JP2008218191A - 透明導電膜付き基板および透明導電膜付き基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 母材表面上にシリカよりなる微粒子が分散され付着されてなる母型または母材表面上にシリカよりなる微粒子が分散され付着されてなる原型を用いて製造されてなる母型とを用いて、該母型と基板前駆体の片面または両面とを互いにプレスする工程により、前記母型の表面形状を前記基板前駆体に転写して形成されてなる片面または両面に前記母型からの転写による凹凸構造を備える前記基板を製造することができ、容易に基板上に凹凸構造を形成することが可能となる。
【選択図】 図1
Description
「基板上に少なくとも一層以上の透明導電層を有する透明導電膜を備える透明導電膜付き基板の製造方法であって、
母材表面上にシリカよりなる微粒子が分散され付着されてなる母型
または
母材表面上にシリカよりなる微粒子が分散され付着されてなる原型を用いて製造されてなる母型と
基板前駆体の片面または両面とを
互いにプレスする工程により、
前記母型の表面形状を前記基板前駆体に転写して形成されてなる
片面または両面に前記母型からの転写による凹凸構造を備える前記基板を製造することを特徴とする、
透明導電膜付き基板の製造方法」である。
図1は、本発明に係る透明導電膜付き基板に用いる基板への凹凸構造形成方法の略図である。母材1上にシリカ微粒子面を形成し、さらに基板3をシリカ微粒子面に接するように当て、プレスすることで基板上に凹凸構造を形成する。なお、プレスにあたり、加熱プレスを採用しても良い。
上記透明導電層には透明導電酸化物や有機導電化合物などを用いることができるが、特にこれらに限定されることなく、所望の透明性と導電性を示すものであればどのようなものでも使用できるが、導電性の高さの点から透明導電酸化物が好ましい。透明導電酸化物としては、酸化亜鉛や酸化錫や酸化インジウムまたはその混合物、酸化チタンなどが挙げられるが、透明性の高さと導電率、さらに資源が豊富という点から酸化亜鉛が好ましい。上記透明導電酸化物には抵抗制御や安定性を目的としてドーピング剤を添加することができる。ドーピング剤としては例えば、アルミニウムやホウ素を含む化合物やリン、窒素を含む化合物などの13、15、16族元素をはじめ多くの元素を使用できる。有機導電化合物としては、ポリエチレンジオキシチオフェンなどの導電性高分子化合物が挙げられるが、特にこれに限定されない。
以下に、実施例でもって本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(A)シリカ微粒子
(コロイダルシリカ、平均粒径:100nm) 49重量%
(B)テトラエトキシシラン 10重量%
(C)溶媒(エチルセロソルブ) 40重量%
(D)酸触媒(希塩酸) 1重量%
上記組成の塗布溶液を25℃で充分に攪拌した後、コーターを用いてガラス基板の一方の面に塗布した。その後、塗布膜を200℃で乾燥した後、500℃で1時間焼成して、シリカが分散・付着した母型1を作製した。
上記母型1をゼオノアフィルム(日本ゼオン製、膜厚100ミクロン、面平均粗さ0.7nm、550nmでの光線透過率92%、550nmでの反射率10%)上に、膜面が接するように置き、10kg/m2の圧力で150℃の温度をかけながら3分間加温プレスした。室温で冷却後、母型1とフィルムを離別することで凹凸構造を有するフィルムを得た。
上記母型1に、ニッケルを厚メッキし、母型1から剥離することで、母型1と凹凸が反転した母型2を作製した。
フィルムの面平均粗さは75nm、550nmでの光線透過率は93%、550nmでの反射率は9%だった。
ゼオノアフィルム(膜厚100ミクロン、面平均粗さ0.7nm、550nmでの光線透過率92%、550nmでの反射率10%)に、実施例1と同様に酸化亜鉛をスパッタリング製膜した。膜厚は1000Åであり、JISK7194に基づいて四探針圧接測定により測定した表面抵抗は110Ω/□、550nmでの光線透過率は84%、550nmでの反射率は12%だった。
ガラス基板(OA−10 日本電気硝子製 厚さ0.7mm、550nmでの光線透過率92%、550nmでの反射率12%)に、実施例1と同様に酸化亜鉛をスパッタリング製膜した。膜厚は1000Åであり、JISK7194に基づいて四探針圧接測定により測定した表面抵抗は110Ω/□、550nmでの光線透過率は83%、550nmでの反射率は12%だった。
2 シリカ微粒子面
3 基板
Claims (5)
- 基板上に少なくとも一層以上の透明導電層を有する透明導電膜を備える透明導電膜付き基板の製造方法であって、
母材表面上にシリカよりなる微粒子が分散され付着されてなる母型
または
母材表面上にシリカよりなる微粒子が分散され付着されてなる原型を用いて製造されてなる母型と
基板前駆体の片面または両面とを
互いにプレスする工程により、
前記母型の表面形状を前記基板前駆体に転写して形成されてなる
片面または両面に前記母型からの転写による凹凸構造を備える前記基板を製造することを特徴とする、
透明導電膜付き基板の製造方法。 - 前記シリカよりなる微粒子の平均粒径が50nm以上500nm以下である、請求項1に記載の透明導電膜付き基板の製造方法。
- 前記透明導電層に用いられる透明導電酸化物が酸化亜鉛である、請求項1に記載の透明導電膜付き基板の製造方法。
- 前記のプレスする工程において、前記基板前駆体側の近傍及び/又は前記母型側の近傍に加熱ヒーターを配置することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の透明導電膜付き基板の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の製造方法で得られる、550nmでの反射率が低減した透明導電膜付き基板。
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