JPH04179168A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04179168A JPH04179168A JP2304594A JP30459490A JPH04179168A JP H04179168 A JPH04179168 A JP H04179168A JP 2304594 A JP2304594 A JP 2304594A JP 30459490 A JP30459490 A JP 30459490A JP H04179168 A JPH04179168 A JP H04179168A
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- photodetective element
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- light
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- Pending
Links
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
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- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は受光素子の耐ノイズ性を向上する手段に関する
もので、例えば回路内蔵受光素子に利用される。
もので、例えば回路内蔵受光素子に利用される。
（従来の技術）
受光素子はテレビジョンやビデオ機器等の光リモートコ
ントロール装置や、コンピュータ用の高速のフォトカプ
ラ等に広く使用されている。この受光素子は外部からの
ノイズの影響により、ＳＺＮ比が低下したり、誤動作を
することがある。
ントロール装置や、コンピュータ用の高速のフォトカプ
ラ等に広く使用されている。この受光素子は外部からの
ノイズの影響により、ＳＺＮ比が低下したり、誤動作を
することがある。
ノイズによって受光素子のＮｌＳ比が低下したり誤動作
することを防゛止するために、受光素子の表面を透明導
電膜でシールドする手段がある。第７図はその一例の略
断面図である。半導体装置２０は半導体基板３０の表面
に形成されたＰ型拡散層１およびＮ型拡散層２とよりな
る受光素子３及び、図示されていないが半導体基板１の
表面に形成された他の回路等から構成されており、それ
らの表面は５ｉ０２のような絶縁膜３Ｉによって覆われ
ている。絶縁膜８Ｉの表面にはＡｔ配線５．グラウンド
レベル配線２１、外部接続電極８２．８８等が設けられ
、ワイヤー１９が接続され外部回路と結合されている。
することを防゛止するために、受光素子の表面を透明導
電膜でシールドする手段がある。第７図はその一例の略
断面図である。半導体装置２０は半導体基板３０の表面
に形成されたＰ型拡散層１およびＮ型拡散層２とよりな
る受光素子３及び、図示されていないが半導体基板１の
表面に形成された他の回路等から構成されており、それ
らの表面は５ｉ０２のような絶縁膜３Ｉによって覆われ
ている。絶縁膜８Ｉの表面にはＡｔ配線５．グラウンド
レベル配線２１、外部接続電極８２．８８等が設けられ
、ワイヤー１９が接続され外部回路と結合されている。
このＡｔ配線５．グラウンドレベル配線２１の面の上方
は更に保護膜３４で覆われている。受光素子３の北方の
保護膜３４の表面には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の
ような透明導電膜１８が設けられ、その一端はグラウン
ドレベル配線２１に接続されている。
は更に保護膜３４で覆われている。受光素子３の北方の
保護膜３４の表面には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の
ような透明導電膜１８が設けられ、その一端はグラウン
ドレベル配線２１に接続されている。
以北のような構造であるから、外部からの電磁ノイズは
透明導電膜１８によってシールドされ、受光素子には到
達しない。
透明導電膜１８によってシールドされ、受光素子には到
達しない。
（発明が解決しようとする課題）
前述のような半導体装置は外部回路とワイヤー１９によ
って接続されているから、これがアンテナとなって、ノ
イズが飛び込み、そのためＳ ／ Ｎ比を低下させ誤動
作の原因となる。本発明はこのノイズの侵入を防止する
ことを目的とする。
って接続されているから、これがアンテナとなって、ノ
イズが飛び込み、そのためＳ ／ Ｎ比を低下させ誤動
作の原因となる。本発明はこのノイズの侵入を防止する
ことを目的とする。
（課題を解決するだめの手段）
本発明においては、少なくとも受光素子に対向する部分
は透光性を有し必要な部分に導電性膜を設けた配線基板
に、受光素子を含む装置に設けたバンプを接続した。
は透光性を有し必要な部分に導電性膜を設けた配線基板
に、受光素子を含む装置に設けたバンプを接続した。
（作用）
受光素子に侵入しようとするノイズは、導電性膜により
シールドされる。捷た、配線基板の受光素子に対向する
部分は透光性であるから受光素子に入射する光を妨害し
ない。ワイヤーを使用しないからノイズの侵入が減少す
る。
シールドされる。捷た、配線基板の受光素子に対向する
部分は透光性であるから受光素子に入射する光を妨害し
ない。ワイヤーを使用しないからノイズの侵入が減少す
る。
（実施例）
透光性を有する配線基板としては、例えばフィルムキャ
リア方式又１ＴＡＢ方式方式として知られている実装方
法に用いられる、フィルムテープＫＣｕ箔を貼り付け、
これをエツチングしてフィルムテープ上にリードフレー
ムを形成したものが適当である。このリードフレームに
受光素子に設けたバンプ電極を接続することにより、ワ
イヤーを省略することができる。
リア方式又１ＴＡＢ方式方式として知られている実装方
法に用いられる、フィルムテープＫＣｕ箔を貼り付け、
これをエツチングしてフィルムテープ上にリードフレー
ムを形成したものが適当である。このリードフレームに
受光素子に設けたバンプ電極を接続することにより、ワ
イヤーを省略することができる。
また、フィルムテープは透明度の高いものが望ましい。
フィルムテープの反対側すなわちリードフレームの形成
されていない側に透明導電膜を設けると、シールド効果
は、更に増大される。
されていない側に透明導電膜を設けると、シールド効果
は、更に増大される。
第１図（ａ）は本発明の一実施例に使用される半導体チ
ップの平面図であり、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ’略断面
図である。
ップの平面図であり、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ’略断面
図である。
第１図（ａ）において半導体チップ４の表面にはＮ型拡
散層２及びＰ型拡散層１からなる受光素子３が形成され
ている。図示されていないが、他の素子も集積して形成
されている。これらはＡｔ配線５によって接続され、通
常半導体チップ４の周縁部にバンプ８，８− が形成さ
れている。ノくンブ電掩８，８・・・以外の表面はＳ
ｉ０２膜のような絶縁膜で覆われているが、第１図（ａ
）では省略しである。
散層２及びＰ型拡散層１からなる受光素子３が形成され
ている。図示されていないが、他の素子も集積して形成
されている。これらはＡｔ配線５によって接続され、通
常半導体チップ４の周縁部にバンプ８，８− が形成さ
れている。ノくンブ電掩８，８・・・以外の表面はＳ
ｉ０２膜のような絶縁膜で覆われているが、第１図（ａ
）では省略しである。
第１図（ｂ）ｌｄ：従来例の第７図に対応するものであ
るが、半導体チップ４の表面には透明導電膜Ｉ８がなく
、電極にはバンプ８，８が形成されている。
るが、半導体チップ４の表面には透明導電膜Ｉ８がなく
、電極にはバンプ８，８が形成されている。
半導体基板１の表面は第１の５ｉ０２膜６及び第２の５
ｉ０２膜７によって覆われているが、これらは第７図の
絶縁膜３１及び保護膜３４に対応する。
ｉ０２膜７によって覆われているが、これらは第７図の
絶縁膜３１及び保護膜３４に対応する。
第２図は、第１図（ａ） 、 （ｂ）ＶＣ示されるよう
な半導体チップ４のバンプ８をテープＩＯの一方の面に
形成されたリードフレーム９に接続したものの略断面図
である。テープ１０の受光素子３のト方になる部分はＣ
ｕ箔を除去し光の入射を妨げないようにする。その他の
部分は、Ｃｕ箔を残して置くことによりノイズをシール
ドすることができる。
な半導体チップ４のバンプ８をテープＩＯの一方の面に
形成されたリードフレーム９に接続したものの略断面図
である。テープ１０の受光素子３のト方になる部分はＣ
ｕ箔を除去し光の入射を妨げないようにする。その他の
部分は、Ｃｕ箔を残して置くことによりノイズをシール
ドすることができる。
また、インナーリードを適宜配置することにより、シー
ルドすることができる。
ルドすることができる。
第３図は他の実施例であって、半導体チップ４のバンプ
８は、テープ■０の一方の面のリードフレーム９に接続
されている。テープ１０の他方の面の少なくとも受光素
子３に対応する部は、透明導電膜１１で被櫟されている
。
８は、テープ■０の一方の面のリードフレーム９に接続
されている。テープ１０の他方の面の少なくとも受光素
子３に対応する部は、透明導電膜１１で被櫟されている
。
透明導電膜１１は、例えば第７図の説明において言及さ
れたＩＴＯ膜、又（ｄその他透明導電樹脂等の透明でか
つ導電性のものが使用される。透明導電膜■１はグラウ
ンドレベルに接続される。
れたＩＴＯ膜、又（ｄその他透明導電樹脂等の透明でか
つ導電性のものが使用される。透明導電膜■１はグラウ
ンドレベルに接続される。
第４図（ａ） 、 （ｂ）に示されるようなテープと第
５図（ａ） 、 （ｂ）に示されるような発光素子とを
第１図（ａ）。
５図（ａ） 、 （ｂ）に示されるような発光素子とを
第１図（ａ）。
（ｂ）に示されるような受光素子８と組み合わせて、第
６図に示されるようなフォトカプラーを形成することが
できる。
６図に示されるようなフォトカプラーを形成することが
できる。
第４図（ａ）はテープ１０の平面図であって、その表面
には透明導電膜１２によって、例えば図に示されるよう
なパターンの配線を施し、その端部には外部と接続する
ための端子１８．１８を設ける。
には透明導電膜１２によって、例えば図に示されるよう
なパターンの配線を施し、その端部には外部と接続する
ための端子１８．１８を設ける。
第４図（ｂ）はそのＢ−Ｂ’略断面図である。テープＩ
Ｏの裏面には、第３図の場合と同様にリードフレーム９
が形成されている。
Ｏの裏面には、第３図の場合と同様にリードフレーム９
が形成されている。
第５図（ａ）は発光素子１７の平面図である。発光素子
１７の表面は５ｉ０２膜２４で覆われ、この５ｉ０２膜
２４を貫いて内部のＰ＋型層とＮ型層に接続されるバン
プ１４．１４が設けられている。
１７の表面は５ｉ０２膜２４で覆われ、この５ｉ０２膜
２４を貫いて内部のＰ＋型層とＮ型層に接続されるバン
プ１４．１４が設けられている。
第５図（ｂ）ｔ／′ｉそのｃ−ｃ’＋賂断面断面図って
、Ｐ型層１６の表面の中央部ＫＮ型層１５を形成し、そ
の周囲にＩ′４゛型層２２を形成し、それらの表面の１
１４＋２８．２８の上にはバンプ１４．１４が形成され
、その他の表面１：ｌ’、 Ｓ ｉ ０２膜２４によっ
て覆われている。
、Ｐ型層１６の表面の中央部ＫＮ型層１５を形成し、そ
の周囲にＩ′４゛型層２２を形成し、それらの表面の１
１４＋２８．２８の上にはバンプ１４．１４が形成され
、その他の表面１：ｌ’、 Ｓ ｉ ０２膜２４によっ
て覆われている。
第６図において、第４図（ａ） 、 （ｂ）に示される
ようなテープ１０の一方の面の配線１２．１２には、発
光素子１７のバンプ１４．＋４が接続され、他方の而の
リードフレーム９には、半導体チップ４のバンプ８，８
が接続されている。発光素子１７は、テープ１０のＣｏ
箔を施していない部分を介して、受光素子３に対向する
ように、バンプ１４を透明導電膜■２に接続しである。
ようなテープ１０の一方の面の配線１２．１２には、発
光素子１７のバンプ１４．＋４が接続され、他方の而の
リードフレーム９には、半導体チップ４のバンプ８，８
が接続されている。発光素子１７は、テープ１０のＣｏ
箔を施していない部分を介して、受光素子３に対向する
ように、バンプ１４を透明導電膜■２に接続しである。
（発明の効果）
本発明は以北のような構造であるから、受光素子を有す
る半導体装置を実装するとき、ボンディングワイヤーを
使用しないから、これを経由してくるノイズを低減し、
さらに、テープのような配線基板に設けた導電性膜によ
りノイズを低減できる。
る半導体装置を実装するとき、ボンディングワイヤーを
使用しないから、これを経由してくるノイズを低減し、
さらに、テープのような配線基板に設けた導電性膜によ
りノイズを低減できる。
特にフォトカプラに使用するときは、その効果は著しく
、同相雑音除去（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ Ｒｅ ｊｅ
ｃｔｉｏｎ）効果が格段に良くなる。
、同相雑音除去（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ Ｒｅ ｊｅ
ｃｔｉｏｎ）効果が格段に良くなる。
第１図（ａ）は本発明に使用される半導体チップの平面
図、第１図（ｂ）はその略断面図、第２図は本発明の一
実施例の略断面図、第３図は他の実施例の略断面図、第
４図（ａ）はその他の実施例におけるテープの平面図、
第４図（ｂ）はそのＢ−Ｂ’略断面図、第５図（ａ）は
その他の実施例に使用される発光素子の平面図、第５図
（ｂ）はそのｃ−ｃ’略略画面図第６図はその他の実施
例であるフォトカプラーの略断面図、第７図は従来例の
略断面図である。 １・・・Ｐ型拡散層、２・・・Ｎ型拡散層、３・・・受
光素子、４・・・半導体チップ、５・・・Ａｔ配線、６
，７・・・５ｉ０２Ｊｌ（，８・・・バンプ、９・・・
リードフレーム、１０・・・テープ、１１．＋２・・・
透明導電膜、Ｉ３・・・端子、Ｉ４・・・バンブ 偽 噴 博 博
図、第１図（ｂ）はその略断面図、第２図は本発明の一
実施例の略断面図、第３図は他の実施例の略断面図、第
４図（ａ）はその他の実施例におけるテープの平面図、
第４図（ｂ）はそのＢ−Ｂ’略断面図、第５図（ａ）は
その他の実施例に使用される発光素子の平面図、第５図
（ｂ）はそのｃ−ｃ’略略画面図第６図はその他の実施
例であるフォトカプラーの略断面図、第７図は従来例の
略断面図である。 １・・・Ｐ型拡散層、２・・・Ｎ型拡散層、３・・・受
光素子、４・・・半導体チップ、５・・・Ａｔ配線、６
，７・・・５ｉ０２Ｊｌ（，８・・・バンプ、９・・・
リードフレーム、１０・・・テープ、１１．＋２・・・
透明導電膜、Ｉ３・・・端子、Ｉ４・・・バンブ 偽 噴 博 博
Claims (1)
- １．受光素子を含む装置と、少なくとも受光素子に対向
する部分は透光性を有し必要な部分に導電性膜を設けた
配線基板とよりなり、受光素子を含む装置に設けたバン
プを配線基板に接続した半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2304594A JPH04179168A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2304594A JPH04179168A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04179168A true JPH04179168A (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=17934884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2304594A Pending JPH04179168A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04179168A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6208447B1 (en) | 1997-02-25 | 2001-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical receiver |
| JP2009115801A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Dr Johannes Heidenhain Gmbh | 光学エンコーダの走査ユニット及びこの走査ユニットを有するエンコーダ |
-
1990
- 1990-11-08 JP JP2304594A patent/JPH04179168A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6208447B1 (en) | 1997-02-25 | 2001-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical receiver |
| JP2009115801A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Dr Johannes Heidenhain Gmbh | 光学エンコーダの走査ユニット及びこの走査ユニットを有するエンコーダ |
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