KR102298165B1 - 매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법 - Google Patents

매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102298165B1
KR102298165B1 KR1020190027499A KR20190027499A KR102298165B1 KR 102298165 B1 KR102298165 B1 KR 102298165B1 KR 1020190027499 A KR1020190027499 A KR 1020190027499A KR 20190027499 A KR20190027499 A KR 20190027499A KR 102298165 B1 KR102298165 B1 KR 102298165B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive layer
metal foil
transparent electrode
electrode substrate
transparent
Prior art date
Application number
KR1020190027499A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190108499A (ko
Inventor
손용구
이건석
문정옥
이기석
이승헌
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Publication of KR20190108499A publication Critical patent/KR20190108499A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102298165B1 publication Critical patent/KR102298165B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0016—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables for heat treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/389—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a coupling agent, e.g. silane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0108—Transparent
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14—Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1453—Applying the circuit pattern before another process, e.g. before filling of vias with conductive paste, before making printed resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/067—Etchants

Abstract

본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 전극 기판의 제조방법은, 투명 기재, 상기 투명 기재 상에 구비된 접착층 및 상기 접착층 상에 구비된 금속박(metal foil)을 포함하는 구조체를 형성하는 단계; 상기 금속박을 패터닝하여 금속박 패턴을 형성하는 단계; 상기 금속박 패턴을 포함하는 구조체를 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리하는 단계; 및 상기 접착층을 완전 경화시키는 단계를 포함한다.

Description

매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법{EMBEDDED TRANSPARENT ELECTRODE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}
본 출원은 2018년 3월 14일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2018-0029686호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 출원은 매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 우리나라는 첨단 ICT 기술과 LED 기술의 융합을 통해 화려한 간판뿐만 아니라 공원 및 도심지 내에 다양한 경관 조명을 연출하여 도시민에게 정보 및 볼거리를 제공하고 있다. 특히, ITO 투명 전극 소재를 사용한 투명 LED 디스플레이는 Glass와 Glass 사이에 LED를 적용하거나 LED가 적용된 투명 필름을 Glass의 일면에 부착한 것으로써, 전선이 보이지 않아 고급스러운 연출이 가능한 장점이 있다. 이로 인해 호텔, 백화점 등의 실내 인테리어에 활용되고 있으며, 건물 외벽의 미디어 파사드 구현에 있어 그 중요성이 커지고 있다.
투명하면서도 전기가 흘러 터치스크린 등에 사용되는 투명 전극은 스마트기기가 보급되면서 그 수요가 폭발적으로 늘어났으며, 그 중 가장 많이 사용하는 투명 전극은 인듐과 주석의 산화물인 ITO(Indium Tin Oxide) 이다. 그러나, ITO 투명 전극 소재의 주원료인 인듐은 전 세계적으로 매장량이 많지 않고, 중국 등 일부 국가에서만 생산되고 있으며 생산비용이 고가이다. 또한, 저항값이 일정하게 적용되지 않아 표출되는 LED 불빛이 일정하지 않다는 단점을 갖고 있다. 이로 인해 ITO를 활용한 투명 LED는 고성능 저비용의 투명 전극 소재로 활용하기에는 한계가 있다.
투명 전극 소재로서 ITO가 가장 많은 비중을 차지하며 사용되어 온 것은 사실이나, 경제성, 제한적 성능 등 한계로 인하여 새로운 소재를 활용한 연구와 기술개발이 지속적으로 이루어지고 있다. 차세대 신소재로 주목받고 있는 투명 전극 소재로는 메탈메쉬(Metal Mesh), 나노 와이어(Ag Nanowire), 탄소나노튜브(CNT), 전도성 고분자, 그래핀(Graphene) 등이 있다. 그 중 메탈메쉬는 ITO를 대체한 물질의 85%를 차지하는 신소재로서 저비용 고전도도를 갖고 있어 그 활용도 측면에서 시장이 확대되고 있다.
메탈메쉬를 활용한 투명 LED 디스플레이는 기존 ITO 투명 디스플레이보다 유지보수가 용이하고, 자원절약, 환경오염방지를 대폭 줄일 수 있을 뿐만 아니라 제조원가 절감으로 경제적이다. 또한, 다양한 용도로 확대 적용이 가능하여 새로운 투명전극 소재로서 다양한 제품에 적용 및 활용에 가능성을 갖고 있다.
대한민국 특허공개공보 제10-2015-0033169호
본 출원은 매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 출원의 일 실시상태는,
투명 기재, 상기 투명 기재 상에 구비된 접착층 및 상기 접착층 상에 구비된 금속박(metal foil)을 포함하는 구조체를 형성하는 단계;
상기 금속박을 패터닝하여 금속박 패턴을 형성하는 단계;
상기 금속박 패턴을 포함하는 구조체를 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리하는 단계; 및
상기 접착층을 완전 경화시키는 단계
를 포함하는 매립형 투명 전극 기판의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 출원의 다른 실시상태는,
투명 기재; 상기 투명 기재 상에 구비된 접착층; 및 상기 접착층 내부에 매립된 금속박 패턴을 포함하는 매립형 투명 전극 기판이고,
상기 접착층의 일면과 상기 금속박 패턴의 일면은 서로 동일 평면 상에 구비되며,
상기 투명 기재와 대향하는 상기 금속박 패턴의 면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.5㎛ 초과이고,
상기 매립형 투명 전극 기판의 금속박 패턴이 구비되지 않은 영역의 헤이즈가 3% 이하인 것인 매립형 투명 전극 기판을 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 따르면, 저가의 금속박을 이용하여 금속박 패턴을 형성하므로 투명 전극 기판의 제조시 원재료비가 절감될 수 있는 특징이 있다. 특히, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 접착층 상에 금속박 패턴을 형성한 후 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리함으로써, 별도의 압력을 인가하는 공정 없이도 상기 접착층 내부로 상기 금속박 패턴이 매립되는 매립형 투명 전극 기판을 제조할 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 접착층 상에 금속박 패턴을 형성한 후 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리함으로써, 금속박 표면의 조도에 따른 투명 전극 기판의 헤이즈가 증가하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 2는 본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 3 내지 도 6은 각각 본 출원의 실시예 1에 따른 매립형 투명 전극 기판을 나타낸 도이다.
도 7은 본 출원의 비교예 1에 따른 전극 기판을 나타낸 도이다.
이하 본 출원에 대하여 상세히 설명한다.
본 출원에 있어서, "투명"은 가시광선 영역(400nm 내지 700nm)에서 약 80% 이상의 투과율 특성을 갖는 것을 의미하기로 한다.
투명 기재 상부에 금속 배선이 구비되어 있는 투명 LED 디스플레이에 적용되는 투명 전극 기판의 경우에는, 70% 이상의 투과율과 0.5 ohm/sq 이하의 면저항 특성이 확보되어야 한다. 상기 투과율 및 면저항 특성을 확보하기 위해서는 비저항층이 낮은 구리 증착층이 1㎛ 이상의 두께를 가져야 한다. 투명 기재 상부에 스퍼터링, 이베퍼레이션, 도금 공정 등을 활용하여 1㎛ 이상의 구리 증착층을 형성할 수 있으나, 이러한 경우에는 고가의 증착비용이 발생하며 구리 증착층의 부착력 저하 및 증착 공정 중 하부 투명 기재의 손상이 발생할 수 있다.
또한, 저가의 동박과 투명 기재를 접착제를 활용하여 합지하는 경우에는, 제조비용을 크게 낮출 수 있고 부착력이 개선될 수 있으나, 동박의 표면조도가 접착제 표면에 전사되어 개구부의 헤이즈(haze)가 증가되는 문제가 발생한다.
또한, 우수한 표면 평탄도를 갖는 매립형 전극을 제조하기 위해서, 전극 패턴이 구비되어 있는 투명 기재 상에 추가로 수지층을 도포한 후 전극 상부에 존재하는 잔류 수지층을 제거하거나, 이형기재 상에 전극 패턴을 형성한 후 그 상부에 수지층을 도포 및 경화하여 전극을 수지층으로 전사하는 방법을 이용할 수 있으나, 이러한 경우에는 공정이 복잡하고 제조비용이 상승하는 문제점을 가지고 있다.
이에 본 출원에서는, 가격 경쟁력을 확보하기 위하여, 금속층으로써 초저가의 금속박을 이용하고, 투명 전극 기판의 헤이즈를 개선할 수 있는 매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법은, 투명 기재, 상기 투명 기재 상에 구비된 접착층 및 상기 접착층 상에 구비된 금속박(metal foil)을 포함하는 구조체를 형성하는 단계; 상기 금속박을 패터닝하여 금속박 패턴을 형성하는 단계; 상기 금속박 패턴을 포함하는 구조체를 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리하는 단계; 및 상기 접착층을 완전 경화시키는 단계를 포함한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법은, 투명 기재, 상기 투명 기재 상에 구비된 접착층 및 상기 접착층 상에 구비된 금속박을 포함하는 구조체를 형성하는 단계를 포함한다.
상기 구조체를 형성하는 단계는, 금속박 상에 접착층을 형성하고, 상기 접착층 상에 투명 기재를 형성하는 단계; 또는 투명 기재 상에 접착층을 형성하고, 상기 접착층 상에 금속박을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 투명 기재는 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기재 또는 투명 플라스틱 기재가 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 전자 소자에 통상적으로 사용되는 투명 기재이면 제한되지 않는다. 구체적으로, 상기 투명 기재로는 유리; 우레탄 수지; 폴리이미드 수지; 폴리에스테르수지; (메타)아크릴레이트계 고분자 수지; 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지 등으로 이루어진 것이 될 수 있다. 또한, 상기 투명기재는 PET (Polyethylene terephthalate), COP (cyclic olefin polymer), PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PC (polycarbonate), 아세틸 셀룰로이드와 같은 가시광 투과율 80% 이상의 필름일 수 있다. 상기 투명기재의 두께는 25㎛ 내지 250㎛일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 금속박은 당 기술분야에 알려진 재료를 이용할 수 있고, 보다 구체적으로 동박(Cu Foil) 또는 알루미늄박(Al Foil)을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 금속박의 두께는 2㎛ 내지 20㎛ 일 수 있다. 상기 금속박 패턴의 높이는 마이크로미터나 두께 게이지로 측정이 가능하다.
상기 접착층은 굴절율이 1.45 내지 1.55 일 수 있고, 70℃ 이상의 온도에서 유동성을 가질 수 있다. 또한, 상기 접착층은 열경화형 접착제 조성물 또는 UV 경화형 접착제 조성물을 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 접착층은 실란변성 에폭시 수지, 비스페놀 A형 페녹시 수지, 개시제 및 실란 커플링제를 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 접착층은 전술한 접착제 조성물을 이용하고, 콤마 코팅, 슬롯다이 코팅 등의 방법으로 5㎛ 내지 30㎛의 두께범위로 형성할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법은, 상기 금속박을 패터닝하여 금속박 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 금속박 패턴을 형성하는 방법은 당 기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있고, 예컨대 포토리소그래피 공정을 이용할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 금속박 패턴을 형성하는 방법은, 금속박 상에 레지스트 패턴을 형성한 후 상기 금속박을 식각하는 단계, 및 상기 레지스트 패턴을 박리하는 단계를 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 금속박 패턴은 십점 평균 거칠기(Rz)가 상대적으로 높은 매트(matt) 면을 적어도 한 면 포함하는 금속박으로부터 제조될 수 있다. 이 때, 상기 금속박의 매트 면이 상기 투명 기재와 대향하게 된다.
상기 금속박 패턴은 서로 선폭이 상이한 2종 이상의 금속박 패턴을 포함할 수 있다. 또한, 상기 금속박 패턴은 서로 선폭이 상이한 2종의 금속박 패턴을 포함하고, 1종의 금속박 패턴의 선폭은 3㎛ 내지 30㎛ 이고, 다른 1종의 금속박 패턴의 선폭은 50㎛ 이상일 수 있다. 상기 선폭이 3㎛ 내지 30㎛인 금속박 패턴은 전극 패턴의 역할을 수행할 수 있고, 상기 선폭이 50㎛ 이상인 금속박 패턴은 외부 단자를 연결하기 위한 전극 패드부 패턴의 역할을 수행할 수 있다. 즉, 상기 금속박 패턴은 전극 패턴 및 전극 패드부 패턴을 포함할 수 있다.
상기 전극 패턴의 선폭은 3㎛ 내지 30㎛ 일 수 있고, 3㎛ 내지 20㎛ 일 수 있으며, 3㎛ 내지 10㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 전극 패드부 패턴의 선폭은 50㎛ 이상일 수 있고, 50㎛ 내지 1,000㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법은, 상기 금속박 패턴을 포함하는 구조체를 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리하는 단계를 포함한다.
상기 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리하는 단계에 의하여, 상기 접착층 내부로 상기 금속박 패턴이 매립될 수 있다. 특히, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 접착층 상에 금속박 패턴을 형성한 후 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리함으로써, 별도의 압력을 인가하는 공정 없이도 상기 접착층 내부로 상기 금속박 패턴이 매립되는 매립형 투명 전극 기판을 제조할 수 있다.
또한, 상기 열처리하는 단계 이전의 상기 접착층의 표면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.5㎛ 초과이고, 상기 열처리하는 단계 이후의 상기 접착층의 표면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.1㎛ 이하일 수 있다. 또한, 상기 열처리하는 단계 이전의 상기 접착층의 표면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.5㎛ 초과 3㎛ 미만일 수 있다. 또한, 상기 열처리하는 단계 이후의 상기 접착층의 표면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0 내지 0.1㎛ 일 수 있다. 상기 열처리하는 단계 이전의 상기 접착층의 표면의 Rz가 0.5㎛ 이하인 경우에는 낮은 요철에 의하여 금속박 특유의 높은 반사율을 갖게 된다. 따라서, 이로부터 제조되는 투명 전극 기판의 반사율을 낮추기 어려우므로, 높은 반사율에 의하여 패턴이 눈에 쉽게 인지되는 단점이 있다. 또한, 상기 열처리하는 단계 이전의 상기 접착층의 표면의 Rz가 0.5㎛ 이하인 경우에는 금속박과 접착층간의 부착력이 저하되어 금속박 패턴을 형성하는 과정(포토공정) 중에 금속박 패턴이 접착층에서 탈리되는 문제가 발생할 수 있다.
즉, 투명 기재 상에 접착층을 구비시킨 후 저가의 금속박을 합지하는 경우에는, 금속박의 표면 조도가 접착층 표면에 전사되어 최종 제품의 헤이즈가 증가되는 문제가 발생할 수 있다. 이에 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 접착층 상에 금속박 패턴을 형성한 후 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리함으로써, 금속박 표면의 조도에 따른 투명 전극 기판의 헤이즈가 증가하는 것을 방지할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법은, 상기 접착층을 완전 경화시키는 단계를 포함한다. 상기 접착층은 열경화형 접착제 조성물 또는 UV 경화형 접착제 조성물을 포함하고, 상기 접착층을 완전 경화시키는 단계는, 접착층을 120℃ 이상의 온도로 열경화시키거나 UV 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법을 하기 도 2에 개략적으로 나타내었다.
하기 도 2와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법은, 투명 기재(10), 상기 투명 기재(10) 상에 구비된 접착층(20) 및 상기 접착층(20) 상에 구비된 금속박(metal foil)(30)을 포함하는 구조체를 형성하는 단계; 상기 금속박(30)을 패터닝하여 금속박 패턴(40)을 형성하는 단계; 상기 금속박 패턴(40)을 포함하는 구조체를 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리하는 단계; 및 상기 접착층(20)을 완전 경화시키는 단계를 포함한다.
또한, 본 출원의 일 실시상태는, 투명 기재; 상기 투명 기재 상에 구비된 접착층; 및 상기 접착층 내부에 매립된 금속박 패턴을 포함하는 매립형 투명 전극 기판이고, 상기 접착층의 일면과 상기 금속박 패턴의 일면은 서로 동일 평면 상에 구비되며, 상기 투명 기재와 대향하는 상기 금속박 패턴의 면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.5㎛ 초과이고, 상기 매립형 투명 전극 기판의 금속박 패턴이 구비되지 않은 영역의 헤이즈가 3% 이하인 것인 매립형 투명 전극 기판을 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판에 있어서, 상기 투명 기재, 접착층 및 금속박 패턴에 대한 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 동일 평면 상에 구비되는 접착층의 일면과 금속박 패턴의 일면 간의 단차는 0 내지 20㎛ 일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 접착층의 굴절율은 1.45 내지 1.55일 수 있고, 상기 투명 기재와 대향하는 상기 금속박 패턴의 면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.5㎛ 초과일 수 있다.
또한, 상기 매립형 투명 전극 기판의 금속박 패턴이 구비되지 않은 영역의 헤이즈가 3% 이하일 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판을 하기 도 1에 개략적으로 나타내었다.
하기 도 1과 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판은, 투명 기재(10); 상기 투명 기재(10) 상에 구비된 접착층(20); 및 상기 접착층(20) 내부에 매립된 금속박 패턴(40)을 포함하며, 상기 접착층(20)의 일면과 상기 금속박 패턴(40)의 일면은 서로 동일 평면 상에 구비된다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판은 전자 소자의 투명 전극으로 적용될 수 있다.
상기 전자 소자는 발열 필름, 투명 LED 디스플레이, 터치 패널, 태양 전지 또는 트랜지스터일 수 있다. 상기 발열 필름, 투명 LED 디스플레이, 터치 패널, 태양 전지 또는 트랜지스터는 당업계에 일반적으로 알려져 있는 것일 수 있으며, 전극을 본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 전극 기판으로 사용한 것일 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 명세서에 기재된 실시상태를 예시한다. 그러나, 이하의 실시예에 의하여 상기 실시상태들의 범위가 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.
< 실시예 >
< 실시예 1>
250㎛ 두께의 PET 필름 상에 콤마 코터를 이용하여 UV 경화형 접착제를 도포한 후 100℃에서 5분간 열풍 건조하여 15㎛ 두께의 접착층을 형성하였다. 이 때, 상기 UV 경화형 접착제는, 실란변성 에폭시 수지 KSR-277HMC70(Kukdo Chemical) 33 중량%, 실란변성 에폭시 수지 KSR-177(Kukdo Chemical) 35 중량%, 비스페놀 A형 페녹시 수지 YP-50E(Kukdo Chemical) 30 중량%, 양이온 개시제 Igacure290(BASF) 1 중량%, 및 실란 커플링제 KBM-403(Shinetsu) 1 중량%를 포함하였다.
상기 투명 접착층이 구비된 PET 필름과 8㎛ 두께의 동박을 100℃, 1.3mpm(meter per minute) 조건으로 핫롤(Hot Roll) 합지하였다.
상기 동박 합지 필름의 동박 면에 DFR(Dry Film Resist)를 합지한 후 노광 및 현상 공정을 통해 20㎛ 선폭의 Hexagonal 형태의 DFR 패턴을 형성하였다.
염화제2철계 구리 식각액을 이용하여 노출된 동박을 제거하고 DFR 패턴을 박리하여 Hexagonal 형태의 동박 패턴을 형성하였다. 이 때, 동박 패턴이 구비되어 있지 않은 영역의 헤이즈는 12.19% 였다.
상기 동박 패턴 필름을 100℃에서 5분간 열처리하여 동박 패턴을 접착층 내부로 매립한 후 동박 패턴이 구비되어 있는 면의 반대면에서 2 J/cm2의 노광량으로 UV를 조사하여 접착층을 완전 경화하였다. 이 때, 동박 패턴이 구비되어 있지 않은 영역의 헤이즈는 2.86% 였다.
본 출원의 실시예 1에 따른 매립형 투명 전극 기판을 하기 도 3 내지 6에 나타내었다. 보다 구체적으로, 하기 도 3은 동박 합지 원단 상부에 DFR 패턴을 형성한 것을 나타낸 것이고, 하기 도 4는 동박 패턴 형성 및 DFR 박리 후를 나타낸 것이며, 하기 도 5는 열처리 공정 후를 나타낸 것이다. 또한, 하기 도 6은 최종적으로 제조된 실시예 1의 매립형 투명 전극 기판을 나타낸 것이다.
< 비교예 1>
250㎛ 두께의 PET 필름 상에 콤마 코터를 이용하여 CCL(Copper Clad Laminate)용 접착제를 도포한 후 100℃에서 5분간 열풍 건조하여 15㎛ 두께의 접착층을 형성하였다.
상기 투명 접착층이 구비된 PET 필름과 8㎛ 두께의 동박을 100℃, 1.3mpm(meter per minute) 조건으로 핫롤(Hot Roll) 합지하였다.
상기 동박 합지 필름을 80℃에서 3일간 숙성하여 상기 접착층을 완전 경화하였다.
상기 동박 합지 필름의 동박 면에 DFR(Dry Film Resist)를 합지한 후 노광 및 현상 공정을 통해 20㎛ 선폭의 Hexagonal 형태의 DFR 패턴을 형성하였다.
염화제2철계 구리 식각액을 이용하여 노출된 동박을 제거하고 DFR 패턴을 박리하여 Hexagonal 형태의 동박 패턴을 형성하였다. 이 때, 동박 패턴이 구비되어 있지 않은 영역의 헤이즈는 48.85% 였다.
본 출원의 비교예 1에 따른 전극 기판을 하기 도 7에 나타내었다.
상기 결과와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 저가의 금속박을 이용하여 금속박 패턴을 형성하므로 투명 전극 기판의 제조시 원재료비가 절감될 수 있는 특징이 있다. 특히, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 접착층 상에 금속박 패턴을 형성한 후 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리함으로써, 별도의 압력을 인가하는 공정 없이도 상기 접착층 내부로 상기 금속박 패턴이 매립되는 매립형 투명 전극 기판을 제조할 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 접착층 상에 금속박 패턴을 형성한 후 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리함으로써, 금속박 표면의 조도에 따른 투명 전극 기판의 헤이즈가 증가하는 것을 방지할 수 있다.
10: 투명 기재
20: 접착층
30: 금속박
40: 금속박 패턴

Claims (13)

  1. 투명 기재, 상기 투명 기재 상에 구비된 접착층 및 상기 접착층 상에 구비된 금속박(metal foil)을 포함하는 구조체를 형성하는 단계;
    상기 금속박을 패터닝하여 금속박 패턴을 형성하는 단계;
    상기 금속박 패턴을 포함하는 구조체를 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리하는 단계; 및
    상기 접착층을 완전 경화시키는 단계
    를 포함하는 매립형 투명 전극 기판의 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 구조체를 형성하는 단계는,
    금속박 상에 접착층을 형성하고, 상기 접착층 상에 투명 기재를 형성하는 단계; 또는
    투명 기재 상에 접착층을 형성하고, 상기 접착층 상에 금속박을 형성하는 단계를 포함하는 것인 매립형 투명 전극 기판의 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리하는 단계에 의하여, 상기 접착층 내부로 상기 금속박 패턴이 매립되는 것인 매립형 투명 전극 기판의 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 접착층은 70℃ 이상의 온도에서 유동성을 갖는 것인 매립형 투명 전극 기판의 제조방법.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 열처리하는 단계 이전의 상기 접착층의 표면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.5㎛ 초과이고,
    상기 열처리하는 단계 이후의 상기 접착층의 표면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.1㎛ 이하인 것인 매립형 투명 전극 기판의 제조방법.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 접착층은 열경화형 접착제 조성물 또는 UV 경화형 접착제 조성물을 포함하고,
    상기 접착층을 완전 경화시키는 단계는, 접착층을 120℃ 이상의 온도로 열경화시키거나 UV 경화시키는 단계를 포함하는 것인 매립형 투명 전극 기판의 제조방법.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 접착층은 실란변성 에폭시 수지, 비스페놀 A형 페녹시 수지, 개시제 및 실란 커플링제를 포함하는 것인 매립형 투명 전극 기판의 제조방법.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 금속박의 두께는 2㎛ 내지 20㎛인 것인 매립형 투명 전극 기판의 제조방법.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 금속박은 동박 또는 알루미늄박을 포함하는 것인 매립형 투명 전극 기판의 제조방법.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 금속박 패턴의 형성은 포토리소그래피 공정을 이용하는 것인 투명 전극 기판의 제조방법.
  11. 투명 기재; 상기 투명 기재 상에 구비된 접착층; 및 상기 접착층 내부에 매립된 금속박 패턴을 포함하는 매립형 투명 전극 기판이고,
    상기 접착층의 일면과 상기 금속박 패턴의 일면은 서로 동일 평면 상에 구비되며,
    상기 투명 기재와 대향하는 상기 금속박 패턴의 면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.5㎛ 초과이고,
    상기 매립형 투명 전극 기판의 금속박 패턴이 구비되지 않은 영역의 헤이즈가 3% 이하인 것인 매립형 투명 전극 기판.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 동일 평면 상에 구비되는 접착층의 일면과 금속박 패턴의 일면 간의 단차는 0 내지 20㎛인 것인 매립형 투명 전극 기판.
  13. 청구항 11에 있어서, 상기 접착층의 굴절율은 1.45 내지 1.55인 것인 매립형 투명 전극 기판.
KR1020190027499A 2018-03-14 2019-03-11 매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법 KR102298165B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180029686 2018-03-14
KR20180029686 2018-03-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190108499A KR20190108499A (ko) 2019-09-24
KR102298165B1 true KR102298165B1 (ko) 2021-09-06

Family

ID=67906861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190027499A KR102298165B1 (ko) 2018-03-14 2019-03-11 매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11259417B2 (ko)
EP (1) EP3683809B1 (ko)
JP (1) JP7005092B2 (ko)
KR (1) KR102298165B1 (ko)
CN (1) CN111295723B (ko)
WO (1) WO2019177319A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022138000A1 (ja) * 2020-12-25 2022-06-30 Tdk株式会社 導電性フィルム、及び表示装置

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5223083A (en) * 1992-01-23 1993-06-29 Micron Technology, Inc. Process for etching a semiconductor device using an improved protective etching mask
US6190834B1 (en) * 1997-05-15 2001-02-20 Hitachi, Ltd. Photosensitive resin composition, and multilayer printed circuit board using the same
US6518514B2 (en) * 2000-08-21 2003-02-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit board and production of the same
JP5142424B2 (ja) * 2001-02-22 2013-02-13 日東電工株式会社 コンデンサ素子巻止め用粘着テープ
TW543052B (en) * 2001-03-05 2003-07-21 Nitto Denko Corp Manufacturing method of ceramic green sheet, manufacturing method of multilayer ceramic electronic components, and carrier sheet for ceramic green sheets
KR100910188B1 (ko) * 2001-07-19 2009-07-30 도레이 카부시키가이샤 회로기판, 회로기판용 부재 및 그 제조방법 및가요성필름의 라미네이트방법
JP2003037352A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Nitto Denko Corp 配線回路基板の製造方法
JP4582436B2 (ja) 2001-08-27 2010-11-17 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 水溶性樹脂キャリア付銅箔及び該銅箔を使用したプリント基板
TW583688B (en) * 2002-02-21 2004-04-11 Dainippon Printing Co Ltd Electromagnetic shielding sheet and method of producing the same
US7238462B2 (en) * 2002-11-27 2007-07-03 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Undercoating material for wiring, embedded material, and wiring formation method
US7001662B2 (en) * 2003-03-28 2006-02-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transfer sheet and wiring board using the same, and method of manufacturing the same
JP4029759B2 (ja) 2003-04-04 2008-01-09 株式会社デンソー 多層回路基板およびその製造方法
KR20050033971A (ko) 2003-10-07 2005-04-14 삼성코닝 주식회사 색감향상용 전자파 차폐 필름 및 이를 채용한 플라즈마표시 장치
JP4407311B2 (ja) * 2004-02-20 2010-02-03 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
KR100598275B1 (ko) * 2004-09-15 2006-07-10 삼성전기주식회사 수동소자 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
JP2006339365A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 配線基板およびその製造方法、多層積層配線基板の製造方法並びにビアホールの形成方法
JP5039315B2 (ja) 2006-03-28 2012-10-03 パナソニック株式会社 電磁波シールド性フィルム及びその製造方法
KR100905566B1 (ko) * 2007-04-30 2009-07-02 삼성전기주식회사 회로 전사용 캐리어 부재, 이를 이용한 코어리스인쇄회로기판, 및 이들의 제조방법
JP2009042582A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 微細パターン形成方法及び被覆膜形成用材料
TWI548320B (zh) * 2007-09-11 2016-09-01 Ajinomoto Kk Manufacturing method of multilayer printed circuit board
JP5209938B2 (ja) * 2007-11-01 2013-06-12 上村工業株式会社 回路形成方法
JP2009241597A (ja) * 2008-03-12 2009-10-22 Hitachi Chem Co Ltd 基板材料及び基板
KR100982412B1 (ko) * 2008-05-29 2010-09-15 (주)에이디에스 전기광학소자 및 이의 제작 방법
US20110244183A1 (en) * 2008-09-24 2011-10-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. Resin composition, cured body and multilayer body
WO2010061721A1 (ja) * 2008-11-27 2010-06-03 コニカミノルタホールディングス株式会社 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法
JP2010129960A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Sony Chemical & Information Device Corp 接続フィルム、並びに、接合体及びその製造方法
CN102265714B (zh) * 2008-12-22 2014-05-14 富士通株式会社 电子部件及其制造方法
KR101256086B1 (ko) * 2009-02-13 2013-04-23 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 금속박과 그 제조 방법, 절연기판, 및 배선기판
EP2579353B1 (en) 2010-07-07 2018-09-05 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting device comprising an encapsulation structure
TWI466139B (zh) * 2010-07-22 2014-12-21 Panasonic Corp 導電性薄膜的製造方法
US8293605B2 (en) * 2011-02-25 2012-10-23 GlobalFoundries, Inc. Methods for fabricating a CMOS integrated circuit having a dual stress layer (DSL)
CN103477399B (zh) * 2011-04-07 2016-07-06 日本写真印刷株式会社 具备以石墨烯为主成分的透明导电膜的转印片及其制造方法、透明导电物
JP6110695B2 (ja) * 2012-03-16 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
WO2013172055A1 (ja) 2012-05-17 2013-11-21 株式会社カネカ 透明電極付き基板およびその製造方法、ならびにタッチパネル
US20140101935A1 (en) * 2012-10-15 2014-04-17 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method for manufacturing printed circuit board
JP6135308B2 (ja) * 2012-11-21 2017-05-31 株式会社リコー アルカリ金属セル、原子発振器及びアルカリ金属セルの製造方法
JP6027912B2 (ja) * 2013-02-22 2016-11-16 東京応化工業株式会社 相分離構造を含む構造体の製造方法、及びパターン形成方法、並びにトップコート材料
JP6070356B2 (ja) 2013-03-28 2017-02-01 大日本印刷株式会社 タッチパネル用導電シートの製造方法、及びタッチパネル用導電シート
JP6200004B2 (ja) 2013-08-01 2017-09-20 エルジー・ケム・リミテッド 透明導電積層体、透明導電積層体を含む透明電極、および透明導電積層体の製造方法｛ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｌａｍｉｎａｔｅ、ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｅｌｅｃｔｒｏｄｅｃｏｍｐｒｉｎｓｉｎｇｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｌａｍｉｎａｔｅ、ａｎｄｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｆｏｒｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｌａｍｉｎａｔｅ｝
WO2015029286A1 (ja) * 2013-08-27 2015-03-05 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ基板の製造方法及び薄膜トランジスタ基板
KR20150033169A (ko) 2013-09-23 2015-04-01 엘지디스플레이 주식회사 Led 패키지와 이를 이용한 액정 표시 장치
US9406615B2 (en) * 2013-12-24 2016-08-02 Intel Corporation Techniques for forming interconnects in porous dielectric materials
JP2015179498A (ja) * 2014-02-28 2015-10-08 富士フイルム株式会社 タッチパネル用積層体、および、粘着シート
KR101680424B1 (ko) 2014-06-27 2016-11-30 한양대학교 에리카산학협력단 전도성 투명 필름 및 그 제조 방법
US10550490B2 (en) 2015-05-22 2020-02-04 Versitech Limited Transparent conductive films with embedded metal grids
JP6639128B2 (ja) 2015-07-10 2020-02-05 株式会社カネカ 金属細線フィルムおよびその製造方法
JP6712270B2 (ja) 2015-07-16 2020-06-17 株式会社カネカ 透明電極フィルム、調光素子、および透明電極フィルムの製造方法
KR20170037254A (ko) 2015-09-25 2017-04-04 주식회사 엘지화학 발열체 및 이의 제조방법
KR101685069B1 (ko) 2016-04-01 2016-12-09 금오공과대학교 산학협력단 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
KR101916071B1 (ko) 2016-09-13 2018-11-07 현대자동차 주식회사 차량용 자동 변속기의 유성기어트레인

Also Published As

Publication number Publication date
US11716818B2 (en) 2023-08-01
CN111295723B (zh) 2022-06-14
US11259417B2 (en) 2022-02-22
EP3683809B1 (en) 2023-09-13
US20220132675A1 (en) 2022-04-28
JP7005092B2 (ja) 2022-01-21
EP3683809A4 (en) 2021-01-06
WO2019177319A1 (ko) 2019-09-19
US20210195760A1 (en) 2021-06-24
KR20190108499A (ko) 2019-09-24
CN111295723A (zh) 2020-06-16
EP3683809A1 (en) 2020-07-22
JP2021501445A (ja) 2021-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10923644B2 (en) Embedded electrode substrate for transparent light emitting device display and method for manufacturing thereof
JP2011134695A (ja) 透明電極フィルム及びその製造方法
JP5805799B2 (ja) タッチセンサおよびタッチセンサモジュール
KR20140047530A (ko) 투명 도전성 필름 및 그 용도
TWI506497B (zh) 單層觸控屏及其製造方法
JP6628907B2 (ja) 積層フィルムを製造するための方法
JP2015030157A (ja) 透明導電性積層体の製造方法
KR102129675B1 (ko) 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판 및 이의 제조방법
KR102298165B1 (ko) 매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법
TW202040809A (zh) 透明發光裝置顯示器
CN106293172A (zh) 触控面板及其制作方法
JP6416461B2 (ja) タッチパネル用加飾カバー基材及びその製造方法
CN104345929A (zh) 触摸屏
KR102361783B1 (ko) 매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법
US20110005819A1 (en) Conductive plate and method for making the same
US20160259454A1 (en) Touch unit, touch substrate and manufacturing method thereof, and flexible touch display device
JP2015015015A (ja) タッチセンサ用カバーシート、タッチセンサ用カバー基材、タッチセンサ及びタッチセンサ用カバーシートの製造方法
KR102447097B1 (ko) 매립형 전극 기판 및 이의 제조방법
KR20200118581A (ko) 투명 기판, 매립형 전극 기판 및 이의 제조방법
JP2015039837A (ja) 透明導電性積層体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant