JPH0448516A - 透明電極の形成方法 - Google Patents
透明電極の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
酸化インジウム錫、酸化インジウムよりなる透明電極の
形成方法に関し、 最適なエツチング速度によってパターンを再現性よく形
成することを目的とし、 結晶面方位が（２２２）、又は（４００）、又は（２２
２）及び（４００）のいずれかのみに配向した多結晶の
酸化インジウム錫膜又は酸化インジウム膜、あるいは、
非晶質の酸化インジウム錫膜又は酸化インジウム欣を、
ウェットエツチングによりパターニングすることによっ
て透明ｔｔｆｆｉを形成することを含み構成する。
形成方法に関し、 最適なエツチング速度によってパターンを再現性よく形
成することを目的とし、 結晶面方位が（２２２）、又は（４００）、又は（２２
２）及び（４００）のいずれかのみに配向した多結晶の
酸化インジウム錫膜又は酸化インジウム膜、あるいは、
非晶質の酸化インジウム錫膜又は酸化インジウム欣を、
ウェットエツチングによりパターニングすることによっ
て透明ｔｔｆｆｉを形成することを含み構成する。
【産業上の利用分野］
本発明は、透明Ｔｉ橿の形成方法に関し、より詳しくは
、酸化インジウム錫、酸化インジウム等よりなる透明電
極の形成方法に関する。
、酸化インジウム錫、酸化インジウム等よりなる透明電
極の形成方法に関する。
光半導体素子、液晶素子等に透明電極を形成する場合に
は、ｌ Ｔｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）、
酸化インジウム（ＩｎｔＯｚ）のｎりを形成した後、こ
れをフォトリソグラフィー法によりパターニングするこ
とが行われている。
は、ｌ Ｔｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）、
酸化インジウム（ＩｎｔＯｚ）のｎりを形成した後、こ
れをフォトリソグラフィー法によりパターニングするこ
とが行われている。
ところで、ＩＴＯ＃、Ｉｎ！０３膜は一般にスパンタ法
により形成されるが、スパッタの電源が交流か直流かの
違い、あるいは、スパッタ電力やガス圧、基板温度、雰
囲気ガスの種類等によって膜の性質が変わり易い。
により形成されるが、スパッタの電源が交流か直流かの
違い、あるいは、スパッタ電力やガス圧、基板温度、雰
囲気ガスの種類等によって膜の性質が変わり易い。
そして、その膜質の相違は、透明導電膜をウェットエツ
チングする際のエツチング速度のばらつきの原因となる
が、最適のエツチング速度を決定する要因が定かでない
ために、ＩＴＯ等の膜をパターニングする際にエツチン
グが充分行われず、パターン不良が発生することもあり
、歩留りが悪くなるといった問題がある。
チングする際のエツチング速度のばらつきの原因となる
が、最適のエツチング速度を決定する要因が定かでない
ために、ＩＴＯ等の膜をパターニングする際にエツチン
グが充分行われず、パターン不良が発生することもあり
、歩留りが悪くなるといった問題がある。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって
、最適なエツチング速度によってパターンを再現性よく
形成することができる透明電極の形成方法を提供するこ
とを目的とする。
、最適なエツチング速度によってパターンを再現性よく
形成することができる透明電極の形成方法を提供するこ
とを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
上記した課題は、非晶質の酸化インジウム錫膜又は酸化
インジウム膜を用いて透明電極を形成し、ウェットエン
チングによってパターニングすることを特徴とする透明
電極の形成方法、または、酸化インジウム錫又は酸化イ
ンジウムのグレインが、結晶面方位（２２２）、（４０
０）の少なくとも一方のみに配向している多結晶膜を用
いて透明電極を形成し、ウェットエツチングによってパ
ターニングすることを特徴とする透明電極の形成方法に
よって達成する。
インジウム膜を用いて透明電極を形成し、ウェットエン
チングによってパターニングすることを特徴とする透明
電極の形成方法、または、酸化インジウム錫又は酸化イ
ンジウムのグレインが、結晶面方位（２２２）、（４０
０）の少なくとも一方のみに配向している多結晶膜を用
いて透明電極を形成し、ウェットエツチングによってパ
ターニングすることを特徴とする透明電極の形成方法に
よって達成する。
〔作 用］
本発明によれば、非晶質のＩＴＯ膜又は１ｎｚ０３膜、
あるいは、（２２２）、（４００）の少なくとも一方の
結晶面方位のみに配向している多結晶のＩＴＯＷ４又は
ＩｎｚＯｓ Ｍ４によって透明電極を形成するようにし
ている。
あるいは、（２２２）、（４００）の少なくとも一方の
結晶面方位のみに配向している多結晶のＩＴＯＷ４又は
ＩｎｚＯｓ Ｍ４によって透明電極を形成するようにし
ている。
そして、ＩＴＯ膜をウェットエツチングしたところ第２
表に示すような結果が得られた。
表に示すような結果が得られた。
この第２表から明らかなように、非晶質膜のエツチング
速度は１０００〜１２００人／＋＊ｉｎとなり、また、
（２２２）、（４００ンの少なくとも一方のみに配向し
ている多結晶膜のエツチング速度は２００〜３００人／
ｍａｎとなった。
速度は１０００〜１２００人／＋＊ｉｎとなり、また、
（２２２）、（４００ンの少なくとも一方のみに配向し
ている多結晶膜のエツチング速度は２００〜３００人／
ｍａｎとなった。
ＩｎｔＯｓ Ｍ！についても同様な結果が得られ、これ
らの膜については、実用的でかつ制御性のよい安定した
エンチングを行うことができ、ウェットエツチングを用
いたフォトリソワラフィー法による透明！極のパターン
形成を再現性良く行うことができる。
らの膜については、実用的でかつ制御性のよい安定した
エンチングを行うことができ、ウェットエツチングを用
いたフォトリソワラフィー法による透明！極のパターン
形成を再現性良く行うことができる。
なお、その他の結晶方位にも配向した腔は、エツチング
速度が極めて小さく、実用的でないことがわかった。
速度が極めて小さく、実用的でないことがわかった。
そこで、以下番二本発明の詳細を図面に基づいて説明す
る。
る。
第１図は、本発明に用いる透明導電膜の形成状態を示す
構成図である。
構成図である。
まず、スバ７タ装！！１の基板を極２に基ｖｉＩＯを載
置するとともに、ターゲット電極３にターゲット４を取
付けた後に、ペルジャー５内を減圧する。そして、スパ
ッタガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスをベルジャ−５内
に入れ、電極２．３間に電圧を加える。
置するとともに、ターゲット電極３にターゲット４を取
付けた後に、ペルジャー５内を減圧する。そして、スパ
ッタガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスをベルジャ−５内
に入れ、電極２．３間に電圧を加える。
これにより、基板１０の上面にはＩＴＯ！ｌ！１ｌｌｌ
が形成される。
が形成される。
この場合、電ｒＡ６として高周波又は直流のいずれかを
選び、また、ペルジャー５内の圧力、基板ｌＯの温度を
変えて、種々の条件によりＩＴＯＩＩＷｌｌを形成し、
これらの結晶方位を調べたところ、第１表に示すような
結果が得られる。
選び、また、ペルジャー５内の圧力、基板ｌＯの温度を
変えて、種々の条件によりＩＴＯＩＩＷｌｌを形成し、
これらの結晶方位を調べたところ、第１表に示すような
結果が得られる。
（以下余白）
第 １ 表
これによれば、高周波電源を用いた場合に形成されるＩ
ＴＯＩＩＩは、非晶質のもの、あるいは、結晶面方位（
２２２）のみの配向をもつ多結晶の膜、（２２２）及び
（４００）のみの配向のある膜、または、（２２２）と
（４００）と（４１１）に配向したグレインをもつ多結
晶の膜が形成された。
ＴＯＩＩＩは、非晶質のもの、あるいは、結晶面方位（
２２２）のみの配向をもつ多結晶の膜、（２２２）及び
（４００）のみの配向のある膜、または、（２２２）と
（４００）と（４１１）に配向したグレインをもつ多結
晶の膜が形成された。
また、直流電圧を電極２．３間に印加した場合には、（
２２２）と（４００）の他に（３２１）、（４１１）、
（４２０）等の配向をもつ多結晶のＩＴＯが基板ＩＯ上
に堆積した。
２２２）と（４００）の他に（３２１）、（４１１）、
（４２０）等の配向をもつ多結晶のＩＴＯが基板ＩＯ上
に堆積した。
そして、種々の条件によって形成したＩＴＯ欣１１を、
第２図に示すようにレジストマスク１２で覆い、４０℃
に温浴した３５％の塩化第二鉄（ＦｅＣ１ｓ）水溶液１
３によってウェットエツチングを行ったところ、第２表
に示すような結果が得られた。
第２図に示すようにレジストマスク１２で覆い、４０℃
に温浴した３５％の塩化第二鉄（ＦｅＣ１ｓ）水溶液１
３によってウェットエツチングを行ったところ、第２表
に示すような結果が得られた。
この第２表から明らかなように、非晶質のＩＴＯ膜１１
のエツチング速度は１０００〜１２００λ／ ｍ ｉ
ｎであり、また、（２２２）、（４００）の少なくとも
一方のみに配向している多結晶の【Ｔｏｌｌのエツチン
グ速度は２００〜３００人／１ｎとなり、これらについ
ては安定したエツチングを行うことができ、パターンの
転写が良好に行われた。
のエツチング速度は１０００〜１２００λ／ ｍ ｉ
ｎであり、また、（２２２）、（４００）の少なくとも
一方のみに配向している多結晶の【Ｔｏｌｌのエツチン
グ速度は２００〜３００人／１ｎとなり、これらについ
ては安定したエツチングを行うことができ、パターンの
転写が良好に行われた。
即ち、これらの膜質に関しては、膜厚１５００人で１〜
７分程度の実用的でかつ制御性のよい時間内でのエツチ
ングが可能になった。
７分程度の実用的でかつ制御性のよい時間内でのエツチ
ングが可能になった。
これに対し、その他の膜を塩化第二鉄水溶液中に６０分
間浸漬したところ、殆どエツチングが進行せず、実用的
でないことがわかった。
間浸漬したところ、殆どエツチングが進行せず、実用的
でないことがわかった。
（以下余白）
第２表
なお、上記した実施例では、透明電極として！ＴＯ！ｉ
Ｉを使用したが、Ｉｎ□０３膜によってもほぼ同様な結
果得られる。
Ｉを使用したが、Ｉｎ□０３膜によってもほぼ同様な結
果得られる。
また、上記したエツチング液には塩化第二鉄水溶液を用
いたが、塩酸や、塩酸・硝酸・水混合液等を使用するこ
ともできる。
いたが、塩酸や、塩酸・硝酸・水混合液等を使用するこ
ともできる。
以上述べたように本発明によれば、非晶質の１１０Ｍ又
はｌｎｇｏｓ Ｈ−あるいは、（２２２）、（４００）
の少なくとも一方の結晶面方位のみに配向している多結
晶のＩＴＯ膜又はＩｎｚＯｓ ＷＪによって透明電極を
形成するようにしたので、第２表に例示するような結果
が得ら、これから明らかなように、そのような性質の膜
については、実用的でかつ制御性のよい安定したエツチ
ングを行うことができ、パターンを再現性よく形成でき
る。
はｌｎｇｏｓ Ｈ−あるいは、（２２２）、（４００）
の少なくとも一方の結晶面方位のみに配向している多結
晶のＩＴＯ膜又はＩｎｚＯｓ ＷＪによって透明電極を
形成するようにしたので、第２表に例示するような結果
が得ら、これから明らかなように、そのような性質の膜
については、実用的でかつ制御性のよい安定したエツチ
ングを行うことができ、パターンを再現性よく形成でき
る。
第１図は、本発明に用いられる透明導電膜の形成状態の
一例を示す構成図、 第２図は、本発明の透明電極のバターニング状態の一例
を示す構成図である。 （符号の説明） １・・・スパッタ装置、 １０・・・基板、 １１− Ｉ Ｔ ＯＩｔ！ （ｌｎ＊Ｏｚ）、１２・・
・レジストマスク、 １３ ”・ＦｅＣ１，水溶液。 出 願 人 冨士遥株式会社
一例を示す構成図、 第２図は、本発明の透明電極のバターニング状態の一例
を示す構成図である。 （符号の説明） １・・・スパッタ装置、 １０・・・基板、 １１− Ｉ Ｔ ＯＩｔ！ （ｌｎ＊Ｏｚ）、１２・・
・レジストマスク、 １３ ”・ＦｅＣ１，水溶液。 出 願 人 冨士遥株式会社
Claims (2)
- （１）非晶質の酸化インジウム錫膜又は酸化インジウム
膜を用いて透明電極を形成し、ウェットエッチングによ
ってパターニングすることを特徴とする透明電極の形成
方法。 - （２）酸化インジウム錫又は酸化インジウムのグレイン
が、結晶面方位（２２２）、（４００）の少なくとも一
方のみに配向している多結晶膜を用いて透明電極を形成
し、ウェットエッチングによってパターニングすること
を特徴とする透明電極の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2156040A JPH0448516A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 透明電極の形成方法 |
| EP19910305376 EP0461908A3 (en) | 1990-06-14 | 1991-06-13 | Process for preparing a transparent electrode and transparent electrode prepared by it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2156040A JPH0448516A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 透明電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448516A true JPH0448516A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15619006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2156040A Pending JPH0448516A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 透明電極の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0461908A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0448516A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677062B2 (en) | 2000-07-19 | 2004-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate with an electrode and method of producing the same |
| JP2004287281A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 光素子およびその製造方法 |
| US6911163B2 (en) | 2002-03-27 | 2005-06-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive thin film, process for producing the same, sintered target for producing the same, and transparent, electroconductive substrate for display panel, and organic electroluminescene device |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH07221174A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-08-18 | Canon Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4162447B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2008-10-08 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子及び光起電力装置 |
| JP4162516B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2008-10-08 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
| KR20140070005A (ko) * | 2012-11-30 | 2014-06-10 | 코닝정밀소재 주식회사 | 투명 도전성 기재 및 이를 포함하는 터치 패널 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0663829B2 (ja) * | 1985-10-16 | 1994-08-22 | 三洋電機株式会社 | 色センサ |
| JPH0614555B2 (ja) * | 1986-03-14 | 1994-02-23 | 日本板硝子株式会社 | 透明導電膜 |
| JPH0267522A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Jeco Co Ltd | 電子装置 |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP2156040A patent/JPH0448516A/ja active Pending
-
1991
- 1991-06-13 EP EP19910305376 patent/EP0461908A3/en not_active Withdrawn
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| US7250326B2 (en) | 2000-07-19 | 2007-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate with an electrode and method of producing the same |
| US6911163B2 (en) | 2002-03-27 | 2005-06-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive thin film, process for producing the same, sintered target for producing the same, and transparent, electroconductive substrate for display panel, and organic electroluminescene device |
| US7125503B2 (en) | 2002-03-27 | 2006-10-24 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive thin film, process for producing the same, sintered target for producing the same, and transparent, electroconductive substrate for display panel, and organic electroluminescence device |
| US7276187B2 (en) | 2002-03-27 | 2007-10-02 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive thin film, process for producing the same, sintered target for producing the same, and transparent, electroconductive substrate for display panel, and organic electroluminiscence device |
| US7276186B2 (en) | 2002-03-27 | 2007-10-02 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive thin film, process for producing the same, sintered target for producing the same, and transparent, electroconductive substrate for display panel, and organic electroluminescence device |
| JP2004287281A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 光素子およびその製造方法 |
| JP4506088B2 (ja) * | 2003-03-24 | 2010-07-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 光素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0461908A3 (en) | 1992-09-09 |
| EP0461908A2 (en) | 1991-12-18 |
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