JP2004527124A - 有機薄膜トランジスタを使用する高性能アクティブマトリクスピクセルを提供する方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
【0001】
本出願は、本文書に参考とすることにより組み込まれる米国仮特許出願第60/269,250号(出願日:2001年4月10日)の利益を享受する。
【0002】
本発明は、契約番号N61331−98−C−0021(DARPA OTFTプログラム)下において米国政府の支援を受けて行われた。米国政府は、本発明における特定の権利を保持する。
【0003】
本発明は、少なくとも1つの有機薄膜トランジスタ(OTFT)を使用する新規のピクセル構造に関する。より詳細には、本発明は、トランジスタのデータライン側のOTFT電極がトランジスタのピクセル側電極の3側面ないしは3辺の周囲まで拡張されている、又は周囲を囲んでいる、新規のトランジスタ構造を提供する。
【発明の背景】
【0004】
従来のピクセルは、図1に示されている。TFTのソースとドレインの接点は、有機層とのオーム接触を形成する金属膜(metallization)層(パラジウムなど)から成る。この金属膜層は、ディスプレイのデータライン(列ライン)を形成するためにも使用され、この層は、ピクセルトランジスタの片側と接触する。透明なインジウム・スズ酸化物(ITO)のピクセル電極は、トランジスタの反対側において金属膜と接触する。金属膜の「パッド」は、図1に示されているように、TFTと接触し、ITOの上に存在する。ゲート金属膜は、ゲート誘電体層(二酸化珪素又は窒化珪素)の下に存在し、このゲート誘電体層はゲート金属膜と有機層を隔てている。
【0005】
図1の構造においては、ゲート電極と、ITOピクセル電極に延びるソース−ドレイン金属膜との間に高い容量が存在し、この寄生容量は、2つの電極が重なる面積にほぼ比例する。これは重大な問題であり、なぜなら、トランジスタは「オン」状態から「オフ」状態に遷移するため、この容量に起因して、トランジスタがオフになるときにピクセル電圧において容量性の大きな「プッシュダウン(push−down)」(nチャネルTFTの場合)又は「プッシュアップ(push−up)」(pチャネルTFTの場合)が発生するためである。ピクセル電圧のこの変化は、従来の形状を使用して製造されるピクセルの場合、約15ボルトである。容量はピクセルごとに不均一であるため、この変化によってディスプレイ全体にわたるピクセル電圧が不均一になり、すなわち、ディスプレイ全体にわたる光の強度も変わり、これは人の目に知覚される。また、この変化のため、OTFTは、この容量効果が存在しない場合よりも、ゲート、ソース、及びドレインの間の高い電圧に耐えられる必要がある。
【0006】
従って、ゲートとピクセルの間の容量を最小にするOTFT構造を有する新規のピクセル構造の必要性が存在する。
【発明の概要】
【0007】
本発明は、ゲートとピクセルの間の容量を最小にする少なくとも1つのOTFTを有する新規のピクセル構造である。1つの実施形態においては、本発明は、トランジスタのデータライン側のOTFT電極が、トランジスタのピクセル側電極の3辺の周囲まで拡張されている、又は周囲を囲んでいる、新しいトランジスタ構造を提供する。
【0008】
従って、トランジスタの有効幅(及び従ってオン電流)を低減させることなく、ピクセル側電極を非常に小さく製作することができる。この新規の構造を使用すると、ゲートとピクセルとの間の容量を数分の一に低減することができる。
【0009】
本発明の教示内容は、添付される図面と併せて以下の詳細な説明を検討することによって、容易に理解することができる。
【0010】
理解を容易にするため、図面に共通する同じ要素は、可能な場合には同じ参照数字を使用して表記されている。
【詳細な説明】
【0011】
図2は、本発明の新規のOTFTピクセル200(「ピクセルI,J」)を示している。表記「ピクセルI,J」は、M列、N行を有するディスプレイ内の特定のグリッド座標(1≦I≦M、かつ1≦J≦N)におけるピクセルを示している。
【0012】
詳細には、図2は、有機薄膜トランジスタ210とピクセル電極(例:透明なインジウム・スズ酸化物(ITO)ピクセル電極220)とを備えるOTFTピクセル200を示している。なお、本発明の望ましい実施形態においては、ITOピクセル電極220を開示しているが、本発明はこの形態に限定されない。すなわち、この本発明の新規のOTFT構造は、ピクセルの光制御素子(図には示されていない)に結合されている他のタイプのピクセル電極を使用して動作するように適合させることができる。
【0013】
各OTFTピクセル構造は、データライン230(列ライン)と選択ライン240(行ライン)と連携して動作する。これらのラインは、ピクセルにデータをロードするために、かつ、その格納されたデータを表示させるために、使用されている。従って、各OTFTピクセルは、ソース/ドレイン金属膜が1つの辺においてデータライン230に接続されているトランジスタ210を含む。更に、ゲート電極242は、選択ライン240に接続されている。
【0014】
図3は、図2の線3−3に沿ってのOTFTピクセルの断面を示している。本発明の説明をより良く理解するためには、図2と図3の両方を参照する必要がある。有機薄膜トランジスタ210は、一対のソース電極212とドレイン電極214と、有機半導体層250と、ゲート誘電体層320と、ゲート電極242とを備える。これらの層と電極は、基板310(例:ポリエステル基板)上に溶着されている。
【0015】
本発明において、図2は、トランジスタ210のデータライン側のOTFT電極(ソース電極212)が、トランジスタのドレイン電極214の3辺の周囲まで拡張されている、又は周囲を囲んでいる、新規のトランジスタ構造を示している。すなわち、ソース電極212の一端に半円形の溝がパターン化されていて、かつ、より小さいドレイン電極214の一端が、半円形の溝の中に横に配置されている。この効果は、より小さいドレイン電極214の一端が、ソース電極212のより大きな半円形又は半円に近い溝によって3辺が囲まれることである。
【0016】
従って、トランジスタの有効幅(及び従ってオン電流)を低減させることなく、ピクセル側の電極(ドレイン電極214)を非常に小さく製作することができる。本発明の新規のトランジスタ配置を使用すると、ゲートとピクセルの間の寄生容量を数分の一に低減することが可能である。言い換えれば、OTFTアクティブマトリクスピクセルに本発明の新規の配置を使用することによって、ゲート電極とピクセル電極の間の容量を大幅に低減することができる。これにより、ピクセルの選択が解除されるときのピクセル電圧の容量性のプッシュダウン又はプッシュアップ(又は電荷注入(charge injection))が減少し、これにより、ディスプレイの良好な均一性が可能となり、トランジスタに対する電圧要件が軽減される。
【0017】
本発明の構造の1つの重要な利点は、トランジスタ210全体の低い抵抗が依然として維持されることである。すなわち、抵抗が低いと、ピクセルを充電するための充電時間がより早くなる。留意すべき点として、トランジスタの抵抗は、ソース−ドレイン電極の幅に反比例し、ソース−ドレイン電極の長さに正比例する。言い換えれば、ソース電極とドレイン電極の両方の幅を単に減少させた場合、寄生容量の効果は低減するが、トランジスタ全体の抵抗が増加する。従って、本発明の新規の非対称構造は、トランジスタ全体の望ましい低い抵抗を維持しながら、寄生容量も低減される、最良のバランスを実現する。
【0018】
留意すべき点として、図3には、ソース電極212が左側に、ドレイン電極214が右側に示されているが、当業者には、これらの電極は相互に位置を交換できるものとして単にソース−ドレイン電極としばしば称されることが認識されるであろう。従って、請求項を解釈する場合には、「第1のソース−ドレイン電極」と「第2のソース−ドレイン電極」は、ソース電極とドレイン電極、又はドレイン電極とソース電極として広く解釈する必要がある。言い換えれば、特定の実施又は慣例によっては、ソース電極ではなくドレイン電極が、半円形の端部を有する大きい方の電極であることも可能である。
【0019】
更に、本発明は、ソース−ドレイン電極が一端に半円形の溝を有することを言及しているが、本発明はこれに限定されない。すなわち、溝の内側は曲面でなくてもよく、代わりに図2に示されているように複数の辺(直線及び/又は曲線)から構成されていてもよい。実際には、溝は半楕円形の溝でよい。
【0020】
更に、本発明は、ドレイン電極が、ソース電極の溝端によって「3辺」が囲まれていることを言及しているが、本発明はこれに限定されない。具体的には、図2は、長方形形状のドレイン電極の一端の3辺がソース電極の溝端によって囲まれていることを示している。しかしながら、当業者には、ドレイン電極の端部を円形又は(矢の頭のような)尖った形に形成しても、ソース電極の溝端の中に配置することができることが認識されるであろう。ドレイン電極のこれらの代替の端部構造も、本発明の範囲に含まれる。
【0021】
図4は、本発明の代替のトランジスタ構造を示している。具体的には、ドレイン電極414の一端は、複数の「フィンガー(指)」410を備えるのに対して、ソース電極412の一端は、複数の半円形の溝420を備える。この新規の構造は、図2について上述されているものと同じ利益を共有し、更に追加される利点として、トランジスタ全体の抵抗を、配置するフィンガー/溝の対の数に基づいて更に調整することができる。従って、この追加の利益は、ソース−ドレイン電極構造がより複雑になる代償として得られる。
【0022】
最後に、留意すべき点として、本発明のトランジスタ構造は、有機TFTと共に使用されるときに特に適する。TFTに使用されるアモルファスシリコンと異なり、有機層は室温で形成することができ、これにより、安価、軽量、かつ頑丈なプラスチック基板と、その他の新しい基板材料上にアクティブマトリクス液晶ディスプレイ(AMLCD)を作製する可能性が開く。有機TFTは、その電気的特性がアモルファスシリコンTFTと同等であるため、プラスチックのAMLCDの性能は既存のガラスベースのAMLCDの性能に類似することが予期される。
【0023】
本発明の好適な実施形態においては、有機層250は、ペンタセンであり、これは、直線状(linear)多環芳香族炭化水素である。しかしながら、有機層250は、他の有機材料や、特に、それぞれコストと性能のレベルが異なるナフタレン、アントラセン、テトラセンなどの他の直線状多環芳香族炭化水素を使用して実施することもできる。
【0024】
図5は、本発明の複数のアクティブマトリクスピクセル構造200及び/又は400を有するディスプレイ520を採用するシステム500のブロック線図を示している。システム500は、ディスプレイコントローラ510とディスプレイ520とを備える。
【0025】
より具体的には、ディスプレイコントローラは、中央処理装置CPU 512と、メモリ514と、複数のI/Oデバイス516(例:マウス、キーボード、記憶装置(例:磁気ドライブ、光学ドライブ)、モデム、その他)とを有する汎用コンピュータとして実施することができる。ディスプレイ520を作動させるソフトウェア命令は、メモリ514にロードされ、CPU512によって実行され得る。
【0026】
ディスプレイ520は、ピクセルインタフェース522と複数のピクセル(例:ピクセル構造200及び/又は400)とを備える。ピクセルインタフェース522は、ピクセル200又は400を駆動するための必要な回路を含んでいる。例えば、ピクセルインタフェース522は、マトリクスアドレッシングインタフェース(matrix addressing interface)でよい。
【0027】
従って、システム500は、ラップトップコンピュータとして実施され得る。これに代えて、ディスプレイコントローラ510は、マイクロコントローラ、又はアプリケーションに固有な集積回路(ASIC)、又はハードウェア及びソフトウェア命令の組み合わせなど、他の方式において実施され得る。要約すれば、システム500は、本発明のディスプレイを組み込んでいる、より大きなシステムの中に実施することができる。
【0028】
更に、本発明のピクセル構造は、柔軟性及び可曲性のあるディスプレイ内に配置することができる。この実施形態は、本文書に参考とすることにより組み込まれる論文「ポリエステル基板上の有機薄膜トランジスタを使用するAMLCD(AMLCDs Using Organic Thin−Film Transistors On Polyester Substrates)」(Kane氏ら、Society for information Display(SID)International Symposium Digest、2001年6月5日)に開示されている。
【0029】
以上、本発明の教示内容を含むさまざまな実施形態を図示し詳細に説明したが、当業者であれば、本発明の教示内容を同様に含む別の多数のさまざまな実施形態を容易に創案することができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図1】従来のOTFTピクセルを示している。
【図2】本発明の新規のOTFTピクセルを示している。
【図3】図2の線3−3に沿ってのOTFTピクセルの断面を示している。
【図4】囲む側のソースとフィンガードレインの複数の対を有する本発明の代替のトランジスタ構造を示している。
【図5】本発明の複数のOTFTピクセル構造を有するディスプレイを使用するシステムのブロック線図を示している。
Claims (10)
- 複数のピクセル(200,400)を備えるディスプレイ(520)であって、各ピクセルが少なくとも1つの有機薄膜トランジスタ(OTFT)(210)を有し、前記OTFTが、
第1の端部と第2の端部とを有する第1のソース−ドレイン電極(212)であって、前記第2の端部が少なくとも1つの溝を有する、前記第1のソース−ドレイン電極と、
第1の端部と第2の端部とを有する第2のソース−ドレイン電極(214)であって、前記第2のソース−ドレイン電極の前記第1の端部が、前記第1のソース−ドレイン電極の前記第2の端部の中に配置されている、前記第2のソース−ドレイン電極と、
前記第1のソース−ドレイン電極と前記第2のソース−ドレイン電極とに結合されている有機層(250)と、
前記有機層に結合されているゲート誘電体層(320)と、
前記ゲート誘電体層に結合されているゲート電極(242)と、
前記ゲート電極に結合されている基板(310)と、
を備える、ディスプレイ。 - 前記第1のソース−ドレイン電極の前記第2の端部の前記溝が、半円形形状である、請求項1に記載のディスプレイ。
- 前記有機層が、直線状多環芳香族炭化水素である、請求項1に記載のディスプレイ。
- 前記直線状多環芳香族炭化水素が、ペンタセンである、請求項3に記載のディスプレイ。
- 前記第1のソース−ドレイン電極の前記第2の端部が、少なくとも2つの溝(420)を有し、かつ、前記第2のソース−ドレイン電極の前記第1の端部が、前記第1のソース−ドレイン電極の前記第2の端部の前記少なくとも2つの溝の中に配置されている少なくとも2本のフィンガー(410)を有する、請求項1に記載のディスプレイ。
- 複数のピクセル(200)を備えるディスプレイ(520)であって、各ピクセルが、
ピクセル電極(220)と、
少なくとも1つの有機薄膜トランジスタ(OTFT)(210)と、
を備え、前記OTFTが、
第1の端部と第2の端部とを有する第1のソース−ドレイン電極(212)であって、前記第2の端部が少なくとも1つの溝を有する、前記第1のソース−ドレイン電極と、
第1の端部と第2の端部とを有する第2のソース−ドレイン電極(214)であって、前記第2のソース−ドレイン電極の前記第1の端部が、前記第1のソース−ドレイン電極の前記第2の端部の中に配置されていて、かつ、前記第2のソース−ドレイン電極の前記第2の端部が、前記ピクセル電極に結合されている、前記第2のソース−ドレイン電極と、
前記第1のソース−ドレイン電極と前記第2のソース−ドレイン電極とに結合されている有機層(250)と、
前記有機層に結合されているゲート誘電体層(320)と、
前記ゲート誘電体層に結合されているゲート電極(242)と、
前記ゲート電極に結合されている基板(310)と、
を備える、ディスプレイ。 - 前記第1のソース−ドレイン電極の前記第2の端部の前記溝が、半円形形状である、請求項6に記載のディスプレイ。
- 前記有機層が、直線状多環芳香族炭化水素である、請求項6に記載のディスプレイ。
- 前記直線状多環芳香族炭化水素が、ペンタセンである、請求項8に記載のディスプレイ。
- ディスプレイコントローラ(510)と、
前記ディスプレイコントローラに結合され、複数のピクセル(200)を備えるディスプレイ(520)と
を備えるシステム(500)であって、各ピクセルが、
ピクセル電極(220)と、
少なくとも1つの有機薄膜トランジスタ(OTFT)(210)と
を備え、前記OTFTが、
第1の端部と第2の端部とを有する第1のソース−ドレイン電極(212)であって、前記第2の端部が少なくとも1つの溝を有する、前記第1のソース−ドレイン電極と、
第1の端部と第2の端部とを有する第2のソース−ドレイン電極(214)であって、前記第2のソース−ドレイン電極の前記第1の端部が、前記第1のソース−ドレイン電極の前記第2の端部の中に配置されていて、かつ、前記第2のソース−ドレイン電極の前記第2の端部が、前記ピクセル電極に結合されている、前記第2のソース−ドレイン電極と、
前記第1のソース−ドレイン電極と前記第2のソース−ドレイン電極とに結合されている有機層(250)と、
前記有機層に結合されているゲート誘電体層(320)と、
前記ゲート誘電体層に結合されているゲート電極(242)と、
前記ゲート電極に結合されている基板(310)と、
を備える、システム。
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