JPH0227319A - 液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造方法 - Google Patents
液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造方法Info
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- JPH0227319A JPH0227319A JP63176800A JP17680088A JPH0227319A JP H0227319 A JPH0227319 A JP H0227319A JP 63176800 A JP63176800 A JP 63176800A JP 17680088 A JP17680088 A JP 17680088A JP H0227319 A JPH0227319 A JP H0227319A
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Landscapes
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマ） ＩＪクス状に配置した各画素に設けた薄
膜ダイオードからなるスイッチング素子を制御すること
により液晶を駆動して、画像表示な行なう液晶表示装置
におげろ薄膜ダイオードの製造方法に関する。
膜ダイオードからなるスイッチング素子を制御すること
により液晶を駆動して、画像表示な行なう液晶表示装置
におげろ薄膜ダイオードの製造方法に関する。
アモルファスシリコンルミｎ薄膜ダイオードを液晶駆動
のスイッチング素子として使用したものが、例えば特開
昭６３−１４１２８．号公報に記載されている。これは
第５図に示すように、一方の基板に行電極２２と画素電
極とを設け、行電極２２と画素電極との間に複数のダイ
オード２８をリング状に接続し、他方の基板には列電極
２６を設け、この２枚の基板間に液晶６０を封入する。
のスイッチング素子として使用したものが、例えば特開
昭６３−１４１２８．号公報に記載されている。これは
第５図に示すように、一方の基板に行電極２２と画素電
極とを設け、行電極２２と画素電極との間に複数のダイ
オード２８をリング状に接続し、他方の基板には列電極
２６を設け、この２枚の基板間に液晶６０を封入する。
このダイオード２８は電流のスイッチング素子であり、
電流のほとんど流れないＯＦＦ状態と、電流の流れるＯ
Ｎ状態とを制御することＫより画隊表示を行なう。
電流のほとんど流れないＯＦＦ状態と、電流の流れるＯ
Ｎ状態とを制御することＫより画隊表示を行なう。
このダイオードの構造および製造方法を第３図の断面図
、第４図の平面図を用いて説明する。なお第３図に第４
図におけるＢ−Ｂ断面を示し、第３図と第４図とは一つ
のダイオードを図示しである。
、第４図の平面図を用いて説明する。なお第３図に第４
図におけるＢ−Ｂ断面を示し、第３図と第４図とは一つ
のダイオードを図示しである。
まず第３図（ａＪに示すよ５に、基板１２上に透明導電
膜１４を全面に形成し、感光性樹脂（図示せず）を全面
に形成し、画素電極２４と行電極２２形状に露光現像し
てパターニングする。このパターニングした感光性樹脂
をエツチングマスクとして、透明導電膜１４からなる画
素電極２４と行電極２２とを形成する。この行電極２２
と画素電極２４との平面パターン形状は、第４図の実線
で示す。
膜１４を全面に形成し、感光性樹脂（図示せず）を全面
に形成し、画素電極２４と行電極２２形状に露光現像し
てパターニングする。このパターニングした感光性樹脂
をエツチングマスクとして、透明導電膜１４からなる画
素電極２４と行電極２２とを形成する。この行電極２２
と画素電極２４との平面パターン形状は、第４図の実線
で示す。
次に第３図（ｂ）に示すように、アモルファスシリコン
からなる半導体＠１６を全面に形成し、さらに感光性樹
脂をこの半導体膜１６上の全面に形成して、ダイオード
素子形状に露光現像しパターニングする。このパターニ
ングした感光性樹脂をエツチングマスクとして半導体膜
１６をエツチングする。ダイオード素子形状にエツチン
グした半導体膜１６の平面パターン形状は、第４図の破
線で示す。
からなる半導体＠１６を全面に形成し、さらに感光性樹
脂をこの半導体膜１６上の全面に形成して、ダイオード
素子形状に露光現像しパターニングする。このパターニ
ングした感光性樹脂をエツチングマスクとして半導体膜
１６をエツチングする。ダイオード素子形状にエツチン
グした半導体膜１６の平面パターン形状は、第４図の破
線で示す。
次に第３図（Ｃ）に示すように、導電膜１８を全面に形
成し、さらに感光性樹脂をこの導電膜１８上の全面に形
成し、配線２０形状に露光現像してパターニングする。
成し、さらに感光性樹脂をこの導電膜１８上の全面に形
成し、配線２０形状に露光現像してパターニングする。
このパターニングした感光性樹脂をエツチングマスクと
して、導電膜１８をエツチングして配線２０を形成する
。この配線２０の平面パターン形状は第４図の一点鎖線
で示す。
して、導電膜１８をエツチングして配線２０を形成する
。この配線２０の平面パターン形状は第４図の一点鎖線
で示す。
以上の説明のように従来の薄膜ダイオード製造方法にお
いては、透明導電膜１４をエツチング後、半導体膜１６
を形成している。このため透明導電膜１４上に、感光性
樹脂の形成およびその除去に起因する反応層が形成され
るため、透明導電膜１４と半導体膜１６との接触抵抗が
高（なり、薄膜ダイオード素子特性が劣化して、表示画
像品位が低下する。
いては、透明導電膜１４をエツチング後、半導体膜１６
を形成している。このため透明導電膜１４上に、感光性
樹脂の形成およびその除去に起因する反応層が形成され
るため、透明導電膜１４と半導体膜１６との接触抵抗が
高（なり、薄膜ダイオード素子特性が劣化して、表示画
像品位が低下する。
上記課題を解決して、透明導電膜と半導体膜との接触抵
抗を低（するための製造方法を提供することが、本発明
の目的である。
抗を低（するための製造方法を提供することが、本発明
の目的である。
上記目的を達成するため本発明における薄膜ダイオード
は、下記記載の製造工程により製造する。
は、下記記載の製造工程により製造する。
基板上の全面に透明導電膜と半導体膜とを順次形成し感
光性樹脂をエツチングマスクとして半導体膜をダイオー
ド素子形状にエツチングする工程と、感光性樹脂をエツ
チングマスクとして透明導電膜を行電極形状と画素電極
形状とにエツチングする工程と、全面に導電膜を形成し
感光性樹脂をエツチングマスクとして導電膜を配線形状
にエツチングする工程とを有する。
光性樹脂をエツチングマスクとして半導体膜をダイオー
ド素子形状にエツチングする工程と、感光性樹脂をエツ
チングマスクとして透明導電膜を行電極形状と画素電極
形状とにエツチングする工程と、全面に導電膜を形成し
感光性樹脂をエツチングマスクとして導電膜を配線形状
にエツチングする工程とを有する。
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）〜［Ｃ）は本発明における薄膜ダイオード
の製造方法を工程順に示す断面図、第２図は本発明の薄
膜ダイオードを示す平面図である。なお第１図は第２図
におけるＡ−Ａ断面を示し、第１図と第２図とは一つの
ダイオードを図示しである。
の製造方法を工程順に示す断面図、第２図は本発明の薄
膜ダイオードを示す平面図である。なお第１図は第２図
におけるＡ−Ａ断面を示し、第１図と第２図とは一つの
ダイオードを図示しである。
以下第１図と第２図とを交互に参照して説明する。
まず第１図ｆａ）に示すように、透明ガラスからなる基
板１２上の全面に、透明導電膜１４として例えばインジ
ウム拳ティン・オキサイド（ＩＴＯ）を５０ｎｍ〜２０
０ｎｍの厚さで形成する。この透明導電膜１４はＩＴＯ
のほかに５ｎ０２、ＺｎＯでも良く、形成方法は蒸着法
、スパッタリング法による。その後この透明導電膜１４
上の全面に、半導体膜１６として例えば水素化アモルフ
ァスシリコン（ａ−８ｉ：Ｈ）を２００ｎｍ〜ｌ１００
Ｏｎの厚さで形成する。この半導体膜１６は透明導電膜
１４側からｐ型、ｉ型すなわち真性半導体、ｎ型のダイ
オード構造を有する。半導体膜１６はｐｉｎ構造のほか
に、ｎｉｐ構造、ｐｎ構造、ｎｐ槽構造いずれかのダイ
オード構造であれば良く、さらに材質もａ−８ｉ：Ｈに
限らずａ−８ｉＣ：Ｈｌａ−８ｉＧｅ：Ｈ等のアモルフ
ァスシリコン系合金膜、あるいは多結晶シリコン膜、お
よびその合金膜が使用可能である。この半導体膜１６の
形成方法は、化学気相成長法例えばプラズマ化学気相成
長法、電子サイクロトン共鳴気相成長法、熱化学気相成
長法、あるいはスパッタリング法、蒸着法等による。そ
の後感光性樹脂（図示せず）を全面に形成後、ダイオー
ド素子形状に露光現像してパターニングする。このパタ
ーニングした感光性樹脂をエツチングマスクとして、ド
ライエツチング装置として例えば反応性イオンエツチン
グ装置で。
板１２上の全面に、透明導電膜１４として例えばインジ
ウム拳ティン・オキサイド（ＩＴＯ）を５０ｎｍ〜２０
０ｎｍの厚さで形成する。この透明導電膜１４はＩＴＯ
のほかに５ｎ０２、ＺｎＯでも良く、形成方法は蒸着法
、スパッタリング法による。その後この透明導電膜１４
上の全面に、半導体膜１６として例えば水素化アモルフ
ァスシリコン（ａ−８ｉ：Ｈ）を２００ｎｍ〜ｌ１００
Ｏｎの厚さで形成する。この半導体膜１６は透明導電膜
１４側からｐ型、ｉ型すなわち真性半導体、ｎ型のダイ
オード構造を有する。半導体膜１６はｐｉｎ構造のほか
に、ｎｉｐ構造、ｐｎ構造、ｎｐ槽構造いずれかのダイ
オード構造であれば良く、さらに材質もａ−８ｉ：Ｈに
限らずａ−８ｉＣ：Ｈｌａ−８ｉＧｅ：Ｈ等のアモルフ
ァスシリコン系合金膜、あるいは多結晶シリコン膜、お
よびその合金膜が使用可能である。この半導体膜１６の
形成方法は、化学気相成長法例えばプラズマ化学気相成
長法、電子サイクロトン共鳴気相成長法、熱化学気相成
長法、あるいはスパッタリング法、蒸着法等による。そ
の後感光性樹脂（図示せず）を全面に形成後、ダイオー
ド素子形状に露光現像してパターニングする。このパタ
ーニングした感光性樹脂をエツチングマスクとして、ド
ライエツチング装置として例えば反応性イオンエツチン
グ装置で。
エツチングガスとして四フッ化炭素と酸素との混合ガス
を用いて半導体膜１６をエツチングする。
を用いて半導体膜１６をエツチングする。
この半導体＠１６のエツチングは、ドライエツチングの
ほかＫ例えばフッ酸系のエツチング液を用いたウェット
エツチングでも良い。その後エツチングマスクとして用
いた感光性樹脂を除去する。
ほかＫ例えばフッ酸系のエツチング液を用いたウェット
エツチングでも良い。その後エツチングマスクとして用
いた感光性樹脂を除去する。
このダイオード素子形状にエツチングした半導体膜１６
の平面パターン形状は、第２図の破線で示す。
の平面パターン形状は、第２図の破線で示す。
次に第１図（ｂｌに示すように、感光性樹脂を全面に形
成後、行電極２２形状と画素電極２４形状とに露光現像
してパターニングする。このパターニングした感光性樹
脂をエツチングマスクとして、透明導電膜１４を塩化第
二鉄と塩酸との混合溶液でエツチングして１画素電極２
４と行電極２２とを形成する。この透明導電膜１４をエ
ツチングした行電極２２と画素電極２４との平面パター
ン形状は、第２図の実線で示す。第１図（ｂ）と第２図
から明らかなように、半導体膜１６下の透明導電膜１４
平面パターン形状は、半導体膜１６下面パターン形状よ
り小さ（なる。これは透明導電＠１４をオーバーエツチ
ングすることによって、半導体膜１６をオーバーハング
形状にする。その後感光性樹脂を除去する。
成後、行電極２２形状と画素電極２４形状とに露光現像
してパターニングする。このパターニングした感光性樹
脂をエツチングマスクとして、透明導電膜１４を塩化第
二鉄と塩酸との混合溶液でエツチングして１画素電極２
４と行電極２２とを形成する。この透明導電膜１４をエ
ツチングした行電極２２と画素電極２４との平面パター
ン形状は、第２図の実線で示す。第１図（ｂ）と第２図
から明らかなように、半導体膜１６下の透明導電膜１４
平面パターン形状は、半導体膜１６下面パターン形状よ
り小さ（なる。これは透明導電＠１４をオーバーエツチ
ングすることによって、半導体膜１６をオーバーハング
形状にする。その後感光性樹脂を除去する。
次に第１図（Ｃ）に示すように、導電１１ｉ！１８とし
て例えばアルミニウムを１１００ｎ〜２０００ ｎ ｍ
（７）厚さで形成する。導電膜１８としてはアルミニ
ウムのほかに、モリブデン、タングステン、タンタル。
て例えばアルミニウムを１１００ｎ〜２０００ ｎ ｍ
（７）厚さで形成する。導電膜１８としてはアルミニ
ウムのほかに、モリブデン、タングステン、タンタル。
クローム、チタニウム、ニッケル、銅、パラジウム、金
あるいはこれらの材料を主成分とする複合合金、もしく
は積層膜でも良い。さらにこの導電膜１８の形成方法は
、蒸着法、スパッタリング法。
あるいはこれらの材料を主成分とする複合合金、もしく
は積層膜でも良い。さらにこの導電膜１８の形成方法は
、蒸着法、スパッタリング法。
メツキ法による。その後感光性樹脂を全面に形成し、配
線２０形状に露光現像してパターニングする。このパタ
ーニングした感光性樹脂を、エツチングマスクとして反
応性イオンエツチング装置で、四塩化炭素ガスを用いて
、導電膜１８をエツチングして、配線２０を形成する。
線２０形状に露光現像してパターニングする。このパタ
ーニングした感光性樹脂を、エツチングマスクとして反
応性イオンエツチング装置で、四塩化炭素ガスを用いて
、導電膜１８をエツチングして、配線２０を形成する。
この配線２０のエツチングは、上記のドライエツチング
のほかに、リン酸と硝酸との混合溶液を用いたウェット
エツチングでも行なうことができる。その後感光性樹脂
を除去する。この配線２０の平面パターン形状は、第２
図の一点鎖線に示す。
のほかに、リン酸と硝酸との混合溶液を用いたウェット
エツチングでも行なうことができる。その後感光性樹脂
を除去する。この配線２０の平面パターン形状は、第２
図の一点鎖線に示す。
液晶表示体は上述の素子基板と対向基板との両基板に、
一般的な方法により液晶配向処理を行ない、貼り合わせ
た後液晶を注入して完成する。
一般的な方法により液晶配向処理を行ない、貼り合わせ
た後液晶を注入して完成する。
本発明における他の実捲例を第６図（ａ）、（ｂｌを用
いて説明する。第６図（ａ）は断面図、第６図ｔｂ）は
平面図を示す。なお第６図（ａ）は、第６図ｆｂ）にお
けるＣ−Ｃ断面を示し、第６図（ａ） （ｂ）は一つの
ダイオードを図示しである。
いて説明する。第６図（ａ）は断面図、第６図ｔｂ）は
平面図を示す。なお第６図（ａ）は、第６図ｆｂ）にお
けるＣ−Ｃ断面を示し、第６図（ａ） （ｂ）は一つの
ダイオードを図示しである。
第１図（Ｃ）を用いて説明したように感光性樹脂をエツ
チングマスクとして導電膜１８をエツチングして配線２
０形成後、この感光性樹脂をエツチングマスクとしてさ
らに半導体膜１６をエツチングして、第６図に示す形状
を得る。この半導体膜１６のエツチングは、四フッ化炭
素と酸素との混合ガスを用いたドライエツチング、ある
いはフッ酸系のエツチング液を用いたウェットエツチン
グで行なう。また配線２０上の感光性樹脂を配線２０形
成後に除去して、配線２ｏをエツチングマスクとして半
導体膜１６をエツチングしても良い。
チングマスクとして導電膜１８をエツチングして配線２
０形成後、この感光性樹脂をエツチングマスクとしてさ
らに半導体膜１６をエツチングして、第６図に示す形状
を得る。この半導体膜１６のエツチングは、四フッ化炭
素と酸素との混合ガスを用いたドライエツチング、ある
いはフッ酸系のエツチング液を用いたウェットエツチン
グで行なう。また配線２０上の感光性樹脂を配線２０形
成後に除去して、配線２ｏをエツチングマスクとして半
導体膜１６をエツチングしても良い。
この第６図を用いて説明した実捲例においては。
第６図から明らかなように配線２０と画素電極２４とが
重なった領域にのみ薄膜ダイオードが形成される。した
がって微細な大きさの薄膜ダイオードが形成でき、その
うえ液晶容量とダイオード素子容量との比が太き（なり
１表示画像品品位が向上する。
重なった領域にのみ薄膜ダイオードが形成される。した
がって微細な大きさの薄膜ダイオードが形成でき、その
うえ液晶容量とダイオード素子容量との比が太き（なり
１表示画像品品位が向上する。
以上の説明で明らかなように、基板上に透明導電膜と半
導体膜とを連続して形成して、その後半導体膜と透明導
電膜を順次エツチングしているため、従来例に比較して
透明導電膜上に感光性樹脂の形成およびその除去に起因
する反応層が形成されない。したがって透明導電膜と半
導体膜との接触抵抗が低（なり、薄膜ダイオード素子特
性が向上して表示画像品位が向上する。
導体膜とを連続して形成して、その後半導体膜と透明導
電膜を順次エツチングしているため、従来例に比較して
透明導電膜上に感光性樹脂の形成およびその除去に起因
する反応層が形成されない。したがって透明導電膜と半
導体膜との接触抵抗が低（なり、薄膜ダイオード素子特
性が向上して表示画像品位が向上する。
第１図（ａｌ〜（Ｃ）は本発明における薄膜ダイオード
の製造方法を工程順に示す断面図、第２図は本発明にお
ける薄膜ダイオードを示す平面図、第３図（ａ）〜（ｃ
） ＋ま従来例における薄膜ダイオードの製造方法を工
程順に示す断面図、第４図は従来例における薄膜ダイオ
ードを示す平面図、第５図は薄膜ダイオードをリング接
続した状態を示す回路図、第６図は本発明における薄膜
ダイオードを示し、第６図［ａ）は断面図、第６図（ｂ
）は平面図である。 １４・・・・・・透明導電膜、 １６・・・・・・半導体膜。 １８・・・・・・導電膜、 ２０・・・・・・配線、 ２２・・・・・・行電極。 ２４・・・・・・画素電極。 第２図 １６、キ４媚 ２０、配線 ２２、打１！翰 ２４ 白系電極 第１図 第４図 第５図 ２２、行電極 ２６、列電極 ２８９゛イ万一に ３０、 ン′Ｌ＾ 第６図 １６、半導４Ｈ県 画家電豫
の製造方法を工程順に示す断面図、第２図は本発明にお
ける薄膜ダイオードを示す平面図、第３図（ａ）〜（ｃ
） ＋ま従来例における薄膜ダイオードの製造方法を工
程順に示す断面図、第４図は従来例における薄膜ダイオ
ードを示す平面図、第５図は薄膜ダイオードをリング接
続した状態を示す回路図、第６図は本発明における薄膜
ダイオードを示し、第６図［ａ）は断面図、第６図（ｂ
）は平面図である。 １４・・・・・・透明導電膜、 １６・・・・・・半導体膜。 １８・・・・・・導電膜、 ２０・・・・・・配線、 ２２・・・・・・行電極。 ２４・・・・・・画素電極。 第２図 １６、キ４媚 ２０、配線 ２２、打１！翰 ２４ 白系電極 第１図 第４図 第５図 ２２、行電極 ２６、列電極 ２８９゛イ万一に ３０、 ン′Ｌ＾ 第６図 １６、半導４Ｈ県 画家電豫
Claims (1)
- 基板上の全面に透明導電膜と半導体膜とを順次形成し感
光性樹脂をエッチングマスクとして前記半導体膜をダイ
オード素子形状にエッチングする工程と、感光性樹脂を
エッチングマスクとして前記透明導電膜を行電極形状と
画素電極形状とにエッチングする工程と、全面に導電膜
を形成し感光性樹脂をエッチングマスクとして前記導電
膜を配線形状にエッチングする工程とを有することを特
徴とする液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63176800A JPH0227319A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63176800A JPH0227319A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227319A true JPH0227319A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16020063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63176800A Pending JPH0227319A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227319A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100251096B1 (ko) * | 1996-11-23 | 2000-05-01 | 구본준 | 액정표시장치의 제조방법 및 그 제조방법으로 제조되는 액정표시장치 |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP63176800A patent/JPH0227319A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100251096B1 (ko) * | 1996-11-23 | 2000-05-01 | 구본준 | 액정표시장치의 제조방법 및 그 제조방법으로 제조되는 액정표시장치 |
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