JPH0614555B2 - 透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜Info
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- JPH0614555B2 JPH0614555B2 JP61056628A JP5662886A JPH0614555B2 JP H0614555 B2 JPH0614555 B2 JP H0614555B2 JP 61056628 A JP61056628 A JP 61056628A JP 5662886 A JP5662886 A JP 5662886A JP H0614555 B2 JPH0614555 B2 JP H0614555B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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-
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は酸化錫を主成分とする二層構造をもった光電素
子用透明導電膜時に太陽電池用透明導電膜に関する。
子用透明導電膜時に太陽電池用透明導電膜に関する。
近年、透明導電基板に非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を用
いた光電変換素子を形成し、次いでAl等の電極を形成し
た低コストの太陽電池が知られている。かかるa-Si 太
陽電池は光電交換効率が他の結晶半導体を用いた太陽電
池に比べ低いことから、それを大にするため種々の対策
が施されている。
いた光電変換素子を形成し、次いでAl等の電極を形成し
た低コストの太陽電池が知られている。かかるa-Si 太
陽電池は光電交換効率が他の結晶半導体を用いた太陽電
池に比べ低いことから、それを大にするため種々の対策
が施されている。
その一つとして、低抵抗で、且つ高光透過率の他結晶酸
化膜を付着した透明基材が用いられている。
化膜を付着した透明基材が用いられている。
しかしながら、多結晶酸化錫膜を透明導電膜上にa-Si
太陽電池を形成すると、界面の接合性が悪く、光電変換
効率を高めることができない欠点があった。
太陽電池を形成すると、界面の接合性が悪く、光電変換
効率を高めることができない欠点があった。
本発明は前記問題点を解決するためになされたものであ
って、光電素子の光電変換効率を高めるのに好適な光電
素子用透明導電膜を提供するものである。
って、光電素子の光電変換効率を高めるのに好適な光電
素子用透明導電膜を提供するものである。
すなわち、本発明は多結晶酸化錫を主成分とする透明導
電膜と、非晶質酸化錫を主成分とする透明導電膜からな
る二層構造を有する透明導電膜に関する。
電膜と、非晶質酸化錫を主成分とする透明導電膜からな
る二層構造を有する透明導電膜に関する。
本発明においてはおよそ４００℃以上の高温に加熱した
透明基板に錫化合物及びフッ素を含む化合物を接触さ
せ、熱分解酸化反応により、多結晶の酸化錫膜を堆積さ
せ、さらに多結晶酸化錫膜を堆積した透明基板およそ４
００℃未満の温度に加熱し、錫化合物及びフッ素を含む
化合物を接触させ熱分解酸化反応により、該多結晶酸化
膜上に非晶質酸化錫膜を堆積させることにより二層構造
を有する透明導電膜を形成できる。
透明基板に錫化合物及びフッ素を含む化合物を接触さ
せ、熱分解酸化反応により、多結晶の酸化錫膜を堆積さ
せ、さらに多結晶酸化錫膜を堆積した透明基板およそ４
００℃未満の温度に加熱し、錫化合物及びフッ素を含む
化合物を接触させ熱分解酸化反応により、該多結晶酸化
膜上に非晶質酸化錫膜を堆積させることにより二層構造
を有する透明導電膜を形成できる。
本発明に用いることのできる錫化合物としては、C4H9Sn
Cl3,SnCl4,(CH3)2SnCl2,(CnH2n+1)4Sn（但しｎ＝１〜
４），(CH3)2SnH2,(C4H9)3SnH及び(C4H9)2Sn(COOCH3)2
等であり、フッ素を含む化合物としては、CH3CHF2,CH3C
ClF2,CHClF2,CHF3,CF2Cl2,CF3Cl,CF3Br等がある。
Cl3,SnCl4,(CH3)2SnCl2,(CnH2n+1)4Sn（但しｎ＝１〜
４），(CH3)2SnH2,(C4H9)3SnH及び(C4H9)2Sn(COOCH3)2
等であり、フッ素を含む化合物としては、CH3CHF2,CH3C
ClF2,CHClF2,CHF3,CF2Cl2,CF3Cl,CF3Br等がある。
本発明において、これらの錫化合物及びフッ素を含む化
合物を加熱した透明基板に接触させて熱分解酸化反応を
させるのには錫化合物蒸気とフッ素を含む化合物とを酸
化性ガス中で高温の透明基板に接触させる気相化学反応
法（ＣＶＤ法）か、あるいは錫化合物等の溶液をスプレ
ーで加熱された基板に吹付けるスプレー法等により行う
ことができる。基板上に多結晶酸化錫膜を形成するに
は、およそ４００℃〜６００℃に基板を加熱して、ＣＶ
Ｄ法により形成することが好ましく、基板上に形成した
多結晶酸化錫膜上に非晶質酸化錫膜を形成するには、お
よそ 250℃〜400 ℃に基板を加熱して、CVD により形
成することが好ましい。
合物を加熱した透明基板に接触させて熱分解酸化反応を
させるのには錫化合物蒸気とフッ素を含む化合物とを酸
化性ガス中で高温の透明基板に接触させる気相化学反応
法（ＣＶＤ法）か、あるいは錫化合物等の溶液をスプレ
ーで加熱された基板に吹付けるスプレー法等により行う
ことができる。基板上に多結晶酸化錫膜を形成するに
は、およそ４００℃〜６００℃に基板を加熱して、ＣＶ
Ｄ法により形成することが好ましく、基板上に形成した
多結晶酸化錫膜上に非晶質酸化錫膜を形成するには、お
よそ 250℃〜400 ℃に基板を加熱して、CVD により形
成することが好ましい。
本発明は透明導電膜を多結晶酸化錫膜層と非晶質酸化錫
膜層とを有する二層構造としたことにより、透明導電膜
の抵抗を低くすることができ、かつ電変換素子のｐ型半
導体層と接触する透明導電膜を多結晶酸化錫から非晶質
酸化錫に変えたことにより透明導電膜と光電変換素子と
の接合性が改良される。
膜層とを有する二層構造としたことにより、透明導電膜
の抵抗を低くすることができ、かつ電変換素子のｐ型半
導体層と接触する透明導電膜を多結晶酸化錫から非晶質
酸化錫に変えたことにより透明導電膜と光電変換素子と
の接合性が改良される。
大きさが２５(mm)×３０(mm)、厚味１．１(mm)の酸化珪
素被膜付ソーダライムガラスを十分に洗浄、乾燥しガラ
ス基板とした。このガラス基板上に以下のように透明導
電膜を付着した。
素被膜付ソーダライムガラスを十分に洗浄、乾燥しガラ
ス基板とした。このガラス基板上に以下のように透明導
電膜を付着した。
モノブチル錫トリクロライドの蒸気、水蒸気、酸素ガス
1.1−ジフルオロエタンガスおよび窒素ガスの調整され
た混合気体を用いCVD法により550℃に加熱されたガラス
基板上に多結晶酸化錫膜を形成した。得られた多結晶酸
化錫膜の膜厚は、0.32μｍであった。
1.1−ジフルオロエタンガスおよび窒素ガスの調整され
た混合気体を用いCVD法により550℃に加熱されたガラス
基板上に多結晶酸化錫膜を形成した。得られた多結晶酸
化錫膜の膜厚は、0.32μｍであった。
この多結晶酸化錫膜を堆積させたガラス基板を350℃に
加熱い、モノブチル錫トリクロライドの蒸気、水蒸気、
酸素ガス、１．１−ジフルオロエタンガスおよび窒素ガ
スの調整された混合気体を用いCVD法により、多結晶酸
化錫膜上に非晶質酸化錫膜を形成した。得られた非晶質
酸化錫膜の膜厚は0.06μｍであった。この0.38μｍの合
計膜厚を有する二層の面積抵抗は第１表に示した通り1
1.5Ω／□であった。
加熱い、モノブチル錫トリクロライドの蒸気、水蒸気、
酸素ガス、１．１−ジフルオロエタンガスおよび窒素ガ
スの調整された混合気体を用いCVD法により、多結晶酸
化錫膜上に非晶質酸化錫膜を形成した。得られた非晶質
酸化錫膜の膜厚は0.06μｍであった。この0.38μｍの合
計膜厚を有する二層の面積抵抗は第１表に示した通り1
1.5Ω／□であった。
これを用いて、アモルファスシリコン太陽電池を以下の
手順で作成した。
手順で作成した。
モノチラシ（SiH4）ガスを主成分とする原料ガスを用い
て178Pa 程度の圧力下で容量結合型高周波グロー放電装
置により、 (1) ｐ型半導体層（ホウ素ドープの a-SiC:H,約0.015
μｍ厚） (2) 真性半導層（ a-Si:H,約0.5μｍ厚） (3) ｎ型反動体層（リンドープのマイクロクリスタリ
ンＳｉ(μc-Si):%H,約0.050μｍ厚） をそれぞれ順番に堆積させ、最後にAl電極（約0.1μｍ
厚）を真空中（約１０-4Pa）で蒸着法により作成した。
て178Pa 程度の圧力下で容量結合型高周波グロー放電装
置により、 (1) ｐ型半導体層（ホウ素ドープの a-SiC:H,約0.015
μｍ厚） (2) 真性半導層（ a-Si:H,約0.5μｍ厚） (3) ｎ型反動体層（リンドープのマイクロクリスタリ
ンＳｉ(μc-Si):%H,約0.050μｍ厚） をそれぞれ順番に堆積させ、最後にAl電極（約0.1μｍ
厚）を真空中（約１０-4Pa）で蒸着法により作成した。
上記Al電極を作成する際基板上に直径２mmの穴があいた
マスクをのせておき、直径２mmの太陽電池を１６ケ作成
した。
マスクをのせておき、直径２mmの太陽電池を１６ケ作成
した。
得られた太陽電池にAM1の１００mW/cm2の光を照射し、
エネルギー変換効率を測定した。得られた測定結果を第
１表に示す。
エネルギー変換効率を測定した。得られた測定結果を第
１表に示す。
なお、比較例として実施例と同一方法により、酸化珪素
被膜付ソーダライムガラス上に膜厚が0.38μｍの多結晶
酸化錫膜を形成し、面積抵抗を測定したところ第１表に
示す好く10.5Ω／□であり、このガラス上に形成した多
結晶酸化錫膜上に実施例と同一方法によりアモルファス
シリコン太陽電池を作成し、エネルギー変換効率を測定
した結果を第１表に示した。
被膜付ソーダライムガラス上に膜厚が0.38μｍの多結晶
酸化錫膜を形成し、面積抵抗を測定したところ第１表に
示す好く10.5Ω／□であり、このガラス上に形成した多
結晶酸化錫膜上に実施例と同一方法によりアモルファス
シリコン太陽電池を作成し、エネルギー変換効率を測定
した結果を第１表に示した。
本発明によれば実施例からも明らかなとおり、エネルギ
ー変換効率の向上に寄与する太陽電池透明導電膜を得る
ことができる。
ー変換効率の向上に寄与する太陽電池透明導電膜を得る
ことができる。
また本発明は、太陽電池以外の光電素子用の透明導電膜
として利用できることは明らかである。
として利用できることは明らかである。
Claims (2)
- 【請求項１】多結晶酸化錫を主成分とする透明導電膜
と、非晶質酸化錫を主成分とする透明電極膜からなる二
層構造を有する透明導電膜 - 【請求項２】透明基板上に設けられた多結晶酸化錫を主
成分とする透明導電膜上に非晶質酸化錫を主成分とする
透明導電膜を形成した特許請求の範囲第１項に記載の透
明導電膜
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056628A JPH0614555B2 (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056628A JPH0614555B2 (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 透明導電膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62213281A JPS62213281A (ja) | 1987-09-19 |
| JPH0614555B2 true JPH0614555B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=13032566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61056628A Expired - Lifetime JPH0614555B2 (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0614555B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH073878B2 (ja) * | 1989-10-11 | 1995-01-18 | 株式会社日立製作所 | 太陽電池 |
| JPH0448516A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Fujitsu Ltd | 透明電極の形成方法 |
| JP4171162B2 (ja) * | 2000-05-30 | 2008-10-22 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子およびその製造方法 |
| JP3679771B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2005-08-03 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置、及び光起電力装置の製造方法 |
| WO2004112057A1 (ja) | 2003-06-17 | 2004-12-23 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | 透明導電性基板とその製造方法、および光電変換素子 |
| JPWO2013111498A1 (ja) * | 2012-01-25 | 2015-05-11 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| JP6139261B2 (ja) * | 2013-05-17 | 2017-05-31 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
-
1986
- 1986-03-14 JP JP61056628A patent/JPH0614555B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62213281A (ja) | 1987-09-19 |
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