JP3303577B2

JP3303577B2 - 太陽電池

Info

Publication number: JP3303577B2
Application number: JP01461595A
Authority: JP
Inventors: 恭一丹下
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 1995-01-31
Filing date: 1995-01-31
Publication date: 2002-07-22
Anticipated expiration: 2017-07-22
Also published as: JPH08213642A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体のｐｎ接合を利
用した太陽電池、特に変換効率が向上できる構成に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、各種の太陽電池が知られてお
り、半導体技術の進歩に伴い、比較的安価、小型のもの
が開発され、各種装置の電源として広く利用されてい
る。この太陽電池においては、いかにして多くの入射光
を得るか、入射光をいかに効率よく電力に変換するかと
いうことが重要な課題である。

【０００３】まず、入射光量を多くするためには、表面
（光が入射してくる受光面）に光の入射を遮るものを配
置しないことが考えられる。そこで、電極をすべて裏面
側に設け、受光面積を大きくすることが好ましい。次
に、光の入射によって発生した正負キャリア（正孔およ
び電子）が電極に移動する過程で再結合（発生したキャ
リアが結晶欠陥において他極性のキャリアと結合してし
まい消滅するいわゆるオージェ再結合）を起こさないよ
うに、電極までの距離を小さくすることが考えられる。
そこで、基板を薄肉構造にすることが好ましい。

【０００４】特開平３−１６５５７８号公報では、電極
を裏面側に設けると共に、基板を薄肉構造とすることが
示されている。特に、この特開平３−１６５５７８号公
報の装置では、基板に薄肉部と厚肉部を設けることによ
って、基板の全体としての強度の低下を防止している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ここで、太陽光には、
広範囲の波長の光が含まれている。このため、なるべく
広範囲の波長の光を吸収して電力に変換することが望ま
しい。従来の太陽電池では、一般にエネルギーの大きな
短波長側の光を光電変換することを目的としており、長
波長側の光も効率的に光電変換することは考えられてい
なかった。

【０００６】長波長側の光は、エネルギーレベルが低い
ため、バンドギャップの低い基板が望ましい。そして、
バンドギャップを低くするためには、不純物濃度を増加
することになる。しかし、基板の不純物濃度を高くする
と、基板中の結晶欠陥が増加しキャリアの再結合が増加
し、効率が低下してしまう。そこで、基板中の不純物濃
度はそれほど低くすることができず、結局長波長側の光
を十分に光電変換できないという問題点があった。

【０００７】本発明は、短波長側のみならず長波長側の
光について効率よく光電変換することができる太陽電池
を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、ｐ型基板に対
して、正極となるｐ拡散層と、負極となるｎ拡散層とを
形成した太陽電池において、前記ｐ型基板は、薄肉部と
厚肉部とを有し、薄肉部の裏面側には前記ｐ拡散層が形
成され、厚肉部の裏面側には前記ｐ拡散層より不純物濃
度の高い高濃度ｐ拡散層が構成され、この高濃度ｐ拡散
層において前記ｐ拡散層よりも長波長の光が光電変換さ
れることを特徴とする。

【０００９】また、本発明は、ｐ型基板に対して、正極
となるｐ拡散層と、負極となるｎ拡散層とを形成した太
陽電池において、前記ｐ型基板は薄肉部と厚肉部を有
し、薄肉部の裏面側には前記ｐ拡散層と前記ｎ拡散層と
が形成され、厚肉部の裏面側には前記ｐ拡散層より不純
物濃度の高い高濃度ｐ拡散層と、前記ｎ拡散層より不純
物濃度が高い高濃度ｎ拡散層とが形成されていることを
特徴とする。

【００１０】また、本発明は、前記ｐ型基板の薄肉部は
高抵抗基板で形成され、厚肉部は表面側に設けられ薄肉
部を形成する高抵抗基板を延長して形成された高抵抗部
分と、この高抵抗部分の裏面側に接合された低抵抗基板
を含むことを特徴とする。

【００１１】

【作用】一般的に長波長の光は、基板の深い場所で吸収
される。そして、長波長の光は、そのエネルギーが小さ
い。このため、通常の高抵抗（低不純物濃度）のシリコ
ン基板であれば、１１２０ｎｍ以上の長波長の光では、
そのエネルギーがバンドギャップ以下であり、正負キャ
リアが発生しない。

【００１２】ところが、本発明によれば、厚肉部の裏面
側に高濃度ｐ拡散層を有している。そこで、ここでのバ
ンドギャップが小さくなっており、今まで利用できなか
った長波長の光によっても正負キャリアが発生し、効果
的な光電変換が行われる。

【００１３】また、次の発明によれば、厚肉部の裏面側
に高濃度ｐ拡散層の他に、高濃度ｎ拡散層を有してい
る。従って、この高濃度ｎ拡散層においてもバンドギャ
ップが小さくなり、ここで正負キャリアが発生する。そ
して、高濃度ｐ拡散層と高濃度ｎ拡散層は共に厚肉部の
裏面側にあるため、両者の距離は小さく、キャリアの移
動距離を小さくでき、再結合によるキャリアの消滅を減
少してさらに効果的な光電変換を行うことができる。

【００１４】さらに次の発明によれば、厚肉部が高抵抗
基板と低抵抗基板の接合によって構成されている。そし
て、低抵抗基板により、高濃度ｐ拡散層を形成する。低
抵抗基板は、その基板の形成段階で、不純物を含ませら
れるため、高濃度のｐ拡散層と同様の不純物濃度であっ
ても比較的欠陥を少なくして、この領域の厚さを大きく
できる。そこで、長波長の光をより多く、光電変換する
ことができ、また再結合を抑制することができる。従っ
て、さらに効率的な光電変換を行うことができる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面に基づ
いて説明する。

【００１６】「第１実施例」図１は、第１実施例の構成
を示す図であり、太陽電池の１つのソーラーセルを構成
している。通常の太陽電池は、このようなソーラーセル
を複数（例えば、５０〜８０）設け、これらを適宜接続
して、所望の出力を得る。

【００１７】図１に示すように、ｐ型基板１は、その裏
面側の中央部が裏面側から見てＶ溝状に切り欠かれ、中
央部の薄肉部１ａと、周辺部の厚肉部１ｂとから形成さ
れている。そして、ｐ型基板１の表面の薄肉部１ａより
やや広めの領域は、ピラミッド型のテクスチャー構造３
となっており、このテクスチャー構造３の表層部に電子
を収集するｎ＋拡散層２が形成されている。また、薄肉
部１ａの裏面側には正孔を収集するｐ＋拡散層４が形成
されている。そして、表面側のｎ＋拡散層２の周辺部上
には、負極５が設けられ、裏面側のｐ＋拡散層４上に
は、正極６が設けられている。

【００１８】そして、本実施例においては、厚肉部の裏
面側表面部に、ｐ＋＋拡散層１１が設けられ、このｐ＋
＋拡散層１１の上に正極１２が設けられている。

【００１９】なお、ｐ型基板１はシリコン単結晶によっ
て形成されており、ｐ型の不純物としては、ボロン
（Ｂ）、アルミ等が用いられ、ｎ型の不純物としてはリ
ン（Ｐ）が用いられる。また、この不純物の拡散には、
通常熱拡散が利用される。負極５、正極６は、通常アル
ミで形成され、フォトリソグラフやスクリーン印刷法等
によって、パターニングされる。なお、アルミ電極の形
成によって、ｐ型の不純物拡散を行ってもよい。さら
に、ｐ型基板１の裏面側のＶ溝は、シリコン基板に対し
て用いられる通常のエッチング（湿式でも乾式でもよ
い）が用いられる。

【００２０】また、ｐ型基板１は、不純物濃度が１×１
０¹⁵〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3程度と低く、比抵抗が１０〜３
０Ωｃｍ程度と比較的高抵抗（高キャリアライフタイム
数１００〜１０００μｓｅｃ程度）のものが用いられ
る。また、トータルの再結合量を減少するためには、照
射光を吸収できる範囲で、ｐ型基板１の厚みをできるだ
け薄くしたい。本実施例では、薄肉部１ａの厚みを５０
〜１００μｍとしている。さらに、厚肉部１ｂの厚み
は、単結晶シリコンウエハの製造の限界である２００〜
３００μｍとしている。このように、厚肉部１ｂの厚み
を大きくすることによって、太陽電池の全体構成として
の強度を十分なものとしている。特に、通常のシリコン
ウエハをベースにして、プロセスを構成するため、この
際に厚みの大きい厚肉部１ｂが補強になり、歩留まりの
高いプロセスを達成することができる。また、薄肉部１
ａの裏面が放熱用のフィンの役割を果たすため、放熱効
果の高い太陽電池（ソーラーセル）を得ることができ、
より低温で効率の良い動作が可能となる。

【００２１】そして、本実施例では、ｐ＋＋拡散層１１
は、表面不純物濃度が１×１０²⁰ｃｍ^-3以上となるよう
に、比較的高濃度とし、その深さを５〜２０μｍとして
いる。一方、ｐ＋拡散層４は、表面不純物濃度が１×１
０¹⁸〜１×１０¹⁹ｃｍ^-3程度、深さ１〜３μｍ程度に形
成される。

【００２２】このような太陽電池において、表面側から
光が入射すると、ｐ型基板１内で正負キャリアが発生
し、ｐ型基板１内の電界に応じて、電子がｎ＋拡散層
２、正孔がｐ＋拡散層４およびｐ＋＋拡散層１１に至
り、負極５と、正極６、１２から出力が得られる。

【００２３】ここで、図２に示されるように、ｐ型基板
１内で吸収される光は、その波長に応じて吸収される深
さが異なる。すなわち、短波長側の光は浅いところで吸
収され、長波長側の光は深いところで吸収される。本実
施例では、薄肉部１ａで短波長側の光が吸収され、厚肉
部１ｂで長波長側の光が吸収されることになる。

【００２４】また、本実施例の太陽電池は、特に集光型
のソーラーセルに好適であり、この場合には、セルの上
方に集光レンズが設けられる。そして、集光レンズに入
射した光が例えば１００倍程度に集光されてセルに照射
される。ここで、昼間の光は比較的短波長が多く、朝夕
の光は長波長が多いことが知られている。そして、太陽
電池を太陽に向くように太陽電池の表面の向きを追従さ
せたとしても、正面から入射してくる光は短波長の光を
多く含み、長波長の光は斜めから入射してくる確率が高
くなる。従って、これを集光した場合に、セルの周辺部
分に長波長側の光が多く入射し、中央部に短波長側の光
が多く入射することになる。

【００２５】本実施例では、中央側に薄肉部１ａ、周辺
側に厚肉部１ｂを配置しているため、短波長側の光を薄
肉部１ａ、長波長側の光を厚肉部で受入れ、効果的に吸
収することができる。そして、薄肉部１ａで吸収された
光により正負キャリアが発生し、電子がｎ＋拡散層２、
正孔がｐ＋拡散層４に収集される。

【００２６】ｐ型基板１は、低不純物濃度であり、再結
合が少なく、また薄肉部１ａでは、キャリアの移動距離
が少なくてよいため、オージェ再結合を防止できる。そ
して、厚みが小さいため、内部抵抗を小さく保って効果
的な光電変換が行われる。

【００２７】一方、厚肉部１ｂには、長波長側の光が入
射する。そこで、ｐ型基板１のかなり深いところで吸収
され、正負キャリアが発生する。ここで、厚肉部１ｂの
裏面側には、５〜２０μｍの厚みで、ｐ＋＋拡散層１１
が形成されている。そして、正負キャリアの多くは、こ
のｐ＋＋拡散層１１において発生する。

【００２８】また、シリコン結晶におけるバンドギャッ
プは、ここに含まれる不純物濃度によって変化する。す
なわち、図３、４に示すように、不純物濃度が高くなる
と、バンドギャップが小さくなる。図３は、ｎ型の不純
物（ドナー）濃度とバンドギャップの低下（縮小）の関
係を示したものであり、図４はｐ型の不純物（アクセプ
ター）濃度とバンドギャップの低下（縮小）の関係を示
したものである。ｐ型基板１の場合、図４に示すように
アクセプター濃度（ボロン、アルミ等の不純物の濃度に
比例するキャリア濃度）が大きくなるに従って、バンド
ギャップが小さくなる。

【００２９】このため、正負キャリアの電離を起こさせ
るために必要なエネルギーがｐ＋＋拡散層１１において
は、小さくなり、長波長の光によっても、正負キャリア
が生じることになる。すなわち、ｐ型基板１内では１１
２０ｎｍ以下の光しか電離を起こすことができなかった
のに対し、ｐ＋＋拡散層１１内では、これ以上の長波長
の光によっても電離によるキャリア発生が起こる。

【００３０】本実施例の構造を用い、分光感度特性を調
べた結果を図５に示す。このように、本実施例の太陽電
池により、長波長側の光の吸収が大きくなっていること
が理解される。なお、分光感度は、単位出力当りに換算
した出力電流（短絡電流（Ａ／Ｗ））を示している。

【００３１】このように、本実施例によれば、ｐ型基板
１に比べ高不純物濃度のｐ＋＋拡散層１１を厚肉部１ｂ
の裏面側に設けたためここにおいて、長波長側の光を吸
収し、光電変換を行うことができる。特に、厚肉部１ｂ
は、セルの周辺部分に配置されており、集光型の太陽電
池では、周辺部に朝夕の長波長の光が入射しやすいた
め、本実施例により、非常に効果的な光電変換が行え
る。

【００３２】さらに、昼間の短波長の光は、中央部分の
薄肉部１ａに入射し、ここで光電変換される。薄肉部１
ａでは、キャリアの移動距離は短く、かつｐ型基板１の
不純物濃度は比較的小さいため、ここでのキャリアのオ
ージェ再結合は少なく（キャリアライフタイムが大き
い）、効率的に光電変換が行われる。また、セルの中央
部分の表面はテクスチャー構造３となっており、ここに
おいて光の封じ込め効果が高く、さらに負極５は、この
テクスチャー構造３の周辺に設けられているため、ここ
における受光の妨げにならない。また、厚肉部１ｂに光
が入射し、比較的浅い部分でキャリアが生じた場合に
も、その部分は、低不純物濃度であり、キャリアライフ
タイムが大きいため、効率的な光電変換が行われる。

【００３３】「第２実施例」図６に、第２実施例の構成
を示す。この実施例では、裏面から形成するＶ溝の数が
３つと第１実施例に比べ多くなっている。そして、各薄
肉部１ａの裏面側にｐ＋拡散層４が設けられ、各厚肉部
１ｂの裏面側にｐ＋＋拡散層１１が設けられている。こ
れによって、ｎ＋拡散層２中における正孔の移動距離を
低減することができ、ここにおけるキャリアの再結合を
防止して光電変換効率を上昇することができる。

【００３４】「第３実施例」図７に、第３実施例の構成
を示す。この実施例では正負電極をすべて裏面側に配置
していると共に、ｎ＋＋拡散層を設けている。すなわ
ち、中央部の裏面側に設けら得たＶ溝の頂部（薄肉部１
ａの裏面側）には、ｐ＋拡散層４と、ｎ＋拡散層２が並
んで設けられている。そして、これらｐ＋拡散層４，ｎ
＋拡散層２上に正極６、負極５がそれぞれ設けられてい
る。

【００３５】そして、厚肉部１ｂの裏面側には、ｐ＋＋
拡散層１１を介し正極１２が設けられていると共に、ｎ
＋＋拡散層１３を介し負極１４が設けられている。この
ｎ＋＋拡散層１４は、例えばＰＯＣｌ₃ソースを用いた
リン（Ｐ）の拡散によって形成し、表面不純物濃度５×
１０¹⁹〜２×１０²⁰ｃｍ^-3程度、深さ１〜３μｍ程度と
する。なお、ｎ＋拡散層２は、表面不純物濃度５×１０
¹⁸〜３×１０¹⁹ｃｍ^-3、深さ０．３〜０．５μｍ程度と
する。

【００３６】このように、本実施例では、裏面側にｎ＋
＋拡散層１４を設けている。このようなｎ型の不純物を
高濃度に含む領域においては、図３に示すようにバンド
ギャップが小さい。このため、ここにおいて、長波長側
の光を効率的に吸収し、キャリアが発生される。そし
て、ｎ＋＋拡散層１３で発生した正孔は、隣のｐ＋＋拡
散層１１に移動すればよく、反対にｐ＋＋拡散層１１で
発生した電子は、隣のｎ＋＋拡散層１３に移動すればよ
い。従って、従来表面のｎ＋拡散層２まで（数１０〜数
１００μｍ）移動していた電子が、隣のｎ＋＋拡散層１
３まで移動すればよくなり、キャリアの移動距離が小さ
くなる。そこで、キャリア再結合の可能性を低くして光
電変換効率を上昇することができる。また、電極がすべ
て裏面側に配置されるため受光面積を大きくすることが
できるという効果も得られる。なお、ｎ＋＋拡散層１
３、ｐ＋＋拡散層１１の深さを大きくすると、それだけ
長波長側の光の吸収を多くできるが、ここにおけるオー
ジェ再結合の発生確率が大きくなってしまう。

【００３７】さらに、図８に示すように、Ｖ溝を２カ所
（２以上でもよい）形成し、薄肉部１ａの裏面側にｎ＋
拡散層１と、ｐ＋拡散層４を交互に設け、また厚肉部１
ｂの裏面側にｎ＋＋拡散層１３と、ｐ＋＋拡散層１１を
交互に設けるとよい。このようにして、太陽電池全体と
しての光電変換効率を上昇することができる。

【００３８】「第４実施例」図９に、第４実施例の要部
構成を示す。この第４実施例は、上述の第３実施例と全
体構成は同一であるが、ｎ＋＋拡散層１３がｐ＋＋拡散
層１１内に設けられている。すなわち、ｐ＋＋拡散層１
１は、厚肉部１ｂの裏面側全体に形成され、その内部に
ｎ＋＋拡散層１３が設けられている。このような構成に
すると、ｐ＋＋拡散層１１とｎ＋＋拡散層１３とでｐｎ
接合が形成される。従って、ここにおける拡散電位を大
きくでき、これによって正極１２、負極１４間に得られ
る出力電圧を大きくできる。すなわち、ｎ＋＋拡散層１
３が、ｐ型基板と接している上述の第３実施例では、ｐ
ｎ接合はｐ型基板１とｎ＋＋拡散層１３で形成されてお
り、ｐ型基板におけるアクセプター濃度が小さいことに
起因して、拡散電位が小さくなってしまう。本実施例で
は、ｐ型基板１における不純物濃度は低いままに維持し
て、ここにおけるオージェ再結合を防止しつつ、拡散電
位を大きくすることができる。

【００３９】「第１、第３実施例の効果」表１に、第１
および第３実施例によるソーラーセルの特性を示す。ｐ
＋＋拡散層１１、ｎ＋＋拡散層１３の付加により、従来
例に比べソーラーセルの特性を大幅に向上できることが
理解される。

【００４０】

【表１】従来第１実施例第３実施例短絡電流（ｍＡ／ｃｍ2 ）３２〜３４３５〜３７３６〜３９効率（％）１５〜１６１７〜１８１８〜１９ここで、この例では、集光レンズを用い２０倍に集光し
ており、また、短絡電流はレンズ面積を受光面積として
計算している。

【００４１】「第５実施例」図１０に、第５実施例の構
成を示す。このように、この実施例では、第４実施例に
おけるｐ＋＋拡散層１１に相当する部分として別の高不
純物濃度の低抵抗ｐ型基板２１を用い、この低抵抗ｐ型
基板２１を高抵抗のｐ型基板１に貼り付けた構成を有し
ている。そして、低抵抗ｐ型基板２１内の裏面部にｎ＋
＋拡散層１３を設けると共に、このｎ＋＋拡散層１３上
に負極１４を設けている。

【００４２】この構成によって、高不純物濃度の部分を
大幅に大きくとることができる。このため、この低抵抗
ｐ型基板２１内において、長波長の光を吸収して、キャ
リアを発生することができ、より多くの長波長の光を光
電変換することができる。

【００４３】通常、貼り合わせ部は、欠陥密度が高く、
この貼り合わせ部分をキャリアが通過すると、ここにお
いてそのほとんどが再結合によって消滅してしまう。し
かし、本実施例の構成によれば、ｐ型基板１内で生成さ
れた正負キャリアは、それぞれｐ＋拡散層４、ｎ＋拡散
層２へ移動する。一方、ｐ型基板２１内で生成された正
負キャリアはそれぞれｎ＋＋拡散層１３、ｐ＋＋拡散層
１１に移動する。従って、通常の場合、発生したキャリ
アが貼り合わせ部を通過することはなく、キャリアの再
結合は余り生じない。そこで、長波長側の光をより多く
吸収したことの効果によって全体として光電変換効率を
上昇することができる。

【００４４】この実施例のソーラーセルは、次のようし
て形成する。まず、高抵抗のｐ型基板１は、予め１００
〜２００μｍ程度にスライスとエッチングによって形成
しておく。一方、不純物濃度が高い低抵抗のｐ型基板２
１も別に作製しておく。この厚みは、１００〜３００μ
ｍ程度にする。そして、ミラー処理によって貼り合わせ
面を十分平滑なものとした後、貼り合わせ表面に水分子
を吸着させ、熱処理することによって、両者を完全に一
体化する。貼り合わせた後の基板の全体の厚みは２００
〜４００μｍ程度が好適である。

【００４５】本実施例によれば、上述の実施例におい
て、１０〜２０μｍ程度しかとれなかったｐ＋＋拡散層
１１に比べ、バンドギャップの小さい層の厚みを大幅に
増加することができる。そこで、長波長の光をより確実
に吸収することができ、太陽電池全体としての光電変換
効率を上昇することができる。

【００４６】また、後から拡散により形成したｐ＋＋拡
散層１１に比べ、低抵抗ｐ型基板２１の方が高品質の結
晶を得ることができる。このため、同一の不純物濃度で
あっても結晶欠陥は少なく、キャリアライフタイムが長
くなり、この部分におけるオージェ再結合を大幅に減少
できる。

【００４７】そして、本実施例により、上述の第４実施
例に比べ、短絡電流を０．３〜１ｍＡ程度大きくするこ
とができるようになった。

【００４８】また、本実施例によれば、ｐ型基板２１の
全体に不純物を拡散させる。このため、その深さに応じ
て不純物濃度を変更することも容易である。そこで、表
面からの距離に応じて徐々に不純物濃度を変更するよう
にして、常に必要最低限の不純物濃度として、キャリア
ライフタイムを最大限にしてもよい。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
厚肉部の裏面側に高濃度ｐ拡散層を有している。そこ
で、ここでのバンドギャップが小さくなっており、今ま
で利用できなかった長波長の光によっても正負キャリア
が発生し、効果的な光電変換が行われる。

【００５０】また、次の発明によれば、厚肉部の裏面側
に高濃度ｐ拡散層の他に、高濃度ｎ拡散層を有してい
る。従って、この高濃度ｎ拡散層においてもバンドギャ
ップが小さくなり、ここで正負キャリアが発生する。そ
して、高濃度ｐ拡散層と高濃度ｎ拡散層は共に厚肉部の
裏面側にあるため、両者の距離は小さく、キャリアの移
動距離を小さくでき、再結合によるキャリアの消滅を減
少してさらに効果的な光電変換を行うことができる。

【００５１】さらに次の発明によれば、厚肉部が高抵抗
基板と低抵抗基板の接合によって構成されている。そし
て、低抵抗基板により、高濃度ｐ拡散層を形成する。低
抵抗基板は、その基板形成の段階で、不純物を含ませら
れるため、高濃度のｐ拡散層と同様の不純物濃度であっ
ても比較的欠陥を少なくして、この領域の厚さを大きく
できる。そこで、長波長の光をより多く、光電変換する
ことができ、また再結合を抑制することができる。従っ
て、さらに効率的な光電変換を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の構成を示す図である。

【図２】光の波長に応じた光の吸収率と吸収される表
面からの深さの関係を示す特性図である。

【図３】ドナー濃度とバンドギャップの低下の関係を
示す特性図である。

【図４】アクセプター濃度とバンドギャップの低下の
関係を示す特性図である。

【図５】実施例の分光感度特性を示す図である。

【図６】第２実施例の構成を示す図である。

【図７】第３実施例の構成を示す図である。

【図８】同実施例の一構成例を示す斜視図である。

【図９】第４実施例の構成を示す図である。

【図１０】第５実施例の構成を示す図である。

【符号の説明】

１ｐ型基板、２ｎ＋拡散層、３テクスチャー構
造、４ｐ＋拡散層、５負極、６正極、１１ｐ
＋＋拡散層、１２正極、１３ｎ＋＋拡散層、１４
負極。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】ｐ型基板に対して、正極となるｐ拡散層
と、負極となるｎ拡散層とを形成した太陽電池におい
て、前記ｐ型基板は、薄肉部と厚肉部とを有し、薄肉部の裏面側には前記ｐ拡散層が形成され、厚肉部の裏面側には前記ｐ拡散層より不純物濃度の高い
高濃度ｐ拡散層が構成され、この高濃度ｐ拡散層におい
て前記ｐ拡散層よりも長波長の光が光電変換されること
を特徴とする太陽電池。
【請求項２】ｐ型基板に対して、正極となるｐ拡散層
と、負極となるｎ拡散層とを形成した太陽電池におい
て、前記ｐ型基板は薄肉部と厚肉部を有し、薄肉部の裏面側には前記ｐ拡散層と前記ｎ拡散層とが形
成され、厚肉部の裏面側には前記ｐ拡散層より不純物濃度の高い
高濃度ｐ拡散層と、前記ｎ拡散層より不純物濃度が高い
高濃度ｎ拡散層とが形成されていることを特徴とする太
陽電池。
【請求項３】請求項２に記載の太陽電池において、前記ｐ型基板の薄肉部は高抵抗基板で形成され、厚肉部
は表面側に設けられ薄肉部を形成する高抵抗基板を延長
して形成された高抵抗部分と、この高抵抗部分の裏面側
に接合された低抵抗基板を含むことを特徴とする太陽電
池。