JPS6288927A - 色センサ - Google Patents
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、可視光帯域の特定波長の光を透過せしめる少
なくとも一つの光学フィルタを備えた色センサに関する
。
なくとも一つの光学フィルタを備えた色センサに関する
。
（口〉 従来の技術
ガラス等の透光性支持基板の受光面側に可視光帯域の特
定波長、例えば赤色、緑色、青色帯域の光を透過せしめ
る赤色、緑色、青色の各光学フィルタを配置し、その背
面側に各光学フィルタを透過した光を受光すべく、受光
面！極、半導体光活性層及び背面電極をこの順序で積層
した色センサは、特開昭５８−１２５８６５号公報に開
示された如く既に知られている。通常上記受光面電極と
して重子ビーム蒸着法、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶ
Ｄ法、スプレー法等によって形成きれる酸化インジウム
スズ（ＩＴＯ）、酸化スス（ＳｎＯｘ）等に代表される
透光性導電酸化物（以下ＴＣＯと称す）の単層或いは積
層構造が用いられる。
定波長、例えば赤色、緑色、青色帯域の光を透過せしめ
る赤色、緑色、青色の各光学フィルタを配置し、その背
面側に各光学フィルタを透過した光を受光すべく、受光
面！極、半導体光活性層及び背面電極をこの順序で積層
した色センサは、特開昭５８−１２５８６５号公報に開
示された如く既に知られている。通常上記受光面電極と
して重子ビーム蒸着法、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶ
Ｄ法、スプレー法等によって形成きれる酸化インジウム
スズ（ＩＴＯ）、酸化スス（ＳｎＯｘ）等に代表される
透光性導電酸化物（以下ＴＣＯと称す）の単層或いは積
層構造が用いられる。
然し乍ら、断るＴＣＯから受光面電極を形成すると、こ
のＴＣＯの屈折率は約２．０前後であるのに対し、それ
と接する半導体光活性層の屈折率は上記２．０より大き
く例えばアモルファスシリコン、アモルファスシリコン
カーバイト、アモルファスシリコンゲルマニウム等のア
モルファスシリコン系半導体にあっては約４．０前後で
あるために、支持基板側から入射した光は上記屈折率の
差に基つき受光面電極と光活性層との界面に於いて反射
し、受光動作する光活性層に入射する光量を減少せしめ
ろＪＱ因となるばかりか、入射光の反射率が受光面ＴＬ
極の膜ノｖによっても変動するために、この様な受光面
ＴＬ極を備えた色セ〉ザの分光感度は不揃いとならざる
を得ない。
のＴＣＯの屈折率は約２．０前後であるのに対し、それ
と接する半導体光活性層の屈折率は上記２．０より大き
く例えばアモルファスシリコン、アモルファスシリコン
カーバイト、アモルファスシリコンゲルマニウム等のア
モルファスシリコン系半導体にあっては約４．０前後で
あるために、支持基板側から入射した光は上記屈折率の
差に基つき受光面電極と光活性層との界面に於いて反射
し、受光動作する光活性層に入射する光量を減少せしめ
ろＪＱ因となるばかりか、入射光の反射率が受光面ＴＬ
極の膜ノｖによっても変動するために、この様な受光面
ＴＬ極を備えた色セ〉ザの分光感度は不揃いとならざる
を得ない。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
本発明は、入射光の反射率が受光面電極の膜厚によって
変動し、色センサの分光感度が不揃いとなる点を解決し
ようとするものである。
変動し、色センサの分光感度が不揃いとなる点を解決し
ようとするものである。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は上述の如き問題点を解決すべく、受光面電極は
透光性導電酸化物（ＴＣＯ）からなると共に、この受光
面電極は半導体光活性層と界面側に高低差約５００〜５
０００Å、凸部と凸部との間隔約１０００〜１００００
Åの凹凸面を備えたことを特徴とする。
透光性導電酸化物（ＴＣＯ）からなると共に、この受光
面電極は半導体光活性層と界面側に高低差約５００〜５
０００Å、凸部と凸部との間隔約１０００〜１００００
Åの凹凸面を備えたことを特徴とする。
（ホ）作用
上述の如く高低差約５００〜５０００Å、凸部と凸部と
の間隔約１０００〜１００００人の凹凸面を備えたＴＣ
Ｏからなる受光面１極は断る受光面電極と半導体光活性
、■との界面での屈折率の差に起因する入射光の反射を
、受光面電極の膜厚の変動に依存することなく大幅に減
少せしめるへく作用する。
の間隔約１０００〜１００００人の凹凸面を備えたＴＣ
Ｏからなる受光面１極は断る受光面電極と半導体光活性
、■との界面での屈折率の差に起因する入射光の反射を
、受光面電極の膜厚の変動に依存することなく大幅に減
少せしめるへく作用する。
（へ）実施例
第１図は本発明光センサを（ゴぼ可視光帯域（約３５０
ｎｍ〜８００ｎｍ）の特定の単色光を検出するものに適
用した実施例を示している。即ち、（１）はガラス等の
可視光帯域に於いて透光性且つ絶縁性の支持基板、（２
）は該支持基板（１）の一方の工面である受光面に設け
られ検出すべき特定の単色光を透過せしめる光学フィル
タ、（３〉は上記支持基板（１）の他方の主面である背
面に形成されてＴＣＯからなる受光面電極、（４）は該
受光面’Ｋｆｉ（３）と接触し上記光学フィルタ（１）
を透過した特定の単色光を受光する光電動作して光起電
力効果により起工力を発生したり光導電効果により導電
率が飛曜的に上昇する例えば可視光帯域に感光するアモ
ルファスシリコン系の半導体光活性層、く５）は該光活
性Ｎ（４）とオーミック接触し受光面ｉ極（３）と共に
半導体光活性Ｒ（４）の光電出力を導出する背面電極で
ある。
ｎｍ〜８００ｎｍ）の特定の単色光を検出するものに適
用した実施例を示している。即ち、（１）はガラス等の
可視光帯域に於いて透光性且つ絶縁性の支持基板、（２
）は該支持基板（１）の一方の工面である受光面に設け
られ検出すべき特定の単色光を透過せしめる光学フィル
タ、（３〉は上記支持基板（１）の他方の主面である背
面に形成されてＴＣＯからなる受光面電極、（４）は該
受光面’Ｋｆｉ（３）と接触し上記光学フィルタ（１）
を透過した特定の単色光を受光する光電動作して光起電
力効果により起工力を発生したり光導電効果により導電
率が飛曜的に上昇する例えば可視光帯域に感光するアモ
ルファスシリコン系の半導体光活性層、く５）は該光活
性Ｎ（４）とオーミック接触し受光面ｉ極（３）と共に
半導体光活性Ｒ（４）の光電出力を導出する背面電極で
ある。
上記半導体光活性層（４）が光電動作して起電力を発生
する場合、＠面に平行にｐｉｎ接合やｐｎ接合等の半導
体接合を有し、導電率が上昇する型式のものは、基本的
には上記半導体接合を備えず真性（１型）や僅かに不純
物をドープした導電型の半導体からなり、背面電極（５
）とオーミック接触するために、両者の界面には不純物
を多量にドープした高ドープ、１がもうけられている。
する場合、＠面に平行にｐｉｎ接合やｐｎ接合等の半導
体接合を有し、導電率が上昇する型式のものは、基本的
には上記半導体接合を備えず真性（１型）や僅かに不純
物をドープした導電型の半導体からなり、背面電極（５
）とオーミック接触するために、両者の界面には不純物
を多量にドープした高ドープ、１がもうけられている。
而して、本発明の特徴は、受光面電極（３）と半導体光
活性ＨＩ（４）との界面での屈折率の差に起因する入射
光の反射を、受光面電極（３）の膜厚の変動に依存する
ことなく極度に減少ゼしめる受光面電極（３）にあり、
断る受光面電極（３）は上記半導体光活性層（４）との
界面側に高低差（ｈ）約５００〜５０００Å、凸部と凸
部との間隔（ｄ）約１０００〜１００００人の凹凸面（
３ｔｅｘ）を備えている。
活性ＨＩ（４）との界面での屈折率の差に起因する入射
光の反射を、受光面電極（３）の膜厚の変動に依存する
ことなく極度に減少ゼしめる受光面電極（３）にあり、
断る受光面電極（３）は上記半導体光活性層（４）との
界面側に高低差（ｈ）約５００〜５０００Å、凸部と凸
部との間隔（ｄ）約１０００〜１００００人の凹凸面（
３ｔｅｘ）を備えている。
第２図乃至第４図は斯る凹凸面（３ｔｅｘ）のカロエ方
法を模式的に表わしている。先ず第２図の如く、ガラス
等の透光性支持基板〈１〉のほぼ平坦な絶縁表面に沿っ
て周知の電子ビーム蒸着法、真空７Ａ看法、スパッタ法
、ＣＶＤ法、スプレー法等によって形成された平均粒径
約５００〜２０００人のＴＣＯ＠（６）被着した１極基
板を準備する。上記ＴＣＯＪ’１ｌ（６）は、例えば基
板温度３００°Ｃ，酸素分圧４ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ
の形成条件に基づいて電子ビーム蒸着法により得られた
５％の５ｎＯｘをドープしたＩＴＯからなり、上述の如
く約５００〜２０００人の平均粒径を備え、膜厚約１５
００〜７０００人に被着されている。
法を模式的に表わしている。先ず第２図の如く、ガラス
等の透光性支持基板〈１〉のほぼ平坦な絶縁表面に沿っ
て周知の電子ビーム蒸着法、真空７Ａ看法、スパッタ法
、ＣＶＤ法、スプレー法等によって形成された平均粒径
約５００〜２０００人のＴＣＯ＠（６）被着した１極基
板を準備する。上記ＴＣＯＪ’１ｌ（６）は、例えば基
板温度３００°Ｃ，酸素分圧４ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ
の形成条件に基づいて電子ビーム蒸着法により得られた
５％の５ｎＯｘをドープしたＩＴＯからなり、上述の如
く約５００〜２０００人の平均粒径を備え、膜厚約１５
００〜７０００人に被着されている。
第３図の工程では、上記支持基板（１）のほぼ平坦面に
沿って被着されていたＴＣＯ層（６）がその露出面から
支持基板（１〉に向ってエツチング処理が施される。使
用きれるエツチング液としては上記ＩＴＯのＴＣＯｍ（
６）に対してＨＣＩ ： Ｈ２Ｏ： ＦｅＣ１５−５０
０ｃｃ： ６００ｃｃ ： １００ｇのものが好適であ
り、他に王水も利用可能である。斯るエツチング処理に
於いて、ＴＣＯ層（６）はその露出面から順次エツチン
グ除去されるもののＴＣＯＩ’！（６）のエツチングレ
ートの異方性に起因して、先ず第３図に示す如くエツチ
ングレートの高い部分からエツチングが始まるために、
断面台形状となる。
沿って被着されていたＴＣＯ層（６）がその露出面から
支持基板（１〉に向ってエツチング処理が施される。使
用きれるエツチング液としては上記ＩＴＯのＴＣＯｍ（
６）に対してＨＣＩ ： Ｈ２Ｏ： ＦｅＣ１５−５０
０ｃｃ： ６００ｃｃ ： １００ｇのものが好適であ
り、他に王水も利用可能である。斯るエツチング処理に
於いて、ＴＣＯ層（６）はその露出面から順次エツチン
グ除去されるもののＴＣＯＩ’！（６）のエツチングレ
ートの異方性に起因して、先ず第３図に示す如くエツチ
ングレートの高い部分からエツチングが始まるために、
断面台形状となる。
第４図は第３図の工７グ°ング処理が終了した状態を示
している。即ち、断るエツチング処理はＴＣＯ層（６）
の厚み方向の途中までとし、その露出面が光起電力装置
の受光面電極（３）として好適な微細な凹凸を持つまで
行ない、例えば高低差約１０００〜５０００Å、凸部と
凸部の間隔約２０００〜１００００人のほぼ三角錐状の
凹凸面（３ｔａｘ）が付与された受光面電極（３）が形
成される。例えば」：記エツチング液、液温的２５℃の
条件に於いて２０〜４０分程度で上記微細な凹凸面（３
ｔａｘ）が得られる。
している。即ち、断るエツチング処理はＴＣＯ層（６）
の厚み方向の途中までとし、その露出面が光起電力装置
の受光面電極（３）として好適な微細な凹凸を持つまで
行ない、例えば高低差約１０００〜５０００Å、凸部と
凸部の間隔約２０００〜１００００人のほぼ三角錐状の
凹凸面（３ｔａｘ）が付与された受光面電極（３）が形
成される。例えば」：記エツチング液、液温的２５℃の
条件に於いて２０〜４０分程度で上記微細な凹凸面（３
ｔａｘ）が得られる。
第５図及び第６図は上記エツチング処理により凹凸化き
れる前のＴＣＯ層（６）の粒子構造を示す走査顕微鏡写
真であって、第５図は断面状態であり、第６図は露出面
に対して傾斜角８０度の方向から臨んだ状態で、両者の
倍率は等しくなく写真の下段に夫々のスケールが記しで
ある。第７図及び第８ｒｙＪは上記第５図及び第６図に
示されたＴＣＯ層（６）を上記エツチング処理により凹
凸化した後の受光面電極（３）の粒子構造を示す走査顕
微鏡写真であって、第７図は第５図と同倍率の断面状態
であり、第８図は第６図と同倍率の露出面（凹凸面（３
ｔｅｘ））に対して傾斜角８０度の方向から臨んだ状態
である。
れる前のＴＣＯ層（６）の粒子構造を示す走査顕微鏡写
真であって、第５図は断面状態であり、第６図は露出面
に対して傾斜角８０度の方向から臨んだ状態で、両者の
倍率は等しくなく写真の下段に夫々のスケールが記しで
ある。第７図及び第８ｒｙＪは上記第５図及び第６図に
示されたＴＣＯ層（６）を上記エツチング処理により凹
凸化した後の受光面電極（３）の粒子構造を示す走査顕
微鏡写真であって、第７図は第５図と同倍率の断面状態
であり、第８図は第６図と同倍率の露出面（凹凸面（３
ｔｅｘ））に対して傾斜角８０度の方向から臨んだ状態
である。
尚、参考までに第９図及び第１０図に第３図に相当する
凹凸加工の途中状態に於けるＩＣ０Ｊｉｌ（６）の粒子
構造の断面状態及び傾斜角８０ｇの方向から臨んだ状態
の走査顕微鏡写真を示す。
凹凸加工の途中状態に於けるＩＣ０Ｊｉｌ（６）の粒子
構造の断面状態及び傾斜角８０ｇの方向から臨んだ状態
の走査顕微鏡写真を示す。
この顕微鏡写真からＴＣＯ石（６）の異方性エツチング
レートにより、その露出面から支持基板（１）方向に均
一に工７チシグ除去されることなく凹凸面（３ｔｅｘ）
が形成されていることは明らかである。
レートにより、その露出面から支持基板（１）方向に均
一に工７チシグ除去されることなく凹凸面（３ｔｅｘ）
が形成されていることは明らかである。
この様にして凹凸面（３ｔｅｘ）が付与きれたＴＣＯの
受光面電極（３）を組込んだ光センサを評価するために
、断る凹凸面（３ｔｅｘ）に上記特開昭５８−１２５８
６５号公報に示されたｐｉｎ接合を有するアモルファス
シリコンの半導体光活性Ｊ！ｌ（４＞とアルミニウム電
極の背面電極（５）と順次積層し、光学フィルタく２）
を設けずにその反射率をほぼ可視光帯域に亘って測定し
たところ、第１１図の反射特性を得た６一方、斯る本発
明の凹凸加工きれたＴＣＯを受光面電極（３）とした色
センサに代って、第２図及び第７図、第８図に示した凹
凸加工する以前のＴＣＯ層（６）を受光面電極としたセ
ンサの反射特性を測定し、その結果が第１２図に示しで
ある。斯る第１２図の反射特性を見ると、約４５０ｎｍ
、約６５０ｎｍ以上の波長に対して断続的に２０％以上
特に赤色帯域に於いては５０％以上の反射率を呈してい
たのに対し、本発明による凹凸な受光面電極（２）を用
いたセンサに於いては約３５０〜８００ｎｍの可視光帯
域に亘ってほぼ一定した１０％以下の反射率を呈するに
止まった。
受光面電極（３）を組込んだ光センサを評価するために
、断る凹凸面（３ｔｅｘ）に上記特開昭５８−１２５８
６５号公報に示されたｐｉｎ接合を有するアモルファス
シリコンの半導体光活性Ｊ！ｌ（４＞とアルミニウム電
極の背面電極（５）と順次積層し、光学フィルタく２）
を設けずにその反射率をほぼ可視光帯域に亘って測定し
たところ、第１１図の反射特性を得た６一方、斯る本発
明の凹凸加工きれたＴＣＯを受光面電極（３）とした色
センサに代って、第２図及び第７図、第８図に示した凹
凸加工する以前のＴＣＯ層（６）を受光面電極としたセ
ンサの反射特性を測定し、その結果が第１２図に示しで
ある。斯る第１２図の反射特性を見ると、約４５０ｎｍ
、約６５０ｎｍ以上の波長に対して断続的に２０％以上
特に赤色帯域に於いては５０％以上の反射率を呈してい
たのに対し、本発明による凹凸な受光面電極（２）を用
いたセンサに於いては約３５０〜８００ｎｍの可視光帯
域に亘ってほぼ一定した１０％以下の反射率を呈するに
止まった。
次に上記第１１図及び第１２図に示した反射特性の膜厚
依存性を、その膜厚の変動の結果として表われてくる色
センサの感度として出力短絡Ｍｆｉｃを測定することに
より評価した。光学フィルタ（２）としては従来の受光
面電極に於いて反射率が大きく変動する赤色帯域（約７
００ｎｍ前後）の光を透過せしめる赤色フィルタが選択
され、各々１００個のサンプルを形成して出力短絡電流
の度数を測定したところ第１３図の線図を得た。尚、横
軸の出力短絡電流については従来の色センサの出力短絡
電流の平均値を１．０として規格化しである。
依存性を、その膜厚の変動の結果として表われてくる色
センサの感度として出力短絡Ｍｆｉｃを測定することに
より評価した。光学フィルタ（２）としては従来の受光
面電極に於いて反射率が大きく変動する赤色帯域（約７
００ｎｍ前後）の光を透過せしめる赤色フィルタが選択
され、各々１００個のサンプルを形成して出力短絡電流
の度数を測定したところ第１３図の線図を得た。尚、横
軸の出力短絡電流については従来の色センサの出力短絡
電流の平均値を１．０として規格化しである。
断る出力短絡電流の測定の結果、規格化出力短絡電流に
して従来の色センサは０．８〜１．２の範囲に渡って変
動していたものが、本発明色センナにあっては、１．１
〜１．３の範囲の変動に半減し、膜厚の依存性が大幅に
改善されたことが判る。更に反射率が減少するために約
２０％の出力短絡電流が向上している。
して従来の色センサは０．８〜１．２の範囲に渡って変
動していたものが、本発明色センナにあっては、１．１
〜１．３の範囲の変動に半減し、膜厚の依存性が大幅に
改善されたことが判る。更に反射率が減少するために約
２０％の出力短絡電流が向上している。
第１４図は本発明光センサの他の実施例を示しており、
光学フィルタ（２）として、赤色、緑色、青色帯域の光
を透過せしめる赤色、緑色、青色の各光学フィルタ（２
Ｒ）（２Ｇ） （２Ｂ＞が支持基板（１）の受光面側に
設けられ、支持基板（１）の背面側には、各光学フィル
タ＜２Ｒ） （２Ｇ）（２Ｂ）を透過した特定の光に感
光すべく半導体光活性層（４Ｒ）（４Ｇ）（４Ｂ）及び
背面電極（５Ｒ）（５Ｇ）（５Ｂ）が夫々対応して分割
されている。しかし、半導体光活性ＮＩ（４）との界面
側に高低差約５００〜５０００Å、凸部と凸部との間隔
約１０００〜１００００Åの凹凸面＜３ ｔａｘ）を備
えた受光面電極く３）は共通電極として用いられるため
に分割きれていない。
光学フィルタ（２）として、赤色、緑色、青色帯域の光
を透過せしめる赤色、緑色、青色の各光学フィルタ（２
Ｒ）（２Ｇ） （２Ｂ＞が支持基板（１）の受光面側に
設けられ、支持基板（１）の背面側には、各光学フィル
タ＜２Ｒ） （２Ｇ）（２Ｂ）を透過した特定の光に感
光すべく半導体光活性層（４Ｒ）（４Ｇ）（４Ｂ）及び
背面電極（５Ｒ）（５Ｇ）（５Ｂ）が夫々対応して分割
されている。しかし、半導体光活性ＮＩ（４）との界面
側に高低差約５００〜５０００Å、凸部と凸部との間隔
約１０００〜１００００Åの凹凸面＜３ ｔａｘ）を備
えた受光面電極く３）は共通電極として用いられるため
に分割きれていない。
この様に複数の光学フィルタ（２Ｒ）＜２Ｇ）（２Ｂ＞
を備えた色センサにあっては、各々光学フィルタ（２Ｒ
）（２Ｇ＞（２Ｂ）を透過した波長帯域の異なる入射光
に対しても膜厚に依存することなく、しかも可視光帯域
に於いてほぼ一定した１０％以下の反射率を呈すること
から、分光感度特性が安定する。
を備えた色センサにあっては、各々光学フィルタ（２Ｒ
）（２Ｇ＞（２Ｂ）を透過した波長帯域の異なる入射光
に対しても膜厚に依存することなく、しかも可視光帯域
に於いてほぼ一定した１０％以下の反射率を呈すること
から、分光感度特性が安定する。
（ト）発明の効果
本発明色センサは以上の説明から明らかな如く、高低差
約５００〜５０００Å、凸部と凸部との間隔６’１１０
００〜１００００人の凹凸面を備えたＴＣＯからなる受
光面電極は断る受光面電極と半導体光活性層との界面で
の屈折率の差に起因する入射光の反射を、受光面電極の
膜厚の変動に依存することなく大幅に、ｆ！ｊ、少せし
めるべく作用するので色センサの分光１１５度の変動幅
が低減し装置間の不揃いを少なくすることができる。更
に、可視光帯域に於いてほぼ平坦且つ低率な反射特性が
得られるので、複数の光学フィルタの波長帯域が異なっ
ても入射光に対する反射率は変動することもなく相対出
力の上昇が図れる。
約５００〜５０００Å、凸部と凸部との間隔６’１１０
００〜１００００人の凹凸面を備えたＴＣＯからなる受
光面電極は断る受光面電極と半導体光活性層との界面で
の屈折率の差に起因する入射光の反射を、受光面電極の
膜厚の変動に依存することなく大幅に、ｆ！ｊ、少せし
めるべく作用するので色センサの分光１１５度の変動幅
が低減し装置間の不揃いを少なくすることができる。更
に、可視光帯域に於いてほぼ平坦且つ低率な反射特性が
得られるので、複数の光学フィルタの波長帯域が異なっ
ても入射光に対する反射率は変動することもなく相対出
力の上昇が図れる。
第１図は本発明色センサの一実施例を示す模式的断面図
、第２図乃至第４図は本発明色センサに用いられる受光
面電極の凹凸化方法を説明するための状態別模式的断面
図、第５図及び第６図は凹凸化される油の透光性溝を酸
化物の粒子構造の断面状態及び傾斜角８０度の方向から
臨んだ状態を示す走査顕微鏡写真、第７図及び第８図は
凹凸化された後の透光性導電酸化物の゛粒子構造の断面
状態及び傾斜角８０度の方向から臨んだ状態を示す走査
顕微鏡写真、第９図及び第１０図は第３図に相当する凹
凸加工の途中状態に於ける透光性導電酸化物の粒子構造
の断面状態及び傾斜角８０度の方向から臨んだ状態の走
査顕微鏡写真、第１１図は光学フィルタを除いた本発明
の反射特性図、第１２図は従来の反射特性図、第１３図
は本発明装置と従来装置の出力短絡電流を比較するだめ
の特性図、第１４図は本克明色センナの他の実施例を示
す模式的断面図、を夫々示している。 （１）・・・透光性支持基板、（２）（２Ｒ）（２Ｇ＞
（２Ｂ）・・・透光性フィルタ、（３）・・・受光面電
極、（３ｔｅｘ）・・・凹凸面、〈４）・・・半導体光
活性層、（５）・・・背面電極。
、第２図乃至第４図は本発明色センサに用いられる受光
面電極の凹凸化方法を説明するための状態別模式的断面
図、第５図及び第６図は凹凸化される油の透光性溝を酸
化物の粒子構造の断面状態及び傾斜角８０度の方向から
臨んだ状態を示す走査顕微鏡写真、第７図及び第８図は
凹凸化された後の透光性導電酸化物の゛粒子構造の断面
状態及び傾斜角８０度の方向から臨んだ状態を示す走査
顕微鏡写真、第９図及び第１０図は第３図に相当する凹
凸加工の途中状態に於ける透光性導電酸化物の粒子構造
の断面状態及び傾斜角８０度の方向から臨んだ状態の走
査顕微鏡写真、第１１図は光学フィルタを除いた本発明
の反射特性図、第１２図は従来の反射特性図、第１３図
は本発明装置と従来装置の出力短絡電流を比較するだめ
の特性図、第１４図は本克明色センナの他の実施例を示
す模式的断面図、を夫々示している。 （１）・・・透光性支持基板、（２）（２Ｒ）（２Ｇ＞
（２Ｂ）・・・透光性フィルタ、（３）・・・受光面電
極、（３ｔｅｘ）・・・凹凸面、〈４）・・・半導体光
活性層、（５）・・・背面電極。
Claims (1)
- （１）透光性支持基板の受光面側に可視光帯域の特定波
長の光を透過せしめる少なくとも１つの光学フィルタを
配置し、その背面側に受光面電極、半導体光活性層及び
背面電極をこの順序で積層した色センサであって、上記
受光面電極は透光性導電酸化物からなると共に、この受
光面電極は半導体光活性層との界面側に高低差約５００
〜５０００Å、凸部と凸部との間隔約１０００〜１００
００Åの凹凸面を備えたことを特徴とする色センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60230337A JPH0663829B2 (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 色センサ |
| US07/170,656 US4851658A (en) | 1985-10-16 | 1988-03-17 | Color sensor having improved uniformity of sensitivity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60230337A JPH0663829B2 (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 色センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6288927A true JPS6288927A (ja) | 1987-04-23 |
| JPH0663829B2 JPH0663829B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=16906257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60230337A Expired - Lifetime JPH0663829B2 (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 色センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4851658A (ja) |
| JP (1) | JPH0663829B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02271225A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-06 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 色センサー素子及び素子群 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0448516A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Fujitsu Ltd | 透明電極の形成方法 |
| US5212395A (en) * | 1992-03-02 | 1993-05-18 | At&T Bell Laboratories | P-I-N photodiodes with transparent conductive contacts |
| FR2694451B1 (fr) * | 1992-07-29 | 1994-09-30 | Asulab Sa | Cellule photovoltaïque. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125869A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 感光装置 |
| JPS59123283A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5687782U (ja) * | 1979-12-10 | 1981-07-14 | ||
| JPS58121668A (ja) * | 1982-01-13 | 1983-07-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 多色イメ−ジ・センサ |
| GB2115980B (en) * | 1982-01-22 | 1985-09-25 | Sanyo Electric Co | Color sensor |
| US4532537A (en) * | 1982-09-27 | 1985-07-30 | Rca Corporation | Photodetector with enhanced light absorption |
| US4599482A (en) * | 1983-03-07 | 1986-07-08 | Semiconductor Energy Lab. Co., Ltd. | Semiconductor photoelectric conversion device and method of making the same |
-
1985
- 1985-10-16 JP JP60230337A patent/JPH0663829B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-03-17 US US07/170,656 patent/US4851658A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125869A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 感光装置 |
| JPS59123283A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02271225A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-06 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 色センサー素子及び素子群 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4851658A (en) | 1989-07-25 |
| JPH0663829B2 (ja) | 1994-08-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |