JPH0562966A - 透明導電膜のエツチング方法 - Google Patents
透明導電膜のエツチング方法Info
- Publication number
- JPH0562966A JPH0562966A JP22321591A JP22321591A JPH0562966A JP H0562966 A JPH0562966 A JP H0562966A JP 22321591 A JP22321591 A JP 22321591A JP 22321591 A JP22321591 A JP 22321591A JP H0562966 A JPH0562966 A JP H0562966A
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- Japan
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- etching
- oxalic acid
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- transparent conductive
- conductive film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明導電膜のエッチング方法に関し、安定に
エッチングを行うことを目的とする。 【構成】 被処理基板上に透明導電膜を形成した後、写
真蝕刻技術を用いてパターン形成を行うのに使用するエ
ッチング液として蓚酸の飽和水溶液を使用することを特
徴として透明導電膜のエッチング方法を構成する。
エッチングを行うことを目的とする。 【構成】 被処理基板上に透明導電膜を形成した後、写
真蝕刻技術を用いてパターン形成を行うのに使用するエ
ッチング液として蓚酸の飽和水溶液を使用することを特
徴として透明導電膜のエッチング方法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透明導電膜のエッチング
方法に関する。フォトダイオード，半導体レーザなど半
導体を用いた光学素子や液晶ディスプレイ，プラズマデ
ィスプレイなど光学部品や光学装置は広い分野に亙って
使用されているが、これらの部品や装置の中には発光面
あるいは受光面が電極を兼ねているものが多い。
方法に関する。フォトダイオード，半導体レーザなど半
導体を用いた光学素子や液晶ディスプレイ，プラズマデ
ィスプレイなど光学部品や光学装置は広い分野に亙って
使用されているが、これらの部品や装置の中には発光面
あるいは受光面が電極を兼ねているものが多い。
【０００２】例えば、フォトダイオードの受光面側の電
極として透明導電膜が使用されており、また、液晶ディ
スプレイやプラズマディスプレイなどの表示面の電極と
して透明導電膜が使用されている。
極として透明導電膜が使用されており、また、液晶ディ
スプレイやプラズマディスプレイなどの表示面の電極と
して透明導電膜が使用されている。
【０００３】
【従来の技術】酸化錫（SnO2) は無色の正方晶系の結晶
であり、1800℃以上で融解せずに昇華する性質をもって
いる。
であり、1800℃以上で融解せずに昇華する性質をもって
いる。
【０００４】また、SnO2は電気伝導性をもっており、抵
抗率は102 Ωcm(20 ℃) と比較的低い。一方、酸化イン
ジウム(In2O3) は立方晶系に属し、融点は1910℃と高
く、無色または淡黄色の結晶で絶縁体に近い半導体であ
るが、SnO2などの不純物を添加すると抵抗率は10-4Ωcm
まで下がると云う特徴がある。
抗率は102 Ωcm(20 ℃) と比較的低い。一方、酸化イン
ジウム(In2O3) は立方晶系に属し、融点は1910℃と高
く、無色または淡黄色の結晶で絶縁体に近い半導体であ
るが、SnO2などの不純物を添加すると抵抗率は10-4Ωcm
まで下がると云う特徴がある。
【０００５】そこで、In2O3 にSnO2を添加した材料は高
融点で安定した材料であり、ITO(Indium Tin Oxideの
略) と呼称され、スパッタ法などにより半導体層やガラ
ス板の上に膜形成し透明電極として使用されている。
融点で安定した材料であり、ITO(Indium Tin Oxideの
略) と呼称され、スパッタ法などにより半導体層やガラ
ス板の上に膜形成し透明電極として使用されている。
【０００６】さて、膜形成したITO 膜を透明電極として
使用するには写真蝕刻技術( フォトリソグラフィ) を用
いて選択エッチングすることが必要である。こゝで、エ
ッチング方法としては乾式（ドライ) エッチングと湿式
（ウエット）エッチングとがあるが、反応生成物の蒸気
圧が低いことから、プラズマエッチングや反応性イオン
エッチング(ReactiveIon Etching 略称RIE)などの乾式
エッチングは効率が低く使用は適当でない。
使用するには写真蝕刻技術( フォトリソグラフィ) を用
いて選択エッチングすることが必要である。こゝで、エ
ッチング方法としては乾式（ドライ) エッチングと湿式
（ウエット）エッチングとがあるが、反応生成物の蒸気
圧が低いことから、プラズマエッチングや反応性イオン
エッチング(ReactiveIon Etching 略称RIE)などの乾式
エッチングは効率が低く使用は適当でない。
【０００７】そのため、湿式エッチングが用いられ微細
パターンの形成が行われている。こゝで、エッチング液
の溶質としては蓚酸（HOOC-COOH),塩酸(HCl),塩化第二
鉄(FeCl3) などが用いられているが、このエッチングに
当たっての必要条件は濃度が変化する場合にエッチング
速度に及ぼす影響が少ないことであり、この点から蓚酸
がもっとも優れており、一般に使用されている。
パターンの形成が行われている。こゝで、エッチング液
の溶質としては蓚酸（HOOC-COOH),塩酸(HCl),塩化第二
鉄(FeCl3) などが用いられているが、このエッチングに
当たっての必要条件は濃度が変化する場合にエッチング
速度に及ぼす影響が少ないことであり、この点から蓚酸
がもっとも優れており、一般に使用されている。
【０００８】すなわち、従来は約10％の水溶液をエッチ
ング液とし、液温を40〜60℃に保って使用されている。
然し、量産工程においては試料のエッチング槽よりの取
り出しに当たってエッチング液の持ち出しがあり、ま
た、試料の水洗洗浄が前の工程である場合にはエッチン
グ槽への水の持込みがある。
ング液とし、液温を40〜60℃に保って使用されている。
然し、量産工程においては試料のエッチング槽よりの取
り出しに当たってエッチング液の持ち出しがあり、ま
た、試料の水洗洗浄が前の工程である場合にはエッチン
グ槽への水の持込みがある。
【０００９】また、エッチングの進行に比例して溶質の
消費があり、また、エッチング液は40〜60℃の何れかの
温度に保たれていることから水の蒸発がある。これらの
ことから、エッチング液の溶質として安定性の優れた蓚
酸を使用していても、量産に当たってはエッチング液濃
度の増減が大きく、これによりエッチング速度が変化し
ており、パターンニングの再現性が低下している。
消費があり、また、エッチング液は40〜60℃の何れかの
温度に保たれていることから水の蒸発がある。これらの
ことから、エッチング液の溶質として安定性の優れた蓚
酸を使用していても、量産に当たってはエッチング液濃
度の増減が大きく、これによりエッチング速度が変化し
ており、パターンニングの再現性が低下している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】光学部品あるいは光学
機器に使用されている透明電極としてITO 膜が使用さ
れ、濃度が約10％の蓚酸水溶液をエッチング液とし、写
真蝕刻法を用いてパターン形成が行われている。
機器に使用されている透明電極としてITO 膜が使用さ
れ、濃度が約10％の蓚酸水溶液をエッチング液とし、写
真蝕刻法を用いてパターン形成が行われている。
【００１１】然し、量産工程においてはエッチング液濃
度の変動が大きく、これによりエッチング速度が変化
し、パターンニングの再現性が低下していることが問題
で、この解決が課題である。
度の変動が大きく、これによりエッチング速度が変化
し、パターンニングの再現性が低下していることが問題
で、この解決が課題である。
【００１２】
【問題を解決するための手段】上記の課題は被処理基板
上に透明導電膜を形成した後、写真蝕刻技術を用いてパ
ターン形成を行うのに使用するエッチング液として蓚酸
の飽和水溶液を使用して透明導電膜のエッチング方法を
構成することにより解決することができる。
上に透明導電膜を形成した後、写真蝕刻技術を用いてパ
ターン形成を行うのに使用するエッチング液として蓚酸
の飽和水溶液を使用して透明導電膜のエッチング方法を
構成することにより解決することができる。
【００１３】
【作用】本発明は蓚酸濃度の変動を抑制する方法として
飽和水溶液を使用するものである。
飽和水溶液を使用するものである。
【００１４】すなわち、飽和水溶液を使用すると、エッ
チング液の濃度上昇や濃度低下が生じないので再現性の
高いエッチングを行うことができる。例えば、水の持込
みがある場合にはエッチング槽の底に沈澱している結晶
の溶解が生じ、また、水の蒸発が生じた場合は溶液から
蓚酸の結晶が析出して平衡が保たれる。
チング液の濃度上昇や濃度低下が生じないので再現性の
高いエッチングを行うことができる。例えば、水の持込
みがある場合にはエッチング槽の底に沈澱している結晶
の溶解が生じ、また、水の蒸発が生じた場合は溶液から
蓚酸の結晶が析出して平衡が保たれる。
【００１５】このように、飽和溶液を使用すると、その
温度により決められた溶解度を維持するために特定濃度
の溶液を使用する場合に較べ、遙かに安定したエッチン
グを行うことができる。
温度により決められた溶解度を維持するために特定濃度
の溶液を使用する場合に較べ、遙かに安定したエッチン
グを行うことができる。
【００１６】
【実施例】蓚酸〔（COOH)2・２H2O]の水100ccに対する
溶解度は40℃において17.71 ｇまた60℃において30.71
ｇである。
溶解度は40℃において17.71 ｇまた60℃において30.71
ｇである。
【００１７】そこで、１リットルの水に300 ｇの蓚酸を
加え、40℃に液温を調節して飽和溶液を作った。一方、
試料としては４インチのSiウエハ上にスパッタ法により
ITO が1500Åの厚さに膜形成されており、この上にレジ
ストをスピンコートし、写真蝕刻技術によりレジストパ
ターンが形成されており、部分的にITO 膜が露出してい
るものを使用した。
加え、40℃に液温を調節して飽和溶液を作った。一方、
試料としては４インチのSiウエハ上にスパッタ法により
ITO が1500Åの厚さに膜形成されており、この上にレジ
ストをスピンコートし、写真蝕刻技術によりレジストパ
ターンが形成されており、部分的にITO 膜が露出してい
るものを使用した。
【００１８】こゝで、従来は（COOH)2・２H2O の10％溶
液を用いてITO 膜の選択エッチングを行っており、この
場合エッチング時間を10分とする場合、Siウエハの浸漬
回数が５回を超えるとエッチング速度の変動が認められ
ていたが、飽和溶液の使用より20回程度までエッチング
速度の変動がなく、再現性の高いパターン形成が行なえ
るようになった。
液を用いてITO 膜の選択エッチングを行っており、この
場合エッチング時間を10分とする場合、Siウエハの浸漬
回数が５回を超えるとエッチング速度の変動が認められ
ていたが、飽和溶液の使用より20回程度までエッチング
速度の変動がなく、再現性の高いパターン形成が行なえ
るようになった。
【００１９】
【発明の効果】本発明の実施により液温さえ一定に保っ
ておけば一定のエッチング速度を維持することができ、
そのためにITO 膜のパターン形成を再現性よく行うこと
が可能となる。
ておけば一定のエッチング速度を維持することができ、
そのためにITO 膜のパターン形成を再現性よく行うこと
が可能となる。
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理基板上に透明導電膜を形成した
後、写真蝕刻技術を用いてパターン形成を行うのに使用
するエッチング液として蓚酸の飽和水溶液を使用するこ
とを特徴とする透明導電膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22321591A JPH0562966A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 透明導電膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22321591A JPH0562966A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 透明導電膜のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562966A true JPH0562966A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16794598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22321591A Withdrawn JPH0562966A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 透明導電膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0562966A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000026959A (ko) * | 1998-10-24 | 2000-05-15 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정 표시 장치의 화소 전극 제조 방법 |
| WO2002007200A1 (fr) * | 2000-07-14 | 2002-01-24 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compositions de gravure |
| JP2021129096A (ja) * | 2020-02-13 | 2021-09-02 | 株式会社サイオクス | 構造体の製造方法 |
| WO2024004725A1 (ja) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1991
- 1991-09-04 JP JP22321591A patent/JPH0562966A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000026959A (ko) * | 1998-10-24 | 2000-05-15 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정 표시 장치의 화소 전극 제조 방법 |
| WO2002007200A1 (fr) * | 2000-07-14 | 2002-01-24 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compositions de gravure |
| JP2021129096A (ja) * | 2020-02-13 | 2021-09-02 | 株式会社サイオクス | 構造体の製造方法 |
| WO2024004725A1 (ja) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |