JPH01237526A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
電気光学装置の製造方法Info
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- JPH01237526A JPH01237526A JP63064379A JP6437988A JPH01237526A JP H01237526 A JPH01237526 A JP H01237526A JP 63064379 A JP63064379 A JP 63064379A JP 6437988 A JP6437988 A JP 6437988A JP H01237526 A JPH01237526 A JP H01237526A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical compound [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/105—Varistor cores
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気光学装置などに用いる非線形抵抗素子の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
本発明は、少なくとも一方の透明基板上に非線形抵抗素
子を有する電気光学装置において、その非線形抵抗薄膜
の主成分をターゲットとし、非線形抵抗薄膜の副成分を
ガスとしそのガスと反応させてスパッタリングを行い、
水素を含まない非線形抵抗薄膜を形成することにより、
光電効果のない極めて安定な非線形抵抗素子を得ること
ができるようにしたものである。
子を有する電気光学装置において、その非線形抵抗薄膜
の主成分をターゲットとし、非線形抵抗薄膜の副成分を
ガスとしそのガスと反応させてスパッタリングを行い、
水素を含まない非線形抵抗薄膜を形成することにより、
光電効果のない極めて安定な非線形抵抗素子を得ること
ができるようにしたものである。
従来からシリコン窒化膜、シリコン酸化膜またはシリコ
ン窒化酸化膜を用いた非線形抵抗素子が知られている。
ン窒化酸化膜を用いた非線形抵抗素子が知られている。
例えば、特開昭６１−９０１９２号公報、特開昭６１−
９４０８６号公報に開示されている。
９４０８６号公報に開示されている。
それらの製造方法は、プラズマＣＶＤ装置を用いてガス
とガスとを化学反応させて非線形抵抗ｎりを堆積させて
い（ものであり、例えば、シランガスとアンモニアガス
又はチッソガスとを反応させてシリコン窒化膜を形成す
る方法などが知られている。そして、第３図のような構
造の非線形抵抗素子５を形成するには第２図に示された
ような工程、即ち、１１１画素電極２を形成後に（２）
プラズマＣＶＤ装置で非線形抵抗膜４を堆積し、次にＣ
ＶＤ装置よりとり出して＋３１洗浄し、スパッタ装置に
セントし、（４）配線電極膜３を堆積した後（５）配線
電極膜３と非線形抵抗膜４を連続してパターニングを行
い、所定形状の非線形抵抗素子を得るようにしている。
とガスとを化学反応させて非線形抵抗ｎりを堆積させて
い（ものであり、例えば、シランガスとアンモニアガス
又はチッソガスとを反応させてシリコン窒化膜を形成す
る方法などが知られている。そして、第３図のような構
造の非線形抵抗素子５を形成するには第２図に示された
ような工程、即ち、１１１画素電極２を形成後に（２）
プラズマＣＶＤ装置で非線形抵抗膜４を堆積し、次にＣ
ＶＤ装置よりとり出して＋３１洗浄し、スパッタ装置に
セントし、（４）配線電極膜３を堆積した後（５）配線
電極膜３と非線形抵抗膜４を連続してパターニングを行
い、所定形状の非線形抵抗素子を得るようにしている。
しかしながら、シリコンを含む非線形抵抗素子をＣＶＤ
装置を用いて製造する方法においては、シラン（Ｓｉｌ
１ｍ）を反応ガスとして使用するため、形成された非線
形抵抗薄膜中に水素成分が含まれることになる。このた
め第４図（＾）にみられるように、この水素成分によっ
て非線形抵抗薄膜に光電効果が生じ、電気光学装置とし
て使用した場合に明るい所でコントラストが低下すると
いう現象が生じることになる。又、シランガスを扱うこ
とより、安全の面でその取扱いに充分注意を払わねばな
らず、その取扱いがやっかいであり、さらにまたＣＶＤ
装置からスパッタ装置にというように装置間に基板を入
れ換える必要があり、そのため洗浄をしたり、真空引き
する必要が生じて、製造時間が長くなる等、の種々の問
題点があった。
装置を用いて製造する方法においては、シラン（Ｓｉｌ
１ｍ）を反応ガスとして使用するため、形成された非線
形抵抗薄膜中に水素成分が含まれることになる。このた
め第４図（＾）にみられるように、この水素成分によっ
て非線形抵抗薄膜に光電効果が生じ、電気光学装置とし
て使用した場合に明るい所でコントラストが低下すると
いう現象が生じることになる。又、シランガスを扱うこ
とより、安全の面でその取扱いに充分注意を払わねばな
らず、その取扱いがやっかいであり、さらにまたＣＶＤ
装置からスパッタ装置にというように装置間に基板を入
れ換える必要があり、そのため洗浄をしたり、真空引き
する必要が生じて、製造時間が長くなる等、の種々の問
題点があった。
本発明は、非線形抵抗素子の光電効果を大幅に減少させ
、明るい所での電気光学装置のコントラスト低下を防止
できる性能のよい非線形抵抗素子が得られると共に、製
造の面で安全でかつ合理的であることを目的とした非線
形抵抗素子の製造方法を提供するものである。
、明るい所での電気光学装置のコントラスト低下を防止
できる性能のよい非線形抵抗素子が得られると共に、製
造の面で安全でかつ合理的であることを目的とした非線
形抵抗素子の製造方法を提供するものである。
本発明の製造方法は上記問題点を解決するものであり、
非線形抵抗薄膜の製造方法において、その非線形抵抗薄
膜の主成分をターゲットとし、副成分をガスとし反応性
スパッタリングを行い非線形抵抗薄膜を形成することに
よって、光電効果の少ない極めて安定な非線形抵抗薄膜
を得ることができると共に、製造の面で安全であるよう
にし、又、連続的に非線形抵抗素子の形成をして、品質
が良く、安全でかつ合理的な製造方法を特徴とする。
非線形抵抗薄膜の製造方法において、その非線形抵抗薄
膜の主成分をターゲットとし、副成分をガスとし反応性
スパッタリングを行い非線形抵抗薄膜を形成することに
よって、光電効果の少ない極めて安定な非線形抵抗薄膜
を得ることができると共に、製造の面で安全であるよう
にし、又、連続的に非線形抵抗素子の形成をして、品質
が良く、安全でかつ合理的な製造方法を特徴とする。
上記のように反応性スパッタリング法によって非線形抵
抗素子を製造することにより、水素成分を含まない光電
効果の少ない非線形抵抗ｆｉｌｌが得られるために、明
るい所においてもコントラスト低下が生じない電気光学
装置が可能になると共に製造の面でも安全性の高いもの
となる。
抗素子を製造することにより、水素成分を含まない光電
効果の少ない非線形抵抗ｆｉｌｌが得られるために、明
るい所においてもコントラスト低下が生じない電気光学
装置が可能になると共に製造の面でも安全性の高いもの
となる。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第３図（Ａ）’、（Ｂ）は本発明の実施例により形成さ
れる非線形抵抗素子構成の一例の図であり、第３図にお
いて、１は基板であり、その上部に２ｉ３明画素電極、
３配線電極、４非線形抵抗膜が形成されており、５非線
形抵抗素子はこの３Ｎより積層されている部分である０
本発明の実施例として、シリコンからなるターゲットを
反応ガスとして窒素ガス又は酸素ガスを用いて反応性ス
パッタリングを行い、水素を含まないシリコン窒化膜又
はシリコン酸化膜の非線形抵抗膜を形成した。又、透明
画素電極としてはＩＴＯｌそして配線電極としてはクロ
ム、金、ＩＴＯなどの金属を用いた。
れる非線形抵抗素子構成の一例の図であり、第３図にお
いて、１は基板であり、その上部に２ｉ３明画素電極、
３配線電極、４非線形抵抗膜が形成されており、５非線
形抵抗素子はこの３Ｎより積層されている部分である０
本発明の実施例として、シリコンからなるターゲットを
反応ガスとして窒素ガス又は酸素ガスを用いて反応性ス
パッタリングを行い、水素を含まないシリコン窒化膜又
はシリコン酸化膜の非線形抵抗膜を形成した。又、透明
画素電極としてはＩＴＯｌそして配線電極としてはクロ
ム、金、ＩＴＯなどの金属を用いた。
第４図（Ｂ）は、透明画素電極としてＩＴＯ１非線形抵
抗膜として水素を含まないシリコン窒化膜、また配線電
極としてクロムを積層させた本発明の方法により形成さ
れた非線形抵抗素子の電圧−電流特性を示すグラフであ
り、また第４図（＾）は同様な構造をシランガスを用い
てプラズマＣＶＤでシリコン窒化膜を作製した非線形抵
抗素子の電圧−電流特性を示すグラフである０両グラフ
では、縦軸は電流を対数目盛で示しである０両グラフか
ら明らかなようにプラズマＣＶＤで作製した非線形抵抗
素子の場合、低電圧領域では光電効果により、明るい雰
囲気で抵抗が下がる現象が生じてくるが、スパッタで作
製した非線形抵抗素子の場合には、そのような現象が生
じない、つまり電気光学装置として応用した場合に、明
るい雰囲気と暗い雰囲気でのコントラストに差が生じな
いことを示している。又、このことはシリコン酸化膜に
ついてもいえる。
抗膜として水素を含まないシリコン窒化膜、また配線電
極としてクロムを積層させた本発明の方法により形成さ
れた非線形抵抗素子の電圧−電流特性を示すグラフであ
り、また第４図（＾）は同様な構造をシランガスを用い
てプラズマＣＶＤでシリコン窒化膜を作製した非線形抵
抗素子の電圧−電流特性を示すグラフである０両グラフ
では、縦軸は電流を対数目盛で示しである０両グラフか
ら明らかなようにプラズマＣＶＤで作製した非線形抵抗
素子の場合、低電圧領域では光電効果により、明るい雰
囲気で抵抗が下がる現象が生じてくるが、スパッタで作
製した非線形抵抗素子の場合には、そのような現象が生
じない、つまり電気光学装置として応用した場合に、明
るい雰囲気と暗い雰囲気でのコントラストに差が生じな
いことを示している。又、このことはシリコン酸化膜に
ついてもいえる。
又、第１図には本発明の工程を、第２図には従来の工程
を比較してブロック図として示した。第２図のように従
来のプラズマＣＶＤを用いて作製する工程においては、
第（１１番目に透明画素電極２をデボジシッン、パター
ニングした後に、第（２）番目として非線形抵抗膜４を
プラズマＣＶＤでデポジションを行う０次にプラズマＣ
ＶＤ装置からその基板を取り出し第（３）番目に基板を
洗浄する工程が必要である。それから第（４）番目とし
て配線電極３をスパッタ装置でデポジションし、最後に
第（５）番目として配線電極３と非線形抵抗膜４をパタ
ーニングすることになる。しかし、本発明の工程におい
ては、第１図のように透明画素電極２をパターニング後
に、シリコンからなるターゲットを窒素又は酸素ガスを
用いて、反応スパッタリングを行い、水素を含まない非
線形抵抗膜４と、配線電極３も連続してスパッタ装置で
デポジションを行うことができることになる。このこと
により、従来の非線形抵抗膜をデポジションした後に基
板をプラズマＣＶＤ装置から取り出す工程、取り出した
後の洗浄工程、又配線電極をデポジションするためにス
パッタ装置に基板をセントし真空引きする工程が、本発
明の工程では不要となることになり、製造時間が大幅に
削減されることになる。又、そのことによりゴミなどの
不純物が付着する確率が大幅に減少するために、欠陥数
の減少と歩留まり向上にもつながることになる。
を比較してブロック図として示した。第２図のように従
来のプラズマＣＶＤを用いて作製する工程においては、
第（１１番目に透明画素電極２をデボジシッン、パター
ニングした後に、第（２）番目として非線形抵抗膜４を
プラズマＣＶＤでデポジションを行う０次にプラズマＣ
ＶＤ装置からその基板を取り出し第（３）番目に基板を
洗浄する工程が必要である。それから第（４）番目とし
て配線電極３をスパッタ装置でデポジションし、最後に
第（５）番目として配線電極３と非線形抵抗膜４をパタ
ーニングすることになる。しかし、本発明の工程におい
ては、第１図のように透明画素電極２をパターニング後
に、シリコンからなるターゲットを窒素又は酸素ガスを
用いて、反応スパッタリングを行い、水素を含まない非
線形抵抗膜４と、配線電極３も連続してスパッタ装置で
デポジションを行うことができることになる。このこと
により、従来の非線形抵抗膜をデポジションした後に基
板をプラズマＣＶＤ装置から取り出す工程、取り出した
後の洗浄工程、又配線電極をデポジションするためにス
パッタ装置に基板をセントし真空引きする工程が、本発
明の工程では不要となることになり、製造時間が大幅に
削減されることになる。又、そのことによりゴミなどの
不純物が付着する確率が大幅に減少するために、欠陥数
の減少と歩留まり向上にもつながることになる。
なおターゲットにシリコン窒化物又はシリコン酸化物を
用いて、スパッタリングを行ってもよい。
用いて、スパッタリングを行ってもよい。
又、配線電極３と非線形抵抗膜４のパターニングにおい
て、同一の露光マスク、レジストパターンを用いて、配
線電極と非線形抵抗膜を連続エツチングすることが可能
であり、そのようにすれば第２図に示した２〜５工程が
、従来は７．８時間要したのが約４．５時間で完了する
ことになり、工程時間の短縮にもつながることになる。
て、同一の露光マスク、レジストパターンを用いて、配
線電極と非線形抵抗膜を連続エツチングすることが可能
であり、そのようにすれば第２図に示した２〜５工程が
、従来は７．８時間要したのが約４．５時間で完了する
ことになり、工程時間の短縮にもつながることになる。
以上説明したように、本発明による方法で非線形抵抗素
子を作製すれば、光電効果の少ない非線形抵抗素子とな
り、明るい雰囲気でもコントラスト減少が生じない電気
光学装置が得られると共にシランガスを使用しないので
安全であり、さらに非線形抵抗膜と配線電極が連続でデ
ポジションできることにより、工程時間の短縮かつ歩留
まり向上につながり、欠陥数の少ない電気光学装置を提
供できるという効果がある。
子を作製すれば、光電効果の少ない非線形抵抗素子とな
り、明るい雰囲気でもコントラスト減少が生じない電気
光学装置が得られると共にシランガスを使用しないので
安全であり、さらに非線形抵抗膜と配線電極が連続でデ
ポジションできることにより、工程時間の短縮かつ歩留
まり向上につながり、欠陥数の少ない電気光学装置を提
供できるという効果がある。
第１図は本発明の製造方法の実施例を示す工程ブロック
図、第２図は従来の工程ブロック図、第３図（Ａ）は画
素電極構造の平面図、第３図（Ｂ）は非線形抵抗素子の
断面図、第４図（＾）、（Ｂ）はシリコン窒化膜をプラ
ズマＣＶＤで作製した非線形抵抗素子とスパッタで作製
した非線形抵抗素子の電圧−電流特性図である。 １・・・基板 ２・・・透明画素電極 ３・・・配線電極 ４・・・非線形抵抗膜 ５・・・非線形抵抗素子 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 ＆系電役ａｉＬの平面図 第３図（Ａ） ４に線形抵抗素ＪのＩ！ＩＴ面図 第３図（Ｂ） 従来のＰ−ＣＶＤて１′Ｆ族した１線形抵４几膜のＩ−
Ｖ特性と示１図 第４図（△） 第４図（Ｂ）
図、第２図は従来の工程ブロック図、第３図（Ａ）は画
素電極構造の平面図、第３図（Ｂ）は非線形抵抗素子の
断面図、第４図（＾）、（Ｂ）はシリコン窒化膜をプラ
ズマＣＶＤで作製した非線形抵抗素子とスパッタで作製
した非線形抵抗素子の電圧−電流特性図である。 １・・・基板 ２・・・透明画素電極 ３・・・配線電極 ４・・・非線形抵抗膜 ５・・・非線形抵抗素子 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 ＆系電役ａｉＬの平面図 第３図（Ａ） ４に線形抵抗素ＪのＩ！ＩＴ面図 第３図（Ｂ） 従来のＰ−ＣＶＤて１′Ｆ族した１線形抵４几膜のＩ−
Ｖ特性と示１図 第４図（△） 第４図（Ｂ）
Claims (1)
- 少なくとも一方の透明基板面に非線形抵抗素子を有す
る電気光学装置において、その非線形抵抗薄膜の主成分
を含んだターゲットとし、非線形抵抗薄膜の副成分をガ
スとし、このガスと反応させてスパッタリングを行い非
線形抵抗薄膜を形成することを特徴とする非線形抵抗素
子の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6437988A JP2739582B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 電気光学装置の製造方法 |
| EP89302408A EP0333392B1 (en) | 1988-03-17 | 1989-03-10 | Electro-optical device |
| DE68922518T DE68922518T2 (de) | 1988-03-17 | 1989-03-10 | Elektrooptische Vorrichtung. |
| US07/324,227 US5048930A (en) | 1988-03-17 | 1989-03-14 | Electro-optical device |
| KR1019890003158A KR0146292B1 (ko) | 1988-03-17 | 1989-03-15 | 전기광학 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6437988A JP2739582B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 電気光学装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01237526A true JPH01237526A (ja) | 1989-09-22 |
| JP2739582B2 JP2739582B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=13256611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6437988A Expired - Fee Related JP2739582B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5048930A (ja) |
| JP (1) | JP2739582B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8482958B2 (en) | 2010-03-18 | 2013-07-09 | Panasonic Corporation | Current steering element, memory element, memory, and method of manufacturing current steering element |
| GB201217525D0 (en) | 2012-10-01 | 2012-11-14 | Isis Innovation | Composition for hydrogen generation |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6190192A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 液晶電気光学装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2836911C2 (de) * | 1978-08-23 | 1986-11-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Passivierungsschicht für Halbleiterbauelemente |
| JPS55124272A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JPS6057617A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-04-03 | Shunpei Yamazaki | 半導体装置作製方法 |
| FR2579775B1 (fr) * | 1985-04-02 | 1987-05-15 | Thomson Csf | Procede de realisation d'elements de commande non lineaire pour ecran plat de visualisation electro-optique et ecran plat realise selon ce procede |
| JPH0617957B2 (ja) * | 1985-05-15 | 1994-03-09 | セイコー電子工業株式会社 | 液晶表示装置 |
| US4828370A (en) * | 1985-10-04 | 1989-05-09 | Seiko Instruments & Electronics Ltd. | Switching element with nonlinear resistive, nonstoichiometric material |
| JP2816549B2 (ja) * | 1986-10-22 | 1998-10-27 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 電気光学装置 |
| US4895789A (en) * | 1988-03-29 | 1990-01-23 | Seiko Instruments Inc. | Method of manufacturing non-linear resistive element array |
| US4941735A (en) * | 1989-03-02 | 1990-07-17 | University Of Colorado Foundation, Inc. | Optically addressable spatial light modulator |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP6437988A patent/JP2739582B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-03-14 US US07/324,227 patent/US5048930A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6190192A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 液晶電気光学装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5048930A (en) | 1991-09-17 |
| JP2739582B2 (ja) | 1998-04-15 |
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|
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