JPS60201659A - 固体撮像素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、基板側より光が入射する固体撮像素子の構造
に関するものである。

第１図に従来使用されている固体撮像素子の断面図の一
例を示す。

第１図において、１は絶縁性透明基板、２はシリコンを
含有する光導電層、３は上部電極、４は下部電極で透Ｆ
ｇｉ電極であり、光が透明基板側より入射する構造にな
っている。

この様な構造の固体撮像素子においては、入射した光の
一部は、絶縁性透明基板の表面で波長に依存して反射す
るため、光電流がある波長において、著しく低くなる場
合がある。

本発明はこの様な欠点を除去するもので、絶縁性透明基
板の光入射側表面に屈折率が、該基板の屈折率より小さ
な膜をコートすることにより、該基板表面での反射の低
減を目的とするものである次に、本発明の実施例につい
て、図面とともに詳細に説明する。

第２図に本発明に基づく固体撮像素子の断面図の一例を
示す。

第２図において、５は絶縁性透明基板、６はシリコンを
含有する光導電層、７は上部電極、８は下部電極で透明
電極である。９は屈折率が該透明基板の屈折率（１，４
〜１．５）よりも小さい薄膜であり、該透明基板の光入
射側表面に設けられている。

上述の様な薄膜９は反射防止膜としての働きを有し、薄
Ｍ９の膜厚を選ぶことにより、ある波長付近での反射率
を低減させることができる。又、反射率の極大値が複数
個ある場合には、薄膜９を多層ｉｎ造とすることにより
、複数の波長付近での反射率を低減させることもできる
。

続いて第５図に従来使用されている固体撮像素子の反射
率の波長依存性の一例を、又、第４図に薄膜９を有する
固体撮像素子の反射率の波長依存性の一例を示す。尚両
図とも薄膜９以外のｉＩＩ造は同一のものである。

両図より薄膜９を設けることにより、４５０外愼付近に
みられた反射率のピークを低減できることがわかる。

又、第５図に、第６図及び第４図Ｇこその反射率の波長
依存性を示したサンプルの相対感度の波長依存性を示す
。

第５図において、αは従来の固体撮像素子、ｂは本発明
に基づく薄１！Ａ９を有する固体撮像素子の相対感度を
示したものである。

第３図及び第４図とこの第５図を比べることにより、薄
膜９を設は反射率の低減を図ることにより、それと対応
して相対感度が向上することがわかる。

以上述べた様に、本発明によれば絶縁性透明基板の光入
射側表面に該基板より屈折率の小さい膜をコートするこ
とにより、反射率を低減させ、光感度を向上させること
ができる。

尚、本発明は、第１図に示した上部電極及び下Ｉ！１ｌ
Ｓｔ極を有するサイドイッチ型の固体撮像素子に限らず
、基板側より光が入射する構造を成す固体撮像素子全般
に適用できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来使用されている固体撮像素子の断面図であ
る。１・・・絶縁性透明基板、２・・・シリコンを含有
する光導電層、３・・・上部電極・７，４・・・下部電
極。 第２図は本発明に基づく固体撮像素子の断面図である。 ５・・・絶縁性透明基板、６・・・シリコンを含有する
光導電層、７・・・上部電極、８・・・下部電極。 ９・・・反射防止膜。 第３図は従来使用されている固体撮像素子の反射率の波
長依存性を示した図である。 第４図は本発明に基づく固体撮像素子の反射率の波長依
存性を示した図である。 第５図は相対感度の波長依存性を示した図である。α・
・・従来の固体撮像素子、６川本発明に基づく固体撮像
素子◎　゛ 以　上 出願人　株式会社諏訪精工舎 代理人　弁理１士　最上　務 第２図 第３じＩ 第４図 ４！ｉｏ　暫００　ｎｏ　ｂｏｏ　６ＰＯ淑＃Ｒ（、、
Ｌつ） 第５図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）　絶縁性透明基板上に、シリコンを含有する光導
   電層を有し、該透明基板側より光が入射する構造を成す
   固体撮像素子において、該基板の光入射側表面に屈折率
   が該基板より小さい膜、具体的には屈折率が１．５未満
   の膜をコートしたことを特徴とする固体撮像素子。
2. （２）　前記光導電層に水素又はハロゲンを含有する非
   晶質シリコンを用いたことを特徴とする特許請求の範囲
   第一項記載の固体撮像素子。