CN103477399A - 具备以石墨烯为主成分的透明导电膜的转印片及其制造方法、透明导电物 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题在于，提供将石墨烯作为透明导电材料的转印片、以及透明导电物。本发明的解决手段在于，提供一种具备基片、金属薄膜层和透明导电膜层的转印片，其中，所述基片具备脱模性和平滑性，所述金属薄膜层以反映出所述基片的平滑性的方式局部或整面地形成在所述基片上，所述透明导电膜层形成在所述金属薄膜层上形成并以石墨烯作为主成分。

Description

具备以石墨烯为主成分的透明导电膜的转印片及其制造方法、透明导电物
技术领域
本发明涉及具有透明导电膜层的转印片及其制造方法、以及透明导电物，特别涉及具备以石墨烯为主成分的透明导电膜作为透明导电膜层的转印片及其制造方法、以及透明导电物。
背景技术
在手机等通信设备、电子情报机器、液晶显示器、太阳能电池等中，透明性及导电性优异的透明导电物是必要的。进一步，近年来，在轻质短小化的同时，出于设计方面的要求，期望可弯曲的有柔软性的二维形状的透明导电物或三维形状的透明导电物。
在透明导电膜的透明导电材料中，主要使用氧化铟锡(ITO)。但是，在技术上难以将ITO直接向三维形状进行图案形成，ITO以二维形状形成图案后，即使使其形成三维形状，也因为ITO较脆而不能对被转印物伸长、收缩及弯曲等进行追随，故导电性降低，在技术上难以制作出具备透明性和导电性的三维形状。而且，因ITO含有作为稀土元素的铟，故在资源枯竭、稳定供给、环境负担等方面存在问题。
因此，进行了ITO代替材料的研究，作为其候补而列举出了碳纳米管(CNT)、金属纳米线等。其中，CNT对于具有三维形状的透明导电膜是必要的，其具有机械强度和柔软性两个特征。但是，使用CNT时，作为导电材料，为了获得导电性，在将CNT固定化的粘合剂中，有必要将作为导体的多个CNT相互通过点进行接触，形成三维的网络结构。为了形成此网络结构，例如，在涂布法中，为了使CNT溶解并分散于溶液中，需要溶剂或分散剂的选择、调整等多道工序(例如，专利文献1)。
作为其他ITO代替材料，有石墨烯(Graphene)。石墨烯是碳原子与邻接的3个碳原子键合，具有蜂巢结构的二维物质。与CNT同样地将具有机械强度和柔软性的石墨烯进行图案形成时，可采用成膜后进行掩蔽而来进行图案形成的方法。此方法无需经过像涂布法那样的繁杂的工序，与CNT大相径庭。
在将石墨烯成膜的方法中，有下述方法：将作为催化剂的片状的Cu的基板(厚度15μm、25μm)卷绕于圆柱形的反应器，通过在1000℃下进行化学气相沉积(CVD)。从而在Cu基板上成膜后，将其与可进行卷对卷方式的长条状的基板贴附，利用蚀刻除去该Cu基板(例如，非专利文献1、2)。但是，在此方法中，因需要多道工序，故生成的石墨烯膜受到起皱、破损等破坏，出现了石墨烯的性质降低的问题。因此，发明者进行了深入研究，结果，完成了如下的发明，即，不经过石墨烯层受到破坏的转印工序，就制作出在作为催化剂的金属薄膜层上生成了石墨烯的转印片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本再公表2006-132254号公报
非专利文献1：K.S.Novoselov,A.K.Geim et al.,Science,306,666(2004)
非专利文献2：S.Bae et al.,Nature Nanotech.5,574(2010)
发明内容
发明要解决的问题
本发明为了解决上述问题而开发，目的在于提供将石墨烯作为透明导电材料的转印片以及透明导电物。
用于解决问题的手段
为了达成上述目的，本发明提供透明导电物、用于制成透明导电物的转印片及它们的制造方法。
下面示出本发明中的问题的解决手段。
本发明的第1方式是一种转印片，其具备基片、金属薄膜层和透明导电膜层，其中，
所述基片具备脱模性和平滑性，
所述金属薄膜层以反映出所述基片的平滑性的方式局部或整面地形成在所述基片上，
所述透明导电膜层形成在所述金属薄膜层上并以石墨烯作为主成分。
本发明的第2方式是一种转印片，其具备基片、金属薄膜层、透明导电膜层和铺设电路图案层，其中，
所述基片具备平滑性，
所述金属薄膜层以反映出所述基片的平滑性的方式局部或整面地形成在基片上，
所述透明导电膜层形成在所述金属薄膜层上并以石墨烯作为主成分，
所述铺设电路图案层形成在所述透明导电膜层的局部上。
本发明的第3方式是一种转印片，其具备基片、金属薄膜层、透明导电膜层和铺设电路图案层，其中，
所述基片具备平滑性，
所述金属薄膜以反映出所述基片的平滑性的方式局部地形成在基片上，
所述透明导电膜层形成在所述金属薄膜层上并以石墨烯作为主成分，
所述铺设电路图案层以沿着所述透明导电膜层和所述金属薄膜层的端面形状的方式，从所述透明导电膜层的端部开始连续地形成至所述基片。
本发明的第4方式是一种转印片，其具备基片、金属薄膜层、透明导电膜层和铺设电路图案层，其中，
所述基片具备平滑性，
所述金属薄膜层以反映出所述基片的平滑性的方式局部地形成在基片上，
所述透明导电膜层局部地形成在所述金属薄膜层上并以石墨烯作为主成分，
所述铺设电路图案层按照沿着所述透明导电膜层的端面形状的方式，从所述透明导电膜层的端部开始连续地形成至所述金属薄膜层。
本发明的第5方式是一种转印片，其具备基片、铺设电路图案层、金属薄膜层、透明导电膜层和铺设电路图案层，其中，
所述基片具备平滑性，
所述铺设电路图案层局部地形成在所述基片上，
所述金属薄膜层以反映出所述基片的平滑性的方式局部或整面地形成在所述铺设电路图案层上和在所述基片上的未形成有铺设电路的区域中，
所述透明导电膜层形成在所述金属薄膜层上并以石墨烯作为主成分，
所述铺设电路图案层形成在所述透明导电膜层及所述基片上。
本发明的第6方式是一种转印片，其具备基片、金属薄膜层、铺设电路图案层和透明导电膜层，其中，
所述基片具备平滑性，
所述金属薄膜层以反映出所述基片的平滑性的方式局部或整面地形成在基片上，
所述铺设电路图案层形成在所述金属薄膜层的局部上，
所述透明导电膜层以与所述铺设电路图案层平行设置的方式形成在所述金属薄膜层上并以石墨烯作为主成分。
本发明的第7方式是所述金属薄膜层的厚度为0.01～1μm。
本发明的第8方式是所述基片表面的算术平均粗糙度(Ra)为20nm以下。
本发明的第9方式是在所述基片上具备脱模层。
本发明的第10方式是在所述金属薄膜层上具备胶粘层。
本发明的第11方式是一种转印片的制造方法，其具备：
在基片上局部地形成掩模层的工序，
在所述掩模层和所述具备脱模性的基片上形成金属薄膜层的工序，
用溶剂剥离除去所述掩模层和形成在所述掩模层上的所述金属薄膜层，在所述基片上局部地形成所述金属薄膜层的工序，和
在局部地形成在所述基片上的金属薄膜层上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
本发明的第12方式是一种转印片的制造方法，其具备：
在基片上形成金属薄膜层的工序，
在所述金属薄膜层上局部地形成抗蚀层，在所述金属薄膜层上形成形成有所述抗蚀层的位置和未形成有所述抗蚀层的位置的工序，
用溶剂剥离除去未形成有所述抗蚀层的位置的金属薄膜层，在所述基片上局部地形成所述金属薄膜层和所述抗蚀层的工序，
用溶剂除去所述抗蚀层，在表面露出所述金属薄膜层的工序，和
在露出于所述表面的金属薄膜层上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
本发明的第13方式是一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上的局部上使掩模层形成图案的工序，
在所述基片的未形成有所述掩模层的区域的局部上形成铺设电路图案层的工序，
在所述基片的未形成有所述掩模层和所述铺设电路图案层的区域上形成金属薄膜层的工序，
将所述掩模层与在其上形成的金属薄膜层的一部分一起剥离除去，在基片上局部地形成金属薄膜层的工序，和
在所述局部地形成的金属薄膜层和所述铺设电路图案层上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
本发明的第14方式是一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上的局部上形成铺设电路图案层的工序，
在所述基片上的未形成有所述铺设电路图案层的区域和所述铺设电路图案层上、或者仅在所述基片上的未形成有所述铺设电路图案层的区域上，局部地形成掩模层的工序，
在所述基片上的未形成有所述掩模层和所述铺设电路图案层的区域、所述掩模层上和所述铺设电路图案层上形成金属薄膜层的工序，
将所述掩模层与在其上形成的所述金属薄膜层的一部分一起剥离除去，在所述基片上局部地形成所述金属薄膜层的工序，和
在所述局部地形成的金属薄膜层上和所述透明导电膜层上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
本发明的第15方式是一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上局部地形成掩模层的工序，
在所述基片上的未形成有掩模层的区域和在所述掩模层上形成金属薄膜层的工序，
在形成有所述金属薄膜层的基片上的未形成有所述掩模层的区域上形成铺设电路图案层的工序，
将所述掩模层与在其上形成的金属薄膜层的一部分一起剥离除去，在所述基片上局部地形成所述金属薄膜层的工序，和
在所述局部地形成的金属薄膜层上和所述透明导电膜上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
本发明的第16方式是一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上局部地形成掩模层的工序，
在所述基片上的未形成有所述掩模层的区域和在所述掩模层上形成金属薄膜层的工序，
将所述掩模层与在其上形成的金属薄膜层的一部分一起剥离除去，在基片上局部地形成所述金属薄膜层的工序，
在所述局部地形成的金属薄膜层上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序，和
在所述透明导电膜层上形成铺设电路图案层的工序。
本发明的第17方式是一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上局部地形成掩模层的工序，
在所述基片上的未形成有掩模层的区域和在所述掩模层上形成金属薄膜层的工序，
将所述掩模层与在其上形成的所述金属薄膜层的一部分一起剥离除去，在所述基片上局部地形成所述金属薄膜层工序，
在所述基片上的形成有所述被剥离除去的掩模层的区域上、或者在所述区域和在所述基片上局部地形成的所述金属薄膜层上形成铺设电路图案层的工序，和
作为在所述基片上局部地形成的所述金属薄膜层，在未形成有所述铺设电路层的位置形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
本发明的第18方式是一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上局部地形成铺设电路图案层的工序，
在所述基片的未形成有所述铺设电路图案层的区域和在所述铺设电路图案层上形成金属薄膜层的工序，
在所述金属薄膜层上的局部上形成抗蚀层的工序，
除去未形成有所述抗蚀层的部分的金属薄膜层后，剥离除去所述抗蚀层，在所述基片或所述铺设电路图案层上局部地形成所述金属薄膜层的工序，和
在所述基片或所述铺设电路图案层上局部地形成的所述金属薄膜层上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
本发明的第19方式是一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上形成金属薄膜层的工序，
在所述金属薄膜层上局部地形成铺设电路图案层的工序，
在所述金属薄膜层的未形成有所述铺设电路图案层的区域局部地形成抗蚀层的工序，
除去未形成有所述抗蚀层的位置的金属薄膜层后，剥离除去所述抗蚀层，在基片上局部地形成金属薄膜层的工序，和
在所述局部地形成的金属薄膜层上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
本发明的第20方式是一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上形成金属薄膜层的工序，
在所述金属薄膜层上局部地形成抗蚀层的工序，
除去所述金属薄膜层的未形成有所述抗蚀层的位置的金属薄膜层后，剥离除去抗蚀层，在所述基片上局部地形成所述金属薄膜层的工序，
在局部地形成于所述基片上的所述金属薄膜层上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序，和
在所述透明导电膜层上形成铺设电路图案层的工序。
本发明的第21方式是一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上形成金属薄膜层的工序，
在所述金属薄膜层上局部地形成抗蚀层的工序，
除去所述金属薄膜层的未形成有所述抗蚀层的位置的金属薄膜层后，剥离除去所述抗蚀层，在所述基片上局部地形成所述金属薄膜层工序，
在所述金属薄膜层上局部地形成铺设电路图案层的工序，和
在所述金属薄膜层的未形成有所述铺设电路图案层的区域形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
本发明的第22方式是一种透明导电膜物，其是具备以石墨烯作为主成分的一个透明导电部的透明导电物；
该透明导电膜物具备：
二维形状的具有柔软性的透明基板，
形成于所述透明基板的任一面的树脂层，和
包含透明导电部的1个透明导电膜部，所述透明导电部包含形成在所述树脂层上的以石墨烯作为主成分的透明导电层；
且所述透明导电膜物具有柔软性。
本发明的第23方式是一种透明导电物，其是具备以石墨烯作为主成分的两个透明导电部的透明导电物；
该透明导电物包含：
二维形状的具有柔软性的第1透明基板，
第1透明导电部，其包含形成于所述第1透明基板的任一面的第1树脂层、形成于所述第1树脂层上的以石墨烯作为主成分的第1透明导电层，
二维形状的具有柔软性的第2透明基板，
形成于所述第2透明基板的任一面的第2树脂层，和
第2透明导电部，其包含形成于所述第2树脂层上的以石墨烯为主成分的第2透明导电层；
所述透明导电物是将所述第1透明导电部与所述第2透明导电部以电绝缘的方式对置而置，且具有柔软性的二维形状的透明导电物。
本发明的第24方式是一种透明导电膜物，其是具备以石墨烯作为主成分的1个透明导电部的透明导电物；
该透明导电膜物包含：
三维形状的透明基板，
形成于所述透明基板的任一面的树脂层，和
透明导电部，其包含形成在所述树脂层上的以石墨烯作为主成分的透明导电层；
所述透明导电膜物是具备1个透明导电部并具有三维形状的透明导电膜物。
本发明的第25方式是一种透明导电物，其是具备以石墨烯作为主成分的两个透明导电部的透明导电物；
该透明导电物包含：
三维形状的第1透明基板，
形成于所述第1透明基板的任一面的第1树脂层，
第1透明导电部，其包含形成在所述第1树脂层上的以石墨烯作为主成分的第1透明导电层，
三维形状的第2透明基板，
形成于所述第2透明基板的任一面的第2树脂层，和
第2透明导电部，其包含形成于所述第2树脂层上的以石墨烯作为主成分的第2透明导电层；
所述透明导电物是将所述第1透明电极部与所述第2透明电极部以电绝缘的方式对置而置，具备两个透明导电部，且具有三维形状的透明导电物。
本发明的第26方式是一种透明导电物，其在第1透明导电部与第2透明导电部之间设置有绝缘层。
本发明的第27方式是一种透明导电物，其配置在第1透明电极部与第2透明电极部之间，且具备包含绝缘性的透明树脂、和分散含在所述透明树脂中的多种导电性的压敏物质的压力导电层，若对透明导电物的一个面施加力，则通过所施加的力使电流在所述压力导电层内的压敏物质之间流通，由此，在对置的第1透明导电层与第2透明导电层之间进行导通。
本发明的第28方式是一种透明导电物，其包含铺设电路部。
本发明的第29方式是一种透明导电物，其中，所述铺设电路部位于透明电极部的周边。
本发明的第30方式是一种透明导电物的制造方法，其特征在于，所述透明导电物是具备以石墨烯为主成分的1个透明电极部且具有柔软性的透明导电物；
该透明导电物的制造方法具备：
第1工序，其是将具备以石墨烯作为主成分的透明导电部的转印片设置在注射成型用模具内，将成型树脂射出，在将所述成型树脂固化的同时使转印片一体化地粘接于成型树脂品表面的一个面，除去具有脱模性的基片的工序，和
第2工序，其是除去形成于所述一个面的金属薄膜层的工序。
本发明的第31方式是一种透明导电物的制造方法，其特征在于，所述透明导电物是具备以石墨烯为特征的两个透明导电部且具有三维形状的透明导电物；
该透明导电物的制造方法包括：
第1工序，其是将具备以石墨烯作为主成分的第1透明导电部的第1转印片设置在注射成型用模具内，将成型树脂射出，在将所述成型树脂固化的同时使所述第1转印片一体化地粘接于成型树脂表面的第1面，除去具有脱模性的基片的工序，
第2工序，其是除去形成于所述第1面的第1金属薄膜层的工序，
第3工序，其是利用加热加压将具备以石墨烯作为主成分的第2透明导电部的第2转印片一体化地粘接于具有柔软性的二维形状的透明基板的第2面，除去具有脱模性的基片的工序，
第4工序，其是除去形成于所述第2面的第2金属薄膜层的工序，和
第5工序，其是以使第1透明导电部与第2透明导电部电绝缘的方式，用胶粘剂使所述第1面与所述第2面对置地相贴，在所述第1透明导电部与所述第2导电部之间形成树脂层或压力导电层的工序。
本发明的第32方式是一种静电电容型触摸输入装置，其含有铺设电路部位于透明电极部的周边的透明导电物。
本发明的第33方式是一种电阻膜型触摸输入装置，其含有透明导电物。
发明效果
就本发明的转印片而言，因具备脱模性的基片表面极为平滑，在具备脱模性的基片上形成的金属薄膜层的膜厚极薄，故反映出基片表面的平滑性，金属薄膜层表面也必然极为平滑。因此，由于该作为基底并且也是催化剂的金属薄膜层表面极为平滑，因此具有如下效果，即，在其上形成的透明导电膜层的小孔等的发生少，即使在形成非常薄的透明导电膜层的情况下也能稳定地形成。另外，具有透明导电膜层自身的厚度的均匀性也提高的效果。除此以外，构成透明导电膜层的石墨烯还具备透明性非常高这样的功能。
其结果是，若使用本发明的转印片，则具有可制造出导电性、透明性优异的透明导电物的效果。另外，若厚度的均匀性提高，则转印时的透明导电膜层的起皱等的发生也减轻。进一步，因金属薄膜层的膜厚极薄，故还具有粘接于被转印体后的金属薄膜层的除去工序变简易、可生产率良好地制造高质量的透明导电物的效果。
进一步，因本发明的转印片使用了具有柔软性的以石墨烯为主成分的透明导电膜层，故除了可将透明导电膜层形成在具有柔软性的二维形状的被转印体上，还可将其形成于三维形状的被转印体。其结果是，具有搭载透明导电物的便携式电子设备的用途·功能得到扩大的效果。进一步，因在转印片的形成阶段中可将金属薄膜层图案化，故通过在被转印体上形成后仅除去金属薄膜层，就能得到加以图案化的透明导电膜层。因此，存在变得不需要在被转印体上形成后的透明导电膜层的图案化工序，可大幅简化工序的效果。
进一步，在本发明的转印片中，铺设电路也以图案的方式来形成。因此，存在变得不需要在被转印体上形成后的铺设电路的形成及图案化工序，可大幅简化工序的效果。另外，因在转印片上预先形成了铺设电路，故存在除了可在柔软性的被转印体上形成以外，还可在三维形状的被转印体上形成的效果。另外，因在非常平滑的具有脱模性的基片表面上形成了转印层的一部分，故在被转印体上转印形成后的表面在同一水平面上，可得到耐磨损性等性能提高这样的效果或设计性提高这样的效果。
进一步，就本发明的透明导电物而言，其通过下述工序得到，故其具有大量生产方面优异的效果，所述工序为用二维的片状的转印片制作加以图案化的透明导电膜层，之后与被转印物一体化，进行成形同时转印，仅除去金属薄膜层的工序。
进一步，在以石墨烯为主成分的透明导电膜层的形成中，因利用CVD在在转印片上进行了图案形成后的金属薄膜层上制成石墨烯，故无需在整个面成膜后进行利用电子束等高能量光照射而进行的图案形成。另外，通过仅将该转印片向所需的被转印体转印，可转印含有透明导电膜的层。由此，因能不造成不必要的负担地制成石墨烯，故可提供质量良好的具有大量生产性的透明导电物。
附图说明
[图1]图1是本发明的转印片的截面图。
[图2]图2是本发明的转印片的截面图。
[图3]图3是本发明的转印片的截面图。
[图4]图4是本发明的转印片的截面图。
[图5]图5是本发明的转印片的截面图。
[图6]图6是本发明的转印片的截面图。
[图7]图7是本发明的转印片的截面图。
[图8]图8是本发明的转印片的截面图。
[图9]图9是本发明的转印片的截面图。
[图10]图10是本发明的转印片的截面图。
[图11]图11是本发明的转印片的截面图。
[图12]图12是本发明的转印片的制造工序中的截面图。
[图13]图13是本发明的转印片的制造工序中的截面图。
[图14]图14是本发明的转印片的制造工序中的截面图。
[图15]图15是本发明的转印片的制造工序中的截面图。
[图16]图16是本发明的转印片的制造工序中的截面图。
[图17]图17是本发明的转印片的制造工序中的截面图。
[图18]图18是本发明的透明导电物的截面图。
[图19]图19是本发明的透明导电物的截面图。
[图20]图20是本发明的透明导电物的制造工序中的截面图。
[图21]图21是本发明的透明导电物的制造工序中的截面图。
[图22]图22是本发明的透明导电物的制造工序中的截面图。
具体实施方式
下面基于附图对本发明所涉及的实施方式进一步详细地进行说明。而且，就在本发明的实施例中记载的部位或部分的尺寸、材质、形状、其相对位置等而言，只要无特定的记载，该发明的范围就不仅限于此，其只不过是说明例而已。
图1是显示出本发明的第1实施方式所涉及的转印片的图。此处，转印片是指，可利用加压或加热等使含有透明导电膜层的层转印到包括二维形状或三维形状的被转印体上的片。参照图1，本发明的转印片1由基片2、金属薄膜层3、透明导电膜层4及胶粘层5构成。本发明的转印片1具有在基片2上局部地形成的金属薄膜层3，沿着该金属薄膜层3形成了透明导电膜层4。然后，在最表面设置了胶粘层5。
[基片]
基片用于支承金属薄膜层、透明导电膜层。基片的表面具备优异的平滑性和脱模性。基片的表面的算术平均粗糙度(Ra)优选为0.1nm≤Ra≤20nm。这是因为若基片的算术平均粗糙度(Ra)超过20nm，则在基片上形成的金属薄膜层的凹凸形状变大。其结果是，因在金属薄膜层上生成的石墨烯的晶粒尺寸变得较小，故结晶性降低，发生以石墨烯为主成分的透明导电膜层的导电性降低这样的问题。相反，若算术平均粗糙度(Ra)变得不足0.1nm，则变得不能使基片表面的凹凸形状均匀。其结果是，因基片的脱模性能降低，故发生变得不能将透明导电膜层转印于被转印体这样的问题。而且，该算术平均粗糙度(Ra)基于日本工业标准(JIS)B0601-1994。
基片的厚度优选为10μm～500μm。若基片的厚度不足10μm，则因基片2失去刚性，故在基片上形成金属薄膜层、透明导电膜层时，产生变得不能支承金属薄膜层、透明导电膜层这样的问题。但是，因基片的厚度与其表面的凹凸有相关性，故若基片的厚度厚至一定以上，也就是说，若基片的厚度超过500μm，则基片表面的形状以算术平均粗糙度(Ra)计会超过20nm，因此会产生像上述那样的问题。
基片的材质只要是具有可承受在后述的透明导电膜层的形成时产生的热的耐热性的材质，就没有特别限制。作为这样的具有耐热性的材质的例子，可列举出聚芳酰胺、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚砜、聚醚砜、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺酰亚胺、聚芳酯、高密度聚烯烃、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯、聚偏二氯乙烯、液晶聚合物等树脂或钠玻璃等玻璃等。
构成基片的材质不具备脱模性时，宜对基片进行脱模处理。作为对基片进行脱模处理的方法，可列举出(1)对基片在氟代烃系化合物的气氛下，进行低压等离子体处理的方法；(2)在包含氩和丙酮、及/或氦的气氛下，对基片进行放电等离子体的方法；(3)在包含含氟原子的气体和不活泼气体的混合气体的大气压下，在对置电极面设置固体电介质，在该对置电极之间施加电场，利用由此产生的放电等离子体对基片进行脱模处理的方法。
[金属薄膜层]
金属薄膜层是具备用于在基片上生成作为透明导电层的主成分的石墨烯的催化功能、和使基片的平滑性反映在金属薄膜层上的功能的层。金属薄膜层的材质可使用铜、镍、钌、铁、钴、铱、铂等金属；它们的合金等。从使基片的平滑性反映在金属薄膜层上这样的观点出发，本发明的金属薄膜层的厚度优选为0.01～1μm。
若金属薄膜层的厚度在0.01μm～1μm的范围内，则因可反映出基片的平滑性，故金属薄膜层的表面变平滑。其结果是，因构成透明导电膜层的石墨烯的晶粒尺寸变得较大，故可形成导电性良好的石墨烯膜。另外，若金属薄膜层的厚度在0.01μm～1μm的范围内，则使用转印片制成包含被转印体和透明导电膜层的透明导电物时，在作为其一道工序的利用转印片将金属薄膜层、透明导电膜层转印在被转印体上，从被转印体上仅除去金属薄膜层的工序中，因金属薄膜层的厚度比以往的厚度(15μm、25μm)薄很多，故可在短时间内除去金属薄膜层。
而且，技术上难以形成为金属薄膜层的厚度比0.01μm薄且均匀的膜，相反，若使金属薄膜层的厚度比1μm厚，则变得难以反映出基片的平滑性，变得易成为凹凸大的金属薄膜层。其结果是，产生了在金属薄膜层上形成的透明导电层的厚度的不均变大、导电性变得不稳定，或者变得易发生小孔等缺陷这样的问题。另外，若金属薄膜层的厚度比1μm厚，则使用转印片制成包含被转印体和透明导电膜层的透明导电物时，在作为该制造的一道工序的使用转印片将金属薄膜层、透明导电膜层转印到被转印体上，从被转印体上仅除去金属薄膜层的工序中，发生金属薄膜层的除去费事这样的问题。
可认为若金属薄膜层如上地构成，则可利用金属的催化作用来促进化学反应，生成石墨烯膜，因此，生成沿着金属的表面的形状的石墨烯膜。进一步可认为，若金属薄膜层未如上地构成，则因基底的金属薄膜层的平滑性对石墨烯膜的平滑性带来影响，故不平滑的石墨烯膜为了能量稳定化，在弯曲部等产生元环(員環)等，导电性降低。
另外，可认为若未构成金属薄膜层，则金属薄膜层的表面不会物理性地成为平面，作为载流子的电子散乱，导电性降低。作为金属薄膜层的形成方法，可列举出溅射法、蒸镀法、离子镀敷法等。
[透明导电膜层]
透明导电膜层是由主成分石墨烯构成的层。由主成分石墨烯构成是指，在构成透明导电膜层的物质之中，1层或多层的石墨烯膜以重量比计占最多。在透明导电膜层中可以含有杂质。作为杂质，可列举出无定形碳、金属薄膜层的金属等。金属薄膜层的金属是指，在向被转印体转印后的蚀刻工序中残留的成分。另外，透明导电膜层具有导电性，其是以可见区域的波长的透光率总体达到80％以上的方式构成的。而且，透明导电膜层的厚度优选为2nm以上且200nm以下。若为200nm以上，则透明导电膜层的透明性被损害。相反，若为2nm以下，则透明导电膜层4的导电性降低。透明导电膜层可仅在进行了图案形成的金属薄膜层上利用化学气相沉积法(CVD)等形成。
[胶粘层]
胶粘层是将被转印体与转印片粘接用的层，根据需要在转印片的表面形成。胶粘层由丙烯酸系或乙烯系树脂等构成，具有绝缘性。此处所述的绝缘性是指，例如，关于通过本发明制作的透明导电物，在将透明导电物制成触摸面板时的输入操作中，不使因位置检测的误操所引起的短路发生的程度以上的绝缘性。胶粘层利用凹版涂布法、辊涂法、逗号刮涂法、凹版印刷法、丝网印刷法、胶版印刷法等在转印片上形成。
图2是显示出第1实施方式所涉及的转印片的变形例的图。因转印片的基本构成与第1实施方式的转印片相同，故此处仅对不同点加以说明。然后，参照图2，可在基片2上整面地形成金属薄膜层3和透明导电层4。
图3是显示出本发明的第2实施方式所涉及的转印片的图。因基本构成与第1实施方式的转印片相同，故此处仅对不同点加以说明。
[脱模层]
参照图3，就第2实施方式的转印片而言，脱模层6在透明导电膜层3与基片2之间形成。就脱模层6而言，其是使用转印片1，在被转印物上转印透明导电膜层4等，从被转印物上剥离基片2时，与基片2一起从被转印物上被剥离的层，其在基片2上形成。通过在基片上形成脱模层，从而可调整基片的剥离强度(剥离所需的力)。除此以外，通过在基片上形成脱模层，从而即使在基片的表面变成凹凸的情况下，因脱模层以掩埋基片表面的凹凸的方式覆盖在基片上，故也可使形成有金属薄膜层的表面的算术表面粗糙度(Ra)为1nm≤Ra≤20nm。其结果是，即使在基片的表面有凹凸，通过形成脱模层，也可与第1实施方式的转印片同样地，变得不会发生以石墨烯为主成分的透明导电膜层的导电性降低这样的问题或脱模层的脱模性能降低的问题。脱模层的材质只要是具有可承受在透明导电膜层的形成时产生的热的耐热性和规定的脱模性、且在基片上形成脱模层时脱模层的表面的平滑性优异的材质，就无特别限制。作为脱模层的材质，可列举出热固性丙烯酸类、热固性聚酯、热固性聚氨酯、丙烯酸类树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、硅树脂、氟树脂等树脂。作为脱模层的形成方法，可列举出利用辊涂法、凹版印刷法、丝网印刷法、模涂法等的涂布等。
图4是显示出第2实施方式所涉及的转印片的变形例的图。因转印片的基本构成与第2实施方式的转印片相同，故此处仅对不同点加以说明。参照图4，可以在基片2上整面地形成脱模层6、金属薄膜层3及透明导电层4。
图5是显示出本发明的第3实施方式所涉及的转印片的图。因转印片的基本构成与第2实施方式的转印片相同，故此处仅对不同点加以说明。
参照图5，就转印片1而言，铺设电路图案层5从透明导电膜层4的端部开始沿着透明导电膜层4和金属薄膜层3的端面形状连续地形成至基片2。然后，胶粘层7在各层上整面地形成。若转印片像这样构成，则转印后的铺设电路图案层由被金属薄膜层、透明导电膜层覆盖的部分和在表面露出的部分构成。在被覆盖的部分中，铺设电路图案层被透明导电膜层保护。因此，通过蚀刻等除去金属薄膜层时，有可防止铺设电路图案层被腐蚀这样的优点。而且，在露出的部分中，有转印后可与外部电路直接电连接这样的优点。
[铺设电路图案层]
铺设电路图案层是用于将在透明导电膜层中检测出的电信号传递至外部电路的层。作为材质，除了金、银、铜、铝、镍、钯等金属或含有该金属的粉的导电性墨液以外，还可列举出含有碳等有机系导电体等的导电性物质。作为铺设电路图案层的形成方法，可列举出丝网印刷、凹版印刷、喷墨印刷、凸版印刷等印刷法。
图6是显示出第3实施方式的转印片的变形例的图。因转印片的基本构成与第3实施方式的转印片相同，故此处仅对不同点加以说明。
参照图6，就转印片1而言，从透明导电膜层4的端部开始至金属蒸镀层3为止，沿着透明导电膜层4的端面形状而形成铺设电路图案层5。若转印片像这样构成，则转印后的铺设电路图案层由被金属薄膜层和透明导电膜层覆盖的部分、和仅被金属薄膜层覆盖的部分构成。在被金属薄膜层和透明导电膜层覆盖的部分中，因透明导电膜层保护铺设电路图案层，故利用蚀刻等除去金属薄膜层时，有可防止铺设电路图案层被腐蚀这样的优点。在仅被金属薄膜层覆盖的部分中，若利用蚀刻等除去金属薄膜层，则有铺设电路图案层露出，可与外部电路直接电连接的优点。
图7是显示出此发明的第4实施方式所涉及的转印片的图。参照图7，就转印片1的构成而言，在基片2上整面地形成脱模层6、金属蒸镀层3、透明导电膜层4，铺设电路图案层5在透明导电膜层4上局部地形成。另外，胶粘层7形成至转印片1的整面。
再次参照图7，若转印片像这样构成，则转印后的铺设电路图案层完全被透明导电膜层覆盖。因此，因铺设电路图案层被透明导电膜层保护，故利用蚀刻等除去金属薄膜层时，有可防止铺设电路图案层被腐蚀这样的优点。但是，对于与外部电路的电连接而言，隔着透明导电膜层，故需留意不使接触电阻值变高。
图8是显示出第5实施方式所涉及的转印片的图。因转印片的基本构成与第4实施方式所涉及的转印片相同，故此处仅对不同点加以说明。
再次参照图8，该发明的第5实施方式所涉及的转印片1在铺设电路图案层5形成在脱模层6与金属薄膜层3之间这方面与第4实施方式所涉及的转印片不同。这样，通过使铺设电路图案层形成在脱模层与金属薄膜层之间，从而使转印后的铺设电路图案层整面地露出于表面。因此，因可将转印后的铺设电路图案层全部与外部电路电连接，故若将铺设电路图案层用作端子，则有端子的位置选择的余地大而易电连接这样的优点。
图9是显示出第5实施方式的转印片的变形例的图。因转印片的基本构成与第4实施方式的转印片相同，故此处仅对不同点加以说明。
再次，参照图9，转印片1在金属薄膜层3和透明导电膜层4独立地形成在基片2上这方面与第4实施方式的转印片1不同。若转印片像这样构成，则因转印后通过仅除去金属薄膜层就可得到尽心干了图案形成的透明导电层，故有转印后无需将透明导电膜层图案化，可大幅提高生产率的优点。
图10是显示出第6实施方式所涉及的转印片的图。因转印片的基本构成与第4实施方式所涉及的转印片相同，故此处仅对不同点加以说明。
再次参照图10，第6实施方式的转印片1由基片2、脱模层6、金属薄膜层3、透明导电膜层4、铺设电路图案层5及胶粘层7构成。第6实施方式所涉及的转印片1在金属薄膜层3形成在铺设电路图案层5下这方面、透明导电膜层4以与铺设电路图案层5平行设置的方式形成在金属薄膜层3上这方面与第4实施方式所涉及的转印片1不同。这样，通过使金属薄膜层形成在铺设电路图案层下，使透明导电膜层以与铺设电路图案层平行设置的方式形成在金属薄膜层上，从而转印后通过仅除去金属薄膜层就可得到进行了图案形成的透明导电层。其结果是，具有转印后无需将透明导电膜层图案化，而可大幅提高生产率的优点。另外，因转印后通过仅除去金属薄膜层就可制成使与外部电路电连接用的端子，故有端子的位置选择的余地大而易电连接这样的优点。
图11是显示出该发明的第7实施方式所涉及的转印片的图。因转印片的基本构成与第4实施方式所涉及的转印片相同，此处仅对不同点加以说明。
再次参照图11，该发明的第7实施方式所涉及的转印片1由基片2、脱模层6、金属薄膜层3、透明导电膜层4、铺设电路图案层5及胶粘层7构成。第7实施方式所涉及的转印片1在使透明导电膜层4以与铺设电路图案层5平行设置的方式形成在金属薄膜层3上这方面与第4实施方式所涉及的转印片不同。
若转印片像这样构成，则如果转印后的铺设电路图案层利用蚀刻等除去金属薄膜层则露出整个面。因此，因可将转印后的铺设电路图案层整体制成与外部电路电连接用的端子，故具有端子的位置选择的余地大而易电连接这样的优点。
接着，对转印片的制造方法加以说明。
图12显示第1实施方式的转印片的制造方法。参照图12，转印片的制造方法具备：在基片2上局部地形成掩模层8的工序；在基片2和掩模层8上形成金属薄膜层3的工序；用溶剂剥离除去掩模层8和在掩模层8上形成的金属薄膜层3，而在基片2上局部地形成金属薄膜层3的工序；在在基片2上局部地形成的金属薄膜层上形成以石墨烯为主成分的透明导电膜层4的工序。
参照图12(a)，在本发明所涉及的转印片的制造方法的第1工序中，在基片2上局部地形成掩模层8。
掩模层是对溶剂可溶的层。作为掩模层的材质，可列举出聚乙烯醇(PVA)、水溶性丙烯酸类树脂等。然后作为溶剂，可列举出水溶液、醇溶液等。作为形成方法，可列举出胶版印刷、丝网印刷、凹版印刷、喷墨印刷、凸版印刷等印刷法。与后述的光致抗蚀法相比，其特征在于工序数少。
参照图12(b)，在第2工序中，在掩模层8和基片2上形成金属薄膜层3。在形成金属薄膜层3的情况下，利用溅射法、蒸镀法、离子镀敷法等在基片2上的整面地形成金属薄膜层3。
参照图12(c)，在第3工序中，利用溶剂清洗除去在掩模层8上形成的金属薄膜层3，在基片2和掩模层8上局部地形成金属薄膜层3。作为溶剂，常常使用水溶液或醇类。
参照图12(d)，在第4工序中，在金属薄膜层3上形成以石墨烯为主成分的透明导电膜层4。作为在金属薄膜层3上形成以石墨烯为主成分的透明导电膜层4的方法，虽使用化学气相法(CVD法)，但在化学气相法中，还优选使用微波等离子体CVD法。
若使用微波等离子体CVD，则可控制所产生的等离子体的能量密度的分布，因可在较低的压力·温度条件下使用微波等离子体来进行石墨烯的成膜，故可减少对支承透明导电膜层的基片所带来的破坏。进一步，因基片的与成膜有石墨烯的一侧的相反一侧被冷却，故由此也可减少基片的破坏。因如此地在温度较低的条件下透明导电膜层可隔着金属薄膜层在基片上形成，故可使用具有柔软性的膜作为基片。其结果是，在透明导电膜层的形成中可采用卷对卷方式，可将制作转印片的工序全部设成卷对卷方式，故转印片的生产率飞跃性地提高。
微波等离子体CVD的原料气体为烃与稀有气体的混合气体等，作为烃，例如有甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)、丙烷(C3H8)、乙炔(C2H2)等，作为稀有气体，例如，有氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)等。在将CVD装置的舱减压的状态下，将装置内的基于混合气体的总压设成10～400Pa。在装置内的基于混合气体的总压不足10Pa时，反应难以进行，相反，在装置内的基于混合气体的总压比400Pa高时，产生舱内的温度变高这样的问题。而且，可在该混合气体中混合少量的氢气。另外，像上述那样，因可控制等离子体的能量密度的分布，故通过仅在必要的空间内适当设置能量密度，从而可将装置内的基于混合气体的总压抑制得较低。由此，还可将舱内温度抑制得较低，可抑制对所制作的转印片的加热。就CVD装置的舱内的温度而言，在200～400℃下进行。若舱内温度比200℃低，则产生生成的石墨烯的结晶性降低的问题。相反，若舱内温度比400℃高，则产生基片因高温而引起伸缩等的问题。
通过经过从上述第1工序到第4工序为止的工序，可得到转印片。另外，通过经过上述工序，从而可在转印片上直接形成进行了图案化的以石墨烯为主成分的透明导电膜，故无需经过石墨烯成膜后的利用氧化蚀刻或电子束的图案形成工序。进一步，因在转印片上形成了以石墨烯为主成分的透明导电膜层，因而通过转印，可在所需的被转印体上极容易地形成透明导电膜。由此，无需经过石墨烯生成后的金属基板的溶解、向其他基板的转印。由此，不会对生成的石墨烯造成不必要的损坏，就可在基片上及被转印体上形成。
参照图13，根据需要，根据图13(a)，在第1工序前可以在基片2上形成脱模层6。另外，根据图13(f)，在第4工序后可以在含有透明导电膜层4的表面的整个面形成胶粘层5。胶粘层5、脱模层6的材质、形成方法同上。
图14显示第1实施方式的转印片的制造方法的其他形式。由于该转印片的制造方法中的基本构成与第1实施方式所涉及的转印片的制造方法相同，故此处仅对不同点加以说明。
参照图14，转印片的制造方法的其他形式具备：在基片2上整面地形成金属薄膜层3的工序；在金属薄膜层3上局部地形成抗蚀层9，在金属薄膜层3上形成形成有抗蚀层9的位置和未形成有抗蚀层9的位置的工序；用溶剂剥离除去未形成有抗蚀层9的位置的金属薄膜层3，在基片2上局部地形成金属薄膜层3和抗蚀层9的工序；用溶剂除去抗蚀层9，将金属薄膜层3露出于表面的工序；在露出于表面的金属薄膜层3上形成以石墨烯为主成分的透明导电膜层4的工序。
参照图14(a)，在第1工序中在基片2上形成金属薄膜层3。
参照图14(b)，在第2工序中，在金属薄膜层3上局部地形成抗蚀层9，形成金属薄膜层3的形成有抗蚀层9的位置和未形成有抗蚀层9的位置。作为抗蚀层9的材质，可使用可光致抗蚀的树脂，例如线性酚醛清漆树脂等。
抗蚀层9的形成方法通常采用光致抗蚀法。与对图13中所示的掩模层利用印刷法直接进行图案形成的方法相比，因其使用光，故具有可进行更精巧的图案形成的特征。作为形成抗蚀层用的具体的方法，可以是通过利用丝网印刷、凹版印刷、喷墨印刷、凸版印刷等印刷法在基片上整面地形成的方法，或利用加热和加压使具备抗蚀层的抗蚀膜与在基片上形成的金属薄膜层贴合而形成。通过上述方法形成抗蚀层，对抗蚀层照射光，在经过所照射的部分发生反应固化的曝光工序后，经过除去未经光照射的部分的显影工序，局部地形成抗蚀层。而且，在上述中，作为抗蚀层的种类，虽示出了负型(若曝光则对显影液的溶解性降低，显影后曝光部分残留)的情况，但也可以是正型(若曝光则对显影液的溶解性增加，显影后曝光部分被除去)。
参照图14(c)，在第3工序中用酸或碱的水溶液等蚀刻除去未形成有抗蚀层9的位置的金属薄膜层3，在基片2上局部地形成金属薄膜层3和抗蚀层9。作为酸，可使用盐酸、硫酸、硝酸等，作为碱的水溶液，可使用氢氧化钠水溶液等。
参照图14(d)，在第4工序中，用溶剂除去抗蚀层9，将金属薄膜层3露出于表面。作为除去抗蚀层的溶剂，为正型时，可使用作为强碱的有机季碱的水溶液。作为有机季碱，可列举出四甲基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵等。
参照图14(e)，通过经过从第1工序到第4工序为止的工序，与利用掩模层将金属薄膜层进行图案形成的情况相比，可进行金属薄膜层的精细的图案成形。
图15显示第2实施方式的转印片的制造方法。参照图15，就第2实施方式的转印片的制造方法而言，在图14中，在图14(a)前，在基片上形成脱模层6，在图14(f)后，在透明导电膜层4等上形成胶粘层5。胶粘层5、脱模层6的材质、形成方法同上。
图16显示第3实施方式的转印片的制造方法。图16是显示出第3实施方式的转印片的制造方法的图。因基本构成与第1实施方式的制造方法相同，故此处仅对不同点加以说明。
参照图16，第3实施方式的转印片的制造方法具备：在基片2上局部地形成掩模层8的工序；在未形成有掩模层8的基片2上的区域形成铺设电路图案层5的工序；在掩模层8、铺设电路图案层5和基片2上形成金属薄膜层3的工序；用溶剂剥离除去掩模层8和在掩模层8上形成的金属薄膜层3，在基片2上和铺设电路图案层5上形成金属薄膜层3的工序；在基片2和铺设电路图案层5上形成的金属薄膜层3上形成以石墨烯为主成分的透明导电膜层4的工序。
参照图16(a)，在第3实施方式的转印片的制造方法的第1工序中，在基片2上局部地形成掩模层8。
参照图16(b)，在第2工序中，在未形成有掩模层8的基片2上的区域形成铺设电路图案层5。作为铺设电路图案层5的形成方法，可列举出丝网印刷、凹版印刷、喷墨印刷、凸版印刷等印刷法。作为铺设电路图案层5的材质，除了金、银、铜、铝、镍、钯等金属或含有该金属的粉的导电性墨液以外，还可列举出含有碳等有机系导电体等的导电性物质。
参照图16(c)，在第3工序中，在基片2、掩模层8和铺设电路图案层5上形成金属薄膜层3。
参照图16(d)，在第4工序中，用溶剂剥离除去掩模层8及在其上形成的金属薄膜层3，在基片2和铺设电路图案层5上形成金属薄膜层3。
参照图16(e)，在第5工序中，在基片2和铺设电路图案层5上形成的金属薄膜层3上形成以石墨烯为主成分的透明导电膜层4。
通过经过从上述第1工序到第5工序为止的工序，可得到转印片。
而且，根据需要在第5工序后，可在透明导电膜层4上形成胶粘层7。胶粘层7的材质、形成方法同上。
而且，根据需要在第1工序前，可在基片2上形成脱模层6。脱模层6的材质、形成方法同上。
而且，可在形成掩模层8的工序前根据需要进行形成铺设电路图案层5的工序。通过像这样构成，在掩模层为透明或半透明而难以进行与铺设电路图案层5的位置对准的情况下，通过先设置不透明的铺设电路图案层5，可使位置对准变得容易进行。
而且，根据需要形成铺设电路图案层5的工序可在形成金属薄膜层3的工序与剥离除去掩模层8的工序之间进行。此时，对于在在基片2上形成的金属薄膜层3上，在在其下未形成有掩模层的金属薄膜层3上形成铺设电路图案层5。通过像这样构成，因通过仅除去金属薄膜层3，就可使铺设电路图案层5露出，故可使与外部电路的电连接容易。
而且，根据需要形成铺设电路图案层5的工序可以在剥离除去掩模层8的工序与形成透明导电膜层4的工序之间进行。此时，铺设电路图案层5在未从基片2上被剥离除去的金属薄膜层3上的局部形成。通过像这样构成，因铺设电路图案层5在剥离除去掩模层8的工序中不直接受所使用的溶剂的影响，故铺设电路图案层5可不必考虑腐蚀等不良情况就形成。
而且，根据需要形成铺设电路图案层5的工序可在形成透明导电膜层4的工序后进行。此时，铺设电路图案层可在透明导电膜层上形成。通过像这样构成，因在转印后的铺设电路图案层上可形成透明导电膜层，故铺设电路图案层被透明导电膜层保护。
图17显示第3实施方式的转印片的制造方法的第2实施方式。因转印片的制造方法中的基本构成与第1实施方式的制造方法相同，故此处仅对不同点加以说明。
参照图17，第2实施方式具备：在基片2上局部地形成铺设电路图案层5的工序；在铺设电路图案层5和基片2上形成金属薄膜层3的工序；在在基片2上形成的金属薄膜层3上局部地形成抗蚀层9的工序；用溶剂剥离除去未形成有抗蚀层9的位置的金属薄膜层3；在基片2上局部地形成金属薄膜层和抗蚀层9的工序；用溶剂除去抗蚀层9并使金属薄膜层3在表面露出的工序；在露出于表面的金属薄膜层3上形成以石墨烯为主成分的透明导电膜层4的工序。
参照图17(a)，在第1工序中，在基片2上局部地形成铺设电路图案层5。
参照图17(b)，在第2工序中，在铺设电路图案层5和基片2上形成金属薄膜层3。
参照图17(c)，在第3工序中，在在基片2上形成的金属薄膜层3上局部地形成抗蚀层9。
但是，进行微细图案化时，作为抗蚀层，优选使用可进行光致抗蚀的树脂例如线性酚醛清漆树脂、四甲基氢氧化铵等。此时，通过上述方法形成抗蚀层后，在经过对抗蚀层照射光且经过照射的部分进行反应固化的曝光工序后，经过除去未被光照射的部分的显影工序，局部地形成抗蚀层。
参照图17(d)，在第4工序中用溶剂剥离除去未形成有抗蚀层9的位置的金属薄膜层3，在基片2上局部地形成金属薄膜层3和抗蚀层9。
参照图17(e)，在第5工序中用溶剂除去抗蚀层9，使金属薄膜层3在表面露出。作为除去抗蚀层9的溶剂，可使用有机季碱。作为有机季碱，可列举出四甲基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵。
通过经过从上述第1工序到第5工序为止的工序，与用掩模层8对金属薄膜层3进行图案形成的情况相比，可进行精细的图案形成。
而且，根据需要在第5工序后，可形成胶粘层7。胶粘层7的材质、形成方法同上。
而且，根据需要在第1工序前，可在基片2上形成脱模层6。脱模层6的材质、形成方法同上。
而且，根据需要形成铺设电路图案层5的工序可在形成金属薄膜层3的工序与形成抗蚀层9的工序之间进行。此时，铺设电路图案层5在在基片2上形成的金属薄膜层3上的局部形成。抗蚀层9在铺设电路图案层5上和金属薄膜层3上局部地形成。通过像这样构成，在抗蚀层为透明或半透明而难以进行与铺设电路图案层的位置对准的情况下，通过先设置不透明的铺设电路图案层，可使位置对准容易进行。
而且，根据需要形成铺设电路图案层5的工序可以在除去抗蚀层9并使金属薄膜层3在表面露出工序与形成透明导电膜层4的工序之间进行。此时，铺设电路图案层可在在基片上局部地形成的金属薄膜层的局部上形成。通过像这样构成，因通过仅除去金属薄膜层，就可使铺设电路图案层露出，故可使与外部电路的电连接容易。
而且，根据需要形成铺设电路图案层5的工序可在形成透明导电膜层4的工序后进行。此时，铺设电路图案层5在透明导电膜层4上形成。通过像这样构成，因在转印后的铺设电路图案层上形成透明导电膜层，故铺设电路图案层被透明导电膜层保护。
接着，对使用上述转印片制成的透明导电物加以说明。
图18是显示出使用第1、第2实施方式所涉及的转印片而制造的透明导电物11的图。参照图18，本发明的透明导电物11由被转印体10、和在被转印体10上形成的铺设电路图案层5、透明导电膜层4构成。
被转印体10透明且没有导电性，只要具有某种程度的硬度，就没有特别限制，除了膜形状以外，还可以是三维形状的成型品。作为被转印体10的材质，例如有玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚氯乙烯、丙烯酸类等。膜形状的被转印体10的厚度优选为30～200μm。
图19是显示出使用该发明的第3～第7的实施方式所涉及的转印片而制造的透明导电物11的图。因该形态中的透明导电物的基本构成与上述透明导电物相同，故此处仅对不同点加以说明。参照图19，本发明的透明导电物11由被转印物10、在被转印物10上形成的胶粘层7、铺设电路图案层5、透明导电膜层4构成。
最后，对上述透明导电物的制造方法加以说明。
本发明中的透明导电物是指透明且具有导电性的物质。透明导电物通过本发明的转印片向被转印体的转印、和金属薄膜层的除去而制得。以下对透明导电物的制造方法加以详细说明。
首先对转印进行叙述。被转印体的形状为具有柔软性的二维形状时，有辊转印法、上下(Up down)转印法等，为三维形状时，除了辊转印法、上下转印法以外，还有衬垫转印法、真空转印法、成形同时转印法。在辊转印法中，有具备硅橡胶制的圆柱状的热辊的转印机，转印片与被转印体相接，用所述辊按压，除去具有剥离性的基片。在上下转印法中，用加热了的平面状的橡胶将转印片按压在被转印体上，除去具有剥离性的基片。在衬垫转印法中，使用与被转印体的形状对应的形状的衬垫。在真空转印法中，在与被转印体的形状对应的模具上设置微小的孔，在减压过热的状态下，使转印片沿着模具的形状密合。在该转印片上使被转印体粘接，除去具有剥离性的基片。转印在温度70～280℃、压力40～180kg/m2的条件下进行。在这些转印法的选择中，为了在转印时均匀地赋予热和压力，而根据被转印体的形状决定。在上下转印中，对于大致平面形状的被转印体有效，在辊转印中，对于大致平面形状或截面为单纯形状的被转印体有效。在复杂形状的情况下，衬垫转印、真空转印变得有效。
进一步，在向立体形状的转印中，真空成形法有效。以下进行真空成型法的说明。参照图20(a)，首先，将转印片1以在注射成型用模具的可动模具15侧，按照其胶粘面位于固定模具16侧的方式加以设置。利用在可动模具15与固定模具16之间设置的加热板17，对转印片提供热而使其软化，同时从可动模具的多个微细的孔(真空孔18)中排气抽吸空气，使由可动模具和转印片之间形成的空间的压力减小。参照图20(b)，由此，该空间消失，软化了的转印片变成沿着可动模具的立体的形状。此处，可动模具的形状与所需的透明导电物一方的形状对应。利用上述任意的转印法，将得到的立体的形状的转印片转印到被转印体上。参照图20(c)、(d)，例如使该立体的形状的转印片合并于被转印体，利用辊转印机进行转印。
与此相对，有基于与转印同时地进行成形的大量生产性能优异的成形同时转印法的转印。此处，成形同时转印法是指，将转印片在模具中闭模并夹入，将溶融了的成型树脂加以注射成型，与此同时使转印片上的透明导电层等粘接于树脂成形品，与成形同时地转印所述功能层(透明导电膜层等)，得到在其表面包含功能层的成型树脂品的方法。参照图21(a)，将本发明的(在透明导电部8上也有铺设电路)转印片1按照在可动模具15侧将转印片1的胶粘层5向着固定模具16的方式加以设置。参照图21(b)，闭模。此处，通过可动模具15与固定模具16的闭模所形成的空间(成形空间部21)的宽、高、深和形状分别相当于透明导电物的所需的宽、高、深和形状。参照图21(c)，在闭模的状态下，若溶融了的成型树脂22介由流入部(Gate part)23被注入到成形空间部21内而进行固化，则转印片1与成型树脂22一体地粘接。若进行开模并除去转印片1的基片2，则包含透明导电膜层4的层24在成型树脂品(透明导电物)25的表面形成。
成型树脂只要是在高温下变成溶解状态的树脂就没有特别限制。可使用聚乙烯、丙烯酸系树脂、聚苯乙烯系树脂、聚丙烯腈苯乙烯系树脂、聚酯、聚碳酸酯等。
转印为更复杂的形状的情况下，转印片的伸长不能追随被转印体的形状。其结果是，产生透明导电膜层的形变或破损等问题。为了应对此问题，采用事先利用真空成形法将转印片成形后，利用成形同时转印法在三维形状表面进行转印的方法。在图20(b)中在得到了立体的形状的转印片的状态下，通过除去加热板17，闭模，将成型树脂22注入成形空间部21，从而与转印片一体化，开模并除去具有剥离性的基片，由此可得到透明导电物。
蚀刻液在除去金属薄膜层用的蚀刻中使用。该金属薄膜层有作为属于透明导电膜层的主成分的石墨烯生成中的催化剂的作用，具体地，有铜、镍、钌、铁、钴、铱、铂等。关于蚀刻液的pH和组成，基本而言，从与在金属薄膜层中使用的金属的关系出发，可将电位-pH图(金属-水系)作为参考。按照成为除了金属不引起化学反应而稳定地存在的免蚀区、和在特定的电位-pH条件下初期引起化学反应并在该条件下生成化学性质不活泼的化学物种的钝化区以外的、金属发生腐蚀而金属离子或金属化合物的离子稳定地存在的腐蚀区的pH和电位的方式，选定蚀刻液。例如，镍的腐蚀区为在-0.4V≤电位≤+0.4V下且pH≤6、或在+0.4V＜电位≤+1.5V下且pH≤0，铜的腐蚀区为在电位≥+0.2V下、且pH≤7或pH≥11。可用过氧化氢、高锰酸钾、过硫酸铵等这样的氧化剂，或该氧化剂与硫酸等酸的组合等来调整。进一步，更优选不引起氢的产生。若为比作为氢的标准电极电位E(vs SHE)的0.00V大的电位，则不产生氢。在这方面，铜的E为+0.34V，变得比氢的E＝0.00V(氢)大，在腐蚀区不产生氢。而且，更优选氧不存在。这是因为若氧存在，则通过与水的反应而产生OH-，pH值增加，有变得不属于适当的pH范围的可能性。此外，蚀刻液的浸渍时间、浸渍温度等的条件根据金属薄膜层的厚度、面积调整。
对于形成了两层透明导电层的透明导电物而言，使用仅在透明导电膜层4的周边具有铺设电路的转印片1来制作。参照图22(a)，利用辊转印等的加压加热，使在透明导电膜层的周边具有铺设电路的转印片与有柔软性的透明基板(被转印体10)一体地粘接。参照图22(b)，然后除去基片2，浸渍于蚀刻液中除去金属薄膜层3。
金属薄膜层的除去利用湿蚀刻进行。在湿蚀刻法中，有将蚀刻液喷成雾状的喷雾法、浸入蚀刻液再捞起的浸渍法等。例如，通过将转印有在表面包含透明导电膜层的层的被转印体浸入蚀刻液，可除去金属薄膜层。然后，得到形成有1层透明导电层的透明导电物。
参照图22(c)，由此，得到具有柔软性的二维的透明导电物11。最后，使用上述的辊转印法、上下转印法、衬垫转印法、真空转印法等，以与三维的透明导电物的透明导电层对置的方式，使二维的透明导电物与其粘接而得到。在图22(d)中，显示了利用辊转印法的转印。
此处，在三维的透明导电物与二维的透明导电物的粘接中，若使用透明性且绝缘性的胶粘剂，则可用于静电电容型的触摸面板。通过使用该胶粘层，从而除了保持与胶粘层相接的层间以外，还具有消除由于不设置空气层而造成的因牛顿环而引起的外观不良的效果、以及调整透明电极间距的间隔件的效果。另一方面，若使用透明性且压力导电性的胶粘剂，则可用于电阻膜方式的触摸面板中。若利用透明性且压力导电性的胶粘剂在透明电极间设置压力导电层，则可得到由上述的间隔件所带来的绝缘、层间粘接、外观不良的消除这样的效果。
进一步，若使用压力导电性的胶粘剂作为胶粘剂，则提高触摸面板功能的可靠性。而且，压力导电性的胶粘剂构成本发明的压力导电层。就压力导电层而言，多种透明性的导电性物质分散于绝缘性的透明的树脂中。在对于压力导电层而言没有来自外部的压力的状态下，不导通而具有绝缘性。若施加来自外部的压力，则通过压力导电层的形状变化，多种导电性的物质间的相对距离变近，由此，导电性物质接触或产生隧道电流，从而电阻值减少而在压力方向流动电流。在触摸面板中，因按压方向与透明电极间的方向一致，故其间的电阻值下降，流动电流，位置检测成为可能。而且，因透明电极平面方向未施加压力，故处于保持绝缘性的状态，在位置检测中不会产生问题。压力导电层包含树脂和导电性物质。该树脂若具有透明性且为绝缘性，则没有特别限制。例如，有丙烯酸系或乙烯系。该导电性物质只要有透明性、有导电性、视认性低，就没有特别限制。若尺寸为可见光区域的波长以下，则更优选。材质为金、银、铜、铝等金属或其合金；ITO、氧化锌(ZnO2)等金属氧化物。
<第2实施方式的转印片的实施例>
实施例1
在由表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm的厚度30μm的聚酰亚胺膜构成的基片上使用聚乙烯醇树脂，利用胶版印刷法局部地形成掩模层。将上述掩模层干燥后，使用溅射法在上述基片和上述掩模层上形成金属薄膜层(厚度100nm的Cu层)。其后，通过利用水洗除去上述掩模层、在上述掩模层上形成的金属薄膜层，从而得到局部地形成的金属薄膜层。然后，将所得到的片设置于舱内，以舱内的包含甲烷和氩的原料气体(分压比甲烷：氩＝1：1)的压力达到恒定(360Pa)的方式，调整该原料气体向舱内的流入速度和泵的排气速度。在此状态下，利用微波等离子体CVD，在380℃、40秒的条件下，形成以石墨烯为主成分的透明导电膜层。最后在透明导电膜层上整面地形成胶粘层，得到转印片。
实施例2
除了使用表面的算术平均粗糙度(Ra)为17nm的基片以外，进行与实施例1同样的操作，得到转印片。
实施例3
除了将金属薄膜层的厚度设为0.02μm以外，进行与实施例1同样的操作，得到转印片。
实施例4
除了将金属薄膜层的厚度设为0.8μm以外，进行与实施例1同样的操作，得到转印片。
实施例5
在由厚度30μm的聚酰亚胺膜构成的基片上形成掩模层前，除了在上述基片上使用氟系树脂来形成表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.2nm的脱模层以外，进行与实施例1同样的操作，得到转印片。
比较例1
除了使用表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.08nm的基片以外，进行与实施例1同样的操作，得到转印片。
比较例2
除了使用表面的算术平均粗糙度(Ra)为22nm的基片以外，进行与实施例1同样的操作，得到转印片。
比较例3
除了将金属薄膜层的厚度设为0.007μm以外，进行与实施例1同样的操作，得到转印片。
比较例4
除了将表面的算术平均粗糙度设为20nm及将金属薄膜层的厚度设为1.3μm以外，进行与实施例1同样的操作，得到转印片。
比较例5
除了将脱模层的表面的算术平均粗糙度(Ra)设为0.08nm以外，进行与实施例5同样的操作，得到转印片。
将由实施例1～5、比较例1～5而得到的转印片贴附于聚对苯二甲酸乙二醇酯，然后从被转印物上剥离基片、或剥离基片和脱模层。然后，比较研究附着于基片或脱模层上的残留物的量。于是，用蚀刻液仅除去在被转印物的表面形成的金属薄膜层，得到包含被转印物和透明导电膜层的透明导电物1～5。对由比较例1～5得到的转印片，也同样地进行上述操作而得到透明导电物6～10。
基片或脱模层的表面粗糙度的测定
基片或脱模层的表面粗糙度使用株式会社小坂研究所制F3500D，利用基于(JIS)B0601-1994的方法而进行测定。
转印片的评价
将由实施例1～5而得到的转印片贴附于作为被转印体的聚对苯二甲酸乙二醇酯，然后从被转印物上剥离基片、或基片和脱模层，测定附着于上述基片或脱模层上的残留物的量。其结果是，除了使用比较例1、5的转印片的情况，用肉眼几乎未能观察到残留物。使用比较例1、5的转印片时，与使用出它们以外的转印片的情况不同，可以发现残留物的存在。
透明导电物的评价
对于透明导电物1～10，评价导电性的不稳定的程度。就评价方法而言，对于形成了图案的透明导电膜层，测定10次同一形状的任意的端子间电阻，算出所得的电阻值的平均值及标准偏差。其结果是，就电阻值的平均值而言，透明导电物1～5相比透明导电物6～10变小。就电阻值的标准偏差而言，透明导电物1～5相比透明导电物6～10变小。由此可知，透明导电物1～5显示出小且稳定的电阻值。根据以上可知，使用实施例1～5的转印片而得到的透明导电物1～5具有良好的导电性。
<第3实施方式的转印片的实施例>
实施例1
在由表面的算术平均粗糙度(Ra)为7nm的厚度25μm的聚芳酰胺膜构成的基片((制品名)mictron(公司名)东丽株式会社)上，使用聚乙烯醇树脂，利用胶版印刷法局部地形成掩模层。将上述掩模层干燥后，使用溅射法在上述基片和上述掩模层上形成金属薄膜层(厚度100nm的Cu层)。其后，通过利用水洗除去上述掩模层、在上述掩模层上形成的金属薄膜层，由此得到局部地形成的金属薄膜层。然后，将所得到的片设置于舱内，按照使舱内的包含甲烷和氩的原料气体(分压比甲烷：氩＝1：1)的压力达到恒定(360Pa)的方式，调整该原料气体向舱内的流入速度和泵的排气速度。在此状态下，利用微波等离子体CVD，在380℃、40秒的条件下，形成以石墨烯为主成分的透明导电膜层。然后，使用((制品名)Silver paste SAP-15(公司名)三和化学工业株式会社)，在透明导电膜层上形成铺设电路图案层，最后整面地形成胶粘层，得到转印片。
实施例2
除了使用表面的算术平均粗糙度(Ra)为17nm的基片以外，进行与实施例1同样的操作，得到转印片。
实施例3
除了将金属薄膜层的厚度设为0.01μm以外，进行与实施例1同样的操作，得到转印片。
实施例4
除了将金属薄膜层的厚度设为0.8μm以外，进行与实施例1同样的操作，得到转印片。
实施例5
在由厚度25μm的聚芳酰胺膜构成的基片((制品名)mictron(公司名)东丽株式会社)上形成掩模层前，在上述基片上使用氟系树脂来形成表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.2nm的脱模层，除此以外，进行与实施例1同样的操作，得到转印片。
比较例1
除了形成表面的算术平均粗糙度(Ra)为20nm的脱模层，将金属薄膜层的厚度设为0.9m以外，进行与实施例5同样的操作，得到转印片。
比较例2
除了使用表面的算术平均粗糙度(Ra)为22nm的基片以外，进行与实施例1同样的操作，得到转印片。
比较例3
除了将金属薄膜层的厚度设为0.007μm以外，进行与实施例1同样的操作，得到转印片。
比较例4
除了将表面的算术平均粗糙度设为20nm、将金属薄膜层的厚度设为0.9μm以外，进行与实施例1同样的操作，得到转印片。
比较例5
除了将金属薄膜层的厚度设为1.3μm以外，进行与实施例5同样的操作，得到转印片。
接着，将由实施例1～5及比较例1～5而得到的转印片贴附于作为被转印物的200μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，然后从被转印物上剥离作为转印片的一部分的基片、或基片和脱模层，用蚀刻液仅除去在被转印物的表面形成的金属薄膜层，得到包含被转印物和透明导电膜层的透明导电物。
基片或脱模层的表面粗糙度的测定
基片或脱模层的表面粗糙度使用株式会社小坂研究所制F3500D，通过基于(JIS)B0601-1994的方法来进行测定。其结果示于表1。
转印片的脱模性评价
关于由实施例1～5及比较例1～5而得到的转印片的脱模性，对于透明导电物，如下地进行了评价。就评价方法而言，另外，将实施例1～5及比较例1～5的转印片贴附于200μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，从上述聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上剥离基片、或基片及脱模层，然后测定在基片或脱模层上残留的金属薄膜层的比例而来进行。其结果示于表1。
○：在1cm2中不足0.02cm2的金属薄膜层附着于基片或脱模层。
△：在1cm2中0.02cm2以上且不足0.1cm2的金属薄膜层附着于基片或脱模层。
透明导电物的稳定性评价
关于使用实施例1～5及比较例1～5的转印片所制成的透明导电物，如下地评价导电性的不稳定的程度。就评价方法而言，对于形成了图案的透明导电膜层，测定10次同一形状的任意的端子间电阻，算出所得到的电阻值的标准偏差，如下进行评价。其结果示于表1。
○：平均值在±1σ(标准偏差)以内
△：平均值在±2σ(标准偏差)以内
×：平均值超过±2σ(标准偏差)
透明导电物的导电性评价
关于使用实施例1～5及比较例1～5的转印片所制成的透明导电物的导电性，如下地进行评价。就评价方法而言，利用三菱油化(株)制表面电阻计(LORESTA IP)来测定膜表面的表面电阻值。其结果示于表1。
○：表面电阻值不足200Ω/□
△：表面电阻值在200Ω/□以上、500Ω/□以下
×：表面电阻值超过500Ω/□
透明导电物的透明性评价
关于使用实施例1～5及比较例1～5的转印片所制成的透明导电物的透明性，如下地进行评价。就评价方法而言，基于JIS-K-7361，用(株)村上色彩技术研究所的雾度计HR-100来评价总透光率。其结果示于表1。
○：总透光率为90％以上
△：总透光率为80％以上且不足90％
[表1]
<触摸面板的制造实施例>
实施例1
在由厚度30μm的聚酰亚胺膜构成的基片上形成包含氟系树脂的脱模层(形成后的表面的算术平均粗糙度(Ra)＝0.1nm)，利用胶版印刷法在该脱模层上形成包含聚乙烯醇树脂的溶剂可溶性的掩模层，干燥后，利用溅射法在整个面上形成金属薄膜层(厚度
Figure BDA0000389985780000361
的Cu层)。其后，通过利用水洗而与溶剂可溶性的掩模层一起除去形成在其上的位置的金属薄膜层，从而形成进行了图案形成的金属薄膜层。接着，将上述片导入到填充有包含甲烷和氩的原料气体(分压比甲烷：氩＝1：1)的舱内，利用微波等离子体CVD，在380℃、40秒的条件下，形成以石墨烯为主成分的透明导电膜层。透明导电膜层被图案化，在其上整面地形成胶粘层，制作出转印片。利用由上述得到的转印片向PET膜转印，浸渍于过氧化氢-硫酸系蚀刻液中而制作出二维的透明导电物。对于由实施例1得到的其他转印片，利用成形同时转印法，使用聚苯乙烯树脂，转印在凹型(椀型)的外面包含透明导电层的层，通过浸入过氧化氢-硫酸系的蚀刻液，从而除去金属薄膜层。以使透明导电层相互对置的方式，利用作为压力导电层的胶粘剂将上述得到的二维的透明导电物贴附于三维的透明导电物。
利用得到的透明导电物来制作触摸面板。可获得良好的工作功能。
符号说明
1  转印片
2  基片
3  金属薄膜层
4  透明导电膜层
5  铺设电路图案层
6  脱模层
7  胶粘层
8  掩模层
9  抗蚀层
10 被转印物
11 透明导电物

Claims (33)

1.一种转印片，其具备基片、金属薄膜层和透明导电膜层，其中，
所述基片具备脱模性和平滑性，
所述金属薄膜层以反映出所述基片的平滑性的方式局部或整面地形成在所述基片上，
所述透明导电膜层形成在所述金属薄膜层上并以石墨烯作为主成分。
2.一种转印片，其具备基片、金属薄膜层、透明导电膜层和铺设电路图案层，其中，
所述基片具备平滑性，
所述金属薄膜层以反映出所述基片的平滑性的方式局部或整面地形成在基片上，
所述透明导电膜层形成在所述金属薄膜层上并以石墨烯作为主成分，
所述铺设电路图案层形成在所述透明导电膜层的局部上。
3.一种转印片，其具备基片、金属薄膜层、透明导电膜层和铺设电路图案层，其中，
所述基片具备平滑性，
所述金属薄膜以反映出所述基片的平滑性的方式局部地形成在基片上，
所述透明导电膜层形成在所述金属薄膜层上并以石墨烯作为主成分，
所述铺设电路图案层以沿着所述透明导电膜层和所述金属薄膜层的端面形状的方式，从所述透明导电膜层的端部开始连续地形成至所述基片。
4.一种转印片，其具备基片、金属薄膜层、透明导电膜层和铺设电路图案层，其中，
所述基片具备平滑性，
所述金属薄膜层以反映出所述基片的平滑性的方式局部地形成在基片上，
所述透明导电膜层局部地形成在所述金属薄膜层上并以石墨烯作为主成分，
所述铺设电路图案层按照沿着所述透明导电膜层的端面形状的方式，从所述透明导电膜层的端部开始连续地形成至所述金属薄膜层。
5.一种转印片，其具备基片、铺设电路图案层、金属薄膜层、透明导电膜层和铺设电路图案层，其中，
所述基片具备平滑性，
所述铺设电路图案层局部地形成在所述基片上，
所述金属薄膜层以反映出所述基片的平滑性的方式局部或整面地形成在所述铺设电路图案层上和在所述基片上的未形成有铺设电路的区域中，
所述透明导电膜层形成在所述金属薄膜层上并以石墨烯作为主成分，
所述铺设电路图案层形成在所述透明导电膜层及所述基片上。
6.一种转印片，其具备基片、金属薄膜层、铺设电路图案层和透明导电膜层，其中，
所述基片具备平滑性，
所述金属薄膜层以反映出所述基片的平滑性的方式局部或整面地形成在基片上，
所述铺设电路图案层形成在所述金属薄膜层的局部上，
所述透明导电膜层以与所述铺设电路图案层平行设置的方式形成在所述金属薄膜层上并以石墨烯作为主成分。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的转印片，其中，所述金属薄膜层的厚度为0.01～1μm。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的转印片，其中，所述基片表面的算术平均粗糙度Ra为20nm以下。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的转印片，其中，在所述基片上具备脱模层。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的转印片，其中，在所述金属薄膜层上具备胶粘层。
11.一种转印片的制造方法，其具备：
在基片上局部地形成掩模层的工序，
在所述掩模层和所述具备脱模性的基片上形成金属薄膜层的工序，
用溶剂剥离除去所述掩模层和形成在所述掩模层上的所述金属薄膜层，在所述基片上局部地形成所述金属薄膜层的工序，和
在局部地形成在所述基片上的金属薄膜层上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
12.一种转印片的制造方法，其具备：
在基片上形成金属薄膜层的工序，
在所述金属薄膜层上局部地形成抗蚀层，在所述金属薄膜层上形成形成有所述抗蚀层的位置和未形成有所述抗蚀层的位置的工序，
用溶剂剥离除去未形成有所述抗蚀层的位置的金属薄膜层，在所述基片上局部地形成所述金属薄膜层和所述抗蚀层的工序，
用溶剂除去所述抗蚀层，在表面露出所述金属薄膜层的工序，和
在露出于所述表面的金属薄膜层上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
13.一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上的局部使掩模层形成图案的工序，
在所述基片的未形成有所述掩模层的区域的局部形成铺设电路图案层的工序，
在所述基片的未形成有所述掩模层和所述铺设电路图案层的区域形成金属薄膜层的工序，
将所述掩模层与在其上形成的金属薄膜层的一部分一起剥离除去，在基片上局部地形成金属薄膜层的工序，和
在所述局部地形成的金属薄膜层和所述铺设电路图案层上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
14.一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上的局部形成铺设电路图案层的工序，
在所述基片上的未形成有所述铺设电路图案层的区域和所述铺设电路图案层上、或者仅在所述基片上的未形成有所述铺设电路图案层的区域，局部地形成掩模层的工序，
在所述基片上的未形成有所述掩模层和所述铺设电路图案层的区域、所述掩模层上和所述铺设电路图案层上形成金属薄膜层的工序，
将所述掩模层与在其上形成的所述金属薄膜层的一部分一起剥离除去，在所述基片上局部地形成所述金属薄膜层的工序，和
在所述局部地形成的金属薄膜层上和所述透明导电膜层上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
15.一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上局部地形成掩模层的工序，
在所述基片上的未形成有掩模层的区域和在所述掩模层上形成金属薄膜层的工序，
在形成有所述金属薄膜层的基片上的未形成有所述掩模层的区域形成铺设电路图案层的工序，
将所述掩模层与在其上形成的金属薄膜层的一部分一起剥离除去，在所述基片上局部地形成所述金属薄膜层的工序，和
在所述局部地形成的金属薄膜层上和所述透明导电膜上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
16.一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上局部地形成掩模层的工序，
在所述基片上的未形成有所述掩模层的区域和在所述掩模层上形成金属薄膜层的工序，
将所述掩模层与在其上形成的金属薄膜层的一部分一起剥离除去，在基片上局部地形成所述金属薄膜层的工序，
在所述局部地形成的金属薄膜层上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序，和
在所述透明导电膜层上形成铺设电路图案层的工序。
17.一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上局部地形成掩模层的工序，
在所述基片上的未形成有掩模层的区域和在所述掩模层上形成金属薄膜层的工序，
将所述掩模层与在其上形成的所述金属薄膜层的一部分一起剥离除去，在所述基片上局部地形成所述金属薄膜层工序，
在所述基片上的形成有所述被剥离除去的掩模层的区域上、或者在所述区域和在所述基片上局部地形成的所述金属薄膜层上形成铺设电路图案层的工序，和
作为在所述基片上局部地形成的所述金属薄膜层，在未形成有所述铺设电路层的位置形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
18.一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上局部地形成铺设电路图案层的工序，
在所述基片的未形成有所述铺设电路图案层的区域和在所述铺设电路图案层上形成金属薄膜层的工序，
在所述金属薄膜层上的局部形成抗蚀层的工序，
除去未形成有所述抗蚀层的部分的金属薄膜层后，剥离除去所述抗蚀层，在所述基片或所述铺设电路图案层上局部地形成所述金属薄膜层的工序，和
在所述基片或所述铺设电路图案层上局部地形成的所述金属薄膜层上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
19.一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上形成金属薄膜层的工序，
在所述金属薄膜层上局部地形成铺设电路图案层的工序，
在所述金属薄膜层的未形成有所述铺设电路图案层的区域局部地形成抗蚀层的工序，
除去未形成有所述抗蚀层的位置的金属薄膜层后，剥离除去所述抗蚀层，在基片上局部地形成金属薄膜层的工序，和
在所述局部地形成的金属薄膜层上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
20.一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上形成金属薄膜层的工序，
在所述金属薄膜层上局部地形成抗蚀层的工序，
除去所述金属薄膜层的未形成有所述抗蚀层的位置的金属薄膜层后，剥离除去抗蚀层，在所述基片上局部地形成所述金属薄膜层的工序，
在局部地形成于所述基片上的所述金属薄膜层上形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序，和
在所述透明导电膜层上形成铺设电路图案层的工序。
21.一种转印片的制造方法，其具备：
在具备平滑性的基片上形成金属薄膜层的工序，
在所述金属薄膜层上局部地形成抗蚀层的工序，
除去所述金属薄膜层的未形成有所述抗蚀层的位置的金属薄膜层后，剥离除去所述抗蚀层，在所述基片上局部地形成所述金属薄膜层工序，
在所述金属薄膜层上局部地形成铺设电路图案层的工序，和
在所述金属薄膜层的未形成有所述铺设电路图案层的区域形成以石墨烯作为主成分的透明导电膜层的工序。
22.一种透明导电膜物，其是具备以石墨烯作为主成分的一个透明导电部的透明导电物；
该透明导电膜物具备：
二维形状的具有柔软性的透明基板，
形成于所述透明基板的任一面的树脂层，和
包含透明导电部的1个透明导电膜部，所述透明导电部包含形成在所述树脂层上的以石墨烯作为主成分的透明导电层；
且所述透明导电膜物具有柔软性。
23.一种透明导电物，其是具备以石墨烯作为主成分的两个透明导电部的透明导电物；
该透明导电物包含：
二维形状的具有柔软性的第1透明基板，
第1透明导电部，其包含形成于所述第1透明基板的任一面的第1树脂层、形成于所述第1树脂层上的以石墨烯作为主成分的第1透明导电层，
二维形状的具有柔软性的第2透明基板，
形成于所述第2透明基板的任一面的第2树脂层，和
第2透明导电部，其包含形成于所述第2树脂层上的以石墨烯为主成分的第2透明导电层；
所述透明导电物是将所述第1透明导电部与所述第2透明导电部以电绝缘的方式对置而置，且具有柔软性的二维形状的透明导电物。
24.一种透明导电膜物，其是具备以石墨烯作为主成分的1个透明导电部的透明导电物；
该透明导电膜物包含：
三维形状的透明基板，
形成于所述透明基板的任一面的树脂层，和
透明导电部，其包含形成在所述树脂层上的以石墨烯作为主成分的透明导电层；
所述透明导电膜物是具备1个透明导电部并具有三维形状的透明导电膜物。
25.一种透明导电物，其是具备以石墨烯作为主成分的两个透明导电部的透明导电物；
该透明导电物包含：
三维形状的第1透明基板，
形成于所述第1透明基板的任一面的第1树脂层，
第1透明导电部，其包含形成在所述第1树脂层上的以石墨烯作为主成分的第1透明导电层，
三维形状的第2透明基板，
形成于所述第2透明基板的任一面的第2树脂层，和
第2透明导电部，其包含形成于所述第2树脂层上的以石墨烯作为主成分的第2透明导电层；
所述透明导电物是将所述第1透明电极部与所述第2透明电极部以电绝缘的方式对置而置，具备两个透明导电部，且具有三维形状的透明导电物。
26.根据权利要求23或24所述的透明导电物，其在第1透明导电部与第2透明导电部之间设置有绝缘层。
27.根据权利要求23或25所述的透明导电物，其配置在第1透明电极部与第2透明电极部之间，且具备包含绝缘性的透明树脂、和分散含在所述透明树脂中的多种导电性的压敏物质的压力导电层，若对透明导电物的一个面施加力，则通过所施加的力使电流在所述压力导电层内的压敏物质之间流通，由此，在对置的第1透明导电层与第2透明导电层之间进行导通。
28.根据权利要求22或24所述的透明导电物，其包含铺设电路部。
29.根据权利要求23、25、26或27所述的透明导电物，其中，铺设电路部位于透明电极部的周边。
30.一种透明导电物的制造方法，其中，所述透明导电物是具备以石墨烯作为主成分的1个透明电极部且具有柔软性的透明导电物；
该透明导电物的制造方法具备：
第1工序，其是将具备以石墨烯作为主成分的透明导电部的转印片设置在注射成型用模具内，将成型树脂射出，在将所述成型树脂固化的同时使转印片一体化地粘接于成型树脂品表面的一个面，除去具有脱模性的基片的工序，和
第2工序，其是除去形成于所述一个面的金属薄膜层的工序。
31.一种透明导电物的制造方法，其中，所述透明导电物是具备以石墨烯为特征的两个透明导电部且具有三维形状的透明导电物；
该透明导电物的制造方法包括：
第1工序，其是将具备以石墨烯作为主成分的第1透明导电部的第1转印片设置在注射成型用模具内，将成型树脂射出，在将所述成型树脂固化的同时使所述第1转印片一体化地粘接于成型树脂表面的第1面，除去具有脱模性的基片的工序，
第2工序，其是除去形成于所述第1面的第1金属薄膜层的工序，
第3工序，其是利用加热加压将具备以石墨烯作为主成分的第2透明导电部的第2转印片一体化地粘接于具有柔软性的二维形状的透明基板的第2面，除去具有脱模性的基片的工序，
第4工序，其是除去形成于所述第2面的第2金属薄膜层的工序，和
第5工序，其是以使第1透明导电部与第2透明导电部电绝缘的方式，用胶粘剂使所述第1面与所述第2面对置地相贴，在所述第1透明导电部与所述第2导电部之间形成树脂层或压力导电层的工序。
32.一种静电电容型触摸输入装置，其含有权利要求22～26、权利要求28、或铺设电路部位于透明电极部的周边的权利要求27中任一项所述的透明导电物。
33.一种电阻膜型触摸输入装置，其含有权利要求27所述的透明导电物。
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