CN114630919A - 层叠结构体 - Google Patents

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Abstract

该层叠结构体(10)具备基材(11)和形成于该基材(11)的一面的层叠膜(20)，所述层叠膜(20)具有由Ag或Ag合金组成的Ag膜(21)和与该Ag膜(21)的一面及另一面相邻层叠的介电膜(23)，与所述Ag膜(21)相邻层叠的所述介电膜(23)中的至少一个介电膜是包含Ga、Ti及Zn的GaTiZn氧化物膜，所述GaTiZn氧化物膜形成于所述层叠膜(20)的最表层以外的部分。

Description

层叠结构体
技术领域
本发明涉及一种层叠结构体，其具备例如在显示器或触摸面板、或者隔热玻璃或隔热薄膜等中使用的Ag膜和介电膜。
本申请主张基于2019年11月15日于日本申请的专利申请2019-206934号及2020年10月26日于日本申请的专利申请2020-179053号的优先权，并将其内容援用于此。
背景技术
例如，在液晶显示器或有机EL显示器、触摸面板等中，例如像专利文献1～5所示，作为配线而适用层叠膜，该层叠膜具有通过透明导电氧化物膜与由Ag或Ag合金组成的Ag膜层叠而成的层叠结构。对该层叠膜要求可见光区域的光的透射率高且电阻低。
并且，例如像专利文献6所公开，低辐射玻璃等具有具备玻璃和形成于玻璃表面的层叠膜(隔热膜)的结构，在层叠膜中，层叠有Ag合金膜与透明介电膜。在用于该低辐射玻璃等的层叠膜中，要求红外线的反射率高且可见光的透射率高。
最近，在显示器或触摸面板等中，配线及电极的微细化进一步得到推进，此外，配线及电极的长度因大画面化而变长。作为透明导电配线膜或透明电极，要求电阻比以往低且可见光区域的透射率优异的层叠膜。即，要求该层叠膜具有优异的电特性及光学特性。
并且，在用作隔热膜的情况下，要求透射可见光且反射红外线这种光学特性。
然而，在以往的层叠膜中，由于颗粒(空中微粒)、指纹等附着于膜上或膜端部，因此有可能产生由氯引起的Ag膜的凝聚，从而产生斑点等缺陷。
尤其，在为了提高透射率而使Ag膜减薄的情况下，由于Ag容易凝聚，因此有容易产生上述缺陷的倾向。
专利文献1：日本特开平07-325313号公报
专利文献2：日本特开平09-123337号公报
专利文献3：日本特开平09-232278号公报
专利文献4：日本特开2001-328198号公报
专利文献5：日本特开2009-252576号公报
专利文献6：日本特开2007-070146号公报
发明内容
该发明是鉴于前述情况而完成的，其目的在于提供一种层叠结构体，该层叠结构体通过抑制由氯引起的Ag膜的凝聚而抑制斑点等缺陷的产生，并且电特性及光学特性优异。
为了解决上述课题，本发明的一方式所涉及的层叠结构体具备基材和形成于该基材的一面的层叠膜，所述层叠结构体的特征在于，所述层叠膜具有由Ag或Ag合金组成的Ag膜和与该Ag膜的一面及另一面相邻层叠的介电膜，与所述Ag膜相邻层叠的所述介电膜中的至少一个介电膜是包含Ga、Ti及Zn的GaTiZn氧化物膜，所述GaTiZn氧化物膜形成于所述层叠膜的最表层以外的部分。
根据本发明的一方式所涉及的层叠结构体，具有与Ag膜的一面及另一面相邻层叠的介电膜，该介电膜中的至少一个介电膜为包含Ga、Ti及Zn的GaTiZn氧化物膜。因此，介电膜与Ag膜的亲和性高，从而提高密接性。因此，通过阻碍Ag的原子迁移，能够抑制Ag膜中的Ag的凝聚，从而能够抑制缺陷的产生。
并且，虽然所述GaTiZn氧化物膜的耐氯性差，但是由于所述GaTiZn氧化物膜形成于所述层叠膜的最表层以外的部分，因此能够确保整个层叠膜的耐氯性。
在此，在本发明的一方式所涉及的层叠结构体中，优选所述GaTiZn氧化物膜是由金属成分和氧组成的氧化物，相对于所述GaTiZn氧化物膜的所有金属成分100原子％，所述GaTiZn氧化物膜的所述金属成分含有0.5原子％以上且20.0原子％以下的Ga、以及0.5原子％以上且20.0原子％以下的Ti，剩余部分是Zn及不可避免的杂质。
在该情况下，按照如上所述那样规定所述GaTiZn氧化物膜的组成，因此介电膜与Ag膜的亲和性可靠地提高，能够进一步抑制Ag膜中的Ag的凝聚，从而能够进一步抑制缺陷的产生。
并且，在本发明的一方式所涉及的层叠结构体中，优选所述GaTiZn氧化物膜的厚度为5nm以上。
在该情况下，所述GaTiZn氧化物膜的厚度为5nm以上，因此进一步提高介电膜与Ag膜的密接性，能够进一步抑制Ag膜中的Ag的凝聚，从而能够进一步抑制缺陷的产生。
此外，在本发明的一方式所涉及的层叠结构体中，优选所述Ag膜在合计0.01原子％以上且20.0原子％以下的范围内含有选自In、Sn、Cu、Ge、Sb、Au、Pt、Pd、Mg、Ca及Ti中的一种或两种以上，剩余部分是Ag及不可避免的杂质。
在该情况下，Ag膜在合计0.01原子％以上且20.0原子％以下的范围内含有选自In、Sn、Cu、Ge、Sb、Au、Pt、Pd、Mg、Ca及Ti中的一种或两种以上，因此能够确保光学特性，并且可以提高耐热性。
并且，在本发明的一方式所涉及的层叠结构体中，优选所述Ag膜的厚度在5nm以上且20nm以下的范围内。
在该情况下，Ag膜的厚度为5nm以上，因此能够充分地确保膜的耐久性。另一方面，Ag膜的厚度为20nm以下，因此能够充分地确保光学特性。
此外，在本发明的一方式所涉及的层叠结构体中，可以在所述Ag膜的与所述基材相反的面侧配设有AlSiZn氧化物膜，所述AlSiZn氧化物膜是由金属成分和氧组成的氧化物，所述金属成分包含Al及Si，剩余部分是Zn及不可避免的杂质。
在该情况下，在所述Ag膜的与所述基材相反的面侧配设有金属成分包含Al及Si且剩余部分是Zn及不可避免的杂质的AlSiZn氧化物膜，因此提高阻挡性，能够抑制Ag膜的劣化。
并且，在本发明的一方式所涉及的层叠结构体中，优选相对于所述AlSiZn氧化物膜的所有金属成分100原子％，所述AlSiZn氧化物膜的所述金属成分含有0.5原子％以上且20.0原子％以下的Al、以及0.5原子％以上且40.0原子％以下的Si，剩余部分是Zn及不可避免的杂质。
在该情况下，按照如上所述那样规定所述AlSiZn氧化物膜的组成，因此能够进一步提高阻挡性，并可以进一步抑制Ag膜的劣化。
此外，在本发明的一方式所涉及的层叠结构体中，优选所述AlSiZn氧化物膜的厚度为10nm以上。
在该情况下，所述AlSiZn氧化物膜的厚度为10nm以上，因此能够进一步提高阻挡性，并可以进一步抑制Ag膜的劣化。
根据本发明的一方式，可以提供一种层叠结构体，该层叠结构体通过抑制由氯引起的Ag膜的凝聚而抑制斑点等缺陷的产生，并且电特性及光学特性优异。
附图说明
图1是本发明的实施方式的层叠结构体的截面说明图。
图2A是表示比较例1中的耐盐水性试验后层叠结构体的外观观察结果的照片。
图2B是表示本发明例2中的耐盐水性试验后层叠结构体的外观观察结果的照片。
图2C是表示本发明例23中的耐盐水性试验后层叠结构体的外观观察结果的照片。
具体实施方式
以下，参考附图具体说明本发明的一实施方式的层叠结构体。另外，本实施方式的层叠结构体构成各种显示器及触摸面板的透明导电配线膜或透明电极、或者低辐射玻璃(Low-E玻璃)中的隔热膜。
如图1所示，本实施方式的层叠结构体10具备基材11和形成于该基材11的一面的层叠膜20。
在此，作为基材11，例如能够使用玻璃基板、树脂基板、树脂薄膜等。在本实施方式中，基材11是玻璃基板，其厚度在0.1mm以上且2mm以下的范围内。
层叠膜20具有由Ag或Ag合金组成的Ag膜21和与该Ag膜21的一面(图1中为上面，也称为第1面)及另一面(图1中为下面，也称为第2面)相邻层叠的介电膜23。
以下，Ag膜21及介电膜23的第1面是与基材11相反的面，是指朝向外侧的面。Ag膜21及介电膜23的第2面是指朝向基材11的面。将与Ag膜21的第1面相邻层叠的介电膜23称为第1介电膜23。将与Ag膜21的第2面相邻层叠的介电膜23称为第2介电膜23。
此外，在本实施方式中，在Ag膜21的一面(图1中为上面，第1面)侧，配设有与介电膜23的与Ag膜21相反的面(第1面)相邻层叠的阻挡膜25。具体而言，在Ag膜21的与基材11相反的面(第1面)侧，以与介电膜23的与Ag膜21相反的面(第1面)直接接触的方式设置有阻挡膜25。即，以与第1介电膜23的第1面直接接触的方式设置有阻挡膜25。
在此，与Ag膜21相邻层叠的介电膜23中的至少一个介电膜为包含Ga、Ti及Zn的GaTiZn氧化物膜。
在本实施方式中，如图1所示，以与Ag膜21的一面及另一面分别相邻的方式形成有介电膜23，该介电膜23由GaTiZn氧化物膜构成。具体而言，设置有与Ag膜21的第1面直接接触的第1介电膜23、以及与Ag膜21的第2面直接接触的第2介电膜23，两个介电膜23是GaTiZn氧化物膜。
另外，该GaTiZn氧化物膜形成于层叠膜20的最表层以外的部分。在本实施方式中，作为层叠膜20的最表层而形成有阻挡膜25，在该阻挡膜25的下层形成有GaTiZn氧化物膜。具体而言，在基材11上依次层叠有第2介电膜23、Ag膜21、第1介电膜23及阻挡膜25。
在此，优选为构成介电膜23的GaTiZn氧化物膜由氧化物和不可避免的杂质组成，该氧化物由金属成分与氧组成，金属成分包含Ga及Ti，剩余部分是Zn及不可避免的金属。并且，进一步优选在GaTiZn氧化物膜的金属成分中，相对于所有金属成分100原子％，Ga含量为0.5原子％以上且20.0原子％以下，Ti含量为0.5原子％以上且20.0原子％以下，剩余部分是Zn及不可避免的金属。金属成分可以包含选自Mg、Nb、In、Sn、Si、Al、Mn、Fe、Co、Ni、Ge、Mo、W、Ta、Hf、Ce、Y及Cu中的一种以上的任意元素。相对于所有金属成分100原子％，任意元素的总量优选为0.1～5.0原子％。
在此，不可避免的杂质是除了氧和金属成分以外的元素。并且，不可避免的金属是除了上述特定含量的元素和Zn以外的金属元素。
并且，介电膜23的厚度优选为5nm以上。
Ag膜21由Ag或Ag合金构成。在本实施方式中，Ag膜21优选在合计0.01原子％以上且20.0原子％以下的范围内含有选自In、Sn、Cu、Ge、Sb、Au、Pt、Pd、Mg、Ca及Ti中的一种或两种以上，剩余部分是Ag及不可避免的杂质。
在此，不可避免的杂质是除了上述特定含量的元素和Ag以外的元素。
并且，Ag膜21的厚度优选在5nm以上且20nm以下的范围内。
阻挡膜25是AlSiZn氧化物膜。AlSiZn氧化物膜由氧化物和不可避免的杂质组成，该氧化物由金属成分与氧组成，金属成分包含Al及Si，剩余部分是Zn及不可避免的金属。
在此，优选在构成阻挡膜25的AlSiZn氧化物膜的金属成分中，相对于所有金属成分100原子％，Al含量为0.5原子％以上且20.0原子％以下，Si含量为0.5原子％以上且40.0原子％以下，剩余部分是Zn及不可避免的金属。
在此，不可避免的杂质是除了氧和金属成分以外的元素。并且，不可避免的金属是上述特定含量的元素和Zn以外的金属元素。
并且，阻挡膜25的厚度优选为10nm以上。
在此，在本实施方式的层叠结构体10中，对按照如上所述那样规定了介电膜23的组成及厚度、Ag膜21的组成及厚度、阻挡膜25的组成及厚度的理由进行说明。
以下，介电膜23的组成及阻挡膜25的组成中的金属元素的含量是相对于所有金属成分100原子％的量。
(介电膜23)
构成与Ag膜21相邻层叠的介电膜23的GaTiZn氧化物膜与Ag膜21的密接性高，阻碍Ag的原子迁移。因此，GaTiZn氧化物膜具有抑制Ag膜21中的Ag的凝聚的作用。
Ga通过添加到Zn氧化物中而具有提高与Ag的密接性的作用效果。
在此，介电膜23相对于所有金属成分100原子％在0.5原子％以上且20.0原子％以下的范围内含有Ga，由此可以可靠地提高与Ag的密接性。
另外，构成介电膜23的GaTiZn氧化物膜中的Ga含量的下限优选为2.0原子％以上，进一步优选为5.0原子％以上。另一方面，构成介电膜23的GaTiZn氧化物膜中的Ga含量的上限优选为18.0原子％以下，进一步优选为15.0原子％以下。
Ti通过添加到Zn氧化物中而具有提高Zn氧化物的耐氯性的作用效果。
在此，介电膜23相对于所有金属成分100原子％在0.5原子％以上的范围内含有Ti，由此可以充分地提高Zn氧化物的耐氯性。另一方面，相对于所有金属成分100原子％，将介电膜23中的Ti含量限制在20.0原子％以下，由此能够提高介电膜23与Ag的密接性。
另外，构成介电膜23的GaTiZn氧化物膜中的Ti含量的下限优选为1.0原子％以上，进一步优选为2.0原子％以上。另一方面，构成介电膜23的GaTiZn氧化物膜中的Ti含量的上限优选为15.0原子％以下，进一步优选为10.0原子％以下。
并且，通过将介电膜23(GaTiZn氧化物膜)的厚度设为5nm以上，可以进一步提高与Ag膜21的密接性。
另外，介电膜23的厚度的下限优选为10nm以上，更优选为20nm以上。另一方面，介电膜23的厚度的上限没有特别的限制，但是优选为100nm以下，更优选为50nm以下。
(Ag膜21)
层叠结构体10中的Ag膜21具有优异的导电性，并且有效地反射红外线。
In、Sn、Cu、Ge、Sb、Au、Pt、Pd、Mg、Ca及Ti这些元素提高Ag的耐热性，具有改善湿热环境下的稳定性的作用效果。
在此，通过将选自In、Sn、Cu、Ge、Sb、Au、Pt、Pd、Mg、Ca及Ti中的一种或两种以上的总含量设为0.01原子％以上，可以充分地提高Ag膜21的耐热性。另一方面，通过将选自In、Sn、Cu、Ge、Sb、Au、Pt、Pd、Mg、Ca及Ti中的一种或两种以上的总含量设为20.0原子％以下，能够抑制Ag膜21的光学特性劣化。
另外，选自In、Sn、Cu、Ge、Sb、Au、Pt、Pd、Mg、Ca及Ti中的一种或两种以上的总含量的下限优选为0.1原子％以上，更优选为0.5原子％以上。另一方面，选自In、Sn、Cu、Ge、Sb、Au、Pt、Pd、Mg、Ca及Ti中的一种或两种以上的总含量的上限优选为10.0原子％以下，更优选为8.0原子％以下。
并且，通过将Ag膜21的厚度设为5nm以上，能够充分地确保Ag膜21的耐久性。另一方面，通过将Ag膜21的厚度设为20nm以下，能够将Ag膜21的光学特性维持得较高。
另外，Ag膜21的厚度的下限优选为6nm以上，更优选为7nm以上。另一方面，Ag膜21的厚度的上限优选为15nm以下，更优选为10nm以下。
(阻挡膜25)
在Ag膜21的一面(第1面)侧，以与介电膜23的与Ag膜21相反的面(第1面)相邻层叠的方式设置有阻挡膜25。即，以与第1介电膜23的第1面相邻层叠的方式设置有阻挡膜25。构成该阻挡层25的AlSiZn氧化物膜的阻挡性优异，抑制Ag膜21的劣化。
Al通过添加到Zn氧化物中而具有提高Zn氧化物膜的阻挡性的作用效果。
在此，阻挡膜25相对于所有金属成分100原子％在0.5原子％以上且20.0原子％以下的范围内含有Al，由此可以可靠地提高阻挡性。
另外，构成阻挡膜25的AlSiZn氧化物膜中的Al含量的下限优选为1.0原子％以上，进一步优选为2.0原子％以上。另一方面，构成阻挡膜25的AlSiZn氧化物膜中的Al含量的上限优选为15.0原子％以下，进一步优选为12.0原子％以下。
Si通过添加到Zn氧化物中而具有提高Zn氧化物的阻挡性的作用效果。
在此，阻挡膜25相对于所有金属成分100原子％在0.5原子％以上且40.0原子％以下的范围内含有Si，由此可以可靠地提高阻挡性。
另外，构成阻挡膜25的AlSiZn氧化物膜中的Si含量的下限优选为2.0原子％以上，进一步优选为5.0原子％以上。另一方面，构成阻挡膜25的AlSiZn氧化物膜中的Si含量的上限优选为30.0原子％以下，进一步优选为25.0原子％以下。
并且，通过将阻挡膜25的厚度设为10nm以上，能够充分地确保阻挡性，从而能够进一步可靠地抑制Ag膜21的劣化。
另外，阻挡膜25的厚度的下限优选为20nm以上，更优选为30nm以上。另一方面，阻挡膜25的厚度的上限没有特别的限制，但是优选为150nm以下，更优选为100nm以下。
本实施方式的层叠结构体10例如能够通过使用各种溅射靶的溅射法来制造。
在如上所述构成的本实施方式的层叠结构体10中，层叠结构体10具有三层以上或四层以上的膜，并具有与Ag膜21的一面及另一面相邻层叠的介电膜23，该介电膜23中的至少一个介电膜是包含Ga、Ti及Zn的GaTiZn氧化物膜。因此，介电膜23与Ag膜21的亲和性高，从而提高密接性。因此，通过阻碍Ag的原子迁移，能够抑制Ag膜21中的Ag的凝聚。
并且，GaTiZn氧化物膜的耐氯性差。然而，由于GaTiZn氧化物膜形成于层叠膜20的最表层以外的部分，因此能够确保整个层叠膜20的耐氯性。
并且，在本实施方式中，在构成介电膜23的GaTiZn氧化物膜的金属成分中，相对于所有金属成分100原子％，Ga含量为0.5原子％以上且20.0原子％以下，Ti含量为0.5原子％以上且20.0原子％以下，剩余部分是Zn及不可避免的杂质的情况下，介电膜23与Ag膜21的亲和性可靠地提高，能够进一步抑制Ag膜21中的Ag的凝聚。
此外，在本实施方式中，在介电膜23的厚度为5nm以上的情况下，进一步提高介电膜23与Ag膜21的密接性，能够可靠地抑制Ag膜21中的Ag的凝聚。
并且，在本实施方式中，Ag膜21在合计0.01原子％以上且20.0原子％以下的范围内含有选自In、Sn、Cu、Ge、Sb、Au、Pt、Pd、Mg、Ca及Ti中的一种或两种以上，剩余部分是Ag及不可避免的杂质的情况下，能够确保Ag膜21中的光学特性，并且可以提高耐热性。
此外，在本实施方式中，在Ag膜21的厚度在5nm以上且20nm以下的范围内的情况下，能够充分地确保Ag膜21的耐久性，并且能够充分地确保Ag膜21中的光学特性。
并且，在本实施方式中，在层叠于Ag膜21的一面(第1面)侧的介电膜23上层叠有由AlSiZn氧化物膜组成的阻挡膜25，AlSiZn氧化物膜的金属成分包含Al及Si，剩余部分是Zn及不可避免的杂质。因此，提高阻挡性，能够抑制Ag膜21的劣化。
在此，在本实施方式中，在构成阻挡膜25的AlSiZn氧化物膜的金属成分中，相对于所有金属成分100原子％，Al含量为0.5原子％以上且20.0原子％以下，Si含量为0.5原子％以上且40.0原子％以下，剩余部分是Zn及不可避免的杂质的情况下，能够进一步提高阻挡膜25的阻挡性，可以进一步抑制Ag膜21的劣化。
此外，在本实施方式中，在阻挡膜25膜的厚度为10nm以上的情况下，能够进一步提高阻挡性，可以进一步抑制Ag膜21的劣化。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但是本实施方式并不限定于此，在不脱离本发明的技术要件的范围内可以适当地变更。
例如，在本实施方式中，对具备形成于玻璃基板上的层叠膜的层叠结构体进行了说明，但是并不限定于此，可以在树脂基板、树脂薄膜等基材上进行本实施方式中的层叠膜的成膜。
并且，在本实施方式中，已说明如图1所示那样在Ag膜21的一面(第1面)侧的介电膜23上层叠有由AlSiZn氧化物膜组成的阻挡膜25的层叠结构体，但是并不限定于此，也可以不形成上述阻挡膜25。在该情况下，例如，作为最表层，可以设置阻挡膜25以外的其他组成的膜。作为其他组成的膜，可以举出ITO(锡掺杂氧化铟)膜等透明导电膜。并且，作为第2介电膜23而设置GaTiZn氧化物膜，作为第1介电膜23而设置GaTiZn氧化物膜以外的其他组成的介电膜，第1介电膜23可以是最表层。作为其他组成的介电膜，可以举出ITO膜、AlSiZn氧化物膜等。阻挡膜25的AlSiZn氧化物膜也能够用作介电膜23。
此外，在本实施方式中已说明与Ag膜21的一面及另一面相邻地形成的第1、第2介电膜23这两个膜是GaTiZn氧化物膜的层叠结构体，但是并不限定于此，与Ag膜21的一面及另一面相邻的第1、第2介电膜23中的至少一个介电膜是上述GaTiZn氧化物膜即可。
即，与Ag膜21的一面及另一面相邻的第1、第2介电膜23中的至少一个介电膜可以是上述GaTiZn氧化物膜，另一个可以是ITO膜等其他组成的介电膜。在第2介电膜23是GaTiZn氧化物膜，第1介电膜23是其他组成的介电膜的情况下，可以不设置阻挡膜25，第1介电膜23也可以是最表层。在第1介电膜23是GaTiZn氧化物膜的情况下，作为最表层，可以设置阻挡膜25或其他组成的膜。即，可以与第1介电膜23的第1面相邻地设置有阻挡膜25或其他组成的膜。
实施例
以下，对为了确认本实施方式的有效性而进行的确认实验的结果进行说明。
将各种组成的4英寸大小的溅射靶接合在由无氧铜组成的背板上。将其安装到基板输送式溅射装置，在基板上进行成膜，制作出具备表1～4所示的层叠膜的层叠结构体。具体而言，在基板上依次层叠第1层、第2层、第3层及第4层。各种组成的膜在以下条件下成膜。另外，溅射膜在同一腔室内连续成膜。并且，ITO膜使用In2O3-10质量％SnO2组成的溅射靶来成膜。
作为基板，使用了5cm见方的玻璃基板(Corning Incorporated Co.,Ltd.制造的EAGLE XG)。
(Ag膜的成膜条件)
成膜开始真空度：7.0×10-4Pa以下
溅射气体：高纯度氩
腔室内溅射气体压力：0.4Pa
直流功率：100W
(ITO膜的成膜条件)
成膜开始真空度：7.0×10-4Pa以下
溅射气体：高纯度氩99vol％+高纯度氧1vol％
腔室内溅射气体压力：0.4Pa
直流功率：100W
(ZnO膜的成膜条件)
成膜开始真空度：7.0×10-4Pa以下
溅射气体：高纯度氩99vol％+高纯度氧1vol％
腔室内溅射气体压力：0.4Pa
交流功率：200W
(GaTiZn氧化物膜的成膜条件)
成膜开始真空度：7.0×10-4Pa以下
溅射气体：高纯度氩99vol％+高纯度氧1vol％
腔室内溅射气体压力：0.4Pa
交流功率：200W
(AlSiZn氧化物膜的成膜条件)
成膜开始真空度：7.0×10-4Pa以下
溅射气体：高纯度氩98vol％+高纯度氧2vol％
腔室内溅射气体压力：0.4Pa
交流功率：200W
另外，关于膜的组成，将各种膜的单个层成膜为500nm的厚度，通过ICP发射光谱分析法分析了该单个层的膜的组成。将分析结果示于表1～4中。
并且，表1～4所示的膜厚以如下方式算出。
首先，关于通过各靶放电一定时间而形成的膜，使用阶梯差测定仪(Bruker公司制造的DEKTAK-XT)测定了膜厚。通过将膜厚除以放电时间而算出溅射速率(通过每单位时间的放电而成膜的膜厚)。
接着，为了形成各目的(目标)膜厚而以规定的放电时间进行成膜，并通过以下关系式算出膜厚。
(膜厚：nm)＝(溅射速率：nm/s)×(放电时间：s)
关于如上所述那样得到的层叠结构体，以如下方式评价了光学特性、耐氯性及耐湿热性。
(光学特性)
使用分光光度计(Hitachi High-Technologies Corporation制造的U-4100)测定了层叠结构体的透射率。将评价结果示于表5～8中。表中记载了在波长380nm至780nm下的透射率的平均值。
(耐氯性)
将层叠结构体在浓度为5mol％的NaCl水溶液中在常温下浸渍24小时，接着，取出层叠结构体，用纯水清洗并干燥，得到评价用样品。用光学显微镜观察样品，并以如下方式进行了评价。如图2A所示，将在整个面观察到变色部的情况评价为“C”(差)。如图2B所示，将局部观察到变色部的情况评价为“B”(一般)。如图2C所示，将未观察到变色部的情况评价为“A”(优良)。将评价结果示于表5～8中。
(耐湿热性)
使用恒温恒湿槽将层叠结构体在温度85℃、相对湿度85％的环境下保持250小时，实施了恒温恒湿试验。使用分光光度计(Hitachi High-Technologies Corporation制造的U-4100)测定了层叠结构体的试验后的透射率。通过下式算出试验前后的透射率的变化量，根据该透射率的变化量评价了耐湿热性。将评价结果示于表5～8中。
(透射率的变化量)＝(试验后的透射率(％))-(试验前的透射率(％))
[表1]
Figure BDA0003609341100000121
[表2]
Figure BDA0003609341100000131
[表3]
Figure BDA0003609341100000141
[表4]
Figure BDA0003609341100000151
[表5]
Figure BDA0003609341100000161
[表6]
Figure BDA0003609341100000162
[表7]
Figure BDA0003609341100000171
[表8]
Figure BDA0003609341100000172
在比较例1中，以与Ag膜的两面相邻的方式进行了ITO膜的成膜。在比较例1中，耐盐水性为“C”。并且，湿热试验前后的透射率的变化量较大，为-3.0％，从而耐湿热性不充分。推测这是因为未能抑制Ag的凝聚。
在比较例2中，以与Ag膜的下表面相邻的方式进行了ZnO膜的成膜，并且以与Ag膜的上表面相邻的方式进行了ITO膜的成膜。在比较例2中，耐盐水性为“C”。并且，湿热试验前后的透射率的变化量较大，为-2.4％，从而耐湿热性不充分。推测这是因为未能抑制Ag的凝聚。
在比较例3中，以与Ag膜的两面相邻的方式进行了ZnO膜的成膜。在比较例3中，耐盐水性为“C”。并且，湿热试验前后的透射率的变化量较大，为-2.6％，从而耐湿热性不充分。推测这是因为未能抑制Ag的凝聚。
相对于此，在本发明例1～57中，以与Ag膜相邻的方式进行了GaTiZn氧化物膜的成膜。在本发明例1～57中，耐盐水性为“B”～“A”。
并且，在本发明例2～57中，作为Ag膜而进行了在合计0.01原子％以上且20.0原子％以下的范围内含有选自In、Sn、Cu、Ge、Sb、Au、Pt、Pd、Mg、Ca及Ti中的一种或两种以上且剩余部分是Ag及不可避免的杂质的膜的成膜。在本发明例2～57中，湿热试验前后的透射率的变化量较小，耐湿热性充分。
此外，在本发明例23～29中，在Ag膜的与基材相反的面侧进行了AlSiZn氧化物膜的成膜。AlSiZn氧化物膜的金属成分包含Al及Si，剩余部分是Zn及不可避免的杂质。在本发明例23～29中，耐盐水性全部为“A”，耐盐水性尤其优异。
由上述确认到，根据本发明例，能够提供一种层叠结构体，该层叠结构体通过抑制由氯引起的Ag膜的凝聚而抑制斑点等缺陷的产生，并且电特性及光学特性优异。
产业上的可利用性
本实施方式的层叠结构体能够恰当地适用于液晶显示器、有机EL显示器、触摸面板等的透明导电配线膜或透明电极、或者低辐射玻璃(Low-E玻璃)、隔热薄膜等的隔热膜。
符号说明
10 层叠结构体
11 基材
20 层叠膜
21 Ag膜
23 介电膜
25 阻挡膜

Claims (8)

1.一种层叠结构体，具备基材和形成于该基材的一面的层叠膜，所述层叠结构体的特征在于，
所述层叠膜具有由Ag或Ag合金组成的Ag膜和与该Ag膜的一面及另一面相邻层叠的介电膜，
与所述Ag膜相邻层叠的所述介电膜中的至少一个介电膜是包含Ga、Ti及Zn的GaTiZn氧化物膜，
所述GaTiZn氧化物膜形成于所述层叠膜的最表层以外的部分。
2.根据权利要求1所述的层叠结构体，其特征在于，
所述GaTiZn氧化物膜是由金属成分和氧组成的氧化物，相对于所述GaTiZn氧化物膜的所有金属成分100原子％，所述GaTiZn氧化物膜的所述金属成分含有0.5原子％以上且20.0原子％以下的Ga、以及0.5原子％以上且20.0原子％以下的Ti，剩余部分是Zn及不可避免的杂质。
3.根据权利要求1或2所述的层叠结构体，其特征在于，
所述GaTiZn氧化物膜的厚度为5nm以上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的层叠结构体，其特征在于，
所述Ag膜在合计0.01原子％以上且20.0原子％以下的范围内含有选自In、Sn、Cu、Ge、Sb、Au、Pt、Pd、Mg、Ca及Ti中的一种或两种以上，剩余部分是Ag及不可避免的杂质。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的层叠结构体，其特征在于，
所述Ag膜的厚度在5nm以上且20nm以下的范围内。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的层叠结构体，其特征在于，
在所述Ag膜的与所述基材相反的面侧配设有AlSiZn氧化物膜，所述AlSiZn氧化物膜是由金属成分和氧组成的氧化物，所述金属成分包含Al及Si，剩余部分是Zn及不可避免的杂质。
7.根据权利要求6所述的层叠结构体，其特征在于，
相对于所述AlSiZn氧化物膜的所有金属成分100原子％，所述AlSiZn氧化物膜的所述金属成分含有0.5原子％以上且20.0原子％以下的Al、以及0.5原子％以上且40.0原子％以下的Si，剩余部分是Zn及不可避免的杂质。
8.根据权利要求6或7所述的层叠结构体，其特征在于，
所述AlSiZn氧化物膜的厚度为10nm以上。
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