JPH01255829A - アルミニウムとｉｔｏとの多層配線 - Google Patents
アルミニウムとｉｔｏとの多層配線Info
- Publication number
- JPH01255829A JPH01255829A JP8429288A JP8429288A JPH01255829A JP H01255829 A JPH01255829 A JP H01255829A JP 8429288 A JP8429288 A JP 8429288A JP 8429288 A JP8429288 A JP 8429288A JP H01255829 A JPH01255829 A JP H01255829A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- ito
- electrode
- resistance
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 36
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 12
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 abstract 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は透明電極とアルミニウム電極との配線構造に関
するものである。
するものである。
近年ガラス基板上に薄膜能動デバイスをつくりこむ技術
は、大面積透過型液晶デイスプレィや密着型イメージセ
ンサ等を初めとして各所でその応用を日桁して研究が活
発化している。そのなかでも大面積に均一に成膜できる
ａ−５ｉ：Ｈは既に製品レベルに応用が進んでいる。し
かし、アモルファスシリコンでは移動度が単結晶シリコ
ンの１０００分の１程度と低く、このためスイッチング
トランジスタとしては使用できても駆動回路には使用で
きない、このため、より高移動度な多結晶シリコンを用
いた多結晶シリコン薄膜トランジスタの研究も行われて
いる。このような薄膜デバイスで液晶を駆動するデバイ
スを作製する場合には、電極材料として光透過性の電極
材料を使用する必要がある。現在−殻内に使用されてい
る透明電極材料としてはＩＴＯがある。しかしＩＴＯで
すべての電極を構成するには抵抗が高いこと、シリコン
とのコンタクトの問題などがあり、このためデバイスの
配線材料としては他の材料を使用するのが望ましい。
は、大面積透過型液晶デイスプレィや密着型イメージセ
ンサ等を初めとして各所でその応用を日桁して研究が活
発化している。そのなかでも大面積に均一に成膜できる
ａ−５ｉ：Ｈは既に製品レベルに応用が進んでいる。し
かし、アモルファスシリコンでは移動度が単結晶シリコ
ンの１０００分の１程度と低く、このためスイッチング
トランジスタとしては使用できても駆動回路には使用で
きない、このため、より高移動度な多結晶シリコンを用
いた多結晶シリコン薄膜トランジスタの研究も行われて
いる。このような薄膜デバイスで液晶を駆動するデバイ
スを作製する場合には、電極材料として光透過性の電極
材料を使用する必要がある。現在−殻内に使用されてい
る透明電極材料としてはＩＴＯがある。しかしＩＴＯで
すべての電極を構成するには抵抗が高いこと、シリコン
とのコンタクトの問題などがあり、このためデバイスの
配線材料としては他の材料を使用するのが望ましい。
例えばデバイスの配線材料としてアルミニウムを使用し
、液晶駆動の電極のみをＩＴＯで作製するのが適してい
る。シリコンデバイスの電極材料として、いま最も一般
的に使用されている電極材料はアルミニウムである。こ
れはその低抵抗性、シリコンとのコシタクト性などの物
性のみならず、その成膜法、エツチング方法などシリコ
ンを汚染せずデバイス作製法としてよくマツチしたもの
であっだからである。そこでアルミニウムとＩＴＯの配
線技術が必要となる。
、液晶駆動の電極のみをＩＴＯで作製するのが適してい
る。シリコンデバイスの電極材料として、いま最も一般
的に使用されている電極材料はアルミニウムである。こ
れはその低抵抗性、シリコンとのコシタクト性などの物
性のみならず、その成膜法、エツチング方法などシリコ
ンを汚染せずデバイス作製法としてよくマツチしたもの
であっだからである。そこでアルミニウムとＩＴＯの配
線技術が必要となる。
しかし、現在このアルミニウムとＩＴＯとの配線技術は
困難であるという問題点を含んでいる。こればアルミニ
ウムとＩＴＯとの選択エツチング方法が得られていない
ためである。これを避けるために他のＩＴＯとの選択エ
ツチングに優れた電極材料を使う方法もある。しかし他
の電極材料では〔従来の技術〕の項に述べたようにコン
タクト性や、またパターニング技術に問題がある。例え
ばアモルファスシリコンを用いたトランジスタではクロ
ム電極が用いられている。第２図はガラス基板１０にク
ロム電極１１を形成し、パターニング後、ＩＴＯ１２を
形成した例である。これはＩＴＯとの選択エツチングが
可能であるが、内部応力が大きいため。
困難であるという問題点を含んでいる。こればアルミニ
ウムとＩＴＯとの選択エツチング方法が得られていない
ためである。これを避けるために他のＩＴＯとの選択エ
ツチングに優れた電極材料を使う方法もある。しかし他
の電極材料では〔従来の技術〕の項に述べたようにコン
タクト性や、またパターニング技術に問題がある。例え
ばアモルファスシリコンを用いたトランジスタではクロ
ム電極が用いられている。第２図はガラス基板１０にク
ロム電極１１を形成し、パターニング後、ＩＴＯ１２を
形成した例である。これはＩＴＯとの選択エツチングが
可能であるが、内部応力が大きいため。
膜のはがれなどの問題があること、抵抗がアルミニウム
に比べて高いこと、エツチング溶液として重金属を含む
ためデバイス汚染が考えられること、などの理由から多
結晶シリコンの製造プロセスとしての問題を含んでいる
。また第４図のように絶縁膜１４などの層を設け、これ
にコンタクトホールをあけ、ＩＴＯ１２とアルミニウム
電極１３間を配線することは可能であるがこの方法によ
ると工程数が大きく増えるという問題点がある。
に比べて高いこと、エツチング溶液として重金属を含む
ためデバイス汚染が考えられること、などの理由から多
結晶シリコンの製造プロセスとしての問題を含んでいる
。また第４図のように絶縁膜１４などの層を設け、これ
にコンタクトホールをあけ、ＩＴＯ１２とアルミニウム
電極１３間を配線することは可能であるがこの方法によ
ると工程数が大きく増えるという問題点がある。
本発明の目的は上記課題を解決したアルミニウムとＩＴ
Ｏとの多層配線構造を提供することにある。
Ｏとの多層配線構造を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するため、本発明のアルミニウムとＩＴ
Ｏとの多層配線においては、ガラス基板上に設けられた
アルミニウム金属からなる電極と、その上部に設けられ
る透明電極層との間に薄膜シリコン層を形成したもので
ある。
Ｏとの多層配線においては、ガラス基板上に設けられた
アルミニウム金属からなる電極と、その上部に設けられ
る透明電極層との間に薄膜シリコン層を形成したもので
ある。
ＩＴＯは塩酸を含む混合液でエツチングされる。
しかしアルミニウムも同じく塩酸系エツチング液でエツ
チングされる。このため１丁０とアルミニウムとの選択
エツチングはウェット、ドライエツチングともに困雛で
ある。このため、アルミ電極上に直接ＩＴＯをパターニ
ングし、配線することば現状では困難である。このよう
な直接配線を可能にするため、アルミニウムを成膜する
とともにその上部に薄くシリコン薄膜を成膜する。この
シリコン薄膜は１００人程度の薄さである。シリコンは
塩酸、リン酸などＩＴＯやアルミニウムのエツチング液
の耐性に優れ、このため、 ＩＴＯとの選択エツチング
が可能となる。この後約３００程度のアニールにおいて
、シリコンとアルミニウムは共昇点をおこし、反応して
シリサイド化し低抵抗化する。この結果、アルミニウム
とＩＴＯ間のコンタクト抵抗も減少し、良好なコンタク
トでしかもパターン形成に優れたアルミニウム電極とＩ
ＴＯ電極との配線が可能となる。
チングされる。このため１丁０とアルミニウムとの選択
エツチングはウェット、ドライエツチングともに困雛で
ある。このため、アルミ電極上に直接ＩＴＯをパターニ
ングし、配線することば現状では困難である。このよう
な直接配線を可能にするため、アルミニウムを成膜する
とともにその上部に薄くシリコン薄膜を成膜する。この
シリコン薄膜は１００人程度の薄さである。シリコンは
塩酸、リン酸などＩＴＯやアルミニウムのエツチング液
の耐性に優れ、このため、 ＩＴＯとの選択エツチング
が可能となる。この後約３００程度のアニールにおいて
、シリコンとアルミニウムは共昇点をおこし、反応して
シリサイド化し低抵抗化する。この結果、アルミニウム
とＩＴＯ間のコンタクト抵抗も減少し、良好なコンタク
トでしかもパターン形成に優れたアルミニウム電極とＩ
ＴＯ電極との配線が可能となる。
以下添付の図面に示す実施例により本発明の詳細な説明
する。
する。
第１図（ａ）より（ｃ）は本発明の一実施例を示す工程
図である。第１図（ａ）において、ガラス基板１上にソ
ース・ドレイン電極となるアルミニウム電極２及びシリ
コン層３を順に成膜した後、電極パターンにパターニン
グする。この後、第１図（ｂ）のように透明電極材料で
あるＩＴＯ４を成膜して塩酸系エツチング液によりパタ
ーニングを行う。この後、第１図（ｃ）のように３００
程度のアニールによりシリコンとアルミニウムとを反応
させ、アルミニウム電極２の表面にアルミニウムシリコ
ン層５を形成してコンタクト抵抗を減少させる。成膜す
るシリコンはＰＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタ、Ｃｖ
Ｄなどが考えられる。いずれの方法でもよく低抵抗のド
ープドシリコンを薄くつけることが条件となる。
図である。第１図（ａ）において、ガラス基板１上にソ
ース・ドレイン電極となるアルミニウム電極２及びシリ
コン層３を順に成膜した後、電極パターンにパターニン
グする。この後、第１図（ｂ）のように透明電極材料で
あるＩＴＯ４を成膜して塩酸系エツチング液によりパタ
ーニングを行う。この後、第１図（ｃ）のように３００
程度のアニールによりシリコンとアルミニウムとを反応
させ、アルミニウム電極２の表面にアルミニウムシリコ
ン層５を形成してコンタクト抵抗を減少させる。成膜す
るシリコンはＰＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタ、Ｃｖ
Ｄなどが考えられる。いずれの方法でもよく低抵抗のド
ープドシリコンを薄くつけることが条件となる。
１００人程度のシリコンで１０１１１■′″３以上の高
濃度ドーピングしである場合、１０７ｍ角のコンタクト
面積でＩＴＯのシート抵抗と同等程度の抵抗であり実用
上は問題ない。このため第１図（ｃ）の工程を省いても
よい。さらに微細なパターンを用いる場合アニールを行
い、コンタクト抵抗をさらに下げることができる。
濃度ドーピングしである場合、１０７ｍ角のコンタクト
面積でＩＴＯのシート抵抗と同等程度の抵抗であり実用
上は問題ない。このため第１図（ｃ）の工程を省いても
よい。さらに微細なパターンを用いる場合アニールを行
い、コンタクト抵抗をさらに下げることができる。
以上詳述したように本発明によるアルミニウム電極とＩ
ＴＯ電極との配線によれば、低抵抗でパタ−ン形成とコ
ンタクト性に優れるアルミニウム電極と透明電極との多
層配線を得ることができる。
ＴＯ電極との配線によれば、低抵抗でパタ−ン形成とコ
ンタクト性に優れるアルミニウム電極と透明電極との多
層配線を得ることができる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例を工程順に示す
図、第２図、第３図はそれぞれ従来の配線構造を示す図
である。 １・・・ガラス基板 ２・・・アルミニウム（ソース・ドレイン）電極３・・
・シリコン層 ４・・・ＩＴＯ電極（透明電極
）５・・・アルミニウムシリコン層
図、第２図、第３図はそれぞれ従来の配線構造を示す図
である。 １・・・ガラス基板 ２・・・アルミニウム（ソース・ドレイン）電極３・・
・シリコン層 ４・・・ＩＴＯ電極（透明電極
）５・・・アルミニウムシリコン層
Claims (1)
- １、ガラス基板上に設けられたアルミニウム金属からな
る電極と、その上部に設けられる透明電極層との間に薄
膜シリコン層を形成したことを特徴とするアルミニウム
とＩＴＯとの多層配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8429288A JPH01255829A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | アルミニウムとｉｔｏとの多層配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8429288A JPH01255829A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | アルミニウムとｉｔｏとの多層配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01255829A true JPH01255829A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13826394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8429288A Pending JPH01255829A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | アルミニウムとｉｔｏとの多層配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01255829A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0421429A2 (en) * | 1989-10-03 | 1991-04-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrode pattern forming method |
| JPH11284195A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置 |
| JP2001230321A (ja) * | 1999-12-31 | 2001-08-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 配線の接触構造及びその形成方法並びにこれを含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
| JP2008262227A (ja) * | 2008-07-16 | 2008-10-30 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置 |
-
1988
- 1988-04-05 JP JP8429288A patent/JPH01255829A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0421429A2 (en) * | 1989-10-03 | 1991-04-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrode pattern forming method |
| JPH11284195A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置 |
| JP2001230321A (ja) * | 1999-12-31 | 2001-08-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 配線の接触構造及びその形成方法並びにこれを含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
| JP2008262227A (ja) * | 2008-07-16 | 2008-10-30 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5874745A (en) | Thin film transistor with carbonaceous gate dielectric | |
| JPS6151878A (ja) | 表示用パネルの製造方法 | |
| JPH0580650B2 (ja) | ||
| JPH01255829A (ja) | アルミニウムとｉｔｏとの多層配線 | |
| JPH03249735A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS628570A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH0244769A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPS5922361A (ja) | アクティブマトリクス液晶表示装置 | |
| JPH06236893A (ja) | Ｔｆｔ液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2711003B2 (ja) | マトリツクス型表示装置 | |
| JPH02223924A (ja) | 表示パネルの製造方法 | |
| WO2020073617A1 (zh) | 薄膜晶体管基板的制作方法及其薄膜晶体管基板 | |
| JPH04240824A (ja) | 液晶表示装置用アレイ基板 | |
| JP4052804B2 (ja) | 電極基板および電極基板の作製方法 | |
| JPH039569A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP2775883B2 (ja) | 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法 | |
| JPH0527261A (ja) | アクテイブマトリクス基板の製造方法 | |
| JPH0766422A (ja) | 液晶表示装置用アレイ基板 | |
| JPH07114043A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPS63172469A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP2514166B2 (ja) | アクティブマトリックス液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH0221663A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH0720492A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPS62169125A (ja) | 液晶表示パネルの製造方法 | |
| JPH01255830A (ja) | 液晶表示装置の配線の製造方法と液晶表示装置の配線 |