に透明導電膜を設け、これを接地す
ることにより、光電変換素子をシールドすることになり
、透光性部材より侵入する静電気等のノイズを防止する
ことができる。そのため光電変換素子への静電気の影響
が無くなり、誤動作を未然に防ぐことができ、ひいては
本光電変換装置を搭載した複写機、ファクシミリ等の本
体装置における静電気等のノイズ対策を省くことができ
、優れた光電変換装置を実現できるものである。
取り囲む透光性部材に透明導電膜を設け、これを接地す
ることにより、光電変換素子をシールドすることになり
、透光性部材より侵入する静電気等のノイズを防止する
ことができる。そのため光電変換素子への静電気の影響
が無くなり、誤動作を未然に防ぐことができ、ひいては
本光電変換装置を搭載した複写機、ファクシミリ等の本
体装置における静電気等のノイズ対策を省くことができ
、優れた光電変換装置を実現できるものである。
第1図は本発明の一実施例における光電変換装置の断面
図を示す。また、第2図は従来の光電変換装置の断面図
を示す。 11・・・・・・透光性部材、12・・・・・・透明導
電膜、13・・・・・・光電変換素子、14・・・・・
・導電性樹脂、15・・・・・・回路導体層、16・・
・・・・金属細線、17・・・・・・接着剤層、18・
・・・・・回路導体層(アース)、19・・・・・・基
板。
図を示す。また、第2図は従来の光電変換装置の断面図
を示す。 11・・・・・・透光性部材、12・・・・・・透明導
電膜、13・・・・・・光電変換素子、14・・・・・
・導電性樹脂、15・・・・・・回路導体層、16・・
・・・・金属細線、17・・・・・・接着剤層、18・
・・・・・回路導体層(アース)、19・・・・・・基
板。
Claims (2)
- (1)光を電気信号に変換する、1個もしくは複数個の
光電変換素子と、上記光電変換素子を少なくとも一方の
主面上に実装する回路導体層を有する基板と、上記光電
変換素子を電気的にシールドする透光性部材を備えた光
電変換装置。 - (2)透光性部材は、表面もしくは裏面に透明導電膜の
皮膜を形成し、上記透明導電膜と上記基板の回路導体層
のアースとを接続することを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の光電変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61092740A JPS62248267A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61092740A JPS62248267A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 光電変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62248267A true JPS62248267A (ja) | 1987-10-29 |
Family
ID=14062812
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61092740A Pending JPS62248267A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62248267A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2535949A4 (en) * | 2010-10-05 | 2017-10-25 | LG Innotek Co., Ltd. | Solar photovoltaic device and a conveying device comprising the same |
-
1986
- 1986-04-22 JP JP61092740A patent/JPS62248267A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2535949A4 (en) * | 2010-10-05 | 2017-10-25 | LG Innotek Co., Ltd. | Solar photovoltaic device and a conveying device comprising the same |
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