KR101112541B1 - 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 - Google Patents
유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101112541B1 KR101112541B1 KR1020040093561A KR20040093561A KR101112541B1 KR 101112541 B1 KR101112541 B1 KR 101112541B1 KR 1020040093561 A KR1020040093561 A KR 1020040093561A KR 20040093561 A KR20040093561 A KR 20040093561A KR 101112541 B1 KR101112541 B1 KR 101112541B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- organic semiconductor
- gate
- drain electrode
- thin film
- film transistor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 229910000667 (NH4)2Ce(NO3)6 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- -1 Organic Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 54
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 17
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003184 C60 fullerene group Chemical group 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- BYBCMKKXISPQGR-UHFFFAOYSA-N pyrrole-2,5-dione;styrene Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1.C=CC1=CC=CC=C1 BYBCMKKXISPQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 125000005556 thienylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
- H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
우선 절연 기판 위에 게이트선을 형성하고, 게이트선을 덮는 유기 절연 물질의 게이트 절연층을 형성한다. 이어, 게이트 절연층 위에 상온에서 비정질의 ITO막을 적층하고 감광막 패턴을 이용한 습식 식각 공정으로 패터닝하여 데이터선 및 드레인 전극을 형성한다. 이때, 식각액은 크롬 식각액을 이용한다. 이어, 감광막 패턴을 제거한 다음, 어닐링 공정을 실시하여 비정질의 ITO막을 준 결정화한다. 이어, 유기 반도체를 형성한 다음 드레인 전극을 노출하는 접촉구를 가지는 보호막을 형성하고, 접촉구를 통하여 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성한다.
반도체, 유기, 박막 트랜지스터, ITO, 준결정화, 비정질
Description
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고,
도 2는 도 1의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절단하여 도시한 단면도이고,
도 3, 도 5, 도 7, 도 9 및 도 11은 본 발명의 도 1 및 도 2의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 단계를 그 공정 순서에 따라 도시한 배치도이고,
도 4는 도 3의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 IV-IV' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 6은 도 5의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 VI-VI' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 7은 크롬 식각액으로 ITO막을 식각한 다음, ITO막의 단면 및 측벽을 나타낸 사진이고,
도 9는 도 8의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 IX-IX' 선을 따라 잘 라 도시한 단면도이고,
도 11은 도 10의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 X-X' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 13은 도 12의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 XIII-XIII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
121 ; 게이트선 124 ; 게이트 전극
140 ; 게이트 절연층 154 ; 유기 반도체층
164 ; 절연층 173 ; 소스 전극
171 ; 데이터선 175 ; 드레인 전극
180 ; 보호막 181, 182, 185 ; 접촉구
190 ; 화소 전극 81, 82 ; 접촉 보조 부재
본 발명은 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 박막 트랜지스터의 채널이 형성되는 반도체층이 유기 물질로 이루어진 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
차세대 디스 플레이의 구동 소자로서 유기 반도체를 이용한 전계 효과 트랜지스터에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 일반적으로 유기 반도체는 크게 재 료적 측면에서 oligothiophene, pentacene, phthalocyanine, C60 등의 저분자 재료와 polythiophene 계열, polythienylenevinylene 등의 고분자 재료로 나뉜다. 저분자 유기 반도체는 전하 이동도(Mobility)가 0.05 내지 1.5로서 우수하며, 점멸비 등의 특성도 우수하다. 그러나, 섀도우 마스크(Shadow mask)를 이용하여 진공 증착을 통해 유기 반도체를 적층하고 패터닝하여야 하므로 공정이 복잡하고, 생산성이 떨어져 양산 측면에서 문제가 많다. 반면, 고분자 유기 반도체는 전하 이동도가 0.001 내지 0.1로서 다소 낮지만 용매에 녹여 기판 상에 코팅 또는 프린팅이 가능하므로 대면적 표시판에 유리하고 양산성이 높다는 장점이 있다. 이러한 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터는 가볍고 얇아서, 대면적과 대량으로 생산 가능한 차세대 표시 장치의 구동 소자로서 평가받고 있다.
하지만, 유기 반도체는 막질의 특성이 약하여 후속 공정에 따른 증착 조건 또는 식각 조건에서 쉽게 박막 특성이 변하거나, 박막이 손상되는 문제점이 발생하며, 이는 박막 트랜지스터의 특성을 저하시키는 원인으로 작용한다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 유기 반도체와 연결되는 신호선을 먼저 적층하고 패터닝한 다음 유기 반도체를 그 상부에 형성하는 것이 바람직하다.
이때, 신호선을 이루는 도전 물질은 유기 반도체와의 전기적 특성과 그 하부의 게이트 절연막과의 접착 특성을 고려하여 선정되어야 한다. 이와 조건에 만족하는 도전 물질로 금(Au) 또는 금 합금(Au alloy), 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴 합금(Mo Alloy) 및 니켈(Ni) 등을 들 수 있다. 금은 저저항을 가지는 동시에 유기 반도체와 접촉하여 박막 트랜지스터의 특성을 안정적으로 확보할 수 있는 장점을 가진다. 그러나, 금 또는 금 합금은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어진 게이트 절연막과의 접촉 특성이 취약하다는 단점을 가지고 있다. 또한, 금과 함께 큰 일 함수(work function)를 가지는 몰리브덴과 니켈은 제조 공정시 표면 산화막이 형성되어 박막 트랜지스터의 전류 특성을 저하시키는 단점을 가지고 있다.
최근에 박막 트랜지스터의 전기적 특성과 유기 반도체의 접촉 특성을 안정적으로 확보할 수 있는 도전 물질 중 ITO(indium tin oxide)를 이용하여 신호선을 형성하는 기술이 "SID 2004 DIGEST, pp1298-1301"에 발표되었다.
하지만, ITO막은 특히 유기 물질의 게이트 절연막과 접촉 특성이 취약하다는 단점을 가지고 있으며, 이로 인하여 ITO의 신호선은 대형의 표시 장치에 적용하기 어려운 문제점을 가지고 있다.
본 발명은 안정적인 접촉 특성 및 전기적인 특성을 가지는 신호선을 포함하는 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 ITO를 20-35°의 상온 범위에서 저온 증착으로 적층하고, 크롬 식각액(HNO3/(NH4)2Ce(NO3)
6/H2O)을 이용하여 패터닝한다. 이때, HNO3:(NH4)2Ce(NO3)6:H2O의 성분비는 3-6w%:8-14w%:80-90w%인 것이 바람직하다.
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판은 절연 기판 위에 게이트 전극을 가지는 게이트선이 형성되어 있고, 그 상부에는 게이트선을 덮으며, 유기 절연 물질로 이루어진 게이트 절연층이 형성되어 있다. 게이트 절연층 상부에 ITO막으로 이루어져 있으며, 게이트선과 교차하는 데이터선 및 게이트 전극을 중심으로 데이터선 일부와 마주하는 드레인 전극이 형성되어 있다. 게이트 절연층의 상부에는 게이트 전극과 중첩하며, 데이터선의 일부인 소스 전극과 드레인 전극의 일부를 덮는 유기 반도체가 형성되어 있다. 유기 반도체 상부에는 보호막이 형성되어 있고, 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극이 형성되어 있다.
ITO막은 준 결정 상태이며, 게이트 절연층과 접하는 접촉 계면서부터 상부 표면까지 균일하게 준 결정 상태인 것이 바람직하다.
ITO막은 측벽이 테이퍼 구조로 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에서는, 절연 기판 위에 게이트선을 형성하고, 게이트선을 덮는 게이트 절연층을 형성한다. 이어, 게이트 절연층 위에 20-35℃ 상온 범위에서 ITO막을 적층하고 패터닝하여 소스 전극을 가지는 데이터선 및 드레인 전극을 형성한다. 이어, 유기 반도체층을 형성한 다음 패터닝하여 유기 반도체를 형성하고, 유기 반도체, 데이터선 및 드레인 전극 위에 보호막을 형성하고, 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성한다.
게이트 절연막은 유기 절연 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
ITO막을 패터닝한 다음, ITO막을 어닐링하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하며, 어닐링 온도는 180℃ 이상에서 1-3시간동안 진행하는 것이 바람직하다.
데이터선 및 드레인 전극 형성 단계에서 상기 ITO은 크롬 식각액으로 습식 식각하며, 크롬 식각액은 (HNO3/(NH4)2Ce(NO3)6/H
2O)이고, HNO3:(NH4)2Ce(NO3)6:H2
O의 성분비는 3-6w%:8-14w%:80-90w%이 바람직하다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 표시판 구조를 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 표 시판의 구조를 도시한 단면도로서, 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절단하여 도시한 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 표시판은 투명한 절연 기판(110) 위에 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며, 각 게이트선(121)의 일부는 돌출되어 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)을 이룬다. 이때, 게이트선(121)의 일단(129)은 외부 회로 또는 다른 층과의 연결을 위하여 폭이 확장되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호의 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 금, 은, 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속으로 이루어진 도전막을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 물리적 성질이 다른 둘 이상의 도전막을 포함할 수 있는데, 즉 하나의 도전막은 저저항의 도전 물질로 이루어지며, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 IZO(indium zinc oxide) 또는 ITO(indium tin oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금[보기: 몰리브덴-텅스텐(MoW) 합금], 크롬(Cr) 등의 도전 물질로 이루어진 것이 바람직하다.
게이트선(121)의 측면은 각각 경사져 있으며 그 경사각은 기판(110)의 표면에 대하여 약 30-80°이다.
게이트선(121) 위에는 PVP (poly vinyl phenol) 등과 같은 유기 절연 물질 또는 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOx) 따위의 무기 절연 물질로 이루어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다. 여기서, 게이트 절연층(140)은 OTS(octadecyl-trichloro-silane: 옥타데실 트리클로로 실란)로 표면 처리된 SiO2막으로 이루어질 수 있다. 게이트 절연막(140)은 이후의 유기 반도체와 접촉 특성이 우수하며, 거칠기(roughness)가 양호해야하며, 박막 트랜지스터의 누설 전류를 유도하지 않아야 한다.
게이트 절연막(140) 위에는 각각 복수의 데이터선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차하며 데이터 전압(data voltage)을 전달한다. 각 데이터선(171)에서 드레인 전극(175)을 향하여 뻗은 복수의 가지가 소스 전극(source electrode)(173)을 이룬다. 한 쌍의 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)은 서로 분리되어 있으며 게이트 전극(124)에 대하여 서로 반대쪽에 위치한다. 각 데이터선(171)은 외부 회로 또는 다른 층과의 접촉을 위하여 폭이 확장되어 있는 확장부(179)를 포함한다.
이때, 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 다른 물질, 특히 게이트 절연막(140) 및 이후의 유기 반도체와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 ITO, 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni) 또는 몰리브덴 등을 포함한다. 본 실시예에서 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 하부의 게이트 절연막(140) 및 이후의 유기 반도체(154)와의 우수한 접촉 특성을 가지는 동시에 높은 일 함수를 가지는 ITO(indium tin oxide)로 이루어져 있다. 특히, 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)을 이루는 ITO막은 준 결정(quasi-crystalline) 상태를 이루도 있으며, 특히 게이트 절연막(140)과 접하는 계면도 준 결정을 이루고 있어, 게이트 절연막(140)이 유기 절연 물질로 이루어져 있더라도 우수한 접촉 특성을 확보할 수 있다.
다음, 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)이 형성되어 있는 게이트 절연층(140) 상부에는 유기 반도체(154)가 형성되어 있다. 이때, 유기 반도체(154)는 섬 모양으로 이루어져 있으며, 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 게이트 절연막(140)을 완전히 덮고 있으며, 가장자리 일부는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 일부를 덮는다.
유기 반도체(154)는 수용액이나 유기 용매에 용해되는 고분자 물질이나 저분자 물질이 이용된다. 고분자 유기 반도체는 일반적으로 용매에 잘 용해되므로 프린팅 공정에 적합하다. 그리고, 저분자 유기 반도체중에서도 유기 용매에 잘 용해되는 물질이 있으므로 이를 이용한다.
유기 반도체(154)는 테트라센(tetracene) 또는 펜타센(pentacene)의 치환기를 포함하는 유도체이거나, 티오펜 링(thiophene ring)의 2, 5 위치를 통하여 4 내지 8개가 연결된 올리고티오펜(oligothiophene) 일 수 있다.
또한, 유기 반도체(154)는 페릴렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드(perylenetetracarboxylic dianhydride, PTCDA) 또는 그의 이미드(imide) 유도체이거나 나프탈렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드(napthalenetetracarboxylic dianhydride, NTCDA) 또는 그의 이미드(imide) 유도체일 수 있다.
또한, 유기 반도체(154)는 금속화 프타로시아닌(metallized pthalocyanine) 또는 그의 할로겐화 유도체이거나 페릴렌 또는 코로엔과 그의 치환기를 포함하는 유도체일 수 있다. 여기서 프타로시아닌(metallized pthalocyanine)에 첨가되는 금속으로는 구리, 코발트, 아연 등이 바람직하다.
또한, 유기 반도체(154)는 티에닐렌(thienylene) 및 비닐렌(vinylene)의 코올리머(co-oligomer) 또는 코포리머(co-polymer)일 수 있다. 또한, 유기 반도체(150)는 티오펜(thiophene)일 수 있다.
또한, 유기 반도체(154)는 페릴렌(perylene) 또는 코로렌(coroene)과 그 들의 치환기를 포함하는 유도체일 수 있다.
또한, 유기 반도체(154)는 이러한 유도체들의 아로마틱(aromatic) 또는 헤테로아로마틱 링(heteroaromatic ring)에 탄소수 1 내지 30개의 하이드로 카본 체인(hydrocarbon chain)을 한 개 이상 포함하는 유도체일 수 있다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 유기 반도체(154)와 함께 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 유기 반도체(154)에 형성된다.
유기 반도체(154) 상부에는 건식 저온 성막 공정이 가능한 절연 물질로 이루어진 절연체(164)가 형성되어 있으며, 이러한 절연체(164)는 유기 반도체(154)를 완전히 덮고 있다. 이러한 절연체(164)는 건식 공정(dry process)으로 상온 또는 저온에서 형성이 가능한 파릴렌(parylene) 등과 같은 절연 물질로 이루어지며, 이 를 통하여 이후의 성막 공정, 즉 절연체(164) 또는 보호막(190)을 형성하는 공정에서 유기 반도체(154)가 손상되는 것을 방지한다. 따라서, 유기 반도체 박막 트랜지스터의 특성을 안정적으로 확보할 수 있다.
게이트 절연막(140)과 유기 반도체(154) 및 절연체(164) 위에는 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질 또는 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질, 또는 질화 규소 또는 산화 규소 등으로 이루어진 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다.
보호막(180)에는 드레인 전극(175) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(185, 182)과 게이트 절연막(140)과 함께 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다. 이와 같이, 보호막(180)이 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 끝 부분(129, 179)을 드러내는 접촉 구멍(181, 182)을 가지는 실시예는 외부의 구동 회로를 이방성 도전막을 이용하여 게이트선(121) 및 데이터선(171)에 연결하기 위해 게이트선(121) 및 데이터선(171)이 접촉부를 가지는 구조이다. 본 실시예와 달리 게이트선(121) 또는 데이터선(171)은 끝 부분에 접촉부를 가지지 않을 수 있는데, 이러한 구조에서는 기판(110)의 상부에 직접 게이트 구동 회로가 유기 박막 트랜지스터와 동일한 층으로 형성되어 있으며, 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 끝 부분은 구동 회로의 출력단에 전기적으로 직접 연결된다.
접촉 구멍(185, 181, 182)은 드레인 전극(175), 게이트선의 끝 부분(129) 및 데이터선의 끝 부분(179)을 드러내는데, 접촉 구멍(185, 181, 182)에서는 이후에 형성되는 ITO 또는 IZO의 도전막과 접촉 특성을 확보할 수 있는 도전막을 드러내는 것이 바람직하며, 접촉 구멍(185, 181, 182)에서는 드레인 전극(175), 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)의 경계선이 드러날 수 있다.
보호막(180) 위에는 IZO 또는 ITO 등과 같은 투명한 도전 물질 또는 반사도를 가지는 도전 물질로 이루어진 복수의 화소 전극(pixel electrode)(190) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다.
화소 전극(190)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 각각 물리적?전기적으로 연결되어 드레인 전극(175)으로부터 데이터 신호를 인가 받는다.
화소 전극(190)은 또한 이웃하는 게이트선(121) 및 데이터선(171)과 중첩되어 개구율(aperture ratio)을 높이고 있으나, 중첩되지 않을 수도 있다.
접촉 보조 부재(81, 82)는 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선 및 데이터선의 끝 부분(129, 179)과 각각 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 각 끝 부분(129, 179)과 구동 집적 회로와 같은 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호하는 역할을 하는 것으로 필수적인 것은 아니며, 이들의 적용 여부는 선택적이다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터 표시판의의 동작 작용을 설명하면 다음과 같다.
예컨대, P형 반도체의 경우에는, 게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)에 전압이 인가되지 않으면 유기 반도체 층(154) 내의 전하들은 모두 유기 반도체층(154) 내에 고루 퍼져 있게 된다. 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)사이에 전압이 인가되면 낮은 전압 하에서는 전압에 비례하여 전류가 흐른다. 이 때, 게이트 전극(124)에 양의 전압을 인가하면 이 인가된 전압에 의한 전계에 의해 정공들은 모두 위로 밀려 올라가게 된다. 따라서, 게이트 절연층(140)에 가까운 부분에는 전도 전하가 없는 층이 생기게 되고, 이 층을 공핍층(depletion layer)이라 한다. 이 경우에 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)에 전압을 인가하면 전도 가능한 전하 운반자가 줄어들어 있기 때문에 게이트 전극(124)에 전압을 인가하지 않았을 때 보다 더 적은 전류가 흐르게 된다. 반대로 게이트 전극(124) 음의 전극을 인가하면 이 인가된 전압에 의한 전계에 의해 유기 반도체 층(154)과 게이트 절연층(140) 사이에 음 양의 전하가 유도되고, 따라서, 게이트 절연층(140)과 가까운 부분에 전하의 양이 많은 층이 생기게 된다. 이 층을 축적층(accumulation layer)이라 부른다. 이 경우에 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)에 전압을 인가하면 더 많은 전류가 흐르게 된다. 따라서, 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)사이에 전압을 인가한 상태에서 게이트 전극(124)에 양의 전압과 음의 전압을 교대로 인가하여 줌으로써 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이에 흐르는 전류의 양을 제어할 수 있다. 이러한 전류량의 비를 점멸비(on/off ratio)라 한다. 점멸비가 클수록 우수한 트랜지스터이다.
그러면, 도 1 및 도 2에 도시한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법에 대하여 도 3 내지 도 12 및 도 1 및 도 2를 참고로 하여 상세히 설명한다.
도 3, 도 5, 도 8, 도 10 및 도 12는 본 발명의 도 1 및 도 2의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 단계를 그 공정 순서에 따라 도시한 배치도이고, 도 4는 도 3의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 IV-IV' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 6은 도 5의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 VI-VI' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 7은 크롬 식각액으로 ITO막을 식각한 다음, ITO막의 단면 및 측벽을 나타낸 사진이고, 도 9는 도 8의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 IX-IX' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 11은 도 10의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 XI-XI' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 13은 도 12의 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판을 XIII-XIII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
먼저 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 투명한 절연 기판(110) 위에 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(121)을 형성한다. 이때 사용되는 투명한 절연 기판(110)으로는 유리, 실리콘 또는 플라스틱이 가능하다. 그리고 게이트선(121)은 절연 기판(110) 위에 금, 알루미늄 또는 금 또는 이들을 포함하는 합금 등의 도전층을 증착하고 이를 사진 식각 방법으로 패터닝하여 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(121)을 형성한다.
다음으로, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 절연 기판(110) 위에 게이트선(121)을 덮는 게이트 절연층(140)을 형성한다. 게이트 절연층(140)은 화학 기상 증착 방법(Chemical Vapor Deposition, CVD)으로 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소 (SiO2) 등의 절연 물질을 500~3000의 두께로 증착하여 형성하고, OTS에 담가 표면 처리할 수 있다. 또한, 게이트 절연층(140)은 말레이미드스티렌(maleimide-styrene), 폴리비닐페놀(Polyvinylphenol(PVP)) 및 모디파이드 시아노에틸풀루란(Modified Cyanoethylpullulan(m-CEP)) 중의 하나로 형성할 수 있다.
이어, 게이트 절연층(140) 위에 ITO를 스퍼터링 방식으로 적층하여 ITO막을 형성한다. 이때, 스퍼터링 공정은 20-35°의 상온 범위에서 실시하여 ITO막은 균일하게 비정질 상태이다. 이어, 마스크를 이용한 사진 공정으로 비정질 ITO막 상부에 감광막 패턴을 형성한 다음, 감광막 패턴을 식각 마스크로 패터닝하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)을 형성한다. 이때, 식각은 식각액을 이용하는 습식 식각으로 실시하며, 식각액은 크롬을 식각하는데 사용하는 크롬 식각액(HNO3/(NH4)2Ce(NO3)6/H2O)을 이용한다. 이때, HNO3:(NH4)2Ce(NO3)6:H2O의 성분비는 3-6w%:8-14w%:80-90w%인 것이 바람직하다.
여기서, ITO막은 게이트 절연막(140)과 접하는 하부 계면에서부터 상부 표면까지 비정질이므로 식각 공정에서도 일정하게 식각이 진행되어 ITO막이 유실되지 않는다. 100℃ 이상의 상온에서 증착할 때에는 ITO막의 하부 계면은 비정질이고 나머지는 준 결정 상태이므로 식각 공정시 비정질인 부분에는 식각이 빠르게 진행되어 ITO막이 유실되는 문제점이 발생하며, 본 발명에서는 이와 같은 문제점을 해결할 수 있다. 또한, 비정질이므로 염산을 포함하지 않는 크롬 식각액으로 패터닝함으로써 하부의 유기 게이트 절연막(140)이 손상되는 것을 최소화할 수 있다. 준 경정의 ITO막을 식각하기 위해서는 염산을 포함하는 식각액을 사용하기 때문에 게이트 절연막(140)이 손상되는데, 본 발명에서는 이와 같은 문제점을 해결할 수 있다. 도 7은 크롬 식각액으로 ITO막을 식각한 다음, ITO막의 단면 및 측벽을 나타낸 사진으로써, 도 7에서 보는 바와 같이 ITO막은 게이트 절연막 상부에서 유실되지 않았으며, 양호하게 패터닝되어 ITO막의 측벽은 완만한 경사각을 가지는 테이퍼 구조를 이룸을 알 수 있다.
이어, 식각 마스크로 사용한 감광막 패턴을 제거한 다음, 어닐링 공정을 실시하여 비정질의 ITO막을 준 결정화하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)을 완성한다. 어닐링 공정은 180℃ 이상의 온도가 바람직하고, 1-3시간 동안 진행하는 것이 바람직하다.
이어, 도 8 및 도 9에서 보는 바와 같이, 유기 반도체층을 형성한 다음, 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 게이트 전극(124)의 상부에 유기 반도체(154)를 형성한다.
이어, 도 10 및 도 11에서 보는 바와 같이, 유기 반도체(154)가 형성되어 있는 기판(110)의 상부에 상온 또는 저온에서 건식 공정(dry process)으로 파릴렌(parylene) 등과 같은 절연 물질을 형성하고, 사진 식각 공정으로 패터닝하여 유기 반도체(154)를 완전히 덮는 절연체(164)를 형성한다. 이러한 상온의 건식 성막 공정을 통하여 유기 반도체(154)가 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 이를 통하여 유기 반도체 박막 트랜지스터의 특성을 안정적으로 확보할 수 있다.
다음으로, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 데이터선(171)과 드레인 전 극(175)이 형성되어 있는 기판(110)의 상부에 유기 반도체(154)와 절연체(164)를 덮는 보호막(180)을 적층하고, 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 드레인 전극(175), 게이트선의 끝 부분(129) 및 데이터선의 끝 부분(179)이 노출되도록 접촉구(185, 181, 182)를 형성한다. 이때에도, 절연체(164)로 유기 반도체(164)를 완전히 덮은 다음 보호막(180)을 적층함으로써 보호막(180)의 성막 공정에서 유기 반도체(154)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 드레인 전극(175)과 접촉구(185)를 통해 연결되는 투명한 도전 물질 또는 반사도를 가지는 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 화소 전극(190)과 접촉 부재(81, 82) 등을 보호막(180) 위에 형성한다.
본 발명의 실시예에서는 신호선을 패터닝할 때 비정질 상태의 ITO막을 패터닝함으로써 식각을 균일하게 진행하여 ITO막이 유실되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 비정질의 ITO막을 크롬 식각액으로 패터닝함으로써 유기 게이트 절연막이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 이를 통하여 신호선과 유기 게이트 절연막의 접촉 특성을 안정적으로 확보할 수 있고 박막 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이 다.
Claims (10)
- 절연 기판;상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며, 게이트 전극을 가지는 게이트선;상기 게이트선을 덮으며, 유기 절연 물질로 이루어진 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상부에 준 결정 상태의 ITO막으로 형성되어 있으며, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선 및 상기 게이트 전극을 중심으로 상기 데이터선과 마주하는 드레인 전극;상기 데이터선의 일부인 소스 전극과 상기 드레인 전극 상부의 상기 게이트 절연층을 덮는 유기 반도체;상기 유기 반도체 상부에 형성되어 있는 보호막;상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하는 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판.
- 삭제
- 제1항에서,상기 ITO막은 상기 게이트 절연층과 접하는 접촉 계면서부터 상부 표면까지 균일하게 준 결정 상태인 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판.
- 제1항에서,상기 ITO막은 측벽이 테이퍼 구조로 이루어진 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판.
- 절연 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계;유기 절연 물질을 사용하여 상기 게이트선을 덮는 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 위에 20-35℃ 상온 범위에서 ITO막을 적층하고 패터닝하여 소스 전극을 가지는 데이터선 및 드레인 전극을 형성하는 단계;유기 반도체층을 형성한 다음 패터닝하여 유기 반도체를 형성하는 단계;상기 유기 반도체, 상기 데이터선 및 상기 드레인 전극 위에 보호막을 형성하는 단계;상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 반도체 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 삭제
- 제5항에서,상기 ITO막을 패터닝한 다음, 상기 ITO막을 어닐링하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제7항에서,상기 어닐링 공정은 180℃ 이상의 온도 범위에서 실시하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제8항에서,상기 데이터선 및 상기 드레인 전극 형성 단계에서 상기 ITO은 크롬 식각액으로 습식 식각하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제9항에서,상기 크롬 식각액은 (HNO3/(NH4)2Ce(NO3)6/H2 O)인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040093561A KR101112541B1 (ko) | 2004-11-16 | 2004-11-16 | 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 |
| US11/236,111 US20060102954A1 (en) | 2004-11-16 | 2005-09-26 | Organic thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
| TW094133438A TWI392095B (zh) | 2004-11-16 | 2005-09-27 | 有機薄膜電晶體陣列面板及其製造方法 |
| JP2005332181A JP2006148114A (ja) | 2004-11-16 | 2005-11-16 | 半導体を利用した薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
| CN2005101247360A CN1790681B (zh) | 2004-11-16 | 2005-11-16 | 有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040093561A KR101112541B1 (ko) | 2004-11-16 | 2004-11-16 | 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060054501A KR20060054501A (ko) | 2006-05-22 |
| KR101112541B1 true KR101112541B1 (ko) | 2012-03-13 |
Family
ID=36385350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040093561A KR101112541B1 (ko) | 2004-11-16 | 2004-11-16 | 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060102954A1 (ko) |
| JP (1) | JP2006148114A (ko) |
| KR (1) | KR101112541B1 (ko) |
| CN (1) | CN1790681B (ko) |
| TW (1) | TWI392095B (ko) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060064264A (ko) * | 2004-12-08 | 2006-06-13 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| KR101545460B1 (ko) * | 2008-09-12 | 2015-08-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 생산 방법 |
| US9634029B2 (en) * | 2011-03-17 | 2017-04-25 | E Ink Holdings Inc. | Thin film transistor substrate and display device having same |
| JP5870502B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2016-03-01 | 大日本印刷株式会社 | 有機半導体素子およびその製造方法 |
| JP6855848B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2021-04-07 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタの製造方法、揮発性半導体メモリ素子の製造方法、不揮発性半導体メモリ素子の製造方法、表示素子の製造方法、画像表示装置の製造方法、システムの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040028010A (ko) * | 2002-09-28 | 2004-04-03 | 삼성전자주식회사 | 유기 게이트 절연막 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 |
| KR20050080503A (ko) * | 2004-02-10 | 2005-08-17 | 진 장 | 유기 반도체의 선택적 증착을 통한 박막트랜지스터 어레이제조 방법 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0622244B2 (ja) * | 1985-10-04 | 1994-03-23 | ホシデン株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| JP3117446B2 (ja) * | 1989-06-15 | 2000-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物導電膜の成膜加工方法 |
| JPH06204247A (ja) * | 1992-06-01 | 1994-07-22 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP3521600B2 (ja) * | 1996-02-21 | 2004-04-19 | 旭硝子株式会社 | 透明導電膜のパターニング方法と透明電極付き基体 |
| CN1148600C (zh) * | 1996-11-26 | 2004-05-05 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管基片及其制造方法 |
| JP3552086B2 (ja) * | 1998-10-15 | 2004-08-11 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| TW473459B (en) * | 1998-12-10 | 2002-01-21 | Ibm | Method for forming transparent conductive film using chemically amplified resist |
| JP2001244467A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法 |
| US6677062B2 (en) * | 2000-07-19 | 2004-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate with an electrode and method of producing the same |
| US20040029310A1 (en) * | 2000-08-18 | 2004-02-12 | Adoft Bernds | Organic field-effect transistor (ofet), a production method therefor, an integrated circut constructed from the same and their uses |
| JP2004527124A (ja) * | 2001-04-10 | 2004-09-02 | サーノフ コーポレイション | 有機薄膜トランジスタを使用する高性能アクティブマトリクスピクセルを提供する方法及び装置 |
| JP2003016858A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | インジウムスズ酸化膜の製造方法 |
| JP4472216B2 (ja) * | 2001-08-01 | 2010-06-02 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| KR100617029B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2006-08-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
| TW538541B (en) * | 2002-05-15 | 2003-06-21 | Au Optronics Corp | Active matrix substrate of liquid crystal display device and the manufacturing method thereof |
| KR20030094452A (ko) * | 2002-06-04 | 2003-12-12 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
| DE602004030668D1 (de) * | 2003-04-01 | 2011-02-03 | Canon Kk | Organische halbleiteranordnung |
-
2004
- 2004-11-16 KR KR1020040093561A patent/KR101112541B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-09-26 US US11/236,111 patent/US20060102954A1/en not_active Abandoned
- 2005-09-27 TW TW094133438A patent/TWI392095B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-11-16 CN CN2005101247360A patent/CN1790681B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-16 JP JP2005332181A patent/JP2006148114A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040028010A (ko) * | 2002-09-28 | 2004-04-03 | 삼성전자주식회사 | 유기 게이트 절연막 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 |
| KR20050080503A (ko) * | 2004-02-10 | 2005-08-17 | 진 장 | 유기 반도체의 선택적 증착을 통한 박막트랜지스터 어레이제조 방법 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| "Pentacene Organic Thin-Film Transistor Integrated with Color Twisted Nematic Liquid Crystals Display", SID 2004 DIGEST, pp. 1298~1301(2004.05.25-27.)* |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006148114A (ja) | 2006-06-08 |
| TW200618312A (en) | 2006-06-01 |
| CN1790681A (zh) | 2006-06-21 |
| TWI392095B (zh) | 2013-04-01 |
| KR20060054501A (ko) | 2006-05-22 |
| CN1790681B (zh) | 2011-02-09 |
| US20060102954A1 (en) | 2006-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7919778B2 (en) | Making organic thin film transistor array panels | |
| KR101090250B1 (ko) | 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 | |
| US7993958B2 (en) | Organic thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
| US20070024766A1 (en) | Organic thin film transistor display panel | |
| JP5132880B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
| JP2006005352A (ja) | 有機半導体を利用した薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
| KR20060104092A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR101197059B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| JP2006216938A (ja) | 有機絶縁膜、該有機絶縁膜を含む薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
| KR20090010699A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 | |
| KR20080026957A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 | |
| JP2006148114A (ja) | 半導体を利用した薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
| KR101251997B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20040049110A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR102277814B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 전자 소자 | |
| KR101240653B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR101189274B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20060097967A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20080042441A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20060042334A (ko) | 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 | |
| KR20060077735A (ko) | 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 | |
| KR101272331B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 | |
| KR20080006876A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141231 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151230 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170102 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180102 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190102 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191223 Year of fee payment: 9 |