JPS61288314A - 透光性導電酸化物層の加工方法 - Google Patents
透光性導電酸化物層の加工方法Info
- Publication number
- JPS61288314A JPS61288314A JP60131284A JP13128485A JPS61288314A JP S61288314 A JPS61288314 A JP S61288314A JP 60131284 A JP60131284 A JP 60131284A JP 13128485 A JP13128485 A JP 13128485A JP S61288314 A JPS61288314 A JP S61288314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- oxide layer
- conductive oxide
- layer
- transmitting conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ（Ｓ
ｎＯｘ）等の透光性導電酸化物層の加工方法に関し、例
えば光起電力装置や光導電装置等の光電変換デバイスや
その他のオプティカルデバイスの受光面電極として利用
される。
ｎＯｘ）等の透光性導電酸化物層の加工方法に関し、例
えば光起電力装置や光導電装置等の光電変換デバイスや
その他のオプティカルデバイスの受光面電極として利用
される。
（ロ）従来の技術
ＩＴＯや５ｎＯｘに代表される透光性導電酸化物（以下
丁ＣＯと称す＞ｐｉｔは上述の如く光起電力装置や光導
電装置等のオプティカルデバイスに於ける受光面電極と
して利用されている。特に光起電力装置や光導電装置の
如く半導体活性層の光変換作用を利用する光１変換デバ
イスにあっては斯る半導体活性層に入射する光を可及的
に多くすることが肝要であり、そのために昭和６０年春
季応用物理学会予稿集第４３９頁２９ｐ−Ｕ−１４に開
示された如く受光面！極として用いられるＴＣＯ層もそ
の表面がほぼ平坦なものから凹凸なものに移行しつつあ
る。即ち、ＴＣＯ／１ｍの表面に凹凸な粗面状を呈する
と斯る凹凸表面上に形成される半導体光活性層との接触
界面も自ずと凹凸となり、この接触界面に於ける入射光
の反射量の減少が図れる結果、半導体活性層に入射する
光量が増大する。
丁ＣＯと称す＞ｐｉｔは上述の如く光起電力装置や光導
電装置等のオプティカルデバイスに於ける受光面電極と
して利用されている。特に光起電力装置や光導電装置の
如く半導体活性層の光変換作用を利用する光１変換デバ
イスにあっては斯る半導体活性層に入射する光を可及的
に多くすることが肝要であり、そのために昭和６０年春
季応用物理学会予稿集第４３９頁２９ｐ−Ｕ−１４に開
示された如く受光面！極として用いられるＴＣＯ層もそ
の表面がほぼ平坦なものから凹凸なものに移行しつつあ
る。即ち、ＴＣＯ／１ｍの表面に凹凸な粗面状を呈する
と斯る凹凸表面上に形成される半導体光活性層との接触
界面も自ずと凹凸となり、この接触界面に於ける入射光
の反射量の減少が図れる結果、半導体活性層に入射する
光量が増大する。
上記先行技術に開示字れた１６０層の凹凸化は、ほぼ平
坦な表面を持つ透光性支持基板を準備し、その表面に先
ず半球状の５ｔＯ＊粒子を埋込み該基板表面に凹凸を付
与した後、斯る凹凸基板表面に１６０層が被着されるこ
とにより実現される。
坦な表面を持つ透光性支持基板を準備し、その表面に先
ず半球状の５ｔＯ＊粒子を埋込み該基板表面に凹凸を付
与した後、斯る凹凸基板表面に１６０層が被着されるこ
とにより実現される。
然し乍ら、斯る方法によればＩＣ０ＪＩの成膜に先立っ
て基板表面に凹凸を微細に加工することが非常に困難で
あり、特に光起電力装置や光導電装置等の先買変換作用
を利用した光電変換デバイスの受光面ｔｗＡとして要求
される適切な凹凸化は難しく、量産性の欠如は免れない
。
て基板表面に凹凸を微細に加工することが非常に困難で
あり、特に光起電力装置や光導電装置等の先買変換作用
を利用した光電変換デバイスの受光面ｔｗＡとして要求
される適切な凹凸化は難しく、量産性の欠如は免れない
。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
本発明は上述の如く特に光電変換デバイスの受光面電極
として要求きれる適切な凹凸化が難しく、量産性の欠如
を解決しようとするものである。
として要求きれる適切な凹凸化が難しく、量産性の欠如
を解決しようとするものである。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するためにほぼ平坦な表面に
沿って１６０層が一様に形成された透光性支持基板を準
備し、上記１６０層をその露出面方向からその途中まで
エツチング処理を施した構成にある。
沿って１６０層が一様に形成された透光性支持基板を準
備し、上記１６０層をその露出面方向からその途中まで
エツチング処理を施した構成にある。
（ホ）作用
上述の如く透光性支持基板のほぼ平坦面に沿って形成さ
れた１６０層をその露出面からその途中までエツチング
処理を施すことによって、斯るエツチング処理は微細な
反射量の少ない凹凸を形成する。
れた１６０層をその露出面からその途中までエツチング
処理を施すことによって、斯るエツチング処理は微細な
反射量の少ない凹凸を形成する。
（へ）実施例
第１図乃至第３図は本発明加工方法を模式的に表わして
いる。先ず第１図の工程では、絶縁性のほぼ平坦な表面
に沿って１６０層が一様に形成されたガラス等の透光性
支持基板（２）が準備される。
いる。先ず第１図の工程では、絶縁性のほぼ平坦な表面
に沿って１６０層が一様に形成されたガラス等の透光性
支持基板（２）が準備される。
上記１６０層（１）は例えばＩＴＯ，５ｎＯｘからなり
、周知の電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、スパッタ法、
ＣＶＤ法、スプレー法等により形成きれている。より具
体的には基板温度３００°Ｃ１酸素分圧４×１０−“Ｔ
Ｏｒｒの形成条件に基づいて電子ビーム蒸着法により得
られた平均粒径約５００〜２０００人、膜厚約１５００
〜７０００人の５％５ｎＯｘをドープしたＩＴＯからな
る１０層（１）を、ガラス製支持基板（２〉に予め被着
したものを準備する。
、周知の電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、スパッタ法、
ＣＶＤ法、スプレー法等により形成きれている。より具
体的には基板温度３００°Ｃ１酸素分圧４×１０−“Ｔ
Ｏｒｒの形成条件に基づいて電子ビーム蒸着法により得
られた平均粒径約５００〜２０００人、膜厚約１５００
〜７０００人の５％５ｎＯｘをドープしたＩＴＯからな
る１０層（１）を、ガラス製支持基板（２〉に予め被着
したものを準備する。
第２図の工程では上記支持基板（２〉のほぼ平坦面に被
着されていた１６０層（１）がその露出面から支持基板
（２）に向かってエツチング処理が施される。使用され
るエツチング液としては上記ＩＴＯの１６０層（１）に
対してＨＣＩ ： Ｈ，Ｏ： ＦｅＣ１，−５００ｃｃ
： ６００ｃｃ：１００ｇのものが好適であり、他に
王水も利用可能である。斯るエツチング処理に於いて、
１６０層（１）はその露出面から順次エツチング除去さ
れるもののｒｃｏ署（１）のエツチングレートの異方性
に起因して、先ず第２図に示す如くエツチングレートの
高い部分からエツチングが始まるために、断面台形状と
なる。
着されていた１６０層（１）がその露出面から支持基板
（２）に向かってエツチング処理が施される。使用され
るエツチング液としては上記ＩＴＯの１６０層（１）に
対してＨＣＩ ： Ｈ，Ｏ： ＦｅＣ１，−５００ｃｃ
： ６００ｃｃ：１００ｇのものが好適であり、他に
王水も利用可能である。斯るエツチング処理に於いて、
１６０層（１）はその露出面から順次エツチング除去さ
れるもののｒｃｏ署（１）のエツチングレートの異方性
に起因して、先ず第２図に示す如くエツチングレートの
高い部分からエツチングが始まるために、断面台形状と
なる。
第３図は第２図のエツチング処理が終了した状態を示し
ている。即ち、斯る工・ンチング処理はＩＣＯ，１ｉ（
１）の厚み方向の途中までとし、その露出面が微細な凹
凸を持つまで行ない、例えば高低差約１０００〜５００
０人、凸部と凸部の間隔約２０００〜１００００人のほ
ぼ三角錐状の凹凸面（ｌ ｔｅｘ）が形成きれる。例え
ば上記エツチング液、液温約２５°Ｃの条件に於いて２
０〜４０分程度で上記微細な（ｌ ｔｅｘ）が得られる
。
ている。即ち、斯る工・ンチング処理はＩＣＯ，１ｉ（
１）の厚み方向の途中までとし、その露出面が微細な凹
凸を持つまで行ない、例えば高低差約１０００〜５００
０人、凸部と凸部の間隔約２０００〜１００００人のほ
ぼ三角錐状の凹凸面（ｌ ｔｅｘ）が形成きれる。例え
ば上記エツチング液、液温約２５°Ｃの条件に於いて２
０〜４０分程度で上記微細な（ｌ ｔｅｘ）が得られる
。
第４図及び第５図は本発明方法により凹凸化きれる前の
１６０層（１）の粒子構造を示す走査顕微鏡写真であっ
て、第４図の断面状態であり、第５図は露出面に対して
傾斜角８０度の方向から臨んだ状態で、両者の倍率は等
しくなく写真の下段に夫々のスケールが記しである。第
６図及び第７図は上記第４図及び第５図に示されたＩＣ
０層（１）を本発明方法により凹凸化した後の１６０層
（１）の粒子構造を示す走査顕微鏡写真であって、第６
図は第４図と同倍率の断面状態であり、第７図は第５図
と同倍率の露出面（凹凸面（１ｔｅｘ））に対して傾斜
角８０度の方向から臨んだ状態である。
１６０層（１）の粒子構造を示す走査顕微鏡写真であっ
て、第４図の断面状態であり、第５図は露出面に対して
傾斜角８０度の方向から臨んだ状態で、両者の倍率は等
しくなく写真の下段に夫々のスケールが記しである。第
６図及び第７図は上記第４図及び第５図に示されたＩＣ
０層（１）を本発明方法により凹凸化した後の１６０層
（１）の粒子構造を示す走査顕微鏡写真であって、第６
図は第４図と同倍率の断面状態であり、第７図は第５図
と同倍率の露出面（凹凸面（１ｔｅｘ））に対して傾斜
角８０度の方向から臨んだ状態である。
尚、参考までに第８図及び第９図に第２図に相当する凹
凸加工の途中状態に於けるＩＣ０，１１（１）の粒子構
造の断面状態及び傾斜角８０度の方向から臨んだ状態の
走査顕微鏡写真を示す。
凸加工の途中状態に於けるＩＣ０，１１（１）の粒子構
造の断面状態及び傾斜角８０度の方向から臨んだ状態の
走査顕微鏡写真を示す。
この顕微鏡写真からＴＣＯＪＩ （１）の異方性工・ン
チングレートにより、その露出面から支持基板（２）方
向に均一にエツチング除去されることなく凹凸面（ｌ
ｔａｘ）が形成されていることは明らかである。
チングレートにより、その露出面から支持基板（２）方
向に均一にエツチング除去されることなく凹凸面（ｌ
ｔａｘ）が形成されていることは明らかである。
この様にして凹凸面（ｌ ｔ＠ｘ）が付与きれた１６０
層（１）を評価するために、斯る凹凸面（１ｔｅｘ）に
特公昭５３−３７７１８号公報に示きれたｐｉｎ接合を
有するアモルファスシリコンの半導体光活性層とアルミ
ニウム電極とを順次積層した光起電力装置を作製し、そ
の反射率をほぼ可視光帯域に亘って測定したところ、第
１０図の反射特性を得た。一方、斯る本発明方法により
凹凸加工された１００層（１）を受光面電極とした光起
電力装置に代って、第１図及び第６図、第７図に示した
凹凸カロエする以油のＴＣ０１！（１）を受光面電極と
した光起電力装置の反射特性を測定し、その結果が第１
１図に示しである。
層（１）を評価するために、斯る凹凸面（１ｔｅｘ）に
特公昭５３−３７７１８号公報に示きれたｐｉｎ接合を
有するアモルファスシリコンの半導体光活性層とアルミ
ニウム電極とを順次積層した光起電力装置を作製し、そ
の反射率をほぼ可視光帯域に亘って測定したところ、第
１０図の反射特性を得た。一方、斯る本発明方法により
凹凸加工された１００層（１）を受光面電極とした光起
電力装置に代って、第１図及び第６図、第７図に示した
凹凸カロエする以油のＴＣ０１！（１）を受光面電極と
した光起電力装置の反射特性を測定し、その結果が第１
１図に示しである。
斯る第１１図の反射特性を見ると、約４５０ｎｍ、約６
５０ｎｍ以上の波長に対して断続的に２０％以上の反射
率を呈していたのに対し、本発明による１６０層（１）
を用いた光起電力装置に於いては約４００〜８００ｎｍ
の可視光帯域に亘ってほぼ一定した１０％以下の反射率
を呈するに止まった。この反射率の低域は光電変換作用
をなす半導体光活性層内に多くの光を入射せしめること
を意味し、光起電力装置にあっては光！変換効率を上昇
せしめることができる。
５０ｎｍ以上の波長に対して断続的に２０％以上の反射
率を呈していたのに対し、本発明による１６０層（１）
を用いた光起電力装置に於いては約４００〜８００ｎｍ
の可視光帯域に亘ってほぼ一定した１０％以下の反射率
を呈するに止まった。この反射率の低域は光電変換作用
をなす半導体光活性層内に多くの光を入射せしめること
を意味し、光起電力装置にあっては光！変換効率を上昇
せしめることができる。
第１２図は乃至第１５図は本発明の比較例として従来の
技術の項で述べた支持基板（２）に予め凹凸表面（２ｔ
ｅｘ）を付与し、その凹凸表面（２ｔｅｘ）上に１６０
層く１）を形成したものを示し、第１２図は模式的断面
図、第１３図はそのＴＣＯ署（１）の粒子構造の断面状
態を示す走査顕微鏡写真、第１４図は同じく粒子構造を
傾斜角８０度の方向から臨んだ走査顕微鏡写真及び第１
５図は斯る粒子構造の１６０層（１）を光起電力装置の
受光面電極としたときの反射特性図である。斯る走査顕
微鏡写真の倍率は、第１３図は第４図及び第６図と同じ
であり、第１４図は第５図及び第７図と同一である。ま
た反射特性を測定する光起電力装置の半導体活性層及び
アルミニウム電極とともに第１０図、第１１図のものと
同時に形成きれている。従って、この先行技術に開示さ
れた１６０層（１）を光起電力装置の受光面電極として
用いても本発明方法により凹凸加工された光起電力装置
の反射特性に対して特に６００層ｍの長波長帯域で劣っ
ていることが明らかである。
技術の項で述べた支持基板（２）に予め凹凸表面（２ｔ
ｅｘ）を付与し、その凹凸表面（２ｔｅｘ）上に１６０
層く１）を形成したものを示し、第１２図は模式的断面
図、第１３図はそのＴＣＯ署（１）の粒子構造の断面状
態を示す走査顕微鏡写真、第１４図は同じく粒子構造を
傾斜角８０度の方向から臨んだ走査顕微鏡写真及び第１
５図は斯る粒子構造の１６０層（１）を光起電力装置の
受光面電極としたときの反射特性図である。斯る走査顕
微鏡写真の倍率は、第１３図は第４図及び第６図と同じ
であり、第１４図は第５図及び第７図と同一である。ま
た反射特性を測定する光起電力装置の半導体活性層及び
アルミニウム電極とともに第１０図、第１１図のものと
同時に形成きれている。従って、この先行技術に開示さ
れた１６０層（１）を光起電力装置の受光面電極として
用いても本発明方法により凹凸加工された光起電力装置
の反射特性に対して特に６００層ｍの長波長帯域で劣っ
ていることが明らかである。
（ト）発明の効果
本発明方法は以上の説明から明らかな如く、透光性支持
基板のほぼ平坦面に沿って形成されたＴｃｏｍをその露
出面からその途中までエツチング処理を施すことによっ
て、反射量の少ない微細な凹凸を形成することができ、
しかも斯る凹凸形状もエツチング液組成、液温、エツチ
ング時間を任意に選択することにより容易に制御するこ
とが可能であり、要求される適切な凹凸面を量産性良く
得ることができる。
基板のほぼ平坦面に沿って形成されたＴｃｏｍをその露
出面からその途中までエツチング処理を施すことによっ
て、反射量の少ない微細な凹凸を形成することができ、
しかも斯る凹凸形状もエツチング液組成、液温、エツチ
ング時間を任意に選択することにより容易に制御するこ
とが可能であり、要求される適切な凹凸面を量産性良く
得ることができる。
第１図乃至第３図は本発明加工方法を説明するための状
態別模式的断面図、第４図及び第５図は凹凸化される前
の透光性導電酸化物の粒子構造の断面状態及び傾斜角８
０度の方向から臨んだ状態を示す走査顕微鏡写真、第６
図及び第７図は本発明加工方法により凹凸化きれた後の
透光性導電酸化物の粒子構造の断面状態及び傾斜角８０
度の方向から臨んだ状態を示す走査顕微鏡写真、第８図
及び第９図は第２図に相当する凹凸加工の途中状態に於
ける透光性導電酸化物の粒子構造の断面状態及び傾斜角
８０度の方向から臨んだ状態の走査顕微鏡写真、第１０
図は本発明加工方法により加工された透光性導電酸化物
を受光面ｔｗＡとして組込んだ光起電力装置の反射特性
図、第１１図は従来の透光性導電酸化物を受光面電極と
して光起電力装置の反射特性図、第１２図は本発明加工
方法の比較例の模式的断面図、第１３図及び第１４図は
上記第１２図に示した本発明比較例に於ける透光性導電
酸化物の粒子構造の断面状態及び傾斜角８０度の方向か
ら臨んだ状態を示す走査顕微鏡写真、第１５図は斯る比
較例を受光面電極とした光起電力装置の反射特性図、を
夫々示している。 （１）・・・透光性導電酸化物（ＴＣＯ）！、（１ｔｅ
ｘ）−凹凸面、（２）・・・透光性支持基板。 第↓自 第５ｆ１ｇｊ ３００Ａ 第０凶 第＋７１、ζ、１ ご＋Ｘ（λ−ゴへ 第８５ 第９１９ １鳩やＴｈ ３３００人 第１０図 波長 波長 第１テ）ス ：λ”！、’ｍａｌ
態別模式的断面図、第４図及び第５図は凹凸化される前
の透光性導電酸化物の粒子構造の断面状態及び傾斜角８
０度の方向から臨んだ状態を示す走査顕微鏡写真、第６
図及び第７図は本発明加工方法により凹凸化きれた後の
透光性導電酸化物の粒子構造の断面状態及び傾斜角８０
度の方向から臨んだ状態を示す走査顕微鏡写真、第８図
及び第９図は第２図に相当する凹凸加工の途中状態に於
ける透光性導電酸化物の粒子構造の断面状態及び傾斜角
８０度の方向から臨んだ状態の走査顕微鏡写真、第１０
図は本発明加工方法により加工された透光性導電酸化物
を受光面ｔｗＡとして組込んだ光起電力装置の反射特性
図、第１１図は従来の透光性導電酸化物を受光面電極と
して光起電力装置の反射特性図、第１２図は本発明加工
方法の比較例の模式的断面図、第１３図及び第１４図は
上記第１２図に示した本発明比較例に於ける透光性導電
酸化物の粒子構造の断面状態及び傾斜角８０度の方向か
ら臨んだ状態を示す走査顕微鏡写真、第１５図は斯る比
較例を受光面電極とした光起電力装置の反射特性図、を
夫々示している。 （１）・・・透光性導電酸化物（ＴＣＯ）！、（１ｔｅ
ｘ）−凹凸面、（２）・・・透光性支持基板。 第↓自 第５ｆ１ｇｊ ３００Ａ 第０凶 第＋７１、ζ、１ ご＋Ｘ（λ−ゴへ 第８５ 第９１９ １鳩やＴｈ ３３００人 第１０図 波長 波長 第１テ）ス ：λ”！、’ｍａｌ
Claims (3)
- （１）ほぼ平坦な表面に沿って透光性導電酸化物層が一
様に形成された透光性支持基板を準備し、上記透光性導
電酸化物層をその露出面方向からその途中までエッチン
グ処理を施してこの透光性導電酸化物層の露出面に凹凸
を付与したことを特徴とする透光性導電酸化物層の加工
方法。 - （２）上記透光性導電酸化物層は酸化インジウムスズで
あることを特徴とした特許請求の範囲第１項記載の透光
性導電酸化物層の加工方法。 - （３）上記透光性導電酸化物層の凹凸は凸部と凸部との
間の間隔が約２０００〜１００００Å、凸部と凹部との
高低差が約１０００〜５０００Åであることを特徴とし
た特許請求の範囲第１項若しくは第２項記載の透光性導
電酸化物層の加工方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60131284A JPS61288314A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 透光性導電酸化物層の加工方法 |
| US06/872,684 US4732621A (en) | 1985-06-17 | 1986-06-10 | Method for producing a transparent conductive oxide layer and a photovoltaic device including such a layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60131284A JPS61288314A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 透光性導電酸化物層の加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61288314A true JPS61288314A (ja) | 1986-12-18 |
| JPH0418646B2 JPH0418646B2 (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=15054350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60131284A Granted JPS61288314A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 透光性導電酸化物層の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61288314A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999063600A1 (en) * | 1998-06-01 | 1999-12-09 | Kaneka Corporation | Silicon-base thin-film photoelectric device |
| JP2002287906A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | タッチパネル |
| US7179527B2 (en) | 2001-10-19 | 2007-02-20 | Asahi Glass Company, Limited | Substrate with transparent conductive oxide film, process for its production and photoelectric conversion element |
| JP2008218191A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Kaneka Corp | 透明導電膜付き基板および透明導電膜付き基板の製造方法 |
| US7608294B2 (en) | 2003-11-18 | 2009-10-27 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Transparent substrate with transparent conductive film, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion element including the substrate |
| JP2013040091A (ja) * | 2011-07-15 | 2013-02-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光散乱機能および反射抑制機能を有する光入射面を備えたガラス板 |
-
1985
- 1985-06-17 JP JP60131284A patent/JPS61288314A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999063600A1 (en) * | 1998-06-01 | 1999-12-09 | Kaneka Corporation | Silicon-base thin-film photoelectric device |
| JP2002287906A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | タッチパネル |
| US7179527B2 (en) | 2001-10-19 | 2007-02-20 | Asahi Glass Company, Limited | Substrate with transparent conductive oxide film, process for its production and photoelectric conversion element |
| US7364808B2 (en) | 2001-10-19 | 2008-04-29 | Asahi Glass Company, Limited | Substrate with transparent conductive oxide film, process for its production and photoelectric conversion element |
| US7883789B2 (en) | 2001-10-19 | 2011-02-08 | Asahi Glass Company, Limited | Substrate with transparent conductive oxide film, process for its production and photoelectric conversion element |
| US7608294B2 (en) | 2003-11-18 | 2009-10-27 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Transparent substrate with transparent conductive film, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion element including the substrate |
| US7846562B2 (en) | 2003-11-18 | 2010-12-07 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Transparent substrate with transparent conductive film, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion element including the substrate |
| JP2008218191A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Kaneka Corp | 透明導電膜付き基板および透明導電膜付き基板の製造方法 |
| JP2013040091A (ja) * | 2011-07-15 | 2013-02-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光散乱機能および反射抑制機能を有する光入射面を備えたガラス板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0418646B2 (ja) | 1992-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2504378B2 (ja) | 太陽電池基板の製造方法 | |
| US4732621A (en) | Method for producing a transparent conductive oxide layer and a photovoltaic device including such a layer | |
| JP3526308B2 (ja) | 受光素子 | |
| US4644091A (en) | Photoelectric transducer | |
| EP0102204A1 (en) | An optically enhanced photovoltaic device | |
| JP2002299661A (ja) | 薄膜結晶質Ｓｉ太陽電池 | |
| US11469336B2 (en) | Photodiode, method for preparing the same, and electronic device | |
| JPS61288473A (ja) | 光起電力装置 | |
| WO2010004811A1 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JPS61288314A (ja) | 透光性導電酸化物層の加工方法 | |
| JPS62209872A (ja) | 光電変換素子 | |
| JP2000223724A (ja) | アモルファスシリコン太陽電池とその製造方法 | |
| JP2682658B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61241983A (ja) | 光起電力装置 | |
| JP3203106B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH05206490A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS6269408A (ja) | 透明導電膜の粗面化方法 | |
| JPS6288927A (ja) | 色センサ | |
| JP2994716B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS59125669A (ja) | 太陽電池 | |
| JPS62219969A (ja) | 半導体受光装置の製造方法 | |
| JPH01154570A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPS6269407A (ja) | 透明導電膜の粗面化方法 | |
| JP2892921B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS59152673A (ja) | 光電変換装置作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |