JP3521600B2 - 透明導電膜のパターニング方法と透明電極付き基体 - Google Patents
透明導電膜のパターニング方法と透明電極付き基体Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電膜のパタ
ーニング方法と、該方法を用いて得られる液晶ディスプ
レイ用として好適な透明電極付き基体に関する。
ーニング方法と、該方法を用いて得られる液晶ディスプ
レイ用として好適な透明電極付き基体に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、液晶ディスプレイ（以下ＬＣＤと
いう）などの透明電極としてＩＴＯ膜が広く用いられて
いる。特に、ＳＴＮ型のカラーＬＣＤにおいては、その
高精細化、大画面化に伴い、液晶駆動用透明電極の線幅
もより細く、また長い形状のものが必要となってきてい
る。
いう）などの透明電極としてＩＴＯ膜が広く用いられて
いる。特に、ＳＴＮ型のカラーＬＣＤにおいては、その
高精細化、大画面化に伴い、液晶駆動用透明電極の線幅
もより細く、また長い形状のものが必要となってきてい
る。
【０００３】このため、シート抵抗３Ω／□以下のきわ
めて低抵抗の透明導電膜が必要とされる。このシート抵
抗を達成するためには、透明導電膜の厚膜化（３００ｎ
ｍ以上）もしくは低比抵抗化（１００μΩ・ｃｍ以下）
をはかる必要がある。
めて低抵抗の透明導電膜が必要とされる。このシート抵
抗を達成するためには、透明導電膜の厚膜化（３００ｎ
ｍ以上）もしくは低比抵抗化（１００μΩ・ｃｍ以下）
をはかる必要がある。
【０００４】しかし、厚膜化については、透明導電膜の
成膜コストが増加すること、電極パターニングの困難さ
が増加すること、透明導電膜の有無による段差が大きく
なり、液晶の配向制御が困難になるなどの問題が生じる
ため、限界がある。
成膜コストが増加すること、電極パターニングの困難さ
が増加すること、透明導電膜の有無による段差が大きく
なり、液晶の配向制御が困難になるなどの問題が生じる
ため、限界がある。
【０００５】一方、ＩＴＯ膜自体を低比抵抗化する方法
も検討されているが、１００μΩ・ｃｍ以下の低抵抗Ｉ
ＴＯ膜を安定して生産する方法はまだ確立されていな
い。
も検討されているが、１００μΩ・ｃｍ以下の低抵抗Ｉ
ＴＯ膜を安定して生産する方法はまだ確立されていな
い。
【０００６】他方、１００μΩ・ｃｍ以下の低抵抗透明
導電膜を容易に得る方法としては、Ａｇなどの金属層を
ＩＴＯなどの透明酸化物層ではさんだ透明酸化物層／金
属層／透明酸化物層という構成が知られている。
導電膜を容易に得る方法としては、Ａｇなどの金属層を
ＩＴＯなどの透明酸化物層ではさんだ透明酸化物層／金
属層／透明酸化物層という構成が知られている。
【０００７】これらの膜を表示素子用として応用するた
めには、電極を所定の形状に正確にかつ微細に加工し、
電極パターンを形成すること（パターニング）が必要と
される。
めには、電極を所定の形状に正確にかつ微細に加工し、
電極パターンを形成すること（パターニング）が必要と
される。
【０００８】しかし、この構成の膜は、従来のようなＩ
ＴＯ用の酸性水溶液を用いたパターニングでは、Ａｇな
どの金属層のエッチング残渣が多発し、サイドエッチン
グも大きく、シャープなパターンエッジが得られないな
どその微細電極加工性は満足できるものではない。
ＴＯ用の酸性水溶液を用いたパターニングでは、Ａｇな
どの金属層のエッチング残渣が多発し、サイドエッチン
グも大きく、シャープなパターンエッジが得られないな
どその微細電極加工性は満足できるものではない。
【０００９】そのため、透明酸化物層／金属層／透明酸
化物層構成の電極は、ＬＣＤ用透明電極としては実用化
されていなかった。
化物層構成の電極は、ＬＣＤ用透明電極としては実用化
されていなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術の
前述の欠点を解決し、低比抵抗が得られる透明導電膜
を、微細電極加工性よくパターニングできる方法、およ
びその方法によって形成された低抵抗微細電極を有する
透明電極付き基体の提供を目的とする。
前述の欠点を解決し、低比抵抗が得られる透明導電膜
を、微細電極加工性よくパターニングできる方法、およ
びその方法によって形成された低抵抗微細電極を有する
透明電極付き基体の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸に可溶な透
明酸化物層と金属層とが積層されてなる透明導電膜のパ
ターニング方法において、金属層の主成分とする金属に
対して酸化作用を有する酸性水溶液であって、０．０５
〜２Ｎの水素イオンを解離するような物質と酸性水溶液
中で酸化作用を有する物質とからなる酸性水溶液をエッ
チング液としてパターニングすることを特徴とする透明
導電膜のパターニング方法、および、基板上の透明導電
膜をパターニングして得られる透明電極付き基板におい
て、該パターニングが前記透明導電膜のパターニング方
法によることを特徴とする透明電極付き基体を提供す
る。
明酸化物層と金属層とが積層されてなる透明導電膜のパ
ターニング方法において、金属層の主成分とする金属に
対して酸化作用を有する酸性水溶液であって、０．０５
〜２Ｎの水素イオンを解離するような物質と酸性水溶液
中で酸化作用を有する物質とからなる酸性水溶液をエッ
チング液としてパターニングすることを特徴とする透明
導電膜のパターニング方法、および、基板上の透明導電
膜をパターニングして得られる透明電極付き基板におい
て、該パターニングが前記透明導電膜のパターニング方
法によることを特徴とする透明電極付き基体を提供す
る。
【００１２】図１に３層系透明導電基板の代表例を、図
２に５層系透明導電基板の代表例を、図３にカラーＬＣ
Ｄ用の基板を示す。１は基体、２、４、６は酸に可溶な
透明酸化物層、３、５は金属層、７はカラー画素となる
カラーフィルタ層、８は透明樹脂保護層、９は無機中間
膜層である。
２に５層系透明導電基板の代表例を、図３にカラーＬＣ
Ｄ用の基板を示す。１は基体、２、４、６は酸に可溶な
透明酸化物層、３、５は金属層、７はカラー画素となる
カラーフィルタ層、８は透明樹脂保護層、９は無機中間
膜層である。
【００１３】本発明における基体１としては、ガラス板
の他、樹脂製のフィルムや板も使用できる。また、図３
に示すように該基体上にカラー画素となるカラーフィル
タ層７を形成した基体、さらに、該カラーフィルタ層上
に、カラーフィルタ層を保護、平滑化するための透明樹
脂層８やこれら樹脂層と透明導電膜との密着性を高める
ためのシリカ、窒化ケイ素などの無機中間膜層９を順次
積層した基体を用いてもよい。
の他、樹脂製のフィルムや板も使用できる。また、図３
に示すように該基体上にカラー画素となるカラーフィル
タ層７を形成した基体、さらに、該カラーフィルタ層上
に、カラーフィルタ層を保護、平滑化するための透明樹
脂層８やこれら樹脂層と透明導電膜との密着性を高める
ためのシリカ、窒化ケイ素などの無機中間膜層９を順次
積層した基体を用いてもよい。
【００１４】酸に可溶な透明酸化物層２、４、６として
は、容易に酸に可溶であり、またそれ自身の電気抵抗も
低いという理由から、酸化インジウムを主成分とした膜
や酸化亜鉛を主成分とする膜が好ましい。
は、容易に酸に可溶であり、またそれ自身の電気抵抗も
低いという理由から、酸化インジウムを主成分とした膜
や酸化亜鉛を主成分とする膜が好ましい。
【００１５】酸化インジウムを主成分とする膜として
は、インジウムに対してＳｎを０〜１５重量％含んだ酸
化インジウム、また、酸化亜鉛を主成分とする膜として
は、亜鉛に対してＧａやＡｌなどを０〜１５原子％含ん
だ酸化亜鉛膜が好ましい。
は、インジウムに対してＳｎを０〜１５重量％含んだ酸
化インジウム、また、酸化亜鉛を主成分とする膜として
は、亜鉛に対してＧａやＡｌなどを０〜１５原子％含ん
だ酸化亜鉛膜が好ましい。
【００１６】これら酸に可溶な透明酸化物層の各膜厚
は、特に限定されず、色調およびより高い可視光透過率
を得るために、１０〜２００ｎｍが適当である。
は、特に限定されず、色調およびより高い可視光透過率
を得るために、１０〜２００ｎｍが適当である。
【００１７】金属層３、５としては、低い抵抗とより高
い可視光透過率が得られるという理由から、Ａｇを主成
分とする膜が好ましく、特に、Ａｇの凝集現象を防止
し、耐久性の高いＡｇ膜が得られることから、０．１〜
５．０原子％のＰｄを添加したＡｇ膜が好ましい。その
他、金属層として、０．１〜３ｎｍのＰｄ膜が積層され
たＡｇ膜を用いても同様の効果が得られる。
い可視光透過率が得られるという理由から、Ａｇを主成
分とする膜が好ましく、特に、Ａｇの凝集現象を防止
し、耐久性の高いＡｇ膜が得られることから、０．１〜
５．０原子％のＰｄを添加したＡｇ膜が好ましい。その
他、金属層として、０．１〜３ｎｍのＰｄ膜が積層され
たＡｇ膜を用いても同様の効果が得られる。
【００１８】これら金属層の膜厚は３〜１５ｎｍが好ま
しい。３ｎｍ未満では低いシート抵抗が得られず、１５
ｎｍ超では可視光透過率の低下をもたらし好ましくな
い。
しい。３ｎｍ未満では低いシート抵抗が得られず、１５
ｎｍ超では可視光透過率の低下をもたらし好ましくな
い。
【００１９】透明導電膜を構成するそれぞれの層の厚み
を前述の範囲内で選択することによって、光学的干渉効
果による可視光透過率、色調の調整やシート抵抗値の調
整も可能となる。
を前述の範囲内で選択することによって、光学的干渉効
果による可視光透過率、色調の調整やシート抵抗値の調
整も可能となる。
【００２０】また、透明導電膜は、低シート抵抗、高可
視光透過率、高耐久性を示すが、さらに特性を向上させ
るために、成膜後１００〜３００℃の加熱処理を行って
もよい。
視光透過率、高耐久性を示すが、さらに特性を向上させ
るために、成膜後１００〜３００℃の加熱処理を行って
もよい。
【００２１】透明導電膜のパターニング手段としては、
透明導電膜上にフォトリソグラフィ法により所望のレジ
ストパターンを形成した後、透明導電膜を主として構成
する金属に対して酸化作用を有する酸性水溶液からなる
エッチング液を用いて電極を形成する。
透明導電膜上にフォトリソグラフィ法により所望のレジ
ストパターンを形成した後、透明導電膜を主として構成
する金属に対して酸化作用を有する酸性水溶液からなる
エッチング液を用いて電極を形成する。
【００２２】酸化作用を有する酸性水溶液としては、水
溶液中で水素イオンを解離するような物質と酸性水溶液
中で酸化作用を有する物質とからなる水溶液が好まし
い。
溶液中で水素イオンを解離するような物質と酸性水溶液
中で酸化作用を有する物質とからなる水溶液が好まし
い。
【００２３】水溶液中で水素イオンを解離するような物
質としては、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、硝酸、
硫酸、過塩素酸または塩化第二鉄、を主成分とする水溶
液を用いることが好ましい。その濃度は、エッチング残
渣、エッチング速度、およびサイドエッチングの点か
ら、０．０５〜２Ｎ（規定）である。
質としては、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、硝酸、
硫酸、過塩素酸または塩化第二鉄、を主成分とする水溶
液を用いることが好ましい。その濃度は、エッチング残
渣、エッチング速度、およびサイドエッチングの点か
ら、０．０５〜２Ｎ（規定）である。
【００２４】酸性水溶液中で酸化作用を有する物質とし
ては、亜硝酸、過酸化水素、過マンガン酸カリウム、重
クロム酸カリウム、ヨウ素酸カリウム、または硝酸第二
セリウムアンモニウムが好ましい。
ては、亜硝酸、過酸化水素、過マンガン酸カリウム、重
クロム酸カリウム、ヨウ素酸カリウム、または硝酸第二
セリウムアンモニウムが好ましい。
【００２５】金属層としてＡｇを主成分とする膜を使用
した場合には、前記の酸性水溶液中で酸化作用を有する
物質が好適である。
した場合には、前記の酸性水溶液中で酸化作用を有する
物質が好適である。
【００２６】酸性水溶液中で酸化作用を有する物質の濃
度は、特に限定されずおおむね良好な結果は得られる
が、エッチング残渣、エッチング速度、およびサイドエ
ッチングの点で、特に好ましい結果が得られることか
ら、０．００５〜０．５Ｎが好ましい。
度は、特に限定されずおおむね良好な結果は得られる
が、エッチング残渣、エッチング速度、およびサイドエ
ッチングの点で、特に好ましい結果が得られることか
ら、０．００５〜０．５Ｎが好ましい。
【００２７】
【作用】本発明は、透明導電膜のパターニングする際
に、金属層の酸化還元電位の貴なる酸化剤と酸よりなる
エッチング液を用い、該酸および酸化剤の濃度、すなわ
ち液中のｐＨと酸化還元電位とを適当に制御することに
よって、本来エッチング速度の異なる金属層と透明酸化
物層のエッチング速度のバランスをとり、金属層のエッ
チング残渣の発生もなく、かつ透明酸化物層のサイドエ
ッチングを最小にすることを可能とする。その結果、Ｌ
ＣＤなどに必要とされる１００μｍオーダーの微細電極
加工を容易に行いうる。
に、金属層の酸化還元電位の貴なる酸化剤と酸よりなる
エッチング液を用い、該酸および酸化剤の濃度、すなわ
ち液中のｐＨと酸化還元電位とを適当に制御することに
よって、本来エッチング速度の異なる金属層と透明酸化
物層のエッチング速度のバランスをとり、金属層のエッ
チング残渣の発生もなく、かつ透明酸化物層のサイドエ
ッチングを最小にすることを可能とする。その結果、Ｌ
ＣＤなどに必要とされる１００μｍオーダーの微細電極
加工を容易に行いうる。
【００２８】
【実施例】カラーフィルタ層７、およびカラーフィルタ
の保護と平滑下のためのアクリル系樹脂層保護層８とが
あらかじめ形成されたソーダライムガラス基板１とに高
周波スパッタリング法によりシリカ中間層９を１０ｎｍ
形成した（図３）。
の保護と平滑下のためのアクリル系樹脂層保護層８とが
あらかじめ形成されたソーダライムガラス基板１とに高
周波スパッタリング法によりシリカ中間層９を１０ｎｍ
形成した（図３）。
【００２９】次に、直流スパッタリング法により、Ａｒ
ガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で、膜厚１６ｎｍのＧａド
ープＺｎＯ膜（以下、ＧＺＯ膜という）、１１ｎｍのＰ
ｄ−Ａｇ合金膜、３８ｎｍのＧＺＯ膜を順次積層し、３
層からなる透明導電膜（Ａ）を作製した。得られた透明
導電膜（Ａ）のシート抵抗値は、３．６Ω／□、可視光
透過率は７４．３％であった。
ガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で、膜厚１６ｎｍのＧａド
ープＺｎＯ膜（以下、ＧＺＯ膜という）、１１ｎｍのＰ
ｄ−Ａｇ合金膜、３８ｎｍのＧＺＯ膜を順次積層し、３
層からなる透明導電膜（Ａ）を作製した。得られた透明
導電膜（Ａ）のシート抵抗値は、３．６Ω／□、可視光
透過率は７４．３％であった。
【００３０】また、前記透明導電膜（Ａ）に代えて、膜
厚４０ｎｍのＧＺＯ膜、１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金膜、
８５ｎｍのＧＺＯ膜、１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金膜、４
０ｎｍのＧＺＯ膜を順次積層し、５層からなる透明導電
膜（Ｂ）を作製した。得られた透明導電膜（Ｂ）のシー
ト抵抗値は、２．４Ω／□、可視光透過率は７３．５％
であった。
厚４０ｎｍのＧＺＯ膜、１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金膜、
８５ｎｍのＧＺＯ膜、１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金膜、４
０ｎｍのＧＺＯ膜を順次積層し、５層からなる透明導電
膜（Ｂ）を作製した。得られた透明導電膜（Ｂ）のシー
ト抵抗値は、２．４Ω／□、可視光透過率は７３．５％
であった。
【００３１】前記透明導電膜（Ａ）および（Ｂ）の作製
に当たっては、ＧＺＯ膜はＧａを５原子％含むＺｎＯ焼
結体ターゲットを用い、Ｐｄ−Ａｇ合金膜は、１原子％
のＰｄを含むＰｄ−Ａｇ合金ターゲットを使用した。ス
パッタ電力密度は、ＧＺＯ膜成膜時は５．７Ｗ／ｃｍ
2 、Ｐｄ−Ａｇ膜成膜時は０．５７Ｗ／ｃｍ2 とした。
に当たっては、ＧＺＯ膜はＧａを５原子％含むＺｎＯ焼
結体ターゲットを用い、Ｐｄ−Ａｇ合金膜は、１原子％
のＰｄを含むＰｄ−Ａｇ合金ターゲットを使用した。ス
パッタ電力密度は、ＧＺＯ膜成膜時は５．７Ｗ／ｃｍ
2 、Ｐｄ−Ａｇ膜成膜時は０．５７Ｗ／ｃｍ2 とした。
【００３２】次に、前記と同様にして、直流スパッタリ
ング法により、膜厚１６ｎｍのＩＴＯ膜、１１ｎｍのＰ
ｄ−Ａｇ合金膜、３８ｎｍのＩＴＯ膜を順次積層し、３
層からなる透明導電膜（Ｃ）を作製した。得られた透明
導電膜（Ｃ）のシート抵抗値は、３．６Ω／□、可視光
透過率は７７．１％であった。
ング法により、膜厚１６ｎｍのＩＴＯ膜、１１ｎｍのＰ
ｄ−Ａｇ合金膜、３８ｎｍのＩＴＯ膜を順次積層し、３
層からなる透明導電膜（Ｃ）を作製した。得られた透明
導電膜（Ｃ）のシート抵抗値は、３．６Ω／□、可視光
透過率は７７．１％であった。
【００３３】また、前記透明導電膜（Ｃ）に代えて、膜
厚４０ｎｍのＩＴＯ膜、１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金膜、
８５ｎｍのＩＴＯ膜、１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金膜、４
０ｎｍのＩＴＯ膜を順次積層し、５層からなる透明導電
膜（Ｄ）を作製した。得られた透明導電膜（Ｄ）のシー
ト抵抗値は、２．５Ω／□、可視光透過率は７６．０％
であった。
厚４０ｎｍのＩＴＯ膜、１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金膜、
８５ｎｍのＩＴＯ膜、１０ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金膜、４
０ｎｍのＩＴＯ膜を順次積層し、５層からなる透明導電
膜（Ｄ）を作製した。得られた透明導電膜（Ｄ）のシー
ト抵抗値は、２．５Ω／□、可視光透過率は７６．０％
であった。
【００３４】前記透明導電積層膜（Ｃ）および（Ｄ）の
作製に当たっては、ＩＴＯ膜はＳｎを１０原子％含む酸
化インジウム焼結体ターゲットを用い、酸素を３％含む
Ａｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で成膜した。Ｐｄ−Ａ
ｇ合金膜は、１原子％のＰｄを含むＰｄ−Ａｇ合金ター
ゲットを用い、Ａｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で成膜
した。スパッタ電力密度は、ＩＴＯ膜成膜時は５．７Ｗ
／ｃｍ2 、Ｐｄ−Ａｇ膜成膜時は０．５７Ｗ／ｃｍ2 と
した。
作製に当たっては、ＩＴＯ膜はＳｎを１０原子％含む酸
化インジウム焼結体ターゲットを用い、酸素を３％含む
Ａｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で成膜した。Ｐｄ−Ａ
ｇ合金膜は、１原子％のＰｄを含むＰｄ−Ａｇ合金ター
ゲットを用い、Ａｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で成膜
した。スパッタ電力密度は、ＩＴＯ膜成膜時は５．７Ｗ
／ｃｍ2 、Ｐｄ−Ａｇ膜成膜時は０．５７Ｗ／ｃｍ2 と
した。
【００３５】前記（Ａ）〜（Ｄ）の４種類の透明導電膜
上にフォトリソグラフィ法によりライン幅１３０μｍ、
スペース幅２５μｍのストライプ状のレジストパターン
を形成後、Ａｇに対して酸化作用を有する酸性水溶液の
種類や濃度を変えたエッチング液を用いてパターニング
特性を調査した。その結果を表１〜４に示す。なお、表
中の（ａ）はＡｇが溶解しない、（ｂ）は微小Ａｇ残渣
発生、（ｃ）はエッチング速度がやや遅い、（ｄ）はサ
イドエッチがやや大きい、の意である。
上にフォトリソグラフィ法によりライン幅１３０μｍ、
スペース幅２５μｍのストライプ状のレジストパターン
を形成後、Ａｇに対して酸化作用を有する酸性水溶液の
種類や濃度を変えたエッチング液を用いてパターニング
特性を調査した。その結果を表１〜４に示す。なお、表
中の（ａ）はＡｇが溶解しない、（ｂ）は微小Ａｇ残渣
発生、（ｃ）はエッチング速度がやや遅い、（ｄ）はサ
イドエッチがやや大きい、の意である。
【００３６】表１〜２に示すように、透明酸化物層にＧ
ＺＯ膜を使用した場合には、過マンガン酸カリウムや硝
酸第二セリウムアンモニウムなどの酸化剤の濃度が０．
００５〜０．５Ｎで、かつ硫酸や硝酸などの酸性水溶液
の濃度が０．０５〜１．０Ｎの範囲できわめて良好な結
果が得られた。一方、硫酸や硝酸のみの酸性水溶液を用
いると、Ａｇの溶解が困難で、微細なパターニングには
実用的ではなかった。
ＺＯ膜を使用した場合には、過マンガン酸カリウムや硝
酸第二セリウムアンモニウムなどの酸化剤の濃度が０．
００５〜０．５Ｎで、かつ硫酸や硝酸などの酸性水溶液
の濃度が０．０５〜１．０Ｎの範囲できわめて良好な結
果が得られた。一方、硫酸や硝酸のみの酸性水溶液を用
いると、Ａｇの溶解が困難で、微細なパターニングには
実用的ではなかった。
【００３７】表３〜４に示すように、透明酸化物層にＩ
ＴＯ膜を使用した場合には、過マンガン酸カリウムや硝
酸第二セリウムアンモニウムなどの酸化剤の濃度が０．
００５〜０．５Ｎで、かつ硝酸や塩酸などの酸性水溶液
の濃度が０．１〜２．０Ｎの範囲できわめて良好な結果
が得られた。一方、硫酸や硝酸のみの酸性水溶液を用い
ると、Ａｇの溶解が困難で、微細なパターニングには実
用的ではなかった。
ＴＯ膜を使用した場合には、過マンガン酸カリウムや硝
酸第二セリウムアンモニウムなどの酸化剤の濃度が０．
００５〜０．５Ｎで、かつ硝酸や塩酸などの酸性水溶液
の濃度が０．１〜２．０Ｎの範囲できわめて良好な結果
が得られた。一方、硫酸や硝酸のみの酸性水溶液を用い
ると、Ａｇの溶解が困難で、微細なパターニングには実
用的ではなかった。
【００３８】ＧＺＯ系の膜の場合に比較し、ＩＴＯ系の
膜の場合の適正酸濃度領域が高いのは、ＩＴＯ膜の方が
ＺｎＯ膜よりも酸に溶けにくいためである。
膜の場合の適正酸濃度領域が高いのは、ＩＴＯ膜の方が
ＺｎＯ膜よりも酸に溶けにくいためである。
【００３９】前記濃度よりも酸濃度が低い領域、または
過マンガン酸カリウムや硝酸第二セリウムアンモニウム
の濃度が低い領域では、エッチング速度の多少の低下や
微量のＡｇ残渣が発生する傾向にあったが実用可能であ
る。
過マンガン酸カリウムや硝酸第二セリウムアンモニウム
の濃度が低い領域では、エッチング速度の多少の低下や
微量のＡｇ残渣が発生する傾向にあったが実用可能であ
る。
【００４０】また、前記濃度よりも酸濃度が高い領域、
または過マンガン酸カリウムや硝酸第二セリウムアンモ
ニウムの濃度が高い領域では、ややサイドエッチングが
進行する傾向にあったが実用可能である。
または過マンガン酸カリウムや硝酸第二セリウムアンモ
ニウムの濃度が高い領域では、ややサイドエッチングが
進行する傾向にあったが実用可能である。
【００４１】なお、本実施例で用いた酸化作用を有する
酸性水溶液以外の酸化作用を有する酸性水溶液について
行ったところ、同様な結果が得られた。
酸性水溶液以外の酸化作用を有する酸性水溶液について
行ったところ、同様な結果が得られた。
【００４２】
【表１】
【００４３】
【表２】
【００４４】
【表３】
【００４５】
【表４】
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、透明酸化物層と金属層
の積層体からなる低比抵抗の透明導電膜を、容易に、数
十μｍオーダーで微細電極加工できる。
の積層体からなる低比抵抗の透明導電膜を、容易に、数
十μｍオーダーで微細電極加工できる。
【００４７】したがって、合計膜厚が３００ｎｍ未満
で、しかもガラス基板上のみならず、成膜温度の低いプ
ラスチック製基板（耐熱温度１００℃未満）やカラーＬ
ＣＤ用のカラーフィルタ付き基板上（耐熱温度２５０℃
未満）に、３Ω／□未満の低抵抗透明電極が提供でき
る。これによりＬＣＤの高精細化、大画面化、表示品位
の向上実現を容易にするという効果もある。
で、しかもガラス基板上のみならず、成膜温度の低いプ
ラスチック製基板（耐熱温度１００℃未満）やカラーＬ
ＣＤ用のカラーフィルタ付き基板上（耐熱温度２５０℃
未満）に、３Ω／□未満の低抵抗透明電極が提供でき
る。これによりＬＣＤの高精細化、大画面化、表示品位
の向上実現を容易にするという効果もある。
【図１】３層からなる透明導電膜付き基体の断面模式
図。
図。
【図２】５層からなる透明導電膜付き基体の断面模式
図。
図。
【図３】本発明に用いられる基体としての代表的なカラ
ーＬＣＤ用基板の断面模式図。
ーＬＣＤ用基板の断面模式図。
１：基体
２：酸に可溶な透明酸化物層
３：金属層
４：酸に可溶な透明酸化物層
５：金属層
６：酸に可溶な透明酸化物層
７：カラーフィルタ層
８：樹脂保護層
９：シリカなどの無機中間膜層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 林 泰夫
神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地
旭硝子株式会社 中央研究所内
(72)発明者 竹中 敦義
神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地
旭硝子株式会社 中央研究所内
(56)参考文献 特開 平９−59787（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−171188（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−143680（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−123337（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−68315（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−37326（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/306,21/308
C23F 1/00 - 1/44
G02F 1/1343
G09F 9/30
Claims (3)
- 【請求項１】酸に可溶な透明酸化物層と金属層とが積層
されてなる透明導電膜のパターニング方法において、金
属層の主成分とする金属に対して酸化作用を有する酸性
水溶液であって、０．０５〜２Ｎの水素イオンを解離す
るような物質と酸性水溶液中で酸化作用を有する物質と
からなる酸性水溶液をエッチング液としてパターニング
することを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。 - 【請求項２】透明導電膜が、酸に可溶な透明酸化物層と
金属層とがこの順に交互に（２ｎ＋１）層（ｎ≧１）で
積層されてなる透明導電膜であって、透明酸化物層が、
酸化インジウムまたは酸化亜鉛を主成分とする透明酸化
物層であり、金属層が、Ａｇを主成分とする金属層であ
る請求項１の透明導電膜のパターニング方法。 - 【請求項３】基体上の透明導電膜をパターニングして得
られる透明電極付き基体において、該パターニングが請
求項１または２の透明導電膜のパターニング方法による
ことを特徴とする透明電極付き基体。
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|---|---|---|---|
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| JPH09232278A JPH09232278A (ja) | 1997-09-05 |
| JP3521600B2 true JP3521600B2 (ja) | 2004-04-19 |
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- 1996-02-21 JP JP3402596A patent/JP3521600B2/ja not_active Expired - Fee Related
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