CN111295723A - 嵌入式透明电极基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

根据本申请的一个实施方式的透明电极基板的制造方法包括：形成包括透明基材、设置在所述透明基材上的胶粘层和设置在所述胶粘层上的金属箔的结构体的步骤；通过对所述金属箔进行图案化而形成金属箔图案的步骤；在70℃至100℃的温度下对包含所述金属箔图案的结构体进行热处理的步骤；和将所述胶粘层完全固化的步骤。

Description

嵌入式透明电极基板及其制造方法
技术领域
本申请要求于2018年3月14日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2018-0029686的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本申请涉及一种嵌入式透明电极基板及其制造方法。
背景技术
近来，在韩国，通过尖端的ICT技术和LED技术的融合，通过在公园和市区呈现各种景观照明以及华丽的招牌，正在为城市人提供信息和景观。特别是，由ITO透明电极材料制成的透明LED显示器是通过将LED施加在玻璃片之间或将施加了LED的透明膜附着到玻璃的一个表面而形成的。其优势在于，因为看不到电线，因此可以产生具有高级感的外观。因此，透明LED显示器用于宾馆、百货商店等的室内设计，并且就在建筑物的外墙上实现媒体立面而言，透明LED显示器的重要性正日益增加。
随着智能装置的普及，对透明电极的需求激增，所述透明电极是透明的并且由于电流能够流过所述透明电极而被用于触摸屏等。最广泛使用的透明电极由作为铟和锡的氧化物的氧化铟锡(ITO)制成。铟是ITO透明电极的主要材料，但是全球铟的储量并不多，并且铟仅在诸如中国的一些国家中生产，因此铟的生产成本高。此外，存在以下缺点，即，由于无法恒定地施加电阻值，因此所显示的LED光不是恒定的。因此，使用ITO的透明LED在用作高性能、低成本的透明电极元件方面具有局限性。
ITO作为透明电极材料已经被最广泛地使用，但是在经济可行性、性能等方面具有局限性，因此使用新材料的研究和技术开发正在不断进行。作为下一代新材料而受到关注的透明电极材料有金属网、纳米线(Ag纳米线)、碳纳米管(CNT)、导电聚合物、石墨烯等。在这些透明电极材料中，金属网是占替代ITO的材料的85％的一种新材料，并且就其利用率而言，金属网的市场正日益扩大，这是因为金属网的价格低廉并且其具有高导电性。
使用金属网的透明LED显示器比相关领域中的ITO透明显示器更容易维护，可以节省资源并且显著防止环境污染，并且由于降低了制造成本而具有经济性。此外，金属网可以作为新的透明电极材料而被广泛应用于各种目的，因此金属网具有在各种产品中应用和利用的潜力。
发明内容
[技术问题]
本申请的目的在于提供一种嵌入式透明电极基板及其制造方法。
[技术方案]
本申请的一个示例性实施方式提供一种嵌入式透明电极基板的制造方法，所述方法包括：形成包含透明基材、设置在所述透明基材上的胶粘层和设置在所述胶粘层上的金属箔的结构体的步骤；通过对所述金属箔进行图案化而形成金属箔图案的步骤；在70℃至100℃的温度下对包含所述金属箔图案的结构体进行热处理的步骤；和将所述胶粘层完全固化的步骤。
此外，本申请的另一个示例性实施方式提供一种嵌入式透明电极基板，其包含：透明基材；设置在所述透明基材上的胶粘层；和嵌入所述胶粘层中的金属箔图案，其中所述胶粘层的一个表面和所述金属箔图案的一个表面被设置在同一平面上，所述金属箔图案的在所述透明基材的相反侧的表面的十点平均粗糙度Rz高于0.5μm，并且所述嵌入式透明电极基板的没有设置金属箔图案的区域中的雾度为3％以下。
[有益效果]
根据本申请的一个示例性实施方式，通过使用低成本的金属箔而形成金属箔图案，因此可以降低制造透明电极基板时的原料成本。特别是，根据本申请的示例性实施方式，在胶粘层上形成金属箔图案，然后在70℃至100℃的温度下进行热处理，由此可以在无需施加单独压力的工序的条件下制造其中金属箔图案嵌入胶粘层中的嵌入式透明电极基板。
此外，根据本申请的一个示例性实施方式，在胶粘层上形成金属箔图案，然后在70℃至100℃的温度下进行热处理，由此可以防止透明电极基板的雾度根据金属箔表面的粗糙度而增加。
附图说明
图1为示意性地示出了根据本申请的一个示例性实施方式的嵌入式透明电极基板的图。
图2为示意性地示出了根据本申请的一个示例性实施方式的嵌入式透明电极基板的制造方法的图。
图3至图6为示出了根据本申请的实施例1的嵌入式透明电极基板的图。
图7为示出了根据本申请的比较例1的电极基板的图。
[标号说明]
10：透明基材
20：胶粘层
30：金属箔
40：金属箔图案
具体实施方式
在下文中，将详细描述本申请。
在本申请中，术语“透明”是指在可见光区域(400nm至700nm)中透射率为约80％以上。
在应用于具有上面设置有金属线的透明基材的透明LED显示器的透明电极基板的情况下，需要确保70％以上的透射率和0.5ohm/sq以下的表面电阻。为了确保透射率和表面电阻，具有低比电阻的铜沉积层需要具有1μm以上的厚度。可以通过使用溅射、蒸发和镀敷工序在透明基材上形成具有1μm以上的厚度的铜沉积层，但是在这种情况下，可能会产生高的沉积成本，铜沉积层的附着力可能会下降，并且在沉积过程中可能会损坏下部透明基材。
此外，在通过使用胶粘剂来层压低成本的铜箔和透明基材的情况下，可以大大降低制造成本，并且可以改善附着力。然而，存在以下问题，即，由于铜箔的表面粗糙度被转印到胶粘剂的表面上，因此开口部的雾度增加。
此外，为了制造具有优异的表面平坦度的嵌入式电极，可以使用在具有电极图案的透明基材上另外涂布树脂层，然后去除电极上存在的残留树脂层的方法，或在剥离基材上形成电极图案，将树脂层涂布到电极图案上，将树脂层固化并且将电极转移到树脂层上的方法，但是在这种情况下，存在以下问题，即，工序复杂并且制造成本增加。
因此，本申请提供一种嵌入式透明电极基板和其制造方法，其中使用超低成本的金属箔作为金属层以确保价格竞争力，并且可以改善透明电极基板的雾度。
根据本申请的一个示例性实施方式的嵌入式透明电极基板的制造方法包括：形成包含透明基材、设置在所述透明基材上的胶粘层和设置在所述胶粘层上的金属箔的结构体的步骤；通过对所述金属箔进行图案化而形成金属箔图案的步骤；在70℃至100℃的温度下对包含所述金属箔图案的结构体进行热处理的步骤；和将所述胶粘层完全固化的步骤。
根据本申请的一个示例性实施方式的嵌入式透明电极基板的制造方法包括形成包含透明基材、设置在所述透明基材上的胶粘层和设置在所述胶粘层上的金属箔的结构体的步骤。
形成所述结构体的步骤可以包括：在所述金属箔上形成胶粘层并且在所述胶粘层上形成透明基材的步骤；或在所述透明基材上形成胶粘层并且在所述胶粘层上形成金属箔的步骤。
所述透明基材可以为但不限于在透明性、表面平滑性、易加工性和防水性方面优异的玻璃基材或透明塑料基材，并且所述透明基材不限于此，只要是通常用于电子元件的透明基材即可。具体地，所述透明基材可以由以下制成：玻璃；聚氨酯树脂；聚酰亚胺树脂；聚酯树脂；(甲基)丙烯酸酯类聚合物树脂；或聚烯烃类树脂，如聚乙烯或聚丙烯。此外，所述透明基材可以为具有80％以上的可见光透射率的膜，如由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环烯烃聚合物(COP)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)或乙酰纤维素制成的膜。所述透明基材的厚度可以为但不仅仅限于25μm至250μm。
所述金属箔可以由本技术领域已知的材料制成，并且更具体地，所述金属箔可以包含但不仅仅限于铜(Cu)箔或铝(Al)箔。金属箔的厚度可以为2μm至20μm。金属箔图案的高度可以通过千分尺或厚度计来测量。
胶粘层的折射率可以为1.45至1.55，并且胶粘层可以在70℃以上的温度下具有流动性。此外，所述胶粘层可以包含热固化性胶粘剂组合物或UV固化性胶粘剂组合物。
更具体地，所述胶粘层可以包含但不仅仅限于硅烷改性的环氧树脂、双酚A型苯氧基树脂、引发剂和硅烷偶联剂。
所述胶粘层可以通过使用上述胶粘剂组合物和诸如逗号涂布或缝形模头涂布的方法形成以具有5μm至30μm的厚度，但是本发明不限于此。
根据本申请的一个示例性实施方式的嵌入式透明电极基板的制造方法包括通过对金属箔进行图案化而形成金属箔图案的步骤。
作为形成金属箔图案的方法，可以使用本技术领域已知的方法，并且例如可以使用光刻工艺。更具体地，金属箔图案的形成方法可以包括但不限于在金属箔上形成抗蚀剂图案，然后蚀刻所述金属箔，并且剥离所述抗蚀剂图案。
所述金属箔图案可以由包含至少一个具有相对高的十点平均粗糙度Rz的无光泽表面的金属箔制成。在这种情况下，金属箔的无光泽表面与透明基材相对。
金属箔图案可以包含具有不同线宽的两种以上类型的金属箔图案。此外，金属箔图案可以包含具有不同线宽的两种类型的金属箔图案，所述金属箔图案中的一种的线宽可以为3μm至30μm，并且所述金属箔图案中的另一种的线宽可以为50μm以上。具有3μm至30μm的线宽的金属箔图案可以用作电极图案，并且具有50μm以上的线宽的金属箔图案可以用作用于连接外部端子的电极焊盘部的图案。也就是说，金属箔图案可以包含电极图案和电极焊盘部的图案。
电极图案的线宽可以为但不仅仅限于3μm至30μm、3μm至20μm或3μm至10μm。此外，电极焊盘部的图案的线宽可以为但不仅仅限于50μm以上或50μm至1000μm。
根据本申请的一个示例性实施方式的嵌入式透明电极基板的制造方法包括在70℃至100℃的温度下对包含金属箔图案的结构体进行热处理的步骤。
通过在70℃至100℃的温度下对所述结构体进行热处理，可以将金属箔图案嵌入胶粘层中。特别是，根据本申请的一个示例性实施方式，在胶粘层上形成金属箔图案，然后在70℃至100℃的温度下进行热处理，以使得可以在无需施加单独压力的工序的条件下制造其中金属箔图案嵌入胶粘层中的嵌入式透明电极基板。
此外，在对所述结构体进行热处理之前，胶粘层的表面的十点平均粗糙度Rz可以高于0.5μm，并且在对所述结构体进行热处理之后，胶粘层的表面的十点平均粗糙度Rz可以为0.1μm以下。此外，在对所述结构体进行热处理之前，胶粘层的表面的十点平均粗糙度Rz可以高于0.5μm且低于3μm。此外，在对所述结构体进行热处理之后，胶粘层的表面的十点平均粗糙度Rz可以为0μm至0.1μm。当在对所述结构体进行热处理之前，胶粘层的表面的Rz为0.5μm以下时，由于小的凹凸，因此所述金属箔具有独特的高反射率。因此，由于难以降低如上文所述所制造的透明电极基板的反射率，因此存在由于反射率高而导致图案容易肉眼可视的问题。此外，当在对所述结构体进行热处理之前，胶粘层的表面的Rz为0.5μm以下时，可能存在以下问题，即，金属箔与胶粘层之间的附着力降低，从而在形成金属箔图案的工序(光工序)中金属箔图案会被从胶粘层脱离。
也就是说，在其中在透明基材上设置胶粘层且然后层压低成本的金属箔的情况下，可能存在以下问题，即，金属箔的表面粗糙度被转印到胶粘层的表面上，从而增加最终产品的雾度。因此，根据本申请的一个示例性实施方式，在胶粘层上形成金属箔图案，然后在70℃至100℃的温度下进行热处理，由此可以防止透明电极基板的雾度根据金属箔表面的粗糙度而增加。
根据本申请的一个示例性实施方式的嵌入式透明电极基板的制造方法包括将胶粘层完全固化的步骤。所述胶粘层可以包含热固化性胶粘剂组合物或UV固化性胶粘剂组合物，并且将所述胶粘层完全固化的步骤可以包括将胶粘层在120℃以上的温度下热固化或将将胶粘层UV固化的步骤。
此外，根据本申请的一个示例性实施方式的嵌入式透明电极基板的制造方法示意性地示于图2中。
如图2中所示，根据本申请的一个示例性实施方式的嵌入式透明电极基板的制造方法包括：形成包含透明基材10、设置在所述透明基材10上的胶粘层20和设置在所述胶粘层20上的金属箔30的结构体的步骤；通过对所述金属箔30进行图案化而形成金属箔图案40的步骤；在70℃至100℃的温度下对包含金属箔图案40的结构体进行热处理的步骤；和将胶粘层20完全固化的步骤。
此外，本申请的一个示例性实施方式提供一种嵌入式透明电极基板，其包含：透明基材；设置在所述透明基材上的胶粘层；和嵌入所述胶粘层中的金属箔图案，其中所述胶粘层的一个表面和所述金属箔图案的一个表面被设置在同一平面上，所述金属箔图案的在所述透明基材的相反侧的表面的十点平均粗糙度Rz高于0.5μm，并且所述嵌入式透明电极基板的没有设置金属箔图案的区域中的雾度为3％以下。
根据本申请的一个示例性实施方式的嵌入式透明电极基板的透明基材、胶粘层和金属箔图案与上述的那些相同。
在本申请的一个示例性实施方式中，被设置在同一平面上的胶粘层的一个表面与金属箔图案的一个表面之间的高差可以为0μm至20μm。
在本申请的一个示例性实施方式中，胶粘层的折射率可以为1.45至1.55，并且金属箔图案的在透明基材的相反侧的表面的十点平均粗糙度Rz可以为高于0.5μm。
此外，前述嵌入式透明电极基板的没有设置金属箔图案的区域中的雾度可以为3％以下。
此外，根据本申请的一个示例性实施方式的嵌入式透明电极基板示意性地示于图1中。
如图1中所示，根据本申请的一个示例性实施方式的嵌入式透明电极基板包含：透明基材10；设置在透明基材10上的胶粘层20；和嵌入胶粘层20中的金属箔图案40，其中胶粘层20的一个表面和金属箔图案40的一个表面被设置在同一平面上。
根据本申请的一个示例性实施方式的嵌入式透明电极基板可以应用于电子元件用透明电极。
所述电子元件可以为发热膜、透明LED显示器、触摸面板、太阳能电池或晶体管。发热膜、透明LED显示器、触摸面板、太阳能电池或晶体管可以为本领域公知的，并且可以使用根据本申请的一个示例性实施方式的透明电极基板。
[本发明的实施方式]
在下文中，将参照实施例描述在本说明书中公开的示例性实施方式。然而，示例性实施方式的范围不受以下实施例的限制。
<实施例>
<实施例1>
通过使用逗号涂布机将UV固化性胶粘剂涂布到具有250μm的厚度的PET膜上，然后在100℃下用热风干燥5分钟以形成具有15μm的厚度的胶粘层。此时，所述UV固化性胶粘剂包含33重量％的硅烷改性的环氧树脂KSR-277HMC70(国都化工公司(Kukdo Chemical))、35重量％的硅烷改性的环氧树脂KSR-177(国都化工公司)、30重量％的双酚A型苯氧基树脂YP-50E(国都化工公司)、1重量％的阳离子引发剂Irgacure 290(巴斯夫公司)和1重量％的硅烷偶联剂KBM-403(信越株式会社(Shinetsu))。
在100℃和1.3mpm(米/分钟)的条件下对具有所述透明胶粘层的PET膜和具有8μm的厚度的铜箔进行热辊层压。
将干膜抗蚀剂(DFR)层压在所述层压了铜箔的膜的铜箔的表面上，然后通过曝光和显影工序而形成具有20μm的线宽的六角形DFR图案。
通过使用氯化铁类铜蚀刻液去除暴露的铜箔，并且剥离DFR图案，从而形成六角形铜箔图案。在这种情况下，其中没有设置金属箔图案的区域中的雾度为12.19％。
在100℃下对上述铜箔图案膜进行5分钟热处理以使得铜箔图案嵌入胶粘层中，然后用UV射线以2J/cm2的曝光量照射在上面设置有铜箔图案的表面的相反侧的表面以将胶粘层完全固化。此时，其中没有设置金属箔图案的区域中的雾度为2.86％。
根据本申请的实施例1的嵌入式透明电极基板示于图3至图6中。更具体地，图3示出了在层压了铜箔的原片上形成的DFR图案，图4示出了在形成铜箔图案并且剥离DFR之后的状态，并且图5示出了在进行了热处理之后的状态。此外，图6示出了根据实施例1的最终制造的嵌入式透明电极基板。
<比较例1>
通过使用逗号涂布机将用于覆铜层压板(CCL)的胶粘剂涂布到具有250μm的厚度的PET膜上，然后在100℃下用热风干燥5分钟以形成具有15μm的厚度的胶粘层。
在100℃和1.3mpm(米/分钟)的条件下对具有所述透明胶粘层的PET膜和具有8μm的厚度的铜箔进行热辊层压。
将铜箔层压膜在80℃下熟化3天以将胶粘层完全固化。
将干膜抗蚀剂(DFR)层压在铜箔层压膜的铜箔的表面上，然后通过曝光和显影工序形成具有20μm的线宽的六角形DFR图案。
通过使用氯化铁类铜蚀刻液去除暴露的铜箔，并且剥离DFR图案，从而形成六角形铜箔图案。此时，其中没有设置金属箔图案的区域中的雾度为48.85％。
根据本申请的比较例1的电极基板示于图7中。
如上述结果所示，根据本申请的示例性实施方式，通过使用低成本的金属箔形成金属箔图案，因此可以降低制造透明电极基板时的原料成本。特别是，根据本申请的一个示例性实施方式，在胶粘层上形成金属箔图案，然后在70℃至100℃的温度下进行热处理，由此可以在无需施加单独压力的工序的条件下制造其中金属箔图案嵌入胶粘层中的嵌入式透明电极基板。
此外，根据本申请的一个示例性实施方式，在胶粘层上形成金属箔图案，然后在70℃至100℃的温度下进行热处理，由此可以防止透明电极基板的雾度根据金属箔表面的粗糙度而增加。

Claims (13)

1.一种嵌入式透明电极基板的制造方法，所述方法包括：
形成包含透明基材、设置在所述透明基材上的胶粘层和设置在所述胶粘层上的金属箔的结构体的步骤；
通过对所述金属箔进行图案化而形成金属箔图案的步骤；
在70℃至100℃的温度下对包含所述金属箔图案的结构体进行热处理的步骤；和
将所述胶粘层完全固化的步骤。
2.根据权利要求1所述的嵌入式透明电极基板的制造方法，其中形成所述结构体的步骤包括：
在所述金属箔上形成所述胶粘层并且在所述胶粘层上形成所述透明基材的步骤；或
在所述透明基材上形成所述胶粘层并且在所述胶粘层上形成所述金属箔的步骤。
3.根据权利要求1所述的嵌入式透明电极基板的制造方法，其中通过所述在70℃至100℃的温度下对所述结构体进行热处理的步骤而将所述金属箔图案嵌入所述胶粘层中。
4.根据权利要求1所述的嵌入式透明电极基板的制造方法，其中所述胶粘层在70℃以上的温度下具有流动性。
5.根据权利要求1所述的嵌入式透明电极基板的制造方法，其中
在对所述结构体进行所述热处理之前，所述胶粘层的表面的十点平均粗糙度Rz高于0.5μm，并且
在对所述结构体进行所述热处理之后，所述胶粘层的表面的十点平均粗糙度Rz为0.1μm以下。
6.根据权利要求1所述的嵌入式透明电极基板的制造方法，其中
所述胶粘层包含热固化性胶粘剂组合物或UV固化性胶粘剂组合物，并且
所述将所述胶粘层完全固化的步骤包括将所述胶粘层在120℃以上的温度下热固化或将所述胶粘层UV固化的步骤。
7.根据权利要求1所述的嵌入式透明电极基板的制造方法，其中所述胶粘层包含硅烷改性的环氧树脂、双酚A型苯氧基树脂、引发剂和硅烷偶联剂。
8.根据权利要求1所述的嵌入式透明电极基板的制造方法，其中所述金属箔的厚度为2μm至20μm。
9.根据权利要求1所述的嵌入式透明电极基板的制造方法，其中所述金属箔包含铜箔或铝箔。
10.根据权利要求1所述的嵌入式透明电极基板的制造方法，其中所述金属箔图案的形成使用光刻工艺。
11.一种嵌入式透明电极基板，其包含：
透明基材；
设置在所述透明基材上的胶粘层；和
嵌入所述胶粘层中的金属箔图案，
其中
所述胶粘层的一个表面和所述金属箔图案的一个表面被设置在同一平面上，
所述金属箔图案的在所述透明基材的相反侧的表面的十点平均粗糙度Rz高于0.5μm，并且
所述嵌入式透明电极基板的没有设置金属箔图案的区域中的雾度为3％以下。
12.根据权利要求11所述的嵌入式透明电极基板，其中被设置在同一平面上的所述胶粘层的一个表面与所述金属箔图案的一个表面之间的高差为0μm至20μm。
13.根据权利要求11所述的嵌入式透明电极基板，其中所述胶粘层的折射率为1.45至1.55。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110958745A (zh) * 2019-12-26 2020-04-03 湖南创瑾科技有限公司 一种制造led透明显示屏的方法及led透明显示屏
JPWO2022138000A1 (zh) * 2020-12-25 2022-06-30

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1440234A (zh) * 2002-02-21 2003-09-03 大日本印刷株式会社 电磁波屏蔽片及其制造方法
JP2009241597A (ja) * 2008-03-12 2009-10-22 Hitachi Chem Co Ltd 基板材料及び基板
CN103081157A (zh) * 2010-07-07 2013-05-01 株式会社Lg化学 包括封装结构的有机发光器件
CN103477399A (zh) * 2011-04-07 2013-12-25 日本写真印刷株式会社 具备以石墨烯为主成分的透明导电膜的转印片及其制造方法、透明导电物
JP5406991B2 (ja) * 2010-07-22 2014-02-05 パナソニック株式会社 導電性フィルムの製造方法
CN104303240A (zh) * 2012-05-17 2015-01-21 株式会社钟化 带有透明电极的基板及其制造方法以及触摸面板

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5223083A (en) * 1992-01-23 1993-06-29 Micron Technology, Inc. Process for etching a semiconductor device using an improved protective etching mask
US6190834B1 (en) * 1997-05-15 2001-02-20 Hitachi, Ltd. Photosensitive resin composition, and multilayer printed circuit board using the same
US6518514B2 (en) * 2000-08-21 2003-02-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit board and production of the same
JP5142424B2 (ja) * 2001-02-22 2013-02-13 日東電工株式会社 コンデンサ素子巻止め用粘着テープ
TW543052B (en) * 2001-03-05 2003-07-21 Nitto Denko Corp Manufacturing method of ceramic green sheet, manufacturing method of multilayer ceramic electronic components, and carrier sheet for ceramic green sheets
CN100579332C (zh) * 2001-07-19 2010-01-06 东丽株式会社 电路基板、电路基板用构件及其制造方法和柔性薄膜的层压方法
JP2003037352A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Nitto Denko Corp 配線回路基板の製造方法
JP4582436B2 (ja) 2001-08-27 2010-11-17 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 水溶性樹脂キャリア付銅箔及び該銅箔を使用したプリント基板
TWI258635B (en) * 2002-11-27 2006-07-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Undercoating material for wiring, embedded material, and wiring formation method
US7001662B2 (en) * 2003-03-28 2006-02-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transfer sheet and wiring board using the same, and method of manufacturing the same
JP4029759B2 (ja) * 2003-04-04 2008-01-09 株式会社デンソー 多層回路基板およびその製造方法
KR20050033971A (ko) 2003-10-07 2005-04-14 삼성코닝 주식회사 색감향상용 전자파 차폐 필름 및 이를 채용한 플라즈마표시 장치
JP4407311B2 (ja) * 2004-02-20 2010-02-03 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
KR100598275B1 (ko) * 2004-09-15 2006-07-10 삼성전기주식회사 수동소자 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
JP2006339365A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 配線基板およびその製造方法、多層積層配線基板の製造方法並びにビアホールの形成方法
JP5039315B2 (ja) 2006-03-28 2012-10-03 パナソニック株式会社 電磁波シールド性フィルム及びその製造方法
KR100905566B1 (ko) * 2007-04-30 2009-07-02 삼성전기주식회사 회로 전사용 캐리어 부재, 이를 이용한 코어리스인쇄회로기판, 및 이들의 제조방법
JP2009042582A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 微細パターン形成方法及び被覆膜形成用材料
KR101530874B1 (ko) * 2007-09-11 2015-06-23 아지노모토 가부시키가이샤 다층 프린트 배선판의 제조 방법
JP5209938B2 (ja) * 2007-11-01 2013-06-12 上村工業株式会社 回路形成方法
KR100982412B1 (ko) * 2008-05-29 2010-09-15 (주)에이디에스 전기광학소자 및 이의 제작 방법
US20110244183A1 (en) * 2008-09-24 2011-10-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. Resin composition, cured body and multilayer body
JPWO2010061721A1 (ja) * 2008-11-27 2012-04-26 コニカミノルタホールディングス株式会社 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法
JP2010129960A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Sony Chemical & Information Device Corp 接続フィルム、並びに、接合体及びその製造方法
JP5310743B2 (ja) * 2008-12-22 2013-10-09 富士通株式会社 電子部品の製造方法
KR101256086B1 (ko) 2009-02-13 2013-04-23 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 금속박과 그 제조 방법, 절연기판, 및 배선기판
US8293605B2 (en) * 2011-02-25 2012-10-23 GlobalFoundries, Inc. Methods for fabricating a CMOS integrated circuit having a dual stress layer (DSL)
JP6110695B2 (ja) * 2012-03-16 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US20140101935A1 (en) * 2012-10-15 2014-04-17 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method for manufacturing printed circuit board
JP6135308B2 (ja) * 2012-11-21 2017-05-31 株式会社リコー アルカリ金属セル、原子発振器及びアルカリ金属セルの製造方法
JP6027912B2 (ja) * 2013-02-22 2016-11-16 東京応化工業株式会社 相分離構造を含む構造体の製造方法、及びパターン形成方法、並びにトップコート材料
JP6070356B2 (ja) 2013-03-28 2017-02-01 大日本印刷株式会社 タッチパネル用導電シートの製造方法、及びタッチパネル用導電シート
TWI543319B (zh) 2013-08-01 2016-07-21 Ｌｇ化學股份有限公司 透明導電層積體、含透明導電層積體的透明電極、及透明導電層積體的製法
US20160204126A1 (en) * 2013-08-27 2016-07-14 Joled Inc. Thin-film transistor substrate and method for fabricating the same
KR20150033169A (ko) 2013-09-23 2015-04-01 엘지디스플레이 주식회사 Led 패키지와 이를 이용한 액정 표시 장치
US9406615B2 (en) * 2013-12-24 2016-08-02 Intel Corporation Techniques for forming interconnects in porous dielectric materials
JP2015179498A (ja) * 2014-02-28 2015-10-08 富士フイルム株式会社 タッチパネル用積層体、および、粘着シート
KR101680424B1 (ko) 2014-06-27 2016-11-30 한양대학교 에리카산학협력단 전도성 투명 필름 및 그 제조 방법
US10550490B2 (en) 2015-05-22 2020-02-04 Versitech Limited Transparent conductive films with embedded metal grids
JP6639128B2 (ja) * 2015-07-10 2020-02-05 株式会社カネカ 金属細線フィルムおよびその製造方法
WO2017010521A1 (ja) 2015-07-16 2017-01-19 株式会社カネカ 透明電極フィルム、調光素子、および透明電極フィルムの製造方法
KR20170037254A (ko) 2015-09-25 2017-04-04 주식회사 엘지화학 발열체 및 이의 제조방법
KR101685069B1 (ko) 2016-04-01 2016-12-09 금오공과대학교 산학협력단 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
KR101916071B1 (ko) 2016-09-13 2018-11-07 현대자동차 주식회사 차량용 자동 변속기의 유성기어트레인

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1440234A (zh) * 2002-02-21 2003-09-03 大日本印刷株式会社 电磁波屏蔽片及其制造方法
JP2009241597A (ja) * 2008-03-12 2009-10-22 Hitachi Chem Co Ltd 基板材料及び基板
CN103081157A (zh) * 2010-07-07 2013-05-01 株式会社Lg化学 包括封装结构的有机发光器件
JP5406991B2 (ja) * 2010-07-22 2014-02-05 パナソニック株式会社 導電性フィルムの製造方法
CN103477399A (zh) * 2011-04-07 2013-12-25 日本写真印刷株式会社 具备以石墨烯为主成分的透明导电膜的转印片及其制造方法、透明导电物
CN104303240A (zh) * 2012-05-17 2015-01-21 株式会社钟化 带有透明电极的基板及其制造方法以及触摸面板

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