JP2003034828A

JP2003034828A - 電磁波シールド用のＡｇ合金膜、電磁波シールド用Ａｇ合金膜形成体及び電磁波シールド用Ａｇ合金スパッタリングターゲット

Info

Publication number: JP2003034828A
Application number: JP2001351572A
Authority: JP
Inventors: Toshiki Sato; 俊樹佐藤; Takayuki Tsubota; 隆之坪田; Junichi Nakai; 淳一中井
Original assignee: Kobe Steel Ltd
Current assignee: Kobe Steel Ltd
Priority date: 2001-02-15
Filing date: 2001-11-16
Publication date: 2003-02-07

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明の目的はＡｇの凝集を抑止することによ
り、優れた耐摩耗性，耐候性を発揮し、しかも優れた可
視光透過性，電磁波シールド特性を有する電磁波シール
ド用のＡｇ合金膜，及び該Ａｇ合金膜を被覆したＡｇ合
金膜形成体を提供することである。また本発明は該Ａｇ
合金膜を製造するためのスパッタリングターゲットを提
供することである。【解決手段】Ｓｃ，Ｙ及び希土類元素よりなる群から
選ばれる少なくとも１種の元素を含有するＡｇ基合金で
構成されていることを特徴とする耐Ａｇ凝集性にすぐれ
た電磁波シールド用Ａｇ合金膜，及びＳｃ，Ｙ及び希土
類元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を
含有するＡｇ基合金で構成されていることを特徴とする
電磁波シールド用Ａｇ合金スパッタリングターゲット。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は耐Ａｇ凝集性に優れ
た電磁波シールド用Ａｇ合金膜に関し、詳細には耐Ａｇ
凝集性に優れ、且つ電磁波シールド特性，可視光透過
性、耐候性にも優れた電磁波シールド用Ａｇ合金膜及び
該Ａｇ合金膜を用いたＡｇ合金膜形成体，更に該Ａｇ合
金膜を基材に形成するためのＡｇ合金スパッタリングタ
ーゲットに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来からＡｇ膜は可視光透過率が高く、
赤外線遮蔽性に優れていることから各種用途に用いられ
ている。例えば自動車等の車両内やハウス等の室内にお
ける冷暖房効率を向上させるために、Ａｇをスパッタリ
ングなどによってガラスなどの透明基体に形成した赤外
線遮蔽用Ａｇ膜透明体が用いられている。またＡｇ膜を
高分子フィルムにコーティングした積層フィルムをガラ
スに張りつけたガラスが使用されている。更にＡｇ膜は
電波遮蔽性にも優れていることから、例えば電波によっ
て誤作動を生じる電子機器類を外部の電波から保護した
り、あるいは電子機器類から生じる電波の放射を抑止す
るために、これら機器類を設置している実験室の窓ガラ
スに上記の様にＡｇ膜を施したり、あるいはこれら機器
類にＡｇ膜やＡｇ膜を施した基体が内装，外装されてい
る。

【０００３】しかしながらＡｇ膜は耐摩耗性が低く、ま
た環境に対する耐久性が十分でないため、湿気などによ
って劣化してしまい長期間使用することが難しかった。
そのためＡｇ膜を厚くするという手段が採られている
が、耐摩耗性，耐久性向上という観点からは十分な解決
がなされておらず、耐用期間を延長することができるも
のの、結局は時間の経過と共にＡｇ膜は劣化してしまう
ため純Ａｇ膜は実用性に欠けていた。尚、厚膜化するこ
とによって電磁波シールド特性（赤外線遮蔽性，電波遮
蔽性）は向上するものの、可視光透過率が減少してしま
い室内が暗くなるという問題を併発する。

【０００４】そこで可視光域での透過性を増大させ、し
かもＡｇ膜の耐摩耗性，耐候性を向上させる技術とし
て、Ａｇ膜を酸化錫、酸化亜鉛や酸化チタンなどの酸化
物や窒化珪素などの窒化物からなる透明誘電体膜でコー
ティングする技術が提案されている。またＡｇ膜とこれ
らの酸化膜や窒化物との密着性を向上させるために、Ａ
ｇ膜と酸化物、窒化物の間にＣｒやＮｉ−Ｃｒ合金層を
挿入する技術も提案されている。

【０００５】この技術によってＡｇ膜の光反射率を低減
できるので、Ａｇ膜の反射光によるぎらぎら感を低減で
きると共に、上記純Ａｇ膜に比べて耐用期間が長いとい
う効果が得られる。しかしながらＡｇは透明誘電体膜で
コーティングされても成膜後に大気中にさらされると透
明誘電体膜自体のピンホールや傷等の欠陥部を起点とし
て凝集して膜切れを起こし易く、膜切れが生じるとＡｇ
膜の導電性が失われて電磁波シールド特性が著しく低下
するという問題を有していた。しかも凝集によってガラ
スやフィルムなどＡｇ膜を施した基体表面に無数の白点
が生じるため、意匠性，商品性を低下させる原因となっ
ていた。

【０００６】この様なＡｇ膜の凝集を改善する技術とし
て様々な技術が提案されている。例えば特開平７−３１
５８７４号には、Ａｇに５〜２０モル％のＰｄ，Ｐｔ，
Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔ
ａからなる群のうち少なくとも1つの元素を添加した金
属薄膜をガラス板の表面上に形成した熱線遮蔽ガラスが
提案されている。

【０００７】また特開平７−３１５８８３号には、透明
基板上に、Ａｇを主成分とする膜を少なくとも１層有す
る熱線遮蔽膜と該熱線遮蔽膜を覆って膜厚０．０３μｍ
以上２００μｍ以下の透明保護膜とを設ける技術が提案
されている。

【０００８】例えば特開平７−３１５８８９号には、ガ
ラス基板の可視光透過率を５％以上、日射吸収率を１５
％以上、更にガラス基板に形成する皮膜の垂直放射率を
０．３以下として、可視光透過率が５０％以上であっ
て、皮膜を形成した主表面とは反対側の主表面からの入
射についての日射熱取得率以上及びこの日射熱取得率が
７０％以下とする熱線遮蔽ガラスが提案されている。

【０００９】更に特開平８−２９３３７９号には、Ａｇ
を主成分としてＰｄをＡｇに対して０．５〜５原子％含
有する金属層を、Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｎからなる群から選ば
れる１種以上の金属酸化物を主成分とする透明誘電体層
で挟む様にして基体上に積層する技術が開示されてい
る。

【００１０】また更に特開平９−１３５０９６号には、
ＡｇにＰｂ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｍｇ，Ａ
ｌよりなる群から選ばれる１種以上の元素を３原子％添
加した電磁波シールド基板が提案されており、更に特開
平１１−２３１１２２号にはＡｇにＰｂ，Ｃｕ，Ａｕ，
Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｍｇ，Ａｌを添加する
ことによってＡｇの耐凝集性向上を図る技術が開示され
ている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】これら提案されている
Ａｇ合金膜によっても、時間の経過と共にＡｇの凝集が
進行してＡｇ合金膜が劣化していた。そのため例えば該
Ａｇ合金膜がコーティングされている面を大気中に露出
した状態で使用するとＡｇ合金膜を覆っている透明膜の
欠陥部を中心に凝集が生じるため、結局はＡｇ合金膜面
を大気に曝さない様にするために合わせガラスや複層ガ
ラスに加工して使用しなくてはならず、製造コストが高
くなるという問題を有していた。また合わせガラスや複
層ガラスにする場合でも、Ａｇ成膜後直ちに合わせガラ
スや複層ガラスに加工しないと白点が発生してしまい、
商品としての使用価値を失ってしまうという問題が生じ
ていた。更に合わせガラスや複層ガラスにした場合であ
っても、長期間使用しているとＡｇ合金膜が劣化してし
まうため、十分な耐久性を有していなかった。

【００１２】本発明はこの様な事情に鑑みてなされたも
のであって、本発明の目的はＡｇの凝集を抑止すること
によって優れた耐久性，耐候性を発揮し、しかも優れた
可視光透過性，電磁シールド特性を有するＡｇ合金膜、
及び該Ａｇ合金膜を形成した基体を提供することであ
る。また本発明は該Ａｇ合金膜を製造するためのスパッ
タリングターゲットを提供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し得た本
発明とは、Ｓｃ，Ｙ及び希土類元素よりなる群から選ば
れる少なくとも１種の元素を含有するＡｇ基合金で構成
されていることに要旨を有する電磁波シールド用Ａｇ合
金膜である。特に該Ａｇ合金膜を赤外線遮断用として用
いるときは上記元素が合計で０．１０〜２０．０原子％
含まれていることが望ましく、該Ａｇ合金膜を電波遮蔽
用として用いるときは上記元素が合計で０．１０〜１
５．０原子％含まれていることが望ましい。

【００１４】更に上記Ａｇ基合金膜に貴金属元素（Ａ
ｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｏｓ）から選ばれ
る少なくとも１種の元素を合計で０．３原子％〜１０原
子％含有させることが推奨される。

【００１５】また本発明のＡｇ合金膜は基体上に形成さ
れていることに要旨を有する電磁波シールド用Ａｇ合金
膜形成体である。この際、前記Ａｇ合金膜の基体側およ
び／または反基体側に、酸化物，窒化物，酸窒化物より
なる群から選ばれる少なくとも１種を含む膜が形成する
ことが望ましい。尚、本発明のＡｇ合金が形成される基
体は透明基体であってもよい。本発明の前記基体が更に
他の透明体と組合せて積層させることも好ましく、この
際、該基体のＡｇ合金膜形成側を内側にしてスペーサー
を介し、または介さずに透明体を積層したものも本発明
の好ましい態様である。

【００１６】更に本発明はＳｃ，Ｙ及び希土類元素より
なる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するＡ
ｇ基合金で構成されていることに要旨を有する電磁波シ
ールド用Ａｇ合金スパッタリングターゲットである。特
に該Ａｇ合金膜を赤外線遮断用として用いるときは上記
元素が合計で０．０９〜２０．０原子％含まれているこ
とが望ましく、該Ａｇ合金膜を電波遮蔽用として用いる
ときは上記元素が合計で０．０９〜１５．０原子％含ま
れていることが望ましい。

【００１７】また上記Ａｇ合金スパッタリングターゲッ
トに貴金属元素（Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉ
ｒ，Ｏｓ）から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で
０．３原子％〜１０原子％含有させることが推奨され
る。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明者らは上記課題を解決すべ
く、Ａｇに種々の元素を添加して作製したＡｇ基合金ス
パッタリングターゲットを用い、スパッタリング法によ
り種々の成分組成からなるＡｇ合金薄膜を基体に形成
し、電磁波シールド用Ａｇ合金膜としての特性を評価し
た。その結果、Ｓｃ，Ｙ及び希土類元素から選ばれる１
種類以上の元素（以下、「添加元素」ということがあ
る。）を含有させたＡｇ基合金を用いてＡｇ合金膜とす
ることで、Ａｇのマイグレーションが抑制され、凝集が
生じにくくなることを見出し、本発明を完成した。以
下、本発明のＡｇ合金膜について説明する。

【００１９】本発明者らの検討結果によれば、Ｓｃ，Ｙ
及び希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種
の元素を含有するＡｇ基合金で構成されたＡｇ合金膜
は、純Ａｇ膜や、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｃ
ｒ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａよりなる群から選ば
れる少なくとも1種の元素を含有するＡｇ基合金で構成
されたＡｇ合金膜と比べて優れた耐Ａｇ凝集性を有する
ため、耐久性（長期間使用してもＡｇ合金膜が劣化しな
い）、及び耐候性（高温，高湿環境に対する耐Ａｇ凝集
性）に優れた特性を示すことが分わかった。特に本発明
に係るＡｇ合金膜は大気中の酸素や水分に対する耐久性
が優れているのでこの様な環境に曝してもＡｇの凝集を
抑止することができる。また添加元素の添加量を適切に
制御することで、電磁波の波長に応じた特性（即ち赤外
線遮蔽性，電波遮蔽性）を発揮し得るＡｇ合金膜を得る
ことができる。尚、本発明で赤外線遮蔽用という場合、
波長（λ）が８×１０^-7ｍ以上の長波長に対する遮蔽性
を意味する。また電波遮蔽用という場合の波長（λ）は
１０^-3ｍ以上の長波長に対する遮蔽性を意味する。

【００２０】本発明に用いられる希土類元素とは３Ａ族
に属する元素である。即ち本発明では、Ｓｃ，Ｙ，ラン
タノイド１５元素，アクチノイド１５元素が用いられ
る。これらの元素は単独で使用してもよいし、二種以上
を併用してもかまわない。

【００２１】これら添加元素の添加量については特に限
定されないが、０．１０原子％以上とすることが望まし
い。Ｓｃ，Ｙ及び希土類元素から選ばれる１種類以上の
元素を０．１０原子％以上添加すれば、Ａｇの表面拡散
に起因する結晶粒の成長を効果的に抑制できる。また
０．１０原子％以上添加したＡｇ基合金は純Ａｇに比べ
て化学的安定性（特に耐候性）に優れているので、高温
高湿環境下に曝されてもＡｇ合金基の凝集抑止効果が高
く、電磁波シールド性も極めて優れている。より好まし
い下限は０．５０原子％であり、最も好ましい下限は
１．０原子％である。

【００２２】またこれら添加元素の添加量の上限は特に
限定されないが、添加量が増加しても元素添加効果が飽
和すると共に、可視光透過率が低下することがあるの
で、赤外線遮蔽用Ａｇ合金膜として用いるときは上限を
２０．０原子％とすることが好ましい。より好ましい上
限は１５．０原子％であり、より更に好ましくは１０．
０原子％であり、最も好ましい上限は５．０原子％であ
る。尚、電波遮蔽用Ａｇ合金膜として用いる場合、添加
元素量が多くなるとＡｇ合金膜の電気抵抗が高くなり、
十分な電波遮蔽性が得られなくなることがあるので、上
限を１５．０原子％とすることが推奨され、より好まし
い上限は１０．０原子％、更に好ましい上限は５．０原
子％である。特に波長１０^-1ｍ以上の長波長に対する優
れた電波遮蔽性を発揮するには該上限を１０．０原子％
として電気抵抗を低減させることが望ましく、更に好ま
しい上限は５．０原子％であって、最も好ましくは３．
０原子％である。

【００２３】本発明のＡｇ合金膜は上記成分を含有し、
残部Ａｇであるが、上記成分に加え更に貴金属元素（Ａ
ｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｏｓ）から選ばれ
る少なくとも１種の元素を合計で好ましくは０，３原子
％以上、より好ましくは０．５原子％以上、更に好まし
くは０．８原子％以上含有させることが推奨される。貴
金属元素の添加量を０．３原子％以上とすると、Ａｇの
耐凝集性を更に向上することができるので望ましい。貴
金属元素を含有させることによって３Ａ族元素の添加量
が微量であっても、優れた耐凝集性を示す。例えば任意
の貴金属元素を０．３原子％以上添加すると共に、３Ａ
族元素を０．２原子％添加した場合と、３Ａ族元素を
１．０原子％以上添加した場合（貴金属元素添加なし）
とを比較すると、ほぼ同等の耐凝集効果を示す。また貴
金属元素合計添加量の上限は好ましくは１０原子％、よ
り好ましくは８原子％、更に好ましくは５原子％であ
る。

【００２４】また電磁波シールド特性及び赤外線遮蔽特
性を向上させる観点からは貴金属元素の中でもＡｕ，Ｐ
ｄ，Ｐｔが好適である。Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，ＯｓはＡ
ｕ，Ｐｄ，Ｐｔに比べてＡｇへの固溶性が低いため、Ｒ
ｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｏｓを添加すると、同量のＡｕ，Ｐ
ｄ，Ｐｔを添加した場合よりも膜の電気抵抗が高くな
り、電磁波シールド特性や赤外線遮蔽特性が劣る。尚、
耐凝集性向上の観点からはいずれの貴金属元素も好まし
い。

【００２５】また用途に応じて本発明の作用を損なわな
い範囲で、上記成分以外の他の成分を添加してもよい。
この様な成分として例えばＴｉ，Ｔａ，Ｃｏ，Ｃｕ等を
積極的に添加しても良い。尚、原料中に予め含まれてい
る不純物が膜中に含まれていてもかまわない。

【００２６】本発明のＡｇ合金膜の厚みは特に限定され
ず、電磁波シールド特性や可視光透過率など要求される
特性に応じて適宜変更すればよい。好ましくは３ｎｍ以
上、２０ｎｍ以下がよい。３ｎｍ以下だと、電磁波シー
ルド特性が十分得られないことがある。より好ましくは
５ｎｍ以上、最も好ましくは８ｎｍ以上である。尚、電
波遮蔽用に用いる場合には膜厚を好ましくは５ｎｍ以
上、より好ましくは８ｎｍ以上、最も好ましくは１０ｎ
ｍである。また十分な可視光透過率を得る観点から２０
ｎｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは１８ｎ
ｍ以下、最も好ましくは１５ｎｍ以下である。

【００２７】本発明ではＡｇ合金膜による可視光の反射
によるぎらぎら感を低下させるために、Ａｇ合金膜の他
にも膜を形成してもよい。例えば基体と電磁波シールド
用Ａｇ合金膜の間に図１に示す如く下地層を設けてもよ
い。基体上に形成する下地層としては特に限定されない
が、可視光透過性の観点から透明性を有するものが好ま
しい。またＡｇ合金膜と基体との密着性を向上させる目
的で下地層を設けてもよい。更に下地層が導電性を有す
るものであれば熱線遮蔽効果，電磁波シールド効果も向
上するので望ましく、所望の目的に応じた特性を有する
組成の下地層を適宜選択すればよい。

【００２８】この様な下地層としては酸化亜鉛，酸化
錫、酸化チタン、酸化インジウム，ＩＴＯ，酸化イット
リウム、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムなどの酸
化物を主成分とする酸化膜、窒化珪素，窒化アルミニウ
ム，窒化硼素等の窒化物を主成分とする窒化膜、サイア
ロン等の酸窒化物を主成分とする酸窒化膜が例示され
る。勿論、例えば上記した様な酸化物単独、あるいは２
種以上の混合酸化物、または酸化物以外の混合物を用い
て膜としてもよく、膜の組成は特に限定されない。

【００２９】これらの下地層は単層，複層いずれであっ
てもよく、複層とする場合は上記例示した下地膜と該下
地膜以外の組成の膜とを組合せて複層としてもよい。こ
れらのうち、酸化チタンなど高屈折率を有するものを下
地層として用いると光反射を抑止しつつ、十分な可視光
透過性が得られるので望ましい。

【００３０】下地膜の形成方法は特に限定されず、下地
膜の組成に適した方法を用いて基体上に形成すればよ
く、例えばスパッタリング法，プラズマＣＶＤ法，ゾル
ゲル法などがある。

【００３１】下地膜の膜厚は特に限定されないが、通常
１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度とすることが推奨される。
１０ｎｍより薄いと所望の目的、例えば十分な可視光透
過率を確保しつつ光反射率の低減を達成し得ないことが
ある。また１０００ｎｍより大きくなると膜応力により
密着性が低下することがあるので望ましくない。

【００３２】勿論、下地層と同様の目的に加え、耐久性
や耐候性を更に向上させるため、あるいは使用環境に応
じて耐薬品性，耐摩耗性，耐傷性，耐Ａｇ凝集性などの
特性を更に向上させるためにＡｇ合金膜上に図２に示す
如く保護膜を設けてもよい。

【００３３】電磁波シールド用Ａｇ合金膜上に形成する
保護層としては特に限定されないが、可視光透過性の観
点から透明性を有するものが好ましく、また酸素や水分
に対する耐久性の観点から非晶質膜であることが推奨さ
れる。この様な保護層としては上記下地膜と同様の組成
を有する膜を用いても良いてもよく、上記下地層として
例示した膜が保護層として望ましい。これらのうち、耐
摩耗性，耐傷性の観点から酸化アルミニウム，窒化珪
素，窒化アルミニウム，窒化硼素，サイアロンなどから
適宜選択して保護層とすることが望ましい。これらの保
護層は単層，複層いずれであってもよい。また複層とす
る場合、上記例示した保護層と該保護層以外の組成の膜
とを組合せて複層としてもよい。

【００３４】保護層の形成方法は特に限定されず、保護
層の組成に適した方法を用いてＡｇ合金膜上に形成すれ
ばよく、例えばスパッタリング法，プラズマＣＶＤ法，
ゾルゲル法などが例示される。

【００３５】保護膜の膜厚は特に限定されないが、通常
１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度とすることが推奨される。
１０ｎｍより薄いと耐摩耗性，耐傷性が十分得られない
ことがある。また１０００ｎｍより大きくなると膜応力
による密着性が低下することがあるので望ましくない。

【００３６】尚、基体上に，下地層，Ａｇ合金膜，保護
層が交互に積層されていても良い。この際、Ａｇ合金膜
と下地層および／または保護層の密着性を向上するため
に、該膜間にＮｉ，Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃｒ合金などの金属層
を設けてもよい。

【００３７】本発明のＡｇ合金膜（あるいは下地層）を
形成する基体としてはガラス、プラスチック、樹脂フィ
ルムなどが例示されるが、窓ガラスなど可視光透過を必
要とする用途に用いる場合は、透明性（即ち可視光透過
性）を有する基体を持ちいることが望ましく、可視光が
透過できるものであれば、その材質，組成，厚さ等につ
いて特に限定されない。また基体に透明性が要求されな
い場合、即ち電子機器類にＡｇ合金膜を内装，外装する
など電波遮蔽を主目的としてＡｇ合金膜を用いる際には
基体の種類，組成，透明性，厚さ，材質などについては
特に限定されない。

【００３８】本発明では基体を単独、あるいは複数用い
てもよく、その組合せは特に限定されず、更なる特性の
向上を目的として、種々の基体および／または少なくと
も１層の電磁波シールド用Ａｇ合金膜，更には所望に応
じて下地層，保護層を組み合わせて複数層としてもよ
く、本発明ではＡｇ合金膜形成体の構成を限定する趣旨
ではない。

【００３９】即ち、本発明のＡｇ合金膜形成体は基体に
上記電磁波シールド用Ａｇ合金膜が形成されていればよ
く、また本発明のＡｇ合金膜形成体はＡｇ合金膜の少な
くとも一方側（基体側および／または反基体側）に上記
酸化物，窒化物，酸窒化物よりなる群から選ばれる少な
くとも１種を含む膜が保護層として形成されていてもよ
い。

【００４０】例えば可視光透過を必要とする用途に用い
る場合、Ａｇ合金膜等が室内側面となる様に形成するこ
とが推奨される。室外側に形成すると外的要因（小石や
埃など）によって膜にキズが生じる可能性が大きいので
好ましくない。また室内側に設置していても外的要因に
より膜にキズが生じることがあるので、通常はＡｇ合金
膜等を形成した膜が外の環境に直接露出しない様な状態
で用いることが望ましい。したがって本発明に係るＡｇ
合金膜形成体は基体単層であってもよいが、Ａｇ合金膜
を外的要因より保護の観点から、基体を複数組合せた複
層としてもよい。複層とする場合の組合せとしては特に
限定されないが、基体として透明性を有するガラスを用
いた場合を例示すると、複層ガラス、合わせガラスなど
が例示される。尚、生活環境によって要求される室内の
断熱性，防音性などを考慮すると耐久性の観点から基体
は複層ガラス，或いは合わせガラスとすることが推奨さ
れる。複層ガラスとする場合の組合せは特に限定され
ず、図３が例示される。複層ガラスとしては、例えば複
数枚のガラス板を用い、隣接するガラス板間にスペーサ
ー等を設け空気層を設ける様に密閉シールしたものが望
ましい。この際、ガラス板間における腐食を防止する観
点から空気層に乾燥空気や窒素ガスを封入することが好
ましい。またＡｇ合金膜は外側ガラスの空気層側面ある
いは内側ガラスの空気層側面に形成すると、工場製作時
における傷つき防止を図ることができるので望ましい。

【００４１】また本発明のＡｇ合金膜を可視光透過を必
要としない用途に用いる場合、例えば電子機器類など電
波遮蔽が要求される機器類のカバーの内側および／また
は外側にＡｇ合金膜を形成してもよく、あるいは電波遮
蔽用板の任意の面にＡｇ合金膜を形成してもよい。もち
ろん上記の如くＡｇ合金膜を外的要因から保護するため
に複層としてもよく、用途に応じて、下地層，保護層な
どを形成してもよい。もちろんＡｇ膜を高分子フィルム
などにコーティングした積層フィルムを基体に張りつけ
て機器類にＡｇ膜を内装，外装させてもよい。

【００４２】本発明に係るＡｇ合金膜はスパッタリング
法により基体上に形成することが推奨される。純Ａｇ膜
をスパッタリング等の成膜プロセスにより基体上に形成
すると膜厚が数十ｎｍ程度までは、しま状膜になってお
り、Ａｇの表面エネルギーが高い状態になっており、Ａ
ｇ膜が直接空気と触れるとＡｇの表面エネルギーが更に
高まるため、表面エネルギーを下げるためにＡｇの凝集
が起こり易くなると考えられる。しかしながらＹ，Ｓ
ｃ，希土類元素を添加したＡｇ合金膜は、Ａｇの表面エ
ネルギーが低いため、Ａｇの表面拡散は抑制され、凝集
を抑止できると考えられる。このＡｇ合金膜に貴金属元
素を加えるとさらに表面エネルギーが低下してＡｇの凝
集がより抑制されると考えられる。また本発明に係る添
加元素（Ｙ，Ｓｃ，希土類元素）は、平衡状態ではＡｇ
に対する固溶限が極めて小さいが、スパッタリング法に
より形成された膜は、スパッタリング法固有の気相冷却
によって非平衡固溶が可能になるため、その他の成膜方
法でＡｇ合金膜を形成した場合に比べ、上記合金元素が
Ａｇマトリックス中に均一に存在し、その結果、基体−
Ａｇ合金膜密着性が優れていると共に、電磁波シールド
特性にも極めて優れている。

【００４３】また上記Ａｇ合金膜を成膜する際に用いる
スパッタリングターゲットとしては、Ｓｃ，Ｙ及び希土
類元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種類以上の
元素を含有するＡｇ基合金で構成されているターゲット
を用いれば良い。スパッタリングターゲット材として、
溶解・鋳造法で作製したＡｇ基合金（以下、「溶製Ａｇ
基合金ターゲット材」ということがある。）を使用する
ことが好ましい。係る溶製Ａｇ基合金ターゲット材は組
織的に均一であり、またスパッタ率及び出射角度が均一
なため、成分組成が均一なＡｇ基合金膜が安定して得ら
れる結果、より高性能なＡｇ合金膜形成体が得られる。
尚、上記溶製Ａｇ基合金ターゲット材の酸素含有量を制
御すれば（好ましくは１００ｐｐｍ以下）、膜形成速度
を一定に保持し易くなり、またＡｇ基合金膜中に酸素量
も低くできるので、該Ａｇ合金膜の耐食性を高めること
ができる。

【００４４】尚、Ｓｃ，Ｙ及び希土類元素よりなる群か
ら選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．１０〜２
０．０原子％含有する電磁波シールド用Ａｇ合金膜を得
るためのスパッタリングターゲットとしてはＡｇを主成
分として、Ｓｃ，Ｙ及び希土類元素よりなる群から選ば
れる少なくとも１種の元素が０．０９原子％以上２０．
０原子％以下（尚、電波遮蔽用として用いる場合の上限
は１５．０原子％以下）含まれているターゲットを用い
ればよい。

【００４５】スパッタリング法の条件は特に限定され
ず、公知のスパッタリング法を用いればよい。スパッタ
リング法によってターゲット組成と同一の組成比率を有
する熱線遮蔽用Ａｇ合金膜が基体上に形成されるが、種
々の条件設定によっては、Ａｇまたは合金元素が多少濃
縮されることがあり、ターゲット組成とＡｇ合金膜組成
に微差（小数点以下第２位）が見られるが、スパッタリ
ング時の条件（例えばパワー）を調整すれば上記所望の
添加量を有する電磁波シールド用Ａｇ合金膜を得ること
ができる。

【００４６】好ましい赤外線遮蔽用スパッタリングター
ゲットとしてはＡｇを主成分としてＳｃ，Ｙ及び希土類
元素から選ばれる１種類以上の元素を合計で０．０９原
子％以上，２０．０原子％以下，より好ましくは０．４
９原子％以上，１５．０原子％以下，最も好ましくは
０．９９原子％以上，１０．０原子％以下である。

【００４７】また好ましい電波遮蔽用スパッタリングタ
ーゲットとしてはＡｇを主成分としてＳｃ，Ｙ及び希土
類元素から選ばれる１種類以上の元素を合計で０．０９
原子％以上，１５．０原子％以下，より好ましくは０．
４９原子％以上，１０．０原子％以下，最も好ましくは
０．９９原子％以上，５．０原子％以下である。

【００４８】また上記成分に加え更に貴金属元素（Ａ
ｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｏｓ）から選ばれ
る少なくとも１種の元素を合計で好ましくは０，３原子
％以上、より好ましくは０．５原子％以上、更に好まし
くは０．８原子％以上含有させることが推奨される。貴
金属元素の添加量を０．３原子％以上とすると、Ａｇの
耐凝集性を更に向上することができるので望ましい。ま
た貴金属元素合計添加量の上限は特に限定されないが、
好ましくは１０原子％、より好ましくは８原子％、更に
好ましくは５原子％である。

【００４９】この様にＡｇに上記添加元素を添加したス
パッタリングターゲットを用いた電磁波シールド用Ａｇ
合金膜は、電磁波シールド特性（赤外線遮蔽性，電波遮
蔽性）に優れると共に、可視光透過性，耐久性，耐候
性，耐Ａｇ凝集性に優れるものである。

【００５０】勿論スパッタリング法以外にも真空蒸着法
等の物理蒸着法やＣＶＤ法などの化学蒸着法を用いても
よい。

【００５１】以下実施例に基づいて本発明を詳述する。
尚、下記実施例は本発明を限定する趣旨のものではな
く、前・後記の趣旨を逸脱しない範囲で変更を加えて実
施することは全て本発明の技術範囲に包含される。

【００５２】

【実施例】実施例１Ｔｉを主成分とするターゲットを用いて、スパッタリン
グ法（Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気下）によって透明基
体（無色フロートガラス：板厚３ｍｍ，サイズ２ｃｍ×
４ｃｍ）上に酸化チタンを成膜した（膜厚３０ｎｍ）も
のを各試験用基体とした。該基体を用いて表１に示す各
ターゲットを、スパッタリング法（Ａｒガス雰囲気下）
により酸化チタン上に膜厚が１０ｎｍ程度になる様に制
御してＡｇ合金（またはＡｇ）膜の成膜を行なった。そ
の後、再びＴｉを主成分とするターゲットを用いて、ス
パッタリング法（Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気下）によ
ってＡｇ合金（Ａｇ）膜上に酸化チタンを２０ｎｍ成膜
し、透明基体上に酸化チタン／Ａｇ合金（またはＡｇ）
膜／酸化チタンの３層構造の膜を形成した電磁波シール
ド用Ａｇ合金膜形成体を得た。またＡｇ合金膜の組成を
調べるために、上記各Ａｇ合金ターゲットを用いて上記
と同一条件のスパッタリング法によってフロートガラス
上にＡｇ合金のみを形成し、ＩＣＰ法により膜の組成を
求めた（表１参照）。得られた電磁波シールド用Ａｇ合
金膜形成体のシート抵抗値、可視光透過率を測定した。
また高温高湿試験（８５℃、９５％Ｒｈ、４８時間放
置）を行なった後、Ａｇの凝集の有無を調べると共にシ
ート抵抗値についても測定した。尚、シート抵抗値は四
探針法により求めた。またＡｇの凝集については、肉眼
及び光学顕微鏡観察（倍率２００倍）により調べた。可
視透過率はＪＩＳＲ３１０６に基づいて測定した。結
果を表１に示す。

【００５３】

【表１】

【００５４】試験例１（純Ａｇ）の電磁波シールド用Ａ
ｇ合金膜形成体は高温高湿試験後、ガラス表面に白色点
が肉眼で認められ、Ａｇの凝集が認められた（表中×で
評価）。一方、試験例２〜１２については肉眼で白色点
は認められなかった。更に倍率２００倍の光学顕微鏡で
観察したところ、Ａｇ合金膜中の添加元素（Ｓｃ，Ｙ，
Ｌａ）量が１．０原子％未満の試験例２〜４では白点が
認められたが（表中△で評価）、膜中合金組成における
添加元素が１．０原子％以上の試験例５〜１２について
は白点は全く認められなかった（表中○で評価）。

【００５５】一方、添加元素（Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，
Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ）の添加量が増えるに従ってシート抵
抗（電気抵抗）が増加し、同時に可視光透過率が減少す
る傾向を示した。一般に電磁波シールド用Ａｇ合金膜形
成体ガラスとしては、視認性や眺望性を確保する観点か
ら可視光透過率は５０％以上が好ましい。また通常、赤
外線遮蔽性を確保するためのシート抵抗値は４０Ω／□
あれば十分であるが、電波遮蔽性を確保するためにのシ
ート抵抗値上限は３０Ω／□である。したがって表１か
ら赤外線遮蔽性確保の観点からは添加元素（Ｓｃ，Ｙ，
Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ）の添加量は２０原子％
以下であればよいことがわかり、電波遮蔽性を確保する
観点からは該添加量は１５．０原子％以下であればよい
ことがわかる。更に高温高湿試験後に各Ａｇ合金膜形成
体のシート抵抗値を測定した結果、試験例１はシート抵
抗値が大きく上昇したが、試験例２〜１２のシート抵抗
値の上昇は少なく、全て４０Ω／□以下であり、特に添
加元素組成が１．０原子％以上である試験例５〜１２で
は、ほとんどシート抵抗の上昇は見られなかった。

【００５６】実施例２Ｚｎを主成分とするターゲットを用いてスパッタリング
法（Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気下）によって透明基体
（無色フロートガラス：板厚３ｍｍ，サイズ２ｃｍ×４
ｃｍ）上に酸化亜鉛を成膜した（膜厚３０ｎｍ）ものを
各試験基体とした。該基体を用いて表２に示す各ターゲ
ット（試験例１３〜２３）を、スパッタリング法（Ａｒ
ガス雰囲気下）により酸化亜鉛上に表２に示す膜厚とな
る様に制御してＡｇ合金膜の成膜を行なった。その後、
再びＺｎを主成分とするターゲットを用いて、スパッタ
リング法（Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気下）によって各
Ａｇ合金膜上に酸化亜鉛を２０ｎｍ成膜したＡｇ合金膜
形成体を得た。得られたＡｇ合金膜形成体のシート抵抗
値、可視光透過率、Ａｇ合金膜の組成を実施例１と同じ
方法で測定（表２参照）すると共に、高温高湿試験を行
なった。

【００５７】

【表２】

【００５８】表２より、膜厚が３ｎｍ未満となるとシー
ト抵抗が４０Ω／□を超えることが分かる。また膜厚が
２０ｎｍを超えると可視光透過率が５０％未満となり、
膜厚としては３ｎｍ以上、２０ｎｍ以下が光学特性上適
性な膜厚であることが分かる。実施例１と同様に高温高
湿試験を実施したが、何れの試験例もＡｇ合金膜の凝集
は認められなかった。尚、Ａｇ合金膜の組成はターゲッ
ト組成とほぼ同じ値を示した。

【００５９】実施例３Ａｌを主成分とするターゲットを用いて、スパッタリン
グ法（Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気下）によって透明基
体（無色フロートガラス：板厚３ｍｍ，サイズ２ｃｍ×
４ｃｍ）上に酸化アルミニウムを成膜した（膜厚２０ｎ
ｍ）ものを各試験用基体とした。該基体を用いて表３に
示す各ターゲットを、スパッタリング法（Ａｒガス雰囲
気下）により酸化アルミニウム上に膜厚が１５ｎｍ程度
になる様に制御してＡｇ合金（またはＡｇ）膜の成膜を
行なった。その後、再びＡｌを主成分とするターゲット
を用いて、スパッタリング法（Ａｒと酸素の混合ガス雰
囲気下）によってＡｇ合金（Ａｇ）膜上に酸化アルミニ
ウムを４０ｎｍ成膜し、透明基体上に酸化アルミニウム
／Ａｇ合金（またはＡｇ）膜／酸化アルミニウムの３層
構造の膜を形成した電磁波シールド用Ａｇ合金膜形成体
を得た。またＡｇ合金膜の組成を調べるために、上記各
Ａｇ合金ターゲットを用いて上記と同一条件のスパッタ
リング法によってフロートガラス上にＡｇ合金のみを形
成し、ＩＣＰ法により膜の組成を求めたところ、膜の組
成はターゲットの組成とほぼ一致した。得られた電磁波
シールド用Ａｇ合金膜形成体のシート抵抗値、可視光透
過率を測定した。また高温高湿試験（８５℃、９５％Ｒ
ｈ、４８時間放置）を行なった後、投影機を用いてガラ
ス表面を１０倍に拡大してＡｇの凝集点（白色点）の個
数を数えた。尚、シート抵抗値は四探針法により求め、
可視透過率はＪＩＳＲ３１０６に基づいて測定した。
結果を表３に示す。

【００６０】

【表３】

【００６１】純Ａｇ膜（試験例２４）は白色点が多数発
生し、評価試験後のシート抵抗も大きく上昇した。これ
に対し、試験例２５〜４６は何れも純Ａｇ膜に比べて白
色点は減少しているものの以下の相違点が見られた。試
験例２５（貴金属元素の添加がなく、またＮｄ添加量の
少ない）、試験例２６，試験例２８（貴金属元素添加量
が０．３未満）、試験例２７（Ｎｄ添加量が少ない）、
及び試験例３８（３Ａ族元素が添加されていない）は試
験例２９〜３７，３９〜４６よりも白色点が多く、また
シート抵抗も凝集試験前に比べて凝集試験後の値が高く
なっている。一方、試験例２９〜３７，３９〜４６は白
色点の発生がほとんどなく、またシート抵抗値の変化も
凝集試験前後でほぼ同一の値を示し、優れた耐凝集性を
有していた。

【００６２】Ａｕを１２原子％添加した試験例４５は、
シート抵抗値が３０Ω／□を超え、また可視光透過率も
５０％以下となっており、視認性，眺望性確保及び電磁
波遮蔽性は他の試験例よりも劣っている。一方、貴金属
を１０原子％以下添加した試験例は、シート抵抗が３０
Ω／□以下であって、可視光透過率も５０％以上であ
り、より好ましい結果を示した。またＲｈ，Ｒｕは同量
添加したＡｕ，Ｐｄに比べて高いシート抵抗値を示し、
電磁波シールド特性はＡｕ，Ｐｄがより優れていた。

【００６３】

【発明の効果】本発明の電磁波シールド用Ａｇ合金は以
上の様に優れた耐Ａｇ凝集性，熱線遮蔽特性，可視光透
過率、耐候性，耐久性を有する。特に赤外線遮蔽性に優
れた構成を有する本発明のＡｇ合金膜は熱線遮蔽性に優
れているので窓ガラスなどに用いると十分な可視光透過
性と共に室内の冷暖房効率を向上させることができる。
また電波遮蔽性に優れた構成を有する本発明のＡｇ合金
膜を電子機器類に用いると外部の電波による誤作動から
保護でき、また電子機器類から生じる電波の放射を抑止
することができるので望ましい。また電波遮蔽性に優れ
た構成を有するＡｇ合金膜を窓ガラスなどに用いること
によって十分な可視光透過性を確保でき、しかも電波遮
蔽効果，赤外線遮蔽効果を発揮することができる。本発
明のＡｇ合金スパッタリングターゲットによって形成さ
れた電磁波シールド用Ａｇ膜も同様に各種特性に優れて
いる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の電磁波シールド用Ａｇ合金膜を
基体上に形成したＡｇ合金膜形成体の基本構造の一例を
示す模式図である。

【図２】図２は基体上に下地層，電磁波シールド用Ａｇ
合金膜，保護層を形成したＡｇ合金膜形成体の基本構造
の一例を示す模式図である。

【図３】図３は本発明のＡｇ合金膜形成体を用いて構成
した複層透明体の基本構造の一例を示す模式図である。

【符号の説明】

１．基体２．電磁波シールド用Ａｇ合金膜３．室外４．室内５．下地層６．保護層７．空気層８．スペーサー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中井淳一神戸市西区高塚台１丁目５番５号株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内Ｆターム(参考） 2K009 BB02 CC03 CC12 CC14 CC45 DD04 EE03 4K029 AA09 AA24 BA22 BA48 BA49 BB02 BD00 CA05 DC04 5E321 BB23 BB53 GG05 GH01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｓｃ，Ｙ及び希土類元素よりなる群から
選ばれる少なくとも１種の元素を含有するＡｇ基合金で
構成されていることを特徴とする耐Ａｇ凝集性に優れた
電磁波シールド用Ａｇ合金膜。
【請求項２】Ｓｃ，Ｙ及び希土類元素よりなる群から
選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．１０〜２
０．０原子％含み、赤外線遮蔽用として用いられる請求
項１に記載のＡｇ合金膜。
【請求項３】Ｓｃ，Ｙ及び希土類元素よりなる群から
選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．１０〜１
５．０原子％含み、電波遮蔽用として用いられる請求項
１に記載のＡｇ合金膜。
【請求項４】貴金属元素から選ばれる少なくとも１種
の元素を合計で０．３原子％〜１０原子％含む請求項１
〜３のいずれかに記載のＡｇ合金膜。
【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載のＡｇ合
金膜が基体上に形成されているＡｇ合金膜形成体。
【請求項６】請求項１〜４のいずれかに記載のＡｇ合
金膜の基体側に、酸化物，窒化物，酸窒化物よりなる群
から選ばれる少なくとも１種を含む膜が下地層として形
成され、および／または反基体側に酸化物，窒化物，酸
窒化物よりなる群から選ばれる少なくとも１種を含む膜
が保護層として形成されているＡｇ合金膜形成体。
【請求項７】前記基体が透明基体である請求項５また
は６に記載のＡｇ合金膜形成体。
【請求項８】前記透明基体に透明体を積層したもので
ある請求項７に記載のＡｇ合金膜形成体。
【請求項９】前記透明基体のＡｇ合金膜形成側を内側
にしてスペーサーを介し、または介さずに透明体を積層
したものである請求項８に記載のＡｇ合金膜形成体。
【請求項１０】Ｓｃ，Ｙ及び希土類元素よりなる群か
ら選ばれる少なくとも１種の元素を含有するＡｇ基合金
で構成されていることを特徴とする電磁波シールド用Ａ
ｇ合金スパッタリングターゲット。
【請求項１１】Ｓｃ，Ｙ及び希土類元素からなる群か
ら選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０９〜２
０．０原子％含み、赤外線遮蔽用として用いられる請求
項１０に記載のＡｇ合金スパッタリングターゲット。
【請求項１２】Ｓｃ，Ｙ及び希土類元素からなる群か
ら選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０９〜１
５．０原子％含み、電波遮蔽用として用いられる請求項
１０に記載のＡｇ合金スパッタリングターゲット。
【請求項１３】貴金属元素から選ばれる少なくとも１
種の元素を合計で０．３原子％〜１０原子％含む請求項
１０〜１２のいずれかに記載のＡｇ合金スパッタリング
ターゲット。