JPS60201659A - 固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子

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Publication number
JPS60201659A
JPS60201659A JP59059112A JP5911284A JPS60201659A JP S60201659 A JPS60201659 A JP S60201659A JP 59059112 A JP59059112 A JP 59059112A JP 5911284 A JP5911284 A JP 5911284A JP S60201659 A JPS60201659 A JP S60201659A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
transparent substrate
thin film
film
state image
Prior art date
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Pending
Application number
JP59059112A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Oka
秀明 岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP59059112A priority Critical patent/JPS60201659A/ja
Publication of JPS60201659A publication Critical patent/JPS60201659A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、基板側より光が入射する固体撮像素子の構造
に関するものである。
第1図に従来使用されている固体撮像素子の断面図の一
例を示す。
第1図において、1は絶縁性透明基板、2はシリコンを
含有する光導電層、3は上部電極、4は下部電極で透F
gi電極であり、光が透明基板側より入射する構造にな
っている。
この様な構造の固体撮像素子においては、入射した光の
一部は、絶縁性透明基板の表面で波長に依存して反射す
るため、光電流がある波長において、著しく低くなる場
合がある。
本発明はこの様な欠点を除去するもので、絶縁性透明基
板の光入射側表面に屈折率が、該基板の屈折率より小さ
な膜をコートすることにより、該基板表面での反射の低
減を目的とするものである次に、本発明の実施例につい
て、図面とともに詳細に説明する。
第2図に本発明に基づく固体撮像素子の断面図の一例を
示す。
第2図において、5は絶縁性透明基板、6はシリコンを
含有する光導電層、7は上部電極、8は下部電極で透明
電極である。9は屈折率が該透明基板の屈折率(1,4
〜1.5)よりも小さい薄膜であり、該透明基板の光入
射側表面に設けられている。
上述の様な薄膜9は反射防止膜としての働きを有し、薄
M9の膜厚を選ぶことにより、ある波長付近での反射率
を低減させることができる。又、反射率の極大値が複数
個ある場合には、薄膜9を多層in造とすることにより
、複数の波長付近での反射率を低減させることもできる
続いて第5図に従来使用されている固体撮像素子の反射
率の波長依存性の一例を、又、第4図に薄膜9を有する
固体撮像素子の反射率の波長依存性の一例を示す。尚両
図とも薄膜9以外のiII造は同一のものである。
両図より薄膜9を設けることにより、450外愼付近に
みられた反射率のピークを低減できることがわかる。
又、第5図に、第6図及び第4図Gこその反射率の波長
依存性を示したサンプルの相対感度の波長依存性を示す
第5図において、αは従来の固体撮像素子、bは本発明
に基づく薄1!A9を有する固体撮像素子の相対感度を
示したものである。
第3図及び第4図とこの第5図を比べることにより、薄
膜9を設は反射率の低減を図ることにより、それと対応
して相対感度が向上することがわかる。
以上述べた様に、本発明によれば絶縁性透明基板の光入
射側表面に該基板より屈折率の小さい膜をコートするこ
とにより、反射率を低減させ、光感度を向上させること
ができる。
尚、本発明は、第1図に示した上部電極及び下I!1l
St極を有するサイドイッチ型の固体撮像素子に限らず
、基板側より光が入射する構造を成す固体撮像素子全般
に適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来使用されている固体撮像素子の断面図であ
る。1・・・絶縁性透明基板、2・・・シリコンを含有
する光導電層、3・・・上部電極・7,4・・・下部電
極。 第2図は本発明に基づく固体撮像素子の断面図である。 5・・・絶縁性透明基板、6・・・シリコンを含有する
光導電層、7・・・上部電極、8・・・下部電極。 9・・・反射防止膜。 第3図は従来使用されている固体撮像素子の反射率の波
長依存性を示した図である。 第4図は本発明に基づく固体撮像素子の反射率の波長依
存性を示した図である。 第5図は相対感度の波長依存性を示した図である。α・
・・従来の固体撮像素子、6川本発明に基づく固体撮像
素子◎ ゛ 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理1士 最上 務 第2図 第3じI 第4図 4!io 暫00 no boo 6PO淑#R(、、
Lつ) 第5図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 絶縁性透明基板上に、シリコンを含有する光導
    電層を有し、該透明基板側より光が入射する構造を成す
    固体撮像素子において、該基板の光入射側表面に屈折率
    が該基板より小さい膜、具体的には屈折率が1.5未満
    の膜をコートしたことを特徴とする固体撮像素子。
  2. (2) 前記光導電層に水素又はハロゲンを含有する非
    晶質シリコンを用いたことを特徴とする特許請求の範囲
    第一項記載の固体撮像素子。
JP59059112A 1984-03-27 1984-03-27 固体撮像素子 Pending JPS60201659A (ja)

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JPS60201659A true JPS60201659A (ja) 1985-10-12

Family

ID=13103903

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JP (1) JPS60201659A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6147390A (en) * 1997-04-07 2000-11-14 Nec Corporation Solid-state imaging device with film of low hydrogen permeability including openings

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6147390A (en) * 1997-04-07 2000-11-14 Nec Corporation Solid-state imaging device with film of low hydrogen permeability including openings

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