JPH0485520A - 薄膜半導体装置 - Google Patents
薄膜半導体装置Info
- Publication number
- JPH0485520A JPH0485520A JP2201782A JP20178290A JPH0485520A JP H0485520 A JPH0485520 A JP H0485520A JP 2201782 A JP2201782 A JP 2201782A JP 20178290 A JP20178290 A JP 20178290A JP H0485520 A JPH0485520 A JP H0485520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main surface
- thin film
- glass substrate
- surface side
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000043 hydrogen iodide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006853 SnOz Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Weting (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は薄膜半導体装置に関し、特にガラス基板上に薄
膜トランジスタを形成した薄膜半導体装置に関する。
膜トランジスタを形成した薄膜半導体装置に関する。
(従来の技術およびその問題点)
従来、アクティブマトリックス型液晶表示装置なとの薄
膜半導体装置は、例えば第2図に示すように、ガラスな
どから成る透光性基板11上に一導電型不純物を含有す
る第1の半導体領域12と逆導電型不純物を含有する第
2の半導体領域】3とを形成して一導電型不純物を含有
する第1の半導体領域12上にゲート絶縁膜14を形成
するとともに、ゲート絶縁膜14と逆導電型不純物を含
有する第2の半導体領域13上に電極15を形成して薄
膜トランジスタを形成していた。なお、第2図には図示
されていないか、トランジスタに駆動信号を供給するた
めのゲートバスや画素部分の電極に電源を供給するソー
スバスはITOなとの透明導電膜で形成される。
膜半導体装置は、例えば第2図に示すように、ガラスな
どから成る透光性基板11上に一導電型不純物を含有す
る第1の半導体領域12と逆導電型不純物を含有する第
2の半導体領域】3とを形成して一導電型不純物を含有
する第1の半導体領域12上にゲート絶縁膜14を形成
するとともに、ゲート絶縁膜14と逆導電型不純物を含
有する第2の半導体領域13上に電極15を形成して薄
膜トランジスタを形成していた。なお、第2図には図示
されていないか、トランジスタに駆動信号を供給するた
めのゲートバスや画素部分の電極に電源を供給するソー
スバスはITOなとの透明導電膜で形成される。
ところが、この従来の薄膜半導体装置では、透明導電膜
をパターニングする際のフォトリソ工程で使用するヨウ
化水素や、半導体領域12.13やゲート絶縁膜14を
バターニングする際のフォトリソ工程で使用するフッ硝
酸溶液なとてガラス基板11の裏面側表面かエツチング
されてダメージを受け、ガラス基板1の光の透過率に部
分的な変化を生じるという欠点かあった。また、第3図
に示すように、ガラス基板11の一主面側に透明導電膜
や薄膜トランジスタを形成する際のフォトリソ工程で使
用する高分子有機材料なとから成るレジスト材料16か
、ガラス基板11の裏面側にも一部か回り込んで付着す
る。このような状態でヨウ化水素やフッ硝酸などを用い
たエツチングを行うと、ガラス基板11の裏面側表面の
レジスト材料I6か付着していない部分かエツチングさ
れてダメージを受け、基板11の裏面側表面に段差か発
生し、この段差か模様状になって外観不良になる。
をパターニングする際のフォトリソ工程で使用するヨウ
化水素や、半導体領域12.13やゲート絶縁膜14を
バターニングする際のフォトリソ工程で使用するフッ硝
酸溶液なとてガラス基板11の裏面側表面かエツチング
されてダメージを受け、ガラス基板1の光の透過率に部
分的な変化を生じるという欠点かあった。また、第3図
に示すように、ガラス基板11の一主面側に透明導電膜
や薄膜トランジスタを形成する際のフォトリソ工程で使
用する高分子有機材料なとから成るレジスト材料16か
、ガラス基板11の裏面側にも一部か回り込んで付着す
る。このような状態でヨウ化水素やフッ硝酸などを用い
たエツチングを行うと、ガラス基板11の裏面側表面の
レジスト材料I6か付着していない部分かエツチングさ
れてダメージを受け、基板11の裏面側表面に段差か発
生し、この段差か模様状になって外観不良になる。
また、ガラス基板11の裏面側がヨウ化水素やフッ硝酸
でダメージを受けるのを防ぐために耐ヨウ化水素性およ
び耐フッ硝酸性のあるレジスト膜をガラス基板11裏面
側の略全面にコートしてガラス基板11の表面側に薄膜
トランジスタを形成する技術も知られているか、レジス
ト膜をガラス基板11の両面に形成する必要かあり、レ
ジスト材料の塗布工程や除去工程か倍かかり煩雑である
。
でダメージを受けるのを防ぐために耐ヨウ化水素性およ
び耐フッ硝酸性のあるレジスト膜をガラス基板11裏面
側の略全面にコートしてガラス基板11の表面側に薄膜
トランジスタを形成する技術も知られているか、レジス
ト膜をガラス基板11の両面に形成する必要かあり、レ
ジスト材料の塗布工程や除去工程か倍かかり煩雑である
。
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みて案出さ
れたものであり、ガラス基板の薄膜トランジスタを形成
する面とは異なる面か透明導電膜や薄膜トランジスタを
形成する際のエツチング液などによってダメージを受け
ることかない薄膜半導体装置を提供することを目的とす
るものである。
れたものであり、ガラス基板の薄膜トランジスタを形成
する面とは異なる面か透明導電膜や薄膜トランジスタを
形成する際のエツチング液などによってダメージを受け
ることかない薄膜半導体装置を提供することを目的とす
るものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明によれば、ガラス基板の一主面側の略全面に透光
性を有する保護膜を被着形成するとともに、この透光性
基板の他の主面側に薄膜トランジスタを形成して成る薄
膜半導体装置か提供され、そのことにより上記目的か達
成される。
性を有する保護膜を被着形成するとともに、この透光性
基板の他の主面側に薄膜トランジスタを形成して成る薄
膜半導体装置か提供され、そのことにより上記目的か達
成される。
(作用)
上記のように構成することにより、ガラス基板の一主面
側は保護膜で保護され、薄膜トランジスタを形成する際
に使用するエツチング液などによって、透光性基板の他
の主面側かダメージを受けることはない。また、保護膜
は透光性のものであり、例えば液晶表示装置などの基板
として用いた場合でも、光の取り入れを良好に行うこと
かできる。
側は保護膜で保護され、薄膜トランジスタを形成する際
に使用するエツチング液などによって、透光性基板の他
の主面側かダメージを受けることはない。また、保護膜
は透光性のものであり、例えば液晶表示装置などの基板
として用いた場合でも、光の取り入れを良好に行うこと
かできる。
(実施例)
以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第1図は、本発明に係る薄膜半導体装置の一実施例を示
す断面図であり、1はガラス基板、2はガラス基板1の
一主面側の略全面に被着された保護膜、3はガラス基板
1の他の主面側に形成された薄膜トランジスタである。
す断面図であり、1はガラス基板、2はガラス基板1の
一主面側の略全面に被着された保護膜、3はガラス基板
1の他の主面側に形成された薄膜トランジスタである。
前記ガラス基板1は、例えば#7059ガラス基板など
の無アルカリガラス基板で構成される。
の無アルカリガラス基板で構成される。
前記ガラス基板lの一主面側には、保護膜2か略全面に
わたって被着形成されている。この保護膜2は、酸化錫
(SnOz ) 、酸化タンタル(TaOx)、炭化シ
リコン(S i C) 、ダイヤモンド(C)などで構
成される。この保護膜2は、エツチング液からの保護膜
としての機能を果たすとともに透光性を確保するために
厚み50〜1000人程度に形成される。なお、酸化錫
は導電性を有することから、酸化錫で保護膜2を形成す
ると、レジスト膜を塗布する際などに発生する静電気を
除去できて好適である。このような保護膜2は、例えば
従来周知の真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマC
VD法、ECR法などの各種気層成長法により形成され
る。
わたって被着形成されている。この保護膜2は、酸化錫
(SnOz ) 、酸化タンタル(TaOx)、炭化シ
リコン(S i C) 、ダイヤモンド(C)などで構
成される。この保護膜2は、エツチング液からの保護膜
としての機能を果たすとともに透光性を確保するために
厚み50〜1000人程度に形成される。なお、酸化錫
は導電性を有することから、酸化錫で保護膜2を形成す
ると、レジスト膜を塗布する際などに発生する静電気を
除去できて好適である。このような保護膜2は、例えば
従来周知の真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマC
VD法、ECR法などの各種気層成長法により形成され
る。
前記ガラス基板lの他の主面側には、薄膜トランジスタ
3が形成される。この薄膜トランジスタ3は、−導電型
不純物を含有する第1の半導体領域3aと、逆導電型不
純物を含有する第2の半導体領域3bと、第1の半導体
領域上に形成されたゲート絶縁膜3Cと、ゲート絶縁膜
3Cおよび第2の半導体領域上に形成された電極3dと
て主として構成されている。このような薄膜トランジス
タでは、第1の半導体領域3a、第2の半導体領域3b
、およびゲート絶縁膜3Cを形成する各工程において、
レジスト膜を塗布してエツチング液でバターニングする
フォトリソ技術を用いて形成される。このエツチング液
としては、例えばITOて構成される透明導電膜をバタ
ーニングする場合は、81溶液などが用いられ、A1で
構成される電極をバターニングする場合は、H3PO4
+HNO3+CH,C0OH+H20なとか用いられ、
シリコンなどから成る半導体膜をバーニングする場合は
、HF+HNOi +H20もしくはCH3COOHな
どか用いられ、Crて構成される電極をパターニングす
る場合は、NH,Ce (NO4)2などか用いられ、
窒化シリコンなとて構成される絶縁膜をパターニングす
る場合は、HF十NH4FもしくはH,PO2などが用
いられ、酸化シリコンなどで構成される絶縁膜をパター
ニングする場合は、HF+NH4Fなどが用いられる。
3が形成される。この薄膜トランジスタ3は、−導電型
不純物を含有する第1の半導体領域3aと、逆導電型不
純物を含有する第2の半導体領域3bと、第1の半導体
領域上に形成されたゲート絶縁膜3Cと、ゲート絶縁膜
3Cおよび第2の半導体領域上に形成された電極3dと
て主として構成されている。このような薄膜トランジス
タでは、第1の半導体領域3a、第2の半導体領域3b
、およびゲート絶縁膜3Cを形成する各工程において、
レジスト膜を塗布してエツチング液でバターニングする
フォトリソ技術を用いて形成される。このエツチング液
としては、例えばITOて構成される透明導電膜をバタ
ーニングする場合は、81溶液などが用いられ、A1で
構成される電極をバターニングする場合は、H3PO4
+HNO3+CH,C0OH+H20なとか用いられ、
シリコンなどから成る半導体膜をバーニングする場合は
、HF+HNOi +H20もしくはCH3COOHな
どか用いられ、Crて構成される電極をパターニングす
る場合は、NH,Ce (NO4)2などか用いられ、
窒化シリコンなとて構成される絶縁膜をパターニングす
る場合は、HF十NH4FもしくはH,PO2などが用
いられ、酸化シリコンなどで構成される絶縁膜をパター
ニングする場合は、HF+NH4Fなどが用いられる。
上述の保護膜2は、これらのエツチング液に侵されるこ
とはない。
とはない。
なお、本発明に係る薄膜半導体装置は、上述のような薄
膜トランジスタをガラス基板lの他の主面に多数形成し
たアクティブマトリクス型の液晶表示装置のパネルとし
て好適に用いることかできる。
膜トランジスタをガラス基板lの他の主面に多数形成し
たアクティブマトリクス型の液晶表示装置のパネルとし
て好適に用いることかできる。
(発明の効果)
以上のように、本発明に係る薄膜半導体装置によれば、
ガラス基板の一主面側の略全面に透光性を有する保護膜
を被着形成するとともに、この透光性基板の他の主面側
に薄膜トランジスタを形成して成ることから、透光性基
板の一主面側は、保護膜て保護され、トランジスタを形
成する際に使用するエツチング液などでダメージを受け
ることはない。また、ガラス基板の一主面側に形成され
る保護膜は透光性を有することから、例えば液晶表示装
置などの基板として用いた場合でも、光の取り入れを良
好に行うことかできる。
ガラス基板の一主面側の略全面に透光性を有する保護膜
を被着形成するとともに、この透光性基板の他の主面側
に薄膜トランジスタを形成して成ることから、透光性基
板の一主面側は、保護膜て保護され、トランジスタを形
成する際に使用するエツチング液などでダメージを受け
ることはない。また、ガラス基板の一主面側に形成され
る保護膜は透光性を有することから、例えば液晶表示装
置などの基板として用いた場合でも、光の取り入れを良
好に行うことかできる。
第1図は本発明に係る薄膜半導体装置の一実施例を示す
断面図、第2図は従来の薄膜半導体装置を示す断面図、
第3図は従来の薄膜半導体装置の製造工程中の一状態を
示す断面図である。 1ニガラス基板 2:薄膜トランジスタ3:保護膜
断面図、第2図は従来の薄膜半導体装置を示す断面図、
第3図は従来の薄膜半導体装置の製造工程中の一状態を
示す断面図である。 1ニガラス基板 2:薄膜トランジスタ3:保護膜
Claims (1)
- ガラス基板の一主面側の略全面に透光性を有する保護膜
を被着形成するとともに、このガラス基板の他の主面側
に薄膜トランジスタを形成して成る薄膜半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2201782A JPH0485520A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 薄膜半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2201782A JPH0485520A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 薄膜半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0485520A true JPH0485520A (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=16446855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2201782A Pending JPH0485520A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 薄膜半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0485520A (ja) |
-
1990
- 1990-07-30 JP JP2201782A patent/JPH0485520A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6151878A (ja) | 表示用パネルの製造方法 | |
JPS60103676A (ja) | 薄膜トランジスタアレイの製造方法 | |
JPH07166379A (ja) | 表示装置に使用する低抵抗電極の製造方法 | |
JP2002043575A (ja) | アクティブマトリックス基板、表示装置、およびアクティブマトリックス基板の製造方法 | |
JPH0311744A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2866516B2 (ja) | アクティブマトリックス基板およびその製造方法 | |
JPH0485520A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
KR100778835B1 (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
JP4201883B2 (ja) | Tftアレイ基板及びこれを用いた液晶表示装置並びにtftアレイ基板の製造方法 | |
JP2692914B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2506067B2 (ja) | 透過型液晶表示装置 | |
JPH0612781B2 (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
JP2556550B2 (ja) | N▲上+▼非晶質シリコンに対する高歩留りの電気的コンタクトを形成するための方法 | |
JP2870043B2 (ja) | 薄膜トランジスタマトリクス及びその製造方法 | |
JPH04367268A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ装置 | |
KR20020076932A (ko) | 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
JPH01255829A (ja) | アルミニウムとitoとの多層配線 | |
JP3375731B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製法 | |
JPH0756894B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JPH09270517A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JPS63119256A (ja) | アクテイブマトリクス基板の製造方法 | |
JPS62169125A (ja) | 液晶表示パネルの製造方法 | |
JPH02203568A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
KR0127333Y1 (ko) | 박막 트랜지스터 | |
JP3230311B2 (ja) | Tftマトリクスの製造方法 |