JP4926882B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
従来の液晶パネルの構成を簡略に以下に述べる。
薄膜トランジスタからなる表示部および周辺回路を絶縁基板上に形成した素子基板と、対向基板とをスペーサによって基板間隔が保たれ、シール材によって接着される。そして、前記素子基板と対向基板との間に液晶を有している構造となっている。また、前記液晶は一対の基板に挟まれ、シール部によって囲まれている。更に、基板に偏光板を設け、バックライトを基板の裏面に設置する構造とする。
少なくともマトリクス状に画素電極と、前記画素電極に接続された第1のアクティブ素子を有する画素マトリクスからなる表示部と、
少なくとも光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第2のアクティブ素子からなるセンサ部とが同一基板上に設けられ、
前記センサ部を囲って、底部を有する溝部が設けられ、
前記溝部の底部は基板であり、且つ、前記溝部には、光吸収物が埋め込まれていることを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルである。
少なくともマトリクス状に画素電極と、前記画素電極に接続された第1のアクティブ素子を有する画素マトリクスからなる表示部と、
少なくとも光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第2のアクティブ素子からなるセンサ部とが同一基板上に設けられ、
前記センサ部を囲って、底部を有する溝部が設けられ、
前記溝部の底部は基板であり、且つ、前記溝部には、光吸収物からなる層と絶縁物からなる層が積層されていることを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルである。
少なくともマトリクス状に画素電極と、前記画素電極に接続された第1のアクティブ素子を有する画素マトリクスからなる表示部と、
少なくとも光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第2のアクティブ素子からなるセンサ部とが同一基板上に設けられたイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルの作製方法であって、
絶縁物層を除去して、センサ部を囲む溝部を形成する工程と、
前記溝部に光吸収物を埋め込む工程と、
を有することを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルである。
101 対向基板
103 黒色シール材
104 液晶表示部
105 センサ部
106 液晶材料
107 光吸収膜
108 光吸収膜
109 バックライト
110 外部遮光物
111 外部遮光物
112 周辺駆動回路部
300 素子基板
301 下地膜
302 島状半導体層
303 ゲイト絶縁膜
304 ゲイト電極
305 緻密な陽極酸化膜
306 多孔質陽極酸化膜
307、311 高濃度不純物領域
308、310 低濃度不純物領域
309 チャネル形成領域
312 第1の層間絶縁膜
313 配線
314 第2の層間絶縁膜
315 下側電極
316 非晶質珪素膜
317 透明導電膜
318 光吸収膜
600 素子基板
601 対向基板
604 液晶表示部
605 センサ部
606 ガラス基板内で複雑に反射を繰り返している光
609 バックライト
Claims (6)
- 透明基板上に、下地膜を介してアクティブ素子を有し、
前記アクティブ素子上に、層間絶縁膜を介して前記アクティブ素子と電気的に接続する金属電極を有し、
前記金属電極上に光電変換層を有し、
前記光電変換層上に透明電極と、を有するセンサ部が設けられており、
前記センサ部の側部において、前記層間絶縁膜に溝が設けられ、前記溝に光吸収層が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 透明基板上に、下地膜を介してアクティブ素子を有し、
前記アクティブ素子上に、層間絶縁膜を介して前記アクティブ素子と電気的に接続する金属電極を有し、
前記金属電極上に光電変換層を有し、
前記光電変換層上に透明電極と、を有するセンサ部が設けられており、
前記センサ部の側部において、前記層間絶縁膜及び下地膜に溝が設けられ、前記溝の側面及び前記透明基板に接して光吸収層が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 透明基板上に、下地膜を介してアクティブ素子を有し、
前記アクティブ素子上に、層間絶縁膜を介して前記アクティブ素子と電気的に接続する金属電極を有し、
前記金属電極上に光電変換層を有し、
前記光電変換層上に透明電極と、を有するセンサ部が設けられており、
前記センサ部の側部において、前記透明基板の表面の一部、前記層間絶縁膜、及び下地に溝が設けられ、前記溝に光吸収層が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記透明基板の前記センサ部が設けられた面と反対の面にバックライトからの光を遮断する遮光物を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記透明基板の前記センサ部が設けられた面と反対の面にバックライトからの光を遮断する第1の遮光物を有し、
前記透明基板に対向する対向基板において、前記透明基板と反対側の面に第2の遮光物を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項5において、
前記第2の遮光物は光信号を読み取るための窓を設けられていることを特徴とする半導体装置。
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