JPS62194686A - 光結合半導体装置 - Google Patents
光結合半導体装置Info
- Publication number
- JPS62194686A JPS62194686A JP61036991A JP3699186A JPS62194686A JP S62194686 A JPS62194686 A JP S62194686A JP 61036991 A JP61036991 A JP 61036991A JP 3699186 A JP3699186 A JP 3699186A JP S62194686 A JPS62194686 A JP S62194686A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- receiving element
- resin
- emitting element
- optically coupled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002482 conductive additive Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は発光素子と受光素子を空間的に分離した状態で
組み合わせることにより実現される光結合半導体装置に
関し、特に高速データ伝送システムに適用された場合の
同相信号除去能力を高めた光結合半導体装置に関する。
組み合わせることにより実現される光結合半導体装置に
関し、特に高速データ伝送システムに適用された場合の
同相信号除去能力を高めた光結合半導体装置に関する。
従来、光結合半導体装置は第５図に示すように、伝達効
率を稼ぐ目的のため、発光素子１と受光素子２とが対向
した形が主流となっている。なお、図中３は受光面、４
は透明樹脂、５は白濁樹脂。
率を稼ぐ目的のため、発光素子１と受光素子２とが対向
した形が主流となっている。なお、図中３は受光面、４
は透明樹脂、５は白濁樹脂。
６は遮光性樹脂、１６．１７は端子である。
この例に於いて、光結合半導体装置の同相除去能力を高
めるために以下の方策がとられている。
めるために以下の方策がとられている。
（１）受光素子の受光面近傍を受光素子回路中最低電位
（一般的にはＧＮＤ電位）の金属蒸着布線にて覆う。
（一般的にはＧＮＤ電位）の金属蒸着布線にて覆う。
（２）受光素子五を透光性導電樹脂で覆い、やはり当該
樹脂を最低電位に接地する。
樹脂を最低電位に接地する。
以上の方法によりベレッＩ・自体にシールド機能を持た
せ、発光素子側と受光素子側の容量を実質的に低減する
ことにより、同相信号除去能力を高めていた。
せ、発光素子側と受光素子側の容量を実質的に低減する
ことにより、同相信号除去能力を高めていた。
（発明か解決し、よつとする問題点］
上述した従来の方法では各々以下のような欠点がある。
（１）シールドするための材１’ｌが金属蒸着薄膜であ
るため事実上先を通さないので、回路中−計重磁気変動
に敏感である受光面そのものは覆うことができず、よっ
てシールド効果が不完全である （２）導電性樹脂とはいえ、その比抵抗は数〜シに＋Ω
（１ｍと金属に比してかなり高く、やはりシールド効果
が低い。又、比抵抗を下げるためには導電性添加物を多
量に用いることになり透光性が低下するため伝達効率が
低下する。さらに樹脂の成型ら困難になる。
るため事実上先を通さないので、回路中−計重磁気変動
に敏感である受光面そのものは覆うことができず、よっ
てシールド効果が不完全である （２）導電性樹脂とはいえ、その比抵抗は数〜シに＋Ω
（１ｍと金属に比してかなり高く、やはりシールド効果
が低い。又、比抵抗を下げるためには導電性添加物を多
量に用いることになり透光性が低下するため伝達効率が
低下する。さらに樹脂の成型ら困難になる。
以上の理由により、光結合半導体装置の基本的特徴を損
なうことなく、同相信号除去能力を高めることは困難で
あった。
なうことなく、同相信号除去能力を高めることは困難で
あった。
本発明の目的は、装置の基本的特徴を損なうことなく、
高い伝達効率と同相信号除去能力を高めることができる
完結＆半導体装置を提供することにある。
高い伝達効率と同相信号除去能力を高めることができる
完結＆半導体装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段〕
本発明の光結合半導体装置は、電気信号を光信号に変換
する発光素子と、光信号を電気信号に変換する受光素子
とを組み合わせることにより実現される光結合半導体装
置に於いて、面層受光素子をマウントするリード・フレ
ームを該受光素子側回路中の電気的に最低電位である電
位に設定し、さらに該リード・フレームを変形すること
により前記発光素子と前記受光素子間を遮り、かつ両素
子を同−透明樹脂内に封入することにより構成される。
する発光素子と、光信号を電気信号に変換する受光素子
とを組み合わせることにより実現される光結合半導体装
置に於いて、面層受光素子をマウントするリード・フレ
ームを該受光素子側回路中の電気的に最低電位である電
位に設定し、さらに該リード・フレームを変形すること
により前記発光素子と前記受光素子間を遮り、かつ両素
子を同−透明樹脂内に封入することにより構成される。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は第１図
の素子表面位置における横断面図、また、第３図は本発
明の光結合半導体装置の動作原理を表わす縦断面図であ
る。
の素子表面位置における横断面図、また、第３図は本発
明の光結合半導体装置の動作原理を表わす縦断面図であ
る。
第１図、第２図に示すように、本実施例においては、端
子７〜１４は同一平面上に形成されている。そして、端
子７には発光素子１が、端子８には受光素子２がそれぞ
れマウントされている。そして、両素子は透明樹脂４に
て覆われている。さらに又透明樹脂４の１を白濁樹脂５
にて覆うことにより光の受光素子ｌ＼の到達率な高めて
いる９さらに最終的には外来光の干渉を防ぐ目的により
遮光性樹脂６により封入される。
子７〜１４は同一平面上に形成されている。そして、端
子７には発光素子１が、端子８には受光素子２がそれぞ
れマウントされている。そして、両素子は透明樹脂４に
て覆われている。さらに又透明樹脂４の１を白濁樹脂５
にて覆うことにより光の受光素子ｌ＼の到達率な高めて
いる９さらに最終的には外来光の干渉を防ぐ目的により
遮光性樹脂６により封入される。
ここで端子８は第１図に見られるように、その端を発光
素子と受光素子を遮るように成形されている。仮に、鋭
い立ち上りあるいは立ち下り電圧が端子７及び端子８の
間（すなわち入出力間）にかかった場合、第３図の動作
原理説明図に示すように両端子間に存在する電磁力線は
ほぼ直進するため、図中実線で示すような電磁束密度分
布となる。
素子と受光素子を遮るように成形されている。仮に、鋭
い立ち上りあるいは立ち下り電圧が端子７及び端子８の
間（すなわち入出力間）にかかった場合、第３図の動作
原理説明図に示すように両端子間に存在する電磁力線は
ほぼ直進するため、図中実線で示すような電磁束密度分
布となる。
ところが一方発光素子より出力された光は、上述した樹
脂により設けられた光径路内を乱反射しながら通過し、
図中点線で示すような軌跡を描いて受光素子に至る。
脂により設けられた光径路内を乱反射しながら通過し、
図中点線で示すような軌跡を描いて受光素子に至る。
端子８は受光側回路図中最低電位に接地されているため
入力側の電位変動に対して受光素子をシールドする効果
を持つ。
入力側の電位変動に対して受光素子をシールドする効果
を持つ。
なお、伝達効率は従来例の対向型よりも劣るが、昨今比
較的低価格の高輝度発光素子が市場に出まわりだしたた
めその欠点を補うだけの発光素子を用意することが容易
である。
較的低価格の高輝度発光素子が市場に出まわりだしたた
めその欠点を補うだけの発光素子を用意することが容易
である。
第４図は本発明の他の実施例の縦断面図である。
本実施例の動作原理は先に説明したものと何ら変りはな
く、むしろシールド効果はこちらの方が優れていると考
えられる。
く、むしろシールド効果はこちらの方が優れていると考
えられる。
以上説明したように本発明は、同一平面型光結合半導体
装置において、受光素子をマウンＩ・するリード・フレ
ームを受光素子側回路中の電気的に最低電位である電位
に設定し、さらにリード・フレームを変形することによ
り発光素子と受光素子間を遮り、かつ両素子を同一透明
樹脂に封入されているので、従来の製造技術を何等変更
することなく、高い伝達効率と高い同相除去能力の双方
を兼ね備えた光結合半導体装置が得られる。
装置において、受光素子をマウンＩ・するリード・フレ
ームを受光素子側回路中の電気的に最低電位である電位
に設定し、さらにリード・フレームを変形することによ
り発光素子と受光素子間を遮り、かつ両素子を同一透明
樹脂に封入されているので、従来の製造技術を何等変更
することなく、高い伝達効率と高い同相除去能力の双方
を兼ね備えた光結合半導体装置が得られる。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は第１図
に示す本発明の一実施例の素子表面位置における横断面
図、第３図は本発明の光結合半導体装置の動作原理を表
わす縦断面図、第４図は本発明の他の実施例の縦断面図
、第５図は従宋の光結合半導体装置の一例の縦断面図で
ある。 １・・・発光素子、２・・・受光素子、３・・・受光面
、４・・・透明（Ａ脂、５・・・白濁樹脂、６・・・遮
光性樹脂、７〜１７・・・端子。 心ｌ 凹 第３ 図
に示す本発明の一実施例の素子表面位置における横断面
図、第３図は本発明の光結合半導体装置の動作原理を表
わす縦断面図、第４図は本発明の他の実施例の縦断面図
、第５図は従宋の光結合半導体装置の一例の縦断面図で
ある。 １・・・発光素子、２・・・受光素子、３・・・受光面
、４・・・透明（Ａ脂、５・・・白濁樹脂、６・・・遮
光性樹脂、７〜１７・・・端子。 心ｌ 凹 第３ 図
Claims (1)
- 電気信号を光信号に変換する発光素子と、光信号を電気
信号に変換する受光素子とを組み合わせることにより実
現される光結合半導体に於いて、前記受光素子をマウン
トするリード・フレームを該受光素子側回路中の電気的
に最低電位である電位に設定し、さらに該リード・フレ
ームを変形することにより前記発光素子と前記受光素子
間を遮り、かつ両素子を同一透明樹脂内に封入したこと
を特徴とする光結合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61036991A JPS62194686A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 光結合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61036991A JPS62194686A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 光結合半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62194686A true JPS62194686A (ja) | 1987-08-27 |
Family
ID=12485209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61036991A Pending JPS62194686A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62194686A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001028004A1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-04-19 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical module |
| JP2002299645A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光モジュール用リードフレームおよび光モジュール |
| JP2005191189A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Rohm Co Ltd | 赤外線データ通信モジュール |
| WO2005069384A1 (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光送受信モジュールおよび光送受信装置 |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP61036991A patent/JPS62194686A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001028004A1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-04-19 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical module |
| JP2002299645A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光モジュール用リードフレームおよび光モジュール |
| JP2005191189A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Rohm Co Ltd | 赤外線データ通信モジュール |
| WO2005069384A1 (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光送受信モジュールおよび光送受信装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103681941A (zh) | 光耦合器 | |
| CN116721994A (zh) | 适用于光电感算融合视觉芯片的封装结构 | |
| JPS62194686A (ja) | 光結合半導体装置 | |
| JP4003847B2 (ja) | 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法 | |
| JP3193780B2 (ja) | 反射型光結合装置の製造方法 | |
| JPH08186284A (ja) | 表面実装型フォトカプラ及びその製造方法 | |
| JP3497977B2 (ja) | 受光素子およびこれを用いた光結合装置 | |
| JPH01191481A (ja) | 受光素子 | |
| CN219477235U (zh) | 芯片封装结构和电子设备 | |
| JPH0697510A (ja) | 小型光半導体装置 | |
| JPH02137275A (ja) | ホトカプラ | |
| JPH04179168A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3585952B2 (ja) | 光結合装置 | |
| CN219498482U (zh) | 芯片封装结构和电子设备 | |
| JPS59198770A (ja) | 受光電子装置 | |
| JP3593186B2 (ja) | 光結合装置 | |
| JPH0629507A (ja) | 演算機能付きフォトダイオード | |
| JP2958228B2 (ja) | 透過型光結合装置 | |
| JPS6127192Y2 (ja) | ||
| JPH05259483A (ja) | 光電変換用半導体パッケージ | |
| JPH0311671A (ja) | 光結合装置 | |
| JPS5819030A (ja) | 光結合半導体装置 | |
| JPH0645636A (ja) | 受発光素子およびこれを利用した受発光装置 | |
| JPH0476220B2 (ja) | ||
| JPH0521834A (ja) | 半導体光電変換装置 |