JPH0485520A - 薄膜半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は薄膜半導体装置に関し、特にガラス基板上に薄
膜トランジスタを形成した薄膜半導体装置に関する。

（従来の技術およびその問題点） 従来、アクティブマトリックス型液晶表示装置なとの薄
膜半導体装置は、例えば第２図に示すように、ガラスな
どから成る透光性基板１１上に一導電型不純物を含有す
る第１の半導体領域１２と逆導電型不純物を含有する第
２の半導体領域】３とを形成して一導電型不純物を含有
する第１の半導体領域１２上にゲート絶縁膜１４を形成
するとともに、ゲート絶縁膜１４と逆導電型不純物を含
有する第２の半導体領域１３上に電極１５を形成して薄
膜トランジスタを形成していた。なお、第２図には図示
されていないか、トランジスタに駆動信号を供給するた
めのゲートバスや画素部分の電極に電源を供給するソー
スバスはＩＴＯなとの透明導電膜で形成される。

ところが、この従来の薄膜半導体装置では、透明導電膜
をパターニングする際のフォトリソ工程で使用するヨウ
化水素や、半導体領域１２．１３やゲート絶縁膜１４を
バターニングする際のフォトリソ工程で使用するフッ硝
酸溶液なとてガラス基板１１の裏面側表面かエツチング
されてダメージを受け、ガラス基板１の光の透過率に部
分的な変化を生じるという欠点かあった。また、第３図
に示すように、ガラス基板１１の一主面側に透明導電膜
や薄膜トランジスタを形成する際のフォトリソ工程で使
用する高分子有機材料なとから成るレジスト材料１６か
、ガラス基板１１の裏面側にも一部か回り込んで付着す
る。このような状態でヨウ化水素やフッ硝酸などを用い
たエツチングを行うと、ガラス基板１１の裏面側表面の
レジスト材料Ｉ６か付着していない部分かエツチングさ
れてダメージを受け、基板１１の裏面側表面に段差か発
生し、この段差か模様状になって外観不良になる。

また、ガラス基板１１の裏面側がヨウ化水素やフッ硝酸
でダメージを受けるのを防ぐために耐ヨウ化水素性およ
び耐フッ硝酸性のあるレジスト膜をガラス基板１１裏面
側の略全面にコートしてガラス基板１１の表面側に薄膜
トランジスタを形成する技術も知られているか、レジス
ト膜をガラス基板１１の両面に形成する必要かあり、レ
ジスト材料の塗布工程や除去工程か倍かかり煩雑である
。

本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みて案出さ
れたものであり、ガラス基板の薄膜トランジスタを形成
する面とは異なる面か透明導電膜や薄膜トランジスタを
形成する際のエツチング液などによってダメージを受け
ることかない薄膜半導体装置を提供することを目的とす
るものである。

（問題点を解決するための手段） 本発明によれば、ガラス基板の一主面側の略全面に透光
性を有する保護膜を被着形成するとともに、この透光性
基板の他の主面側に薄膜トランジスタを形成して成る薄
膜半導体装置か提供され、そのことにより上記目的か達
成される。

（作用） 上記のように構成することにより、ガラス基板の一主面
側は保護膜で保護され、薄膜トランジスタを形成する際
に使用するエツチング液などによって、透光性基板の他
の主面側かダメージを受けることはない。また、保護膜
は透光性のものであり、例えば液晶表示装置などの基板
として用いた場合でも、光の取り入れを良好に行うこと
かできる。

（実施例） 以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。

第１図は、本発明に係る薄膜半導体装置の一実施例を示
す断面図であり、１はガラス基板、２はガラス基板１の
一主面側の略全面に被着された保護膜、３はガラス基板
１の他の主面側に形成された薄膜トランジスタである。

前記ガラス基板１は、例えば＃７０５９ガラス基板など
の無アルカリガラス基板で構成される。

前記ガラス基板ｌの一主面側には、保護膜２か略全面に
わたって被着形成されている。この保護膜２は、酸化錫
（ＳｎＯｚ　）　、酸化タンタル（ＴａＯｘ）、炭化シ
リコン（Ｓ　ｉ　Ｃ）　、ダイヤモンド（Ｃ）などで構
成される。この保護膜２は、エツチング液からの保護膜
としての機能を果たすとともに透光性を確保するために
厚み５０〜１０００人程度に形成される。なお、酸化錫
は導電性を有することから、酸化錫で保護膜２を形成す
ると、レジスト膜を塗布する際などに発生する静電気を
除去できて好適である。このような保護膜２は、例えば
従来周知の真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣ
ＶＤ法、ＥＣＲ法などの各種気層成長法により形成され
る。

前記ガラス基板ｌの他の主面側には、薄膜トランジスタ
３が形成される。この薄膜トランジスタ３は、−導電型
不純物を含有する第１の半導体領域３ａと、逆導電型不
純物を含有する第２の半導体領域３ｂと、第１の半導体
領域上に形成されたゲート絶縁膜３Ｃと、ゲート絶縁膜
３Ｃおよび第２の半導体領域上に形成された電極３ｄと
て主として構成されている。このような薄膜トランジス
タでは、第１の半導体領域３ａ、第２の半導体領域３ｂ
、およびゲート絶縁膜３Ｃを形成する各工程において、
レジスト膜を塗布してエツチング液でバターニングする
フォトリソ技術を用いて形成される。このエツチング液
としては、例えばＩＴＯて構成される透明導電膜をバタ
ーニングする場合は、８１溶液などが用いられ、Ａ１で
構成される電極をバターニングする場合は、Ｈ３ＰＯ４
＋ＨＮＯ３＋ＣＨ，Ｃ０ＯＨ＋Ｈ２０なとか用いられ、
シリコンなどから成る半導体膜をバーニングする場合は
、ＨＦ＋ＨＮＯｉ　＋Ｈ２０もしくはＣＨ３ＣＯＯＨな
どか用いられ、Ｃｒて構成される電極をパターニングす
る場合は、ＮＨ，Ｃｅ　（ＮＯ４）２などか用いられ、
窒化シリコンなとて構成される絶縁膜をパターニングす
る場合は、ＨＦ十ＮＨ４ＦもしくはＨ，ＰＯ２などが用
いられ、酸化シリコンなどで構成される絶縁膜をパター
ニングする場合は、ＨＦ＋ＮＨ４Ｆなどが用いられる。

上述の保護膜２は、これらのエツチング液に侵されるこ
とはない。

なお、本発明に係る薄膜半導体装置は、上述のような薄
膜トランジスタをガラス基板ｌの他の主面に多数形成し
たアクティブマトリクス型の液晶表示装置のパネルとし
て好適に用いることかできる。

（発明の効果） 以上のように、本発明に係る薄膜半導体装置によれば、
ガラス基板の一主面側の略全面に透光性を有する保護膜
を被着形成するとともに、この透光性基板の他の主面側
に薄膜トランジスタを形成して成ることから、透光性基
板の一主面側は、保護膜て保護され、トランジスタを形
成する際に使用するエツチング液などでダメージを受け
ることはない。また、ガラス基板の一主面側に形成され
る保護膜は透光性を有することから、例えば液晶表示装
置などの基板として用いた場合でも、光の取り入れを良
好に行うことかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る薄膜半導体装置の一実施例を示す
断面図、第２図は従来の薄膜半導体装置を示す断面図、
第３図は従来の薄膜半導体装置の製造工程中の一状態を
示す断面図である。 １ニガラス基板　　　２：薄膜トランジスタ３：保護膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ガラス基板の一主面側の略全面に透光性を有する保護膜
   を被着形成するとともに、このガラス基板の他の主面側
   に薄膜トランジスタを形成して成る薄膜半導体装置。