JPS6018070A - 二次元画像読取素子 - Google Patents
二次元画像読取素子Info
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- JPS6018070A JPS6018070A JP58126317A JP12631783A JPS6018070A JP S6018070 A JPS6018070 A JP S6018070A JP 58126317 A JP58126317 A JP 58126317A JP 12631783 A JP12631783 A JP 12631783A JP S6018070 A JPS6018070 A JP S6018070A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は二次元画像読取素子に関し、特に光導電層を、
読取り領域となる二次元平面に形成した読取り素子に関
するものである。
読取り領域となる二次元平面に形成した読取り素子に関
するものである。
〈従来技術〉
二次元画像読取素子として、電気絶縁基板上にストライ
プ状のＸ電極を作成し、その上に光導電層を形成し、さ
らにその」二に上記Ｘ電極と直交する関係に光透過性の
ストライプ状Ｙ電極を形成した構造のものが提案されて
いる。
プ状のＸ電極を作成し、その上に光導電層を形成し、さ
らにその」二に上記Ｘ電極と直交する関係に光透過性の
ストライプ状Ｙ電極を形成した構造のものが提案されて
いる。
この種の読取素子は、画像を光導電層に照射してその明
暗を、光導電層の光導電効果を利用して電気信号に変換
し、第１図に示すように負荷抵抗ＲＬに流れる電流の変
化から画像に対応する電気信号出力を得ている。
暗を、光導電層の光導電効果を利用して電気信号に変換
し、第１図に示すように負荷抵抗ＲＬに流れる電流の変
化から画像に対応する電気信号出力を得ている。
第２図は上記二次元画像読取素子の構造を示す断面図で
、電気絶縁性基板１上にストライプ状電極２．光導電層
３及び上記Ｘ電極２と直交する方向に配置されたストラ
イプ状Ｙ電極４を積層して作成され、Ｙ電極４を透明電
極とした構造ではＹ電極４側から画像情報が露光され、
光導電層３を介したＸ−Ｙ電極間の導通状態が上記第１
図に示した回路により電気信号として取り出される。
、電気絶縁性基板１上にストライプ状電極２．光導電層
３及び上記Ｘ電極２と直交する方向に配置されたストラ
イプ状Ｙ電極４を積層して作成され、Ｙ電極４を透明電
極とした構造ではＹ電極４側から画像情報が露光され、
光導電層３を介したＸ−Ｙ電極間の導通状態が上記第１
図に示した回路により電気信号として取り出される。
従来の二次元画像読取素子は上記のような素子構造から
なるため、出力として取り出、される電気信号は、Ｙ電
極４を通して光導電層３に入射した光による電流は勿論
のこと、電極４が形成されていないＹ電極のまわりから
入射した光がＹ電極のまわりに位置する光導電層の抵抗
値をも低下させることによって生じた回り込み電流の影
響を加えたものとして出力される。このように出力され
た電気信号は、ＸＹ短電極交点における画素に対応する
画像から得られる信りレベルのみてはないため１回り込
み電流の影響を考属しなければならず、ダイナミックレ
ンジが大きくとれないという問題があって不安定さが増
すことは避けられなかった。
なるため、出力として取り出、される電気信号は、Ｙ電
極４を通して光導電層３に入射した光による電流は勿論
のこと、電極４が形成されていないＹ電極のまわりから
入射した光がＹ電極のまわりに位置する光導電層の抵抗
値をも低下させることによって生じた回り込み電流の影
響を加えたものとして出力される。このように出力され
た電気信号は、ＸＹ短電極交点における画素に対応する
画像から得られる信りレベルのみてはないため１回り込
み電流の影響を考属しなければならず、ダイナミックレ
ンジが大きくとれないという問題があって不安定さが増
すことは避けられなかった。
またこの信号電流は周囲の明るさの影響を受け易く、周
囲の明るさによっては暗であるはすの画素が明と判定さ
れて誤動作の原因になる。このような不都合は、Ｙ電極
材料として透過率の悪いもの上用いた場合、光導電層に
到達する光量が電極部分で減少するため一層増長される
。
囲の明るさによっては暗であるはすの画素が明と判定さ
れて誤動作の原因になる。このような不都合は、Ｙ電極
材料として透過率の悪いもの上用いた場合、光導電層に
到達する光量が電極部分で減少するため一層増長される
。
〈発明の目的〉
本発明は上記二次元画像読取素子の問題点に鑑みてなさ
れたもので、交差電極位置である画素に対して、光電変
換出力として周辺領域からの回り込みを阻止し、ダイナ
ミックレンジを大きくとることができる二次元画像読取
素子を提供する。
れたもので、交差電極位置である画素に対して、光電変
換出力として周辺領域からの回り込みを阻止し、ダイナ
ミックレンジを大きくとることができる二次元画像読取
素子を提供する。
〈実施例〉
本発明は、交差するＸＹ電極間に光導電層を介挿してな
る二次元画像読取素子において、基本的には、画素を構
成するＸＹ短電極交差部分について、光電変換のための
画像情報の入射を可能にし、このような画素領域を除い
てその他の光導電層面上を不透明にして、画素部以外の
感光層への光入射を阻止することによって隣接画素への
電流の回り込みを少なくする。
る二次元画像読取素子において、基本的には、画素を構
成するＸＹ短電極交差部分について、光電変換のための
画像情報の入射を可能にし、このような画素領域を除い
てその他の光導電層面上を不透明にして、画素部以外の
感光層への光入射を阻止することによって隣接画素への
電流の回り込みを少なくする。
〈実施例）
第３図は本発明による一実施例の二次元画像読取素子の
断面図である。同図において、ガラスエポキシ板からな
る電気絶縁性基板１上には銅箔をエツチングしてなるス
トライプ状Ｘ電極２，２・が互いに平行に一定ピッチで
形成され、該Ｘ電極２及び銅箔が被着されていない基板
面を一体的に分割することな（ＣｄＳｅ光導電層３が形
成されている。該光導電層３はＣｄＳｅ顔料を樹脂に分
散したもので、塗布によって形成され、約２０μｍ程度
の膜厚に形成される。
断面図である。同図において、ガラスエポキシ板からな
る電気絶縁性基板１上には銅箔をエツチングしてなるス
トライプ状Ｘ電極２，２・が互いに平行に一定ピッチで
形成され、該Ｘ電極２及び銅箔が被着されていない基板
面を一体的に分割することな（ＣｄＳｅ光導電層３が形
成されている。該光導電層３はＣｄＳｅ顔料を樹脂に分
散したもので、塗布によって形成され、約２０μｍ程度
の膜厚に形成される。
光導電層３上には、上記Ｘ電極２に直交させて、マスク
蒸着により金製のストライプ状半透明Ｙ電極４，４・−
が同様に一定ピッチをもって平行に作成されている。こ
のような積層構造をもつ素子について、更に予めＹ電極
４上に光透過性絶縁層５゜が形成された後、蒸着Ａｌ膜
からなるストライプ状不透明マスク６が形成される。該
不透明マスク６は上記Ｙ電極４，４で被われていない光
導電層３を遮光するべく、ストライプ状電極の間に位置
させて作製される。
蒸着により金製のストライプ状半透明Ｙ電極４，４・−
が同様に一定ピッチをもって平行に作成されている。こ
のような積層構造をもつ素子について、更に予めＹ電極
４上に光透過性絶縁層５゜が形成された後、蒸着Ａｌ膜
からなるストライプ状不透明マスク６が形成される。該
不透明マスク６は上記Ｙ電極４，４で被われていない光
導電層３を遮光するべく、ストライプ状電極の間に位置
させて作製される。
上記マスクが重ねられた構造の読取素子に画像が露光さ
れると、マスク６で遮光されていないＸＹ短電極各交点
部分に入射された光電変換出力が、Ｘ及びＹ電極を走査
する動作に伴って読出され、出力される。
れると、マスク６で遮光されていないＸＹ短電極各交点
部分に入射された光電変換出力が、Ｘ及びＹ電極を走査
する動作に伴って読出され、出力される。
ココテ上記マスク６の効果を確認するために行った実験
の結果を第４図に示す。同図は測定画素が暗状態の抵抗
値と周辺の光照度との関係を示し、実線は上記実施例に
示した構造の読取素子であり、破線は光透過絶縁層及び
不透明マスクを作製していない従来構造の読取素子の実
験結果である。両実験共に回り込み電流か最も大きくな
る条件として、測定しようとする一画素のみを暗状態に
保ちその回りの部分に光を照射した場合について行なっ
た。周辺照度を増加すると、従来型は電流の回り込みに
よって急激に見かけの抵抗が減少するが、本実施例のマ
スク型においては光導電層の抵抗は周辺照度に余り依存
しない。明暗比は１００Ｌｕｘの白色光に対して、従来
型では４３ｄＢ、本実施例では７２ｃｌＢであり、従来
の構造に比べ１０倍以上も改善できた。
の結果を第４図に示す。同図は測定画素が暗状態の抵抗
値と周辺の光照度との関係を示し、実線は上記実施例に
示した構造の読取素子であり、破線は光透過絶縁層及び
不透明マスクを作製していない従来構造の読取素子の実
験結果である。両実験共に回り込み電流か最も大きくな
る条件として、測定しようとする一画素のみを暗状態に
保ちその回りの部分に光を照射した場合について行なっ
た。周辺照度を増加すると、従来型は電流の回り込みに
よって急激に見かけの抵抗が減少するが、本実施例のマ
スク型においては光導電層の抵抗は周辺照度に余り依存
しない。明暗比は１００Ｌｕｘの白色光に対して、従来
型では４３ｄＢ、本実施例では７２ｃｌＢであり、従来
の構造に比べ１０倍以上も改善できた。
尚マスク６は蒸着Ａｌ膜等の不透明金属膜に限ることな
く、電気絶縁性不透明塗料をスクリーン印刷して作成す
ることができる。このように電気絶縁材料を用いる場合
には、マスク６とＹ電極４の間に介挿した透明絶縁層５
は不要であり、Ｙ電極６間に直接電気絶縁性不透明塗料
を塗布して構成することができる。
く、電気絶縁性不透明塗料をスクリーン印刷して作成す
ることができる。このように電気絶縁材料を用いる場合
には、マスク６とＹ電極４の間に介挿した透明絶縁層５
は不要であり、Ｙ電極６間に直接電気絶縁性不透明塗料
を塗布して構成することができる。
〈実施例２〉
前記実施例１は、不透明マスクをＹ電極間に位置させた
もので、従ってマスクは電極形状と同様にストライプ状
に形成した素子構造であるが、本実施例２はマトリック
スに位置する画素部分を透光性とし、その他の領域を遮
光性に形成した、即ち網目状マスクで被うことにより、
より遮光効果を得回り込みの影響を軽減する。
もので、従ってマスクは電極形状と同様にストライプ状
に形成した素子構造であるが、本実施例２はマトリック
スに位置する画素部分を透光性とし、その他の領域を遮
光性に形成した、即ち網目状マスクで被うことにより、
より遮光効果を得回り込みの影響を軽減する。
実施例１と同様、第５図の平面図において電気絶縁性基
板上に、Ｘ電極２．光導電層、透明Ｙ電極４．絶縁層を
積層して二次元構造の読取り素子を構成する。ここで更
に上記積層された絶縁層上にｘｙ両電極２，４の交点Ｅ
以外の部分を被う形で網目状のＡＡ’蒸着蒸着マスク形
成する。即ち図のようにＸＹ両電極２，４が交差する画
素部分をドツト状に残し他の部分をＡＡ’蒸着蒸着マス
ク形いて遮光する。
板上に、Ｘ電極２．光導電層、透明Ｙ電極４．絶縁層を
積層して二次元構造の読取り素子を構成する。ここで更
に上記積層された絶縁層上にｘｙ両電極２，４の交点Ｅ
以外の部分を被う形で網目状のＡＡ’蒸着蒸着マスク形
成する。即ち図のようにＸＹ両電極２，４が交差する画
素部分をドツト状に残し他の部分をＡＡ’蒸着蒸着マス
ク形いて遮光する。
上記構造の画像読取について、前記実施例１の場合と同
様に遮光マスクの効果を実験で確認した結果を第６図に
示す。図において実線は上記実施例２に示す素子構造の
周辺照度に対する抵抗値変化を示し、破線は遮光マスク
７が被着されていない従来の素子構造から得られた結果
を示す。尚不透明な遮光マスク７はｌ’膜等の金属膜に
限ることなく不透明塗料をスクリーン印刷等によって作
成することもできる。
様に遮光マスクの効果を実験で確認した結果を第６図に
示す。図において実線は上記実施例２に示す素子構造の
周辺照度に対する抵抗値変化を示し、破線は遮光マスク
７が被着されていない従来の素子構造から得られた結果
を示す。尚不透明な遮光マスク７はｌ’膜等の金属膜に
限ることなく不透明塗料をスクリーン印刷等によって作
成することもできる。
第４図及び第６図から明らかなように、マスクを施こさ
ない構造では周辺光の強度により、回り込みの電流が増
加し、暗状態の画素部のみかけ上の抵抗が大きく変化し
ていることがわかる。極端に周辺光が増加すると、暗状
態であるはずの画素が明という判断がなされてしまい誤
動作を生じる。
ない構造では周辺光の強度により、回り込みの電流が増
加し、暗状態の画素部のみかけ上の抵抗が大きく変化し
ていることがわかる。極端に周辺光が増加すると、暗状
態であるはずの画素が明という判断がなされてしまい誤
動作を生じる。
しかし、マスクを施こした場合にはほとんどまわり込み
の電流によるみかけ上の抵抗の低下は見られず、非常に
安定しているのかわかる。
の電流によるみかけ上の抵抗の低下は見られず、非常に
安定しているのかわかる。
ＳＮ比も、実施例１のストライプ状マスクで２８倍、実
施例２の網目状マスクで５０倍の効果があった。このよ
うにマスクを施こすことにより安定性ＳＮ比、誤動作な
どの特性が非常に向上する結果が得られた。
施例２の網目状マスクで５０倍の効果があった。このよ
うにマスクを施こすことにより安定性ＳＮ比、誤動作な
どの特性が非常に向上する結果が得られた。
〈効果〉
以上本発明によれば、交差するストライプ状電極間に光
導電層を介挿してなる二次元画像読取素子において、電
極が交差する画素部分が少な（とも透光性で、他の光導
電層領域か遮光されることにより、各画素での出力信号
は露光画像の情報に忠実な信号として出力され、読取り
精度の向上を図ることができる。
導電層を介挿してなる二次元画像読取素子において、電
極が交差する画素部分が少な（とも透光性で、他の光導
電層領域か遮光されることにより、各画素での出力信号
は露光画像の情報に忠実な信号として出力され、読取り
精度の向上を図ることができる。
第１図は従来の読取素子の動作を説明するためのブロッ
ク図、第２図は従来の読取素子の断面図、第３図は本発
明による一実施例の断面図、第４図は同実施例の特性を
説明するための図、第５図は本発明による他の実施例を
示す平面図、第６図は同実施例の特性を説明するための
図である。 １：電気絶縁性基板、２：Ｘ電極、３：光導電層、４：
Ｙ電極、６，７：遮光マスク。 代痴人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 ｈμ 第づ凶 層胤照度（ＬＵＸ ）
ク図、第２図は従来の読取素子の断面図、第３図は本発
明による一実施例の断面図、第４図は同実施例の特性を
説明するための図、第５図は本発明による他の実施例を
示す平面図、第６図は同実施例の特性を説明するための
図である。 １：電気絶縁性基板、２：Ｘ電極、３：光導電層、４：
Ｙ電極、６，７：遮光マスク。 代痴人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 ｈμ 第づ凶 層胤照度（ＬＵＸ ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）電気絶縁性基板上（乙複数本の導体がストライプ状
に形成されたＸ電極と、該電極上に形成された光導電性
層と、該光導電性層上に上記Ｘ電極と直交する関係に形
成された複数本のストライプ状Ｙ電極を備え、かつ上記
電極の少なくとも一方の電極を透明電極で形成した二次
元画像読取素子に於て１画像露光側の少なくともＸ電極
とＹ電極が交差する画素領域を除いて不透明にしたこと
を特徴とする二次元画像読取素子。 ２）前記少なくとも画素領域を除く不透明は、金属簿膜
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の二
次元画像読取素子。 ３）前記電気絶縁性基板は、少なくとも画素領域を除い
て不透明に形成された絶縁性基板からなり、該絶縁性基
板上に透明電極のＸ電極が形成され基板側より像露光す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の二次元
画像読取素子。 ４）前記絶縁性基板面の不透明は、透明Ｘ電極から電気
的絶縁された金属膜からなることを特徴とする特許請求
の範ｌ７Ｉｌ第ｅ項記載の二次元画像読取素子。 ５）前記電気絶縁性基板面の不透明は、少なくとも画素
が透光性に形成された不透明膜を積層し、該不透明膜上
に透明電極のＸ電極を積層してなることを特徴とする特
許請求の範囲第３項記載の二次元画像読取素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58126317A JPS6018070A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 二次元画像読取素子 |
| GB08417599A GB2143676B (en) | 1983-07-11 | 1984-07-10 | Two-dimensional image read-out device |
| US06/629,339 US4641359A (en) | 1983-07-11 | 1984-07-10 | Two-dimensional image read-out device |
| DE19843425360 DE3425360A1 (de) | 1983-07-11 | 1984-07-10 | Zweidimensionale bildauslesevorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58126317A JPS6018070A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 二次元画像読取素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6018070A true JPS6018070A (ja) | 1985-01-30 |
Family
ID=14932191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58126317A Pending JPS6018070A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 二次元画像読取素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4641359A (ja) |
| JP (1) | JPS6018070A (ja) |
| DE (1) | DE3425360A1 (ja) |
| GB (1) | GB2143676B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62166563A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60113587A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-20 | Sharp Corp | ２次元画像読取装置 |
| JP2890553B2 (ja) * | 1989-11-24 | 1999-05-17 | 株式会社島津製作所 | Ｘ線像撮像装置 |
| JPH03209769A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線イメージセンサ |
| US5391868A (en) * | 1993-03-09 | 1995-02-21 | Santa Barbara Research Center | Low power serial bias photoconductive detectors |
| US7816655B1 (en) * | 2004-05-21 | 2010-10-19 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Reflective electron patterning device and method of using same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52144992A (en) * | 1976-05-28 | 1977-12-02 | Hitachi Ltd | Light receiving element |
| US4247874A (en) * | 1978-09-28 | 1981-01-27 | Northern Telecom Limited | Photoconductor device for imaging a linear object |
| FR2464563A1 (fr) * | 1979-08-31 | 1981-03-06 | Thomson Csf | Dispositif photodetecteur a semi-conducteur et procede de fabrication, et analyseur d'image comportant un tel dispositif |
| JPS5793775A (en) * | 1980-12-04 | 1982-06-10 | Fuji Xerox Co Ltd | One-dimensional scanner |
-
1983
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1984
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- 1984-07-10 DE DE19843425360 patent/DE3425360A1/de active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62166563A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2143676B (en) | 1987-02-25 |
| GB2143676A (en) | 1985-02-13 |
| US4641359A (en) | 1987-02-03 |
| GB8417599D0 (en) | 1984-08-15 |
| DE3425360C2 (ja) | 1988-02-04 |
| DE3425360A1 (de) | 1985-01-31 |
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