JPS58125869A - 感光装置 - Google Patents
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- JPS58125869A JPS58125869A JP57009201A JP920182A JPS58125869A JP S58125869 A JPS58125869 A JP S58125869A JP 57009201 A JP57009201 A JP 57009201A JP 920182 A JP920182 A JP 920182A JP S58125869 A JPS58125869 A JP S58125869A
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Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 abstract 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 8
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 241000593989 Scardinius erythrophthalmus Species 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 240000009302 Berlandiera lyrata Species 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000831576 Chlorophthalmus acutifrons Species 0.000 description 2
- 241000320126 Pseudomugilidae Species 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241001676573 Minium Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 241000282798 Rhinocerotidae Species 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 210000003108 foot joint Anatomy 0.000 description 1
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 1
- QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N germane Chemical compound [GeH4] QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052986 germanium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
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- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複数の特定波長域に感光する感光装置に関する
。
。
光活性層に罎結晶シリコンを用いた複数の特定ＭｇＩ！
域に感光する感光装置、所錆色センす−の存在は既に知
られている。そのＷ増的なｌ１ｌｌ底は、第１図に示す
如く、車結晶Ｓ／ Ｕコン基板（１）の表面に複数の感
光領域であるフォトダイオード領域（２Ｒ）、（２Ｇ）
、（２Ｂ）を設けると共に、これら各１域上にみ台数長
域の異なる光学アイ〃り、例えば赤色アイＶり（５Ｒ）
、緑色アイνり（５Ｇ）及び青色フィルタ（５Ｂ）を配
し、 ｌ！にその上に赤外カフトアイ〜り（４１を配し
たもので、断るセンサーに於いて各アイ〃り（３Ｂ）（
３Ｇ）（５Ｂ ） （４）を介して可視光が基板（１１
に入射すると、入射ＱＴＩｊ光の含む色に応じて、それ
が赤なら赤色アイνり（ＳＲ）に対応したフォトダイオ
ード領域＜２Ｒ）Ｋ、緑なら緑色アイνり（５Ｇ）に対
応したフォトダイオード領＊（２Ｇ ）に、また青なら
青色アイＶり（３Ｂ）に対応した７ｔトダイオード領域
（２Ｂ）Ｋ六々信号が出力される。
域に感光する感光装置、所錆色センす−の存在は既に知
られている。そのＷ増的なｌ１ｌｌ底は、第１図に示す
如く、車結晶Ｓ／ Ｕコン基板（１）の表面に複数の感
光領域であるフォトダイオード領域（２Ｒ）、（２Ｇ）
、（２Ｂ）を設けると共に、これら各１域上にみ台数長
域の異なる光学アイ〃り、例えば赤色アイＶり（５Ｒ）
、緑色アイνり（５Ｇ）及び青色フィルタ（５Ｂ）を配
し、 ｌ！にその上に赤外カフトアイ〜り（４１を配し
たもので、断るセンサーに於いて各アイ〃り（３Ｂ）（
３Ｇ）（５Ｂ ） （４）を介して可視光が基板（１１
に入射すると、入射ＱＴＩｊ光の含む色に応じて、それ
が赤なら赤色アイνり（ＳＲ）に対応したフォトダイオ
ード領域＜２Ｒ）Ｋ、緑なら緑色アイνり（５Ｇ）に対
応したフォトダイオード領＊（２Ｇ ）に、また青なら
青色アイＶり（３Ｂ）に対応した７ｔトダイオード領域
（２Ｂ）Ｋ六々信号が出力される。
単結晶シリコン自体の感光度特性は第２図の曲＠Ａに示
す如く、赤外像域にビークを暴する。一方、赤色アイＭ
り（５Ｒ）Ｆｌ赤色帯域で透過度のピークを示すものの
、その帯域特性の拡がりは減衰しながらも赤色領域に１
ですそ舒を引いている。
す如く、赤外像域にビークを暴する。一方、赤色アイＭ
り（５Ｒ）Ｆｌ赤色帯域で透過度のピークを示すものの
、その帯域特性の拡がりは減衰しながらも赤色領域に１
ですそ舒を引いている。
従って、光活性層に単結晶シリコンを用いた場合、赤色
アイＶり（５Ｒ）を通すだけでＨ７ｔトダイオード領域
（２Ｒ）は、減衰しながらも共に入射する赤外光に、単
結晶シリコン自体の感光度特性に応じて強く感応してし
まい、正確な色情報を検出できない、ＩＩ前記従来の色
センサーに於ける赤外カフトアイＶター（４）は、この
様な入射赤外光を除去するために設けられてお抄、不可
欠な存在である。
アイＶり（５Ｒ）を通すだけでＨ７ｔトダイオード領域
（２Ｒ）は、減衰しながらも共に入射する赤外光に、単
結晶シリコン自体の感光度特性に応じて強く感応してし
まい、正確な色情報を検出できない、ＩＩ前記従来の色
センサーに於ける赤外カフトアイＶター（４）は、この
様な入射赤外光を除去するために設けられてお抄、不可
欠な存在である。
然し乍ら、断る赤外カットアイＶり（４）の存在はセン
サーの構成を複雑にするだけでなく、製造に際して、そ
のアイ〃り（４）並びに各色アイｙり（３Ｒ）＜５０）
Ｃ５Ｂ）を単結晶シリコン基板（１１上Ｖｃ１畳被看す
る工程で、脆弱なシリコンＪｌｌ、 板（１１全破損し
やすい、といった欠点をもたらす。
サーの構成を複雑にするだけでなく、製造に際して、そ
のアイ〃り（４）並びに各色アイｙり（３Ｒ）＜５０）
Ｃ５Ｂ）を単結晶シリコン基板（１１上Ｖｃ１畳被看す
る工程で、脆弱なシリコンＪｌｌ、 板（１１全破損し
やすい、といった欠点をもたらす。
本発明は断る点に鑑みて為され友ものであって。
以下に本発明の賽ａ例につき畦述する。
第５図（Ａ）（ハ）ｄ本発明の一賽施例である色センサ
ーの断面図及び光照射側から見九正面図である。
ーの断面図及び光照射側から見九正面図である。
同図に於いて、ａＯにガラス・＃熱プラスチック等の透
光性基板、（１１Ｂ月；ｊ（１１Ｇ ）’ｄ（１１Ｂ）
は前記透光性基板αＧの一方の主面に設けられた複数例
えば５個の感光＠植で、該感光領域（１１Ｒ）（１１Ｇ
）（１１Ｂ）ｆｌ前記透ｆ性基板ＱＧ側から透光性ｆ極
（１２Ｒ）（１２ＧＪ（１２Ｂン＃全領域に渡って一様
に形成されたアモルファス半導体から成る光活性層（至
）、及び金属＊極（１４Ｒ）（１４Ｇ）（１４Ｂ）を積
層した構造を持つ、ａ配光活性ｗ０を構成するアモルフ
ァス半導体としては、グロー放電等のガス反応を用いて
任意の基板上に形成されるγ七Ａ／ ７７スＶリコン（
ａ−Ｓｉ）・アモν７アスシリコンカーバイト（ａ−８
ｉＣ）−ｙ七Ｍファスシリコンゲνマニウム（ａ−８ｉ
Ｇθ）・アシル７アスシリコンナイ）ｙイｌ’（ａ−８
ｉＮ）・アモルファスシリ、コンスズ（ａ−８ｉＳｎ）
及びそれらを象結晶化したもの等槁々のものが知られて
おり、史にこれらの物質中に水嵩やハロゲン元素、ある
いはドーバン□ トとして砒素（Ａ８）・燐［Ｆ］・
ボロン但）・アＡ／ミニウム（Ａ１）を含むものが導出
される。斯るａ−Ｓｉ；ｉから成る光活性層０の感光度
特性は第２図■に示す如く同視光域にＷ＆度ピークを有
すると共に、感光帯域も大概ねＩｉＪ視光域内圧存在す
る。
光性基板、（１１Ｂ月；ｊ（１１Ｇ ）’ｄ（１１Ｂ）
は前記透光性基板αＧの一方の主面に設けられた複数例
えば５個の感光＠植で、該感光領域（１１Ｒ）（１１Ｇ
）（１１Ｂ）ｆｌ前記透ｆ性基板ＱＧ側から透光性ｆ極
（１２Ｒ）（１２ＧＪ（１２Ｂン＃全領域に渡って一様
に形成されたアモルファス半導体から成る光活性層（至
）、及び金属＊極（１４Ｒ）（１４Ｇ）（１４Ｂ）を積
層した構造を持つ、ａ配光活性ｗ０を構成するアモルフ
ァス半導体としては、グロー放電等のガス反応を用いて
任意の基板上に形成されるγ七Ａ／ ７７スＶリコン（
ａ−Ｓｉ）・アモν７アスシリコンカーバイト（ａ−８
ｉＣ）−ｙ七Ｍファスシリコンゲνマニウム（ａ−８ｉ
Ｇθ）・アシル７アスシリコンナイ）ｙイｌ’（ａ−８
ｉＮ）・アモルファスシリ、コンスズ（ａ−８ｉＳｎ）
及びそれらを象結晶化したもの等槁々のものが知られて
おり、史にこれらの物質中に水嵩やハロゲン元素、ある
いはドーバン□ トとして砒素（Ａ８）・燐［Ｆ］・
ボロン但）・アＡ／ミニウム（Ａ１）を含むものが導出
される。斯るａ−Ｓｉ；ｉから成る光活性層０の感光度
特性は第２図■に示す如く同視光域にＷ＆度ピークを有
すると共に、感光帯域も大概ねＩｉＪ視光域内圧存在す
る。
この感光度特性はＰ工Ｎ接合型ａ−８１の光活性層口の
ものであ抄、従来の如く単結晶シリコンの感度ピークが
赤外像域に存在することに起因して使用される赤外カッ
トアイＶり（４：を用いる１でもなく、赤外領域に対し
感光しない極めて１＃な特性を具備している。
ものであ抄、従来の如く単結晶シリコンの感度ピークが
赤外像域に存在することに起因して使用される赤外カッ
トアイＶり（４：を用いる１でもなく、赤外領域に対し
感光しない極めて１＃な特性を具備している。
尚、光活性ｗＱ３を形成するアそＡ／７アス半導体を各
感光領域（１１Ｒ）（１１Ｇ）（１１Ｂ）毎に分剌ゼず
共通の１枚のものとしても、骸１七ルリ、各感光領域（
１１Ｒ）（１１Ｇ）（１１Ｂ）間の間隔を上記８１１！
犀より十分大きくとることができるので、賽質的にそれ
らを絶砿伏龜に保持することができる。この様に各感光
領域（１１Ｒ）（１１Ｇ）（１１Ｂ）を１枚の共通した
アモルファス半導体で形成すれば製造工程の簡略化が図
れる。
感光領域（１１Ｒ）（１１Ｇ）（１１Ｂ）毎に分剌ゼず
共通の１枚のものとしても、骸１七ルリ、各感光領域（
１１Ｒ）（１１Ｇ）（１１Ｂ）間の間隔を上記８１１！
犀より十分大きくとることができるので、賽質的にそれ
らを絶砿伏龜に保持することができる。この様に各感光
領域（１１Ｒ）（１１Ｇ）（１１Ｂ）を１枚の共通した
アモルファス半導体で形成すれば製造工程の簡略化が図
れる。
（１５Ｒ）（１５ＧＪ（１５Ｂ）は前ｆＢ珈先光性基板
至）の他方の主面に於いてｌ！ｉｌ紀５個の感光領域（
１１Ｒ）（１１Ｇ）（，１１Ｂ）の夫々に対向丁べ（配
置せしめられた赤色・緑色・青色フィルタで、これ等の
各色フィルタ（１５Ｒ）（１５Ｇ）（１５Ｂ）は赤・緑
・青の各色の特定θ畏域の可視光を！ＩＩ過ぜしめるも
ので着色ガフス或いは着占有機樹脂等によりＷ４成され
、＠記各色アイＭり（１５Ｒ）（１５Ｇ）（１５Ｂ）は
一体化されたものであっても艮い。
至）の他方の主面に於いてｌ！ｉｌ紀５個の感光領域（
１１Ｒ）（１１Ｇ）（，１１Ｂ）の夫々に対向丁べ（配
置せしめられた赤色・緑色・青色フィルタで、これ等の
各色フィルタ（１５Ｒ）（１５Ｇ）（１５Ｂ）は赤・緑
・青の各色の特定θ畏域の可視光を！ＩＩ過ぜしめるも
ので着色ガフス或いは着占有機樹脂等によりＷ４成され
、＠記各色アイＭり（１５Ｒ）（１５Ｇ）（１５Ｂ）は
一体化されたものであっても艮い。
而して、ｌｌ１ｌＩ記光活性層口が、 ＰＮｌｉ＝含・
Ｐ工Ｎ接合・Ｐ工接合・ＩＮ接合・シ、フトキー接合・
ヘテロ７工イス接合・絶縁環を介したＭＩＳｖ！合等の
接合型のものにあっては、赤色・緑色・青色の各色アイ
〃り（１５Ｒ）（１５Ｇ）（１５Ｂ）で選択された特定
θ長域の光照射により目由吠鴎の電子及び又はホー〃を
生ぜしめ、それら′ｔＩｘ大々透光性電極（１２Ｒ）（
１２Ｇ）（１２Ｂ）及び金属電極（１４Ｒ）（１４Ｇ）
（１４Ｂ）に到達して両電極（１２Ｒ）（１４Ｒ）・（
１２Ｇ ） （１４Ｇ）・（１２Ｂ）（１４ＢＪ間に光
起電力を発生する。一方、光活性Ｉｗ０が上述の如き接
合を有しないものくあっては目申状龜の電子及び又はホ
ールの発生により導電率が上昇する光導ｔｍ象を招く。
Ｐ工Ｎ接合・Ｐ工接合・ＩＮ接合・シ、フトキー接合・
ヘテロ７工イス接合・絶縁環を介したＭＩＳｖ！合等の
接合型のものにあっては、赤色・緑色・青色の各色アイ
〃り（１５Ｒ）（１５Ｇ）（１５Ｂ）で選択された特定
θ長域の光照射により目由吠鴎の電子及び又はホー〃を
生ぜしめ、それら′ｔＩｘ大々透光性電極（１２Ｒ）（
１２Ｇ）（１２Ｂ）及び金属電極（１４Ｒ）（１４Ｇ）
（１４Ｂ）に到達して両電極（１２Ｒ）（１４Ｒ）・（
１２Ｇ ） （１４Ｇ）・（１２Ｂ）（１４ＢＪ間に光
起電力を発生する。一方、光活性Ｉｗ０が上述の如き接
合を有しないものくあっては目申状龜の電子及び又はホ
ールの発生により導電率が上昇する光導ｔｍ象を招く。
この様和して各感光領域（１１Ｒ）（１１０）（１１Ｂ
）ｉｊ特定ｆｉｌ畏域の闇射光Ｋｌｌ光し。
）ｉｊ特定ｆｉｌ畏域の闇射光Ｋｌｌ光し。
その照射光の強度に対応したレベルの信号を出力する。
矧も％前記各感光領域（’１１ Ｒ） （１１Ｇ）（１
１ＢＪの出力信号のレベｋから入射光の叡長成分比を知
ることができ、木賽施例の如く光の３１１［色である赤
色・緑色・青色の色アイＶり（１５Ｒ）（１５Ｇ）（１
５Ｂ）を用いることによって全ての色情報を得ることが
できる。
１ＢＪの出力信号のレベｋから入射光の叡長成分比を知
ることができ、木賽施例の如く光の３１１［色である赤
色・緑色・青色の色アイＶり（１５Ｒ）（１５Ｇ）（１
５Ｂ）を用いることによって全ての色情報を得ることが
できる。
次いで本発明の具体的実施例をその製造方法と共に睨明
する。
する。
先ず、透光性［極（１２Ｒ）（１２Ｇ）（１２Ｂ）とし
てインジウム錫酸化物（工ＴＯＪがスパッタにより被着
されバターニングされたガラスから成る厚み０．５Ｍの
透光性基板αＯをプラズマ反応炉の反応電極間に配置し
、ａ記透光性晶板αＧを約５００Ｃに加熱した状靭でシ
フン（５ｉＨ４）ガスと不純物ガスとしてシボフンＣＢ
２Ｈ６）を１０１０００ＰＰ人する。そして上記反応ｆ
極に１３．５６ＭＨｚ１００Ｗのｉ周＆１１１力ヲ付与
Ｌ／チクロー放電を生起せしめ前記通光性基板αＯ上に
全面＼にわたって厚み約１０ＯＡのＰ型のア七ｌレファ
スシリコン（ａ−３ｉ＋Ｈ）を得る。その後Ｂ２Ｈ６ガ
スのみを除去して厚み約５００ＯＡの１型ａ−８ｉＩＨ
を析出ぜしめ、史に７ｔスフイン（ＰＨＪＩ）を不純物
ガスとして１０１０００ＰＰ入し３００Ａ程度のＮ型ａ
−８１：Ｈを形成し、透光性基板（２）側からＰＩＮ各
層を１畳したＰ工Ｎ＃会ヲ有スルア七Ｍ７アスシ゛リコ
ン（ａ−８１＋Ｈ）から成る１枚の光活性ＭａＯの製造
を終了する。尚、上記ａ−８ｉ＋Ｈの成畏Ｉ１１度は各
−とも約１μｍ／ｈｒであるので、所望の厚みを得るべ
く時間制御する。
てインジウム錫酸化物（工ＴＯＪがスパッタにより被着
されバターニングされたガラスから成る厚み０．５Ｍの
透光性基板αＯをプラズマ反応炉の反応電極間に配置し
、ａ記透光性晶板αＧを約５００Ｃに加熱した状靭でシ
フン（５ｉＨ４）ガスと不純物ガスとしてシボフンＣＢ
２Ｈ６）を１０１０００ＰＰ人する。そして上記反応ｆ
極に１３．５６ＭＨｚ１００Ｗのｉ周＆１１１力ヲ付与
Ｌ／チクロー放電を生起せしめ前記通光性基板αＯ上に
全面＼にわたって厚み約１０ＯＡのＰ型のア七ｌレファ
スシリコン（ａ−３ｉ＋Ｈ）を得る。その後Ｂ２Ｈ６ガ
スのみを除去して厚み約５００ＯＡの１型ａ−８ｉＩＨ
を析出ぜしめ、史に７ｔスフイン（ＰＨＪＩ）を不純物
ガスとして１０１０００ＰＰ入し３００Ａ程度のＮ型ａ
−８１：Ｈを形成し、透光性基板（２）側からＰＩＮ各
層を１畳したＰ工Ｎ＃会ヲ有スルア七Ｍ７アスシ゛リコ
ン（ａ−８１＋Ｈ）から成る１枚の光活性ＭａＯの製造
を終了する。尚、上記ａ−８ｉ＋Ｈの成畏Ｉ１１度は各
−とも約１μｍ／ｈｒであるので、所望の厚みを得るべ
く時間制御する。
その後、上記１枚の共通したア七Ａ／７１スシリコンか
ら成る光活性１１０３上に１〜ミニウムの金属電極α４
を蒸着し不要部を除去して５個の感光ＩＩ砿（１１Ｒ）
（１１Ｇ）（１１Ｂ）を罰記透光注基板帥の一方の主面
に完成する。
ら成る光活性１１０３上に１〜ミニウムの金属電極α４
を蒸着し不要部を除去して５個の感光ＩＩ砿（１１Ｒ）
（１１Ｇ）（１１Ｂ）を罰記透光注基板帥の一方の主面
に完成する。
上述の如く感光領Ｖ（１１Ｒ）（１１Ｇ）（１１Ｂ）を
形成後、赤色・緑色・青色の各アイ〜り（１５Ｒ）（１
５Ｇ）（１５Ｂ）を透光性基板αＧの他方の主面に於い
て前記各感光領域（１１Ｒ）（１１Ｇ）（１１Ｂ）の夫
々と対向するように被着する。断る赤色・緑色・青色の
各アイＭり（１５Ｒ）（１５ＧＪ （１５Ｂ）Ｆｓ例え
ばイーストマン・コダック社製の部品名ＷＲＡＴＴＥＮ
ＧＥＬＡ−Ｔ工ＮＦ工Ｉ、Ｔ田Ｒ凪２５（赤色）・
庵５８（緑色）・陽４７Ｂ（青色）であって、＠４図の
如き透過特性を持っている。このコダック社製の色フィ
ルタ（１５Ｒ）（１５Ｇ）（１５Ｂ）げフィルム状であ
り所望パターンに形成後透明な樹脂系の接着剤で接着す
る。
形成後、赤色・緑色・青色の各アイ〜り（１５Ｒ）（１
５Ｇ）（１５Ｂ）を透光性基板αＧの他方の主面に於い
て前記各感光領域（１１Ｒ）（１１Ｇ）（１１Ｂ）の夫
々と対向するように被着する。断る赤色・緑色・青色の
各アイＭり（１５Ｒ）（１５ＧＪ （１５Ｂ）Ｆｓ例え
ばイーストマン・コダック社製の部品名ＷＲＡＴＴＥＮ
ＧＥＬＡ−Ｔ工ＮＦ工Ｉ、Ｔ田Ｒ凪２５（赤色）・
庵５８（緑色）・陽４７Ｂ（青色）であって、＠４図の
如き透過特性を持っている。このコダック社製の色フィ
ルタ（１５Ｒ）（１５Ｇ）（１５Ｂ）げフィルム状であ
り所望パターンに形成後透明な樹脂系の接着剤で接着す
る。
第５図（Ａ）但Ｊ （０）は本発明感光装置の他の実施
例であって、（Ａ）に於いては感光軸線Ｏυが５個、但
）に於いてＦｓ４個、（Ｃ）に於いては６個夫々中心対
称に配置せしめられ、夫々の感光領域ａｌｌ・・・Ｋに
透過ｆＩＩ長埴の異なる光学フィルタ（至）・・・が対
向するべく設けられているが、先の賽ＩＮ例の如く赤色
・緑色・青色の光の５原色を用いれば全てのり視光域を
カバーすることができるので、相対感度の低いｆＩ畏域
の色フィルタ（至）・・・を１ｉｌＷｔ、て使用すれば
低感度を補償することもできる。また、感光領域（Ｉト
・・が６個存在するものについては赤色・緑色・青色の
５原色と補色の関係にあるシアン色・マゼンタ色・黄色
の色フィルタ（至）・・・を追加しても艮い。
例であって、（Ａ）に於いては感光軸線Ｏυが５個、但
）に於いてＦｓ４個、（Ｃ）に於いては６個夫々中心対
称に配置せしめられ、夫々の感光領域ａｌｌ・・・Ｋに
透過ｆＩＩ長埴の異なる光学フィルタ（至）・・・が対
向するべく設けられているが、先の賽ＩＮ例の如く赤色
・緑色・青色の光の５原色を用いれば全てのり視光域を
カバーすることができるので、相対感度の低いｆＩ畏域
の色フィルタ（至）・・・を１ｉｌＷｔ、て使用すれば
低感度を補償することもできる。また、感光領域（Ｉト
・・が６個存在するものについては赤色・緑色・青色の
５原色と補色の関係にあるシアン色・マゼンタ色・黄色
の色フィルタ（至）・・・を追加しても艮い。
しに図示けしないが、多数の感光領域を−［機上に配列
しｔ構成が特にカフ−ファクシミリ用の光学読み取り装
置として青用である。この場合、赤色・緑色・青色の各
色７４１Ｖ夕を備えた５個の感光領域を１ユニツトとし
友ものが一直線上に配列される。
しｔ構成が特にカフ−ファクシミリ用の光学読み取り装
置として青用である。この場合、赤色・緑色・青色の各
色７４１Ｖ夕を備えた５個の感光領域を１ユニツトとし
友ものが一直線上に配列される。
尚、以上の説＠に於けるア七Ａ／７アス半導体は反応ガ
スの組成並びに組成比を適宜選択することＫよって感光
度特性のａなるものが容易に侮られることが知られてφ
る。例えば反応ガスとして５１Ｈ４にメタン（ＯＨ４）
を加えアシル７アスシリコンカーバイドを形成すれば、
短波長側での感光度が上昇し、ゲルマン（ＧｅＨ４）を
添加するこトニよってアモルファスシリコンゲルマニウ
ムを得て長θ長備での感光度を増大せしめる仁ともでき
る。
スの組成並びに組成比を適宜選択することＫよって感光
度特性のａなるものが容易に侮られることが知られてφ
る。例えば反応ガスとして５１Ｈ４にメタン（ＯＨ４）
を加えアシル７アスシリコンカーバイドを形成すれば、
短波長側での感光度が上昇し、ゲルマン（ＧｅＨ４）を
添加するこトニよってアモルファスシリコンゲルマニウ
ムを得て長θ長備での感光度を増大せしめる仁ともでき
る。
また、透光性電極（１２Ｒ）（１２Ｇ）（１２Ｂ）並び
に金属電Ｉｆ（１４Ｒ）（１４Ｇ）（１４Ｂ）は、１枚
の１モルフ１ス半導体を挾んで各感光領域（１１Ｒ）（
１１Ｇ）（１１Ｂ）に対し夫々分割せしめられてい九が
、何れか一方の電極をア−ｔＩ’Ｗ ７ ｙス半導体と
同じく全領域に渡って一様に形成しても良い。特に透光
性ＩＮｉ！１（１２Ｒ）（１２Ｇ ） （１２Ｂ ）を
全領域に渡って一様に形成すれば、次に重畳されるアシ
ル７アス半導体も平担化されるので有用である。
に金属電Ｉｆ（１４Ｒ）（１４Ｇ）（１４Ｂ）は、１枚
の１モルフ１ス半導体を挾んで各感光領域（１１Ｒ）（
１１Ｇ）（１１Ｂ）に対し夫々分割せしめられてい九が
、何れか一方の電極をア−ｔＩ’Ｗ ７ ｙス半導体と
同じく全領域に渡って一様に形成しても良い。特に透光
性ＩＮｉ！１（１２Ｒ）（１２Ｇ ） （１２Ｂ ）を
全領域に渡って一様に形成すれば、次に重畳されるアシ
ル７アス半導体も平担化されるので有用である。
本発明感光装置は以上の説明から明らかな如く透光性基
板を挾んで感光θ長域の異なる置数の感光領域は、感光
度特性が大概ね酊幌光＠域に存在するア七シファス半導
体を主構成婆素とする光活性層を含んでいるので、構造
開傘にして従来の赤外領域に感度ピークを有している単
結晶シリコンに於いて不可欠であった赤外カッ）７４Ａ
、−夕を省略することができると共に、前記透光性基板
が脆弱な光活性−に慾影響を与えろことなく感光θ長域
を規制する光学アイ〃りを配置ゼしめる際の保護体並び
に支持体として作用し装置の歩留妙の低下を防止するこ
とができる。
板を挾んで感光θ長域の異なる置数の感光領域は、感光
度特性が大概ね酊幌光＠域に存在するア七シファス半導
体を主構成婆素とする光活性層を含んでいるので、構造
開傘にして従来の赤外領域に感度ピークを有している単
結晶シリコンに於いて不可欠であった赤外カッ）７４Ａ
、−夕を省略することができると共に、前記透光性基板
が脆弱な光活性−に慾影響を与えろことなく感光θ長域
を規制する光学アイ〃りを配置ゼしめる際の保護体並び
に支持体として作用し装置の歩留妙の低下を防止するこ
とができる。
１ＩＪＩ図は従来装置の断面図、第２図は従来装置の単
結晶シリコンと本発明装置のアシル７アス半導体の感光
度特性図、第５図（ＡｌＬ本発明装置の光呻射働から見
比正面図、第５図（Ｂｌは（８）に於けるＢ−Ｂ−断面
図、第４図は本発明装置に用いられる光学フィルタの透
過特性図、第５図＾〜（Ｃ１は本発明装置の他の賽施例
断面図、を犬々示している。 （ＩＱ ・・−・・透光性基板、ｌ（１１Ｒ）（ＩＩＧ
Ｊ（１１Ｂ）・・・・・・感光領域、ａ３・・・・・・
光活性層、（至）（１５Ｂ）（１５ＧＪ（１５Ｂ）−・
・・・・光学アイ〃り。 志＆（ｎｍ） − 第５図
結晶シリコンと本発明装置のアシル７アス半導体の感光
度特性図、第５図（ＡｌＬ本発明装置の光呻射働から見
比正面図、第５図（Ｂｌは（８）に於けるＢ−Ｂ−断面
図、第４図は本発明装置に用いられる光学フィルタの透
過特性図、第５図＾〜（Ｃ１は本発明装置の他の賽施例
断面図、を犬々示している。 （ＩＱ ・・−・・透光性基板、ｌ（１１Ｒ）（ＩＩＧ
Ｊ（１１Ｂ）・・・・・・感光領域、ａ３・・・・・・
光活性層、（至）（１５Ｂ）（１５ＧＪ（１５Ｂ）−・
・・・・光学アイ〃り。 志＆（ｎｍ） − 第５図
Claims (2)
- （１） 透光性基板の一方の主ｒＴＪＫ１Ｍ数の悪党
儂埴を設けると共に、Ｗ記造光性基板の他方の面に透過
θ長域の異なる複数の光学アイＶりを前記感光領域の夫
々に翅向すべ（配置ぜしめた感光装置に於いて、前記感
光領域はその全ＩＩ竣に渡って一様に形成されたア七Ａ
／７アス半導体を主構ａ要素とする光活性層を含んでい
ることを特徴とした感光装置。 - （２） 前記ア七／Ｌ／７アス半導体を主構成要素と
する感光匍域框特定ｆＩ長埴の光照射にＬす光起電力を
発生することを特徴とする特許−求の範囲第１項記載の
感光装置。 （３１［記１セル７アス半導体を主構成要素とする感光
領域は特定ＩＩｌ畏域の光照射によや導電率が上昇する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の感光装置
。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57009201A JPS58125869A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 感光装置 |
| GB08300968A GB2115980B (en) | 1982-01-22 | 1983-01-14 | Color sensor |
| FR8300882A FR2520557B1 (fr) | 1982-01-22 | 1983-01-20 | Capteur chromatique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57009201A JPS58125869A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 感光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125869A true JPS58125869A (ja) | 1983-07-27 |
| JPH0478019B2 JPH0478019B2 (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=11713867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57009201A Granted JPS58125869A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 感光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125869A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6258119A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-13 | Minolta Camera Co Ltd | カラ−センサ |
| JPS6288927A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 色センサ |
| JPH01254821A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-11 | Canon Inc | 測色センサ |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4846280A (ja) * | 1971-10-05 | 1973-07-02 | ||
| JPS5628565A (en) * | 1979-08-16 | 1981-03-20 | Fuji Electric Co Ltd | Solid image pickup device |
| JPS56103573A (en) * | 1980-01-22 | 1981-08-18 | Canon Inc | Color reading device |
| JPS56135982A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Array of photoelectric conversion element |
| JPS56135980A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion element |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57009201A patent/JPS58125869A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4846280A (ja) * | 1971-10-05 | 1973-07-02 | ||
| JPS5628565A (en) * | 1979-08-16 | 1981-03-20 | Fuji Electric Co Ltd | Solid image pickup device |
| JPS56103573A (en) * | 1980-01-22 | 1981-08-18 | Canon Inc | Color reading device |
| JPS56135982A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Array of photoelectric conversion element |
| JPS56135980A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion element |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6258119A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-13 | Minolta Camera Co Ltd | カラ−センサ |
| JPS6288927A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 色センサ |
| JPH01254821A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-11 | Canon Inc | 測色センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0478019B2 (ja) | 1992-12-10 |
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