CN101423209A - 石墨烯片及其制备方法 - Google Patents

石墨烯片及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101423209A
CN101423209A CNA200810213761XA CN200810213761A CN101423209A CN 101423209 A CN101423209 A CN 101423209A CN A200810213761X A CNA200810213761X A CN A200810213761XA CN 200810213761 A CN200810213761 A CN 200810213761A CN 101423209 A CN101423209 A CN 101423209A
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene
film
graphene film
substrate
graphitization catalyst
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA200810213761XA
Other languages
English (en)
Inventor
崔在荣
申铉振
尹善美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN101423209A publication Critical patent/CN101423209A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/184—Preparation
    • C01B32/186—Preparation by chemical vapour deposition [CVD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/194—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C23C16/0281—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating of metallic sub-layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/02—Single layer graphene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/04—Specific amount of layers or specific thickness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/20—Graphene characterized by its properties
    • C01B2204/32—Size or surface area
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30—Hydrogen technology
    • Y02E60/32—Hydrogen storage
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/261—In terms of molecular thickness or light wave length

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

本发明公开了一种石墨烯片及其制备方法。一种制备具有期望厚度的大尺寸石墨烯片的经济方法包括以下步骤：形成膜，该膜包含石墨化催化剂；在存在石墨化催化剂的情况下，热处理气态碳源以形成石墨烯；冷却石墨烯以形成石墨烯片。还描述了一种根据所公开的方法制备的石墨烯片。

Description

石墨烯片及其制备方法
技术领域
本公开涉及一种石墨烯片(graphene sheet)及其制备方法。
背景技术
通常，石墨是二维的石墨烯片的堆叠，其中，石墨烯片是由结合成六边形结构的碳原子的平面阵列形成的。近来，对石墨烯片的测试已经揭示了单层或多层石墨烯片的有益特性。
石墨烯的一个有益特性是电子在石墨烯片中以完全不受阻碍的方式流动，也就是说，电子以光在真空中的速度流动。此外，石墨烯片表现出不同寻常的对电子和空穴的半整数量子霍尔效应。传统的石墨烯片的电子迁移率是大约20000至50000cm2/Vs。
在一些应用中，碳纳米管可用作导体。然而，由于在合成和提纯工艺过程中的低产率，导致碳纳米管昂贵。另外，根据单壁碳纳米管的手性和直径，单壁碳纳米管表现出不同的金属特征和半导体特征。此外，根据单壁碳纳米管的手性和直径，具有相同半导体特征的单壁碳纳米管具有不同的带隙能量。因此，为了获得期望的半导体特征或金属特征，优选地，将单壁碳纳米管彼此分离。然而，难以分离单壁碳纳米管。
另一方面，使用石墨烯片是有利的，因为在装置中，由于石墨烯片的电学特征取决于晶体取向，所以通过布置石墨烯片以使其晶体取向在选定的方向中，石墨烯片可以被设计为表现出期望的电学特征。设想石墨烯片的特征可以用于未来的含碳电气装置(carbonaceous electrical device)或含碳电磁装置(carbonaceous electromagnetic device)。
然而，虽然石墨烯片具有这些有利特征，但是还没有开发出经济地且可再生产地制备大尺寸石墨烯片的方法。可以通过微观力学方法或SiC热分解来制备石墨烯片。根据微观力学方法，可以通过将ScotchTM带附着到石墨样品并分离该ScotchTM带来将石墨烯片从附着到ScotchTM带的表面的石墨上分离。在这种情况下，所分离的石墨烯片不包括均匀数量的层，并且剥离的部分不具有均匀的形状。此外，不能利用微观力学方法制备大尺寸的石墨烯片。同时，在SiC热分解中，SiC单晶被加热以通过分解在其表面上的SiC来去除Si，然后剩余的碳C形成石墨烯片。然而，用作SiC热分解的起始材料的SiC单晶材料非常昂贵，并且难以形成大尺寸石墨烯片。
发明内容
本发明公开了一种制备具有期望厚度的大尺寸石墨烯片的经济方法。
本发明还公开了一种用所公开的方法制备的石墨烯片。
本发明公开了一种使用石墨烯片的膜、氢储存介质、光学纤维和电气装置。
本发明公开了一种包括石墨烯片的石墨烯基底。
在实施例中，提供一种制备石墨烯片的方法，所述方法包括以下步骤：形成膜，该膜包含石墨化催化剂；在存在石墨化催化剂的情况下热处理气态碳源以形成石墨烯；冷却石墨烯以形成石墨烯片。
气态碳源可以是任何含碳的化合物，具体地说，是包含7个或更少的碳原子的化合物，更具体地说，是包含4个或更少的碳原子的化合物，最具体地说，是包含2个或更少的碳原子的化合物。示例性的气态碳源包括从由一氧化碳、甲烷、乙烷、乙烯、乙醇、乙炔、丙烷、丙烯、丁烷、丁二烯、戊烷、戊烯、环戊二烯、己烷、环己烷、苯和甲苯组成的组中选出的至少一种。
所述膜可以是薄膜或厚膜。
薄膜的厚度可在大约1nm至大约1000nm之间。
厚膜的厚度可在大约0.01mm至大约5mm之间。
还可与气态碳源一起供应氢。氢可通过清洁金属催化剂的表面而被用来控制气相反应。基于容器的总体积，氢的量按体积计可以是大约5％至大约40％，具体地说，按体积计是大约10％至大约30％，更具体地说，按体积计是大约15％至大约25％。
可以在大约300℃至大约2000℃的温度下执行热处理。
可通过调节热处理时间来控制石墨烯的厚度。
石墨化催化剂可包括从由Ni、Co、Fe、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Mo、Rh、Si、Ta、Ti、W、U、V和Zr组成的组中选出的至少一种元素。
可以以大约0.1℃/min至大约10℃/min的速率执行冷却步骤。
该方法还可包括在冷却热处理过的产物之后，通过利用酸处理去除石墨化催化剂，来将形成石墨烯片与石墨化催化剂分离的步骤。
本发明还公开了一种根据所公开的方法制备的石墨烯片。
当测量石墨烯片的拉曼光谱时，所述石墨烯片的拉曼D带/G带的峰比可以等于或小于大约0.2，优选地，可为大约0(零)。
本发明还公开了一种从多环芳香分子得到的石墨烯片，在石墨烯片中，多个碳原子彼此共价结合，其中，所述石墨烯片包括大约1个石墨烯单元层至大约300个石墨烯单元层，其中，石墨烯片的宽度和长度均为大约1mm或更大。
所述石墨烯片可具有大约1个石墨烯单元层至大约60个石墨烯单元层，具体地说，具有大约1个石墨烯单元层至大约15个石墨烯单元层。
石墨烯片的宽度和长度均可为大约1mm至大约1000mm。
在示例性实施例中，石墨烯片的宽度和长度均可为大约10mm或更大。
本发明还公开了一种石墨烯基底，该石墨烯基底包括基底和形成在所述基底上的石墨烯片。
石墨烯基底还可包括置于基底和石墨烯片之间的石墨化催化剂层。
石墨烯基底还可包括置于基底和石墨化催化剂层之间的阻挡层。
阻挡层可由SiOx、TiN、Al2O3、TiO2或Si3N形成。
基底可以是硅基底。
石墨化催化剂可包含薄膜或厚膜形式的金属催化剂。
附图说明
通过参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其他方面、特征和优点将变得更加清楚，在附图中：
图1示意性地示出了根据实施例的制备石墨烯片的方法；
图2是根据示例1制备的石墨烯片的摄影图像；
图3是示出根据示例1至示例3制备的石墨烯片的拉曼光谱的曲线图；
图4是根据示例1制备的石墨烯片的扫描电子显微镜(SEM)图像；
图5是根据示例2制备的石墨烯片的SEM图像；
图6是根据示例6制备的石墨烯片的SEM图像；
图7是示出根据示例6制备的石墨烯片的拉曼光谱的曲线图。
具体实施方式
以下，参照附图来更充分地描述实施例，在附图中示出了示例性实施例。
本发明公开了一种制备具有期望厚度的大尺寸石墨烯片的经济方法。即使利用该方法制备的石墨烯片具有复杂的结构或地形调制的结构(topographically modulated structure)，该石墨烯片也可在各种应用中应用到各种领域，而不限于基底的形状。
如这里所使用的术语“石墨烯片”表示由多个碳原子彼此共价结合的多环芳香分子得到的膜形式的石墨烯。虽然不希望受理论约束，但是共价结合的碳原子形成作为重复单元的6元环，然而，也可形成5元环和/或7元环。因此，在石墨烯片中，认为共价结合的碳原子(通常为sp2结合的碳)形成单层。石墨烯片可具有各种结构，该结构可根据5元环和/或7元环的量而改变。石墨烯片可包括单层石墨烯，或者石墨烯片可包括多层石墨烯，直至大约300层。通常，在石墨烯边缘的碳原子用氢原子饱和。
可根据图1中示出的方法来形成石墨烯片。在公开的方法中，如图1所示，可这样形成石墨烯片140：形成膜，该膜包含石墨化催化剂100；通过在存在石墨化催化剂100的情况下热处理气态碳源120且同时向石墨化催化剂100提供气态碳源120来形成石墨烯130；冷却石墨烯130，从而生长石墨烯片140。即，当在存在石墨化催化剂100的情况下，在选定的温度下对气态碳源120热处理选定的时间段，且同时在选定的压力下将气态碳源120供应到包含石墨化催化剂100的室中时，气态碳源120中的碳原子以平面六边形结构彼此结合而形成石墨烯。当按选定的速率冷却石墨烯130时，可获得具有均匀排列的石墨烯片140。
任何包含碳并且在大约300℃或更高的温度下是气体的物质都可不受限制地用作形成石墨烯片的气态碳源。气态碳源可以是任何含碳的化合物，优选地，是包含7个或更少的碳原子的化合物，更具体地说，是包含4个或更少的碳原子的化合物，最具体地说，是包含2个或更少的碳原子的化合物。气态碳源可包括具有大约1个至大约7个碳原子的化合物。气态碳源可包括多环芳香分子。示例性的气态碳源包括一氧化碳、甲烷、乙烷、乙烯、乙醇、乙炔、丙烷、丙烯、丁烷、丁二烯、戊烷、戊烯、环戊二烯、己烷、环己烷、苯、甲苯等，或包含上述化合物中的至少一种的组合。因此，气态碳源可以是上述化合物中的一种或组合。
可以在选定的压力下将碳源供应到包含石墨化催化剂的室中，该室可以只包括碳源，或者还可包括惰性气体(例如氦和氩)。碳源在室中的压力可以是大约10-6托至大约104托，具体地说，是10-3托至大约760托。
此外，可与气态碳源一起供应氢。因此，碳源也可包含氢。氢可通过清洁金属催化剂的表面而被用来控制气相反应。基于室的总体积，氢的量按体积计可以是大约5％至大约40％，具体地说，按体积计是大约10％至大约30％，更具体地说，按体积计是大约15％至大约25％。
当将气态碳源供应到室，并且室和石墨化催化剂被加热到选定的温度时，在石墨化催化剂的表面上形成石墨烯。热处理温度是形成石墨烯的重要因素，并且热处理温度可以是在大约300℃至大约2000℃之间的温度，具体地说，是在大约500℃至大约1500℃之间的温度，更具体地说，是在大约700℃至大约1300℃之间的温度。当在低于大约300℃的温度下执行热处理时，不能以可接受的速率形成石墨烯。另一方面，当在高于2000℃的温度下执行热处理时，石墨烯会不以膜的形式形成，而是以颗粒或纤维的形式形成。
石墨化催化剂可以是膜的形式。如果包含石墨化催化剂的膜具有大于大约0.01mm的厚度，则可以在等于或大于700℃的温度下执行热处理。
这里公开的包含石墨化催化剂的膜可以是薄膜或厚膜。如果使用薄膜，则薄膜可形成在基底上。然而，薄膜和基底之间的接触强度会变弱，或者薄膜的一部分会在高于大约700℃的温度下熔化。因此，当在700℃或更高的温度下执行热处理时，可将石墨化催化剂形成为没有基底的厚膜。如果期望的是薄膜，则膜的厚度可以在大约1nm至大约5000nm之间，具体地说，在大约1nm至大约1000nm之间，更具体地说，在大约10nm至大约100nm之间。如果期望的是厚膜，则膜的厚度可以在大约0.01mm至大约5mm之间，具体地说，在大约0.1mm至大约1mm之间。
可通过调节热处理的温度和时间来控制石墨烯形成的程度。即，在其他参数相同的情况下，热处理时间越长，形成石墨烯的量就越多，因此石墨烯片变得越厚。另一方面，热处理时间越短，石墨烯片的厚度就越薄。因此，碳源的种类、用来供应碳源的压力、石墨化催化剂的种类、室的大小和热处理的时间是获得期望厚度的石墨烯片的关键因素。可执行热处理大约0.001小时至大约1000小时、大约0.01小时至大约100小时或者大约0.1小时至大约10小时。当执行热处理小于大约0.001小时时，不可能充分地得到石墨烯。另一方面，当执行热处理超过大约1000小时时，形成太多的石墨烯并且会出现石墨化。
可通过感应加热、辐射加热、激光、红外线辐射(IR)、微波、等离子体、紫外线(UV)辐射、表面等离子体激光加热等或包括上述加热方法中的至少一种的组合来执行热处理。热源可设置在室上来将室中的温度升高至选定的水平。
在热处理之后，冷却石墨烯。执行冷却以均匀地生长并排列组成石墨烯的碳原子。由于快速冷却会在石墨烯片中导致裂纹，所以可以逐渐冷却热处理过的石墨烯。例如，可以以大约0.1℃/min至大约10℃/min的速率、大约0.5℃/min至大约5℃/min的速率或者大约1℃/min至大约3℃/min的速率来冷却热处理过的石墨烯，或者可通过环境对流来自然冷却热处理过的石墨烯。在自然冷却过程中，可移去热源以使其不设置在室上。在这点上，可通过移去热源来获得充分的冷却速率。冷却后获得的石墨烯片可具有1层的厚度，或大约1层至大约300层的厚度，具体地说，大约1层至大约60层的厚度，更具体地说，大约1层至大约15层的厚度。具有300层以上的石墨烯片被认为是石墨，石墨与石墨烯截然不同。
热处理和冷却方法可作为单个循环来执行，但是，具有许多层的致密的石墨烯片可通过重复该方法若干次来形成。
包含石墨化催化剂的膜可设置在基底上。具体地说，如果包含石墨化催化剂的膜是薄膜，则出于制造的方便而可使用基底。因此，如果使用基底，则石墨化催化剂层可置于基底和石墨烯片之间并紧密接触基底和石墨烯片。
基底可以是无机基底，例如Si基底、玻璃基底、GaN基底、硅石基底等或是包括上述无机基底中的至少一种的组合；或者基底可以是包含Ni、Cu、W等或者包含上述金属中的至少一种的组合的金属基底。
在硅石基底的情况下，为了防止在基底和石墨化催化剂之间的不期望的反应，可在硅石基底的表面涂覆阻挡层。阻挡层可置于基底和石墨化催化剂之间，以抑制可由石墨化催化剂和基底之间的反应导致的效率的降低或石墨烯形成的速率的降低。阻挡层可含有诸如SiOx、TiN、Al2O3、TiO2、Si3N等的化合物，或含有包括上述化合物中的至少一种的组合，阻挡层可通过包括溅射、真空沉积等的方法设置在基底上。阻挡层可具有以下选定的厚度：在大约0.1nm至大约1000μm之间，在大约1μm至500μm之间或在大约10μm至大约100μm之间。当阻挡层的厚度小于大约0.1nm时，不可能得到期望的阻挡层的效果。另一方面，当阻挡层的厚度大于大约1000μm时，会增加成本。
在所公开的方法中，石墨化催化剂接触碳源并帮助由碳源供应的碳元素彼此结合以形成平面六边形结构。任何用于合成石墨引发碳化或制备碳纳米管的催化剂可用作石墨化催化剂。示例性石墨化催化剂包含金属Ni、Co、Fe、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Mo、Rh、Si、Ta、Ti、W、U、V、Zr等，或包含包括上述金属中的至少一种的组合。因此，石墨化催化剂可包含从由以下金属组成的组中选择的金属：Ni、Co、Fe、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Mo、Rh、Si、Ta、Ti、W、U、V、Zr等，或者可以包含包括上述金属中的至少一种的组合。石墨化催化剂可以是板的形式，并科包含上述金属中的一种或组合，或者石墨化催化剂可通过沉积方法(例如溅射等)沉积在基底上。薄膜或厚膜可包含石墨化催化剂，石墨化催化剂可包含上述金属中的一种或组合。
由于可通过使石墨化催化剂与碳源接触、热处理、冷却石墨烯来形成石墨烯片的步骤而制备石墨烯片，所以该工艺简单且经济。具体地说，可制备大尺寸的石墨烯片，其宽度和长度均为大约1mm或更大，具体地说，大约10mm或更大，更具体地说，大约10mm至大约1000mm。例如，可通过控制其上形成有石墨化催化剂的基底的尺寸来制备大尺寸的石墨烯片。此外，由于碳源作为气体来供应，所以基底和石墨化催化剂的形状或构造不受限制。因此，可使用三维的、波形的(contoured)或地形调制的基底，因此包含石墨化催化剂的膜可具有各种结构。
可利用拉曼光谱来识别石墨烯片。即，由于纯的石墨烯在大约1594cm-1附近具有G′峰，因此可通过在此波数存在吸收来识别石墨烯的形成。
令人惊讶的是，已观察到所公开的石墨烯片具有无缺陷的均匀结构。虽然不希望被理论约束，但是这种均匀性被认为是因为：石墨烯片是利用纯的气态碳源通过包括高温热处理的方法制备的。石墨烯片的拉曼光谱的D带强度可指示在石墨烯中形成的缺陷的存在。强的D带峰可指示石墨烯中存在多个缺陷，弱的D带峰或没有D带峰可指示几乎不存在缺陷。
可将峰比(peak ratio)定义为D带峰强度与G带峰强度的比。利用由金属组成的石墨化催化剂通过堆叠形成法制备的石墨烯片的峰比可等于或小于大约0.2，具体地说，等于或小于大约0.01，更具体地说，等于或小于大约0.001，并且可为0(零)。峰比“0”表示在石墨烯中即使有缺陷也是很少。
因此，石墨烯片可形成在包含石墨化催化剂的基底和/或膜上。石墨烯片可以与石墨化催化剂一起使用，或者可通过用酸处理石墨烯片来使石墨烯片与石墨化催化剂分离。可在冷却石墨烯片之后执行酸处理。
如果需要，可将石墨烯片与基底分离。
根据期望的用途，可以以各种方式处理分离后的石墨烯片。即，石墨烯片可被切割为选定的形状，或者可将石墨烯片卷绕以形成管。处理过的石墨烯片还可与将要以各种方式应用的各种物品相组合。
石墨烯片可被应用在各种领域和应用中。由于石墨烯片具有优良的导电性和高均匀性，所以石墨烯片可以有效地用作透明电极。期望用在太阳能电池基底等上的电极是透明的以允许光透过该电极。由石墨烯片形成的透明电极具有优良的导电性并且由于石墨烯片的柔性而具有优良的柔性。可用柔性塑料作为基底并且用石墨烯片作为透明电极来制备柔性太阳能电池。此外，当石墨烯片以导电薄膜的形式在显示装置中使用时，只用少量的石墨烯片就可获得期望的导电性，因此可改善光的透过。
此外，以管的形式形成的石墨烯片可用作光学纤维、氢储存介质或选择性地允许氢透过的膜。
现在将参照下面的示例更详细地描述本公开。下面的示例只为了示出性的目的，而不意图限制权利要求书的范围。
<示例1>
在其上通过溅射涂覆有100nm的SiO2的1.2cm×1.5cm的硅基底上沉积Ni以形成厚度为100nm的Ni薄膜来形成石墨化催化剂膜。将其上形成有SiO2和Ni薄膜的硅基底设置在室中，利用卤素灯作为热源，在400℃下热处理基底20分钟，同时将乙炔气体以恒定的200sccm的速率加入到室内，从而在石墨化催化剂上形成石墨烯。
随后，通过移去热源并使室内部自然冷却来使石墨烯以均匀排列生长，来形成大小为1.2cm×1.5cm的7层石墨烯片。
随后，将包含石墨烯片的基底在0.1M的HCl中浸渍24小时，以去除Ni薄膜。在浸渍过程中石墨烯片与基底分离。图2是根据示例1制备的石墨烯片的摄影图片。
图3是示出石墨烯片的拉曼光谱的曲线图。参照图3，可通过在1594cm-1处示出的G′峰来识别石墨烯的形成。
此外，图4是在示例1中形成的石墨烯片的扫描电子显微镜(SEM)图像。参照图4可知，形成了均匀的石墨烯片。
<示例2>
除了在500℃下而不是在400℃下执行热处理外，通过与示例1的方式相同的方式制备大小为1.2cm×1.5cm的16层石墨烯片。
随后，将包含石墨烯片的基底在0.1M的HCl浸渍24小时，以去除Ni薄膜。在浸渍过程中石墨烯片与基底分离。
图3是示出石墨烯片的拉曼光谱的曲线图。参照图3，可通过在1594cm-1处示出的G′峰来识别石墨烯的形成。
图5是在示例2中形成的石墨烯片的SEM图像。参照图5，由于在SEM图像中没有观察到特征，所以可知形成了均匀的石墨烯片。
<示例3>
除了在600℃下而不是在400℃下执行热处理外，通过与示例1的方式相同的方式制备大小为1.2cm×1.5cm的32层石墨烯片。
随后，将包含石墨烯片的基底在0.1M的HCl中浸渍24小时以去除Ni薄膜。在浸渍过程中分离出石墨烯片。
图3是示出石墨烯片的拉曼光谱的曲线图。参照图3，可通过在1594cm-1处示出的G′峰来识别石墨烯的形成。
<示例4>
除了执行热处理1个小时而不是20分钟外，通过与示例1的方式相同的方式制备大小为1.2cm×1.5cm的22层石墨烯片。
随后，将包含石墨烯片的基底在0.1M的HCl中浸渍24小时以去除Ni薄膜。在浸渍过程中分离出石墨烯片。
<示例5>
除了使用甲烷而不是乙炔作为碳源外，通过与示例1的方式相同的方式制备大小为1.2cm×1.5cm的11层石墨烯片。
随后，将包含石墨烯片的基底在0.1M的HCl中浸渍24小时以去除Ni薄膜。在浸渍过程中分离出石墨烯片。
<示例6>
制备了大小为1.2cm×1.5cm且厚度为0.5mm的Ni箔。将Ni箔置于室中，利用卤素灯作为热源，在1000℃下热处理5分钟，同时将乙炔气体以恒定的200sccm的速率加入室中，以在石墨化催化剂上形成石墨烯。
随后，通过移去热源并使室内部自然冷却来使石墨烯以均匀排列生长，来形成大小为1.2cm×1.5cm的10层石墨烯片。
随后，将包含石墨烯片的基底在0.1M的HCl中浸渍24小时以去除Ni箔。在浸渍过程中石墨烯片被分离。图6是被分离的石墨烯片的SEM图像，由没有特征而识别出结构均匀。
图7是示出石墨烯片的拉曼光谱的曲线图。参照图7，可通过在1594cm-1处示出的G′峰来识别石墨烯的形成，同时由于未观察到D带而指示没有缺陷的均匀的石墨烯。
本发明公开了一种制备大尺寸石墨烯片并有效地控制石墨烯片的厚度的经济方法。本领域普通技术人员应该理解，由于可获得期望厚度的石墨烯片，所以该石墨烯片可有效地应用到透明电极、氢储存介质、光学纤维、电气装置等。
在本公开中，单数形式的描述也意图包括复数形式，同时，复数形式的描述也意图包括单数形式。
除非另有定义，否则这里使用的技术术语和科学术语具有与本领域的技术人员所通常理解的意思相同的意思。
如在这里使用的，近似表达方式可被用来修饰任何在不会改变与其相关的基本功能的情况下可变化的数量表示。因此，在一些情况下，被术语(例如大约和基本)修饰的值不会限制在指定的精确值。在至少一些情况下，近似表达方式可与测量该值的仪器的精度相符合。因此，连同数量使用的修饰词“大约”包括所述值并且具有由上下文规定的意思(例如，包括与特定量的测量有关的误差度)。
这里公开的所有范围包括端点并且可独立组合。所有指示相同组分或特性的范围的端点是包括在内的，并且可独立组合(例如，“按重量计小于或等于大约25％，或者，更具体地说，按重量计大约5％至按重量计大约20％”的范围包括端点和“按重量计大约5％至按重量计大约25％”的范围内的全部中间值等)。
“可选的”或“可选地”表示随后描述的事件或情况可出现或者可不出现，该表述包括该事件出现的情况和该事件不出现的情况。如在这里使用的，“基底”可以与“表面”交换使用。
虽然已经参照所公开的实施例的示例性实施例具体地示出并描述了所公开的实施例，但是本领域普通技术人员应该理解，在不脱离如权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，可以进行各种形式和细节上的改变。

Claims (21)

1、一种制备石墨烯片的方法，该方法包括以下步骤：
形成膜，该膜包含石墨化催化剂；
在存在石墨化催化剂的情况下，热处理气态碳源以形成石墨烯；
冷却石墨烯以形成石墨烯片。
2、如权利要求1所述的方法，其中，气态碳源是具有1个碳原子至7个碳原子的化合物。
3、如权利要求1所述的方法，其中，气态碳源包括一氧化碳、甲烷、乙烷、乙烯、乙醇、乙炔、丙烷、丙烯、丁烷、丁二烯、戊烷、戊烯、环戊二烯、己烷、环己烷、苯、甲苯或包含上述化合物中的至少一种的组合。
4、如权利要求1所述的方法，其中，在300℃至2000℃的温度下执行热处理。
5、如权利要求1所述的方法，其中，膜具有1nm至5000nm的厚度。
6、如权利要求5所述的方法，其中，膜具有1nm至1000nm的厚度。
7、如权利要求5所述的方法，其中，膜具有0.01mm至5mm的厚度。
8、如权利要求1所述的方法，其中，执行热处理0.001小时至1000小时。
9、如权利要求1所述的方法，其中，石墨化催化剂包括Ni、Co、Fe、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Mo、Rh、Si、Ta、Ti、W、U、V、Zr或包含上述元素中的至少一种的组合。
10、如权利要求1所述的方法，还包括在冷却石墨烯片之后，通过利用酸处理石墨烯片，来将石墨烯片与石墨化催化剂分离的步骤。
11、如权利要求1所述的方法，其中，还与气态碳源一起供应氢。
12、一种根据权利要求1所述的方法制备的石墨烯片。
13、一种从多环芳香分子得到的石墨烯片，在石墨烯片中，多个碳原子彼此共价结合，其中，所述石墨烯片包括1个层至300个层，其中，石墨烯片的宽度和长度均为1mm或更大。
14、如权利要求13所述的石墨烯片，其中，当通过石墨烯片的拉曼光谱确定时，石墨烯片的D带强度和G带强度的峰比等于或小于0.2。
15、如权利要求13所述的石墨烯片，其中，在石墨烯片的拉曼光谱中未观察到D带。
16、一种石墨烯基底，包括：
基底；
石墨烯片，形成在基底上，
其中，石墨烯片由多环芳香分子得到，在石墨烯片中，多个碳原子彼此共价结合，其中，所述石墨烯片包括1个层至300个层，其中，石墨烯片的宽度和长度均为1mm或更大。
17、如权利要求16所述的石墨烯基底，还包括置于基底和石墨烯片之间并与基底和石墨烯片紧密接触的石墨化催化剂层。
18、如权利要求17所述的石墨烯基底，其中，石墨化催化剂层包括薄膜或厚膜形式的金属催化剂。
19、如权利要求17所述的石墨烯基底，还包括置于基底和石墨化催化剂层之间的阻挡层。
20、如权利要求17所述的石墨烯基底，其中，阻挡层包括SiOx、TiN、Al2O3、TiO2、Si3N或包含上述化合物中的至少一种的组合。
21、如权利要求16所述的石墨烯基底，其中，基底包含硅。
CNA200810213761XA 2007-10-29 2008-09-04 石墨烯片及其制备方法 Pending CN101423209A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070108860 2007-10-29
KR20070108860 2007-10-29
KR1020080023457 2008-03-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101423209A true CN101423209A (zh) 2009-05-06

Family

ID=40614121

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA200810213761XA Pending CN101423209A (zh) 2007-10-29 2008-09-04 石墨烯片及其制备方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7988941B2 (zh)
EP (1) EP2055673B1 (zh)
JP (1) JP2009107921A (zh)
KR (2) KR100923304B1 (zh)
CN (1) CN101423209A (zh)

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101559944B (zh) * 2009-05-27 2011-05-11 天津大学 导电石墨烯膜及其自组装制备方法
CN102120573A (zh) * 2011-01-25 2011-07-13 中国科学院化学研究所 一种石墨烯纳米球及其制备方法
CN102166866A (zh) * 2011-01-05 2011-08-31 常州大学 应用石墨烯制备抗静电层压材料的方法
CN101658786B (zh) * 2009-09-25 2011-11-23 上海大学 电子束辐照制备石墨烯基二氧化钛复合光催化剂的方法
CN102347476A (zh) * 2010-08-02 2012-02-08 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种催化石墨化法制备的磷酸铁锂/碳复合正极材料及其制备方法
CN102376787A (zh) * 2011-11-04 2012-03-14 电子科技大学 一种石墨烯太阳能电池及其制备方法
CN102583338A (zh) * 2012-01-20 2012-07-18 中国科学院上海硅酸盐研究所 高质量石墨烯粉末及其制备方法
CN102738237A (zh) * 2011-04-07 2012-10-17 三星电子株式会社 石墨烯电子器件及其制造方法
CN102800774A (zh) * 2011-05-27 2012-11-28 浦项工科大学校产学协力团 碳薄膜的制法、及各自包括其的电子器件和电化学器件
CN102849961A (zh) * 2011-07-01 2013-01-02 中央研究院 在基板上成长碳薄膜或无机材料薄膜的方法
CN102958832A (zh) * 2010-06-28 2013-03-06 三星泰科威株式会社 石墨烯制造设备及方法
CN103035922A (zh) * 2011-10-07 2013-04-10 株式会社半导体能源研究所 蓄电装置
CN103080004A (zh) * 2010-08-11 2013-05-01 三星泰科威株式会社 对石墨烯进行后处理的方法和使用该方法制造石墨烯的方法
CN103086358A (zh) * 2011-11-01 2013-05-08 海洋王照明科技股份有限公司 一种制备石墨烯的方法
CN103140439A (zh) * 2010-07-15 2013-06-05 成均馆大学校产学协力团 低温生产石墨烯的方法，直接转移用相同方法的石墨烯的方法与石墨烯片材
CN103176294A (zh) * 2013-04-02 2013-06-26 浙江大学 一种基于石墨烯材料的全光纤电光调制器及其方法
CN103201405A (zh) * 2010-11-09 2013-07-10 Posco公司 石墨烯被覆钢板及其制造方法
CN103213976A (zh) * 2013-04-22 2013-07-24 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 一种在衬底表面直接制备石墨烯的方法
CN102020270B (zh) * 2009-09-09 2013-08-21 中国科学院金属研究所 一种大尺寸石墨烯的宏量制备方法
CN103387223A (zh) * 2012-05-07 2013-11-13 海洋王照明科技股份有限公司 一种制备石墨烯的方法
CN103443947A (zh) * 2011-03-28 2013-12-11 索尼公司 透明导电膜、加热器、触摸面板、太阳能电池、有机el装置、液晶装置和电子纸
CN103459316A (zh) * 2011-01-31 2013-12-18 三星泰科威株式会社 用于制造石墨烯的方法和设备
CN103477399A (zh) * 2011-04-07 2013-12-25 日本写真印刷株式会社 具备以石墨烯为主成分的透明导电膜的转印片及其制造方法、透明导电物
CN103534206A (zh) * 2011-03-17 2014-01-22 三星泰科威株式会社 石墨烯薄膜制造装置及石墨烯薄膜制造方法
CN104205241A (zh) * 2012-03-21 2014-12-10 泰科电子公司 电导体和制造电导体的方法
CN104532206A (zh) * 2014-12-12 2015-04-22 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种在绝缘衬底上原位生长掺杂石墨烯薄膜的制备方法
TWI485106B (zh) * 2012-10-16 2015-05-21 Ritedia Corp 石墨烯薄片製備方法及其所製備之石墨烯薄片
CN105188894A (zh) * 2013-05-01 2015-12-23 皇家飞利浦有限公司 制造部分独立式二维晶体膜的方法和包括这样的膜的器件
CN105377753A (zh) * 2013-06-27 2016-03-02 纳米基盘柔软电子素子研究团 利用覆盖构件制造石墨烯的方法和制造包含该石墨烯的电子元件的方法
CN105531226A (zh) * 2013-09-30 2016-04-27 日本瑞翁株式会社 碳纳米结构体的制造方法及碳纳米管
CN106025191A (zh) * 2015-03-27 2016-10-12 Tdk株式会社 锂离子二次电池用正极活性物质、锂离子二次电池用正极以及锂离子二次电池
TWI608995B (zh) * 2017-01-12 2017-12-21 Large-area graphene and its manufacturing method
CN108660430A (zh) * 2018-05-14 2018-10-16 北京工业大学 在氧化物绝缘衬底上类直接生长大面积石墨烯的工艺方法
CN109179388A (zh) * 2018-10-31 2019-01-11 青岛科技大学 一种一氧化碳制备石墨烯的方法
US11358868B2 (en) 2019-07-10 2022-06-14 National Cheng Kung University Device comprising physical properties controlled by microstructure and method of manufacturing the same

Families Citing this family (208)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101443217B1 (ko) 2007-09-12 2014-09-19 삼성전자주식회사 그라펜 쉘 및 그의 제조방법
KR101622306B1 (ko) 2009-10-29 2016-05-19 삼성전자주식회사 그라펜 시트, 이를 포함하는 그라펜 기재 및 그의 제조방법
KR101344493B1 (ko) * 2007-12-17 2013-12-24 삼성전자주식회사 단결정 그라펜 시트 및 그의 제조방법
JP5470779B2 (ja) * 2008-09-03 2014-04-16 富士通株式会社 集積回路装置の製造方法
US9388048B1 (en) * 2008-10-08 2016-07-12 University Of Southern California Synthesis of graphene by chemical vapor deposition
US20100203340A1 (en) * 2009-02-09 2010-08-12 Ruoff Rodney S Protective carbon coatings
KR101652788B1 (ko) * 2009-02-17 2016-09-09 삼성전자주식회사 층간 화합물 함유 그라펜 시트 및 그의 제조방법
US9776378B2 (en) 2009-02-17 2017-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Graphene sheet comprising an intercalation compound and process of preparing the same
US8309438B2 (en) * 2009-03-03 2012-11-13 Board Of Regents, The University Of Texas System Synthesizing graphene from metal-carbon solutions using ion implantation
WO2010122928A1 (ja) * 2009-04-25 2010-10-28 国立大学法人九州工業大学 グラフェン膜の作製方法
KR101067085B1 (ko) 2009-05-06 2011-09-22 경희대학교 산학협력단 무촉매 그래핀 성장 방법
US9035281B2 (en) 2009-06-30 2015-05-19 Nokia Technologies Oy Graphene device and method of fabricating a graphene device
JP2011018415A (ja) * 2009-07-10 2011-01-27 Tdk Corp 磁気センサ
KR101423037B1 (ko) * 2009-07-14 2014-08-13 그래핀스퀘어 주식회사 그래핀 시트의 제조 방법, 그래핀 적층체, 변형 수용성 그래핀 시트의 제조 방법, 변형 수용성 그래핀 시트, 및 이를 이용하는 소자
WO2011046655A2 (en) * 2009-07-21 2011-04-21 Cornell University Transfer-free batch fabrication of single layer graphene devices
KR101622304B1 (ko) 2009-08-05 2016-05-19 삼성전자주식회사 그라펜 기재 및 그의 제조방법
US10164135B2 (en) * 2009-08-07 2018-12-25 Guardian Glass, LLC Electronic device including graphene-based layer(s), and/or method or making the same
US10167572B2 (en) * 2009-08-07 2019-01-01 Guardian Glass, LLC Large area deposition of graphene via hetero-epitaxial growth, and products including the same
US8507797B2 (en) 2009-08-07 2013-08-13 Guardian Industries Corp. Large area deposition and doping of graphene, and products including the same
US20120161098A1 (en) * 2009-08-20 2012-06-28 Nec Corporation Substrate, manufacturing method of substrate, semiconductor element, and manufacturing method of semiconductor element
KR101154347B1 (ko) * 2009-08-24 2012-06-13 한양대학교 산학협력단 그래핀 박막과 나노 입자를 이용한 광검출기 및 그 제조 방법
KR101119916B1 (ko) * 2009-08-24 2012-03-13 삼성전자주식회사 그래핀 전극과 유기물/무기물 복합소재를 사용한 전자 소자 및 그 제조 방법
JP5641484B2 (ja) * 2009-08-31 2014-12-17 国立大学法人九州大学 グラフェン薄膜とその製造方法
KR101454463B1 (ko) * 2009-09-21 2014-10-23 삼성테크윈 주식회사 그래핀의 제조 방법
KR101736462B1 (ko) * 2009-09-21 2017-05-16 한화테크윈 주식회사 그래핀의 제조 방법
WO2011046415A2 (ko) 2009-10-16 2011-04-21 성균관대학교산학협력단 그래핀의 롤투롤 전사 방법, 그에 의한 그래핀 롤, 및 그래핀의 롤투롤 전사 장치
US8470400B2 (en) * 2009-10-21 2013-06-25 Board Of Regents, The University Of Texas System Graphene synthesis by chemical vapor deposition
US8492747B2 (en) 2009-10-26 2013-07-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Transistor and flat panel display including thin film transistor
US8263843B2 (en) * 2009-11-06 2012-09-11 The Boeing Company Graphene nanoplatelet metal matrix
KR101636442B1 (ko) 2009-11-10 2016-07-21 삼성전자주식회사 촉매합금을 이용한 그라핀의 제조방법
KR101652787B1 (ko) 2009-11-12 2016-09-01 삼성전자주식회사 대면적 그라핀의 제조방법 및 전사방법
KR20110061245A (ko) 2009-12-01 2011-06-09 삼성전자주식회사 그라펜을 이용한 유기발광소자
US9306099B2 (en) 2009-12-01 2016-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Material including graphene and an inorganic material and method of manufacturing the material
KR101138141B1 (ko) 2009-12-07 2012-04-23 주식회사 케이씨텍 그래핀 시트 제조방법 및 제조장치
KR101279606B1 (ko) * 2009-12-11 2013-07-05 한국전자통신연구원 그래핀 박막의 증착방법
US8808810B2 (en) * 2009-12-15 2014-08-19 Guardian Industries Corp. Large area deposition of graphene on substrates, and products including the same
KR101114948B1 (ko) * 2010-01-13 2012-03-06 전남대학교산학협력단 Ｐｖａ-응고법을 이용한 순수 그라핀시트 제조방법
WO2011087301A2 (ko) 2010-01-15 2011-07-21 성균관대학교산학협력단 기체 및 수분 차단용 그래핀 보호막, 이의 형성 방법 및 그의 용도
US9096437B2 (en) 2010-03-08 2015-08-04 William Marsh Rice University Growth of graphene films from non-gaseous carbon sources
JP2013542546A (ja) * 2010-03-08 2013-11-21 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ グラフェン／格子混成構造に基づいた透明電極
KR101251020B1 (ko) * 2010-03-09 2013-04-03 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 그라펜의 제조 방법, 이를 포함하는 투명 전극, 활성층, 이를 구비한 표시소자, 전자소자, 광전소자, 태양전지 및 염료감응 태양전지
WO2011116369A2 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Board Of Regents, The University Of Texas System Electrophoretic deposition and reduction of graphene oxide to make graphene film coatings and electrode structures
US8871171B2 (en) 2010-03-26 2014-10-28 Virginia Commonwealth University Production of graphene and nanoparticle catalysts supported on graphene using microwave radiation
WO2011129708A1 (en) * 2010-04-16 2011-10-20 Institutt For Energiteknikk Thin film solar cell electrode with graphene electrode layer
US8377408B2 (en) 2010-04-20 2013-02-19 High Temperature Physics, Llc Process for the production of carbon nanoparticles and sequestration of carbon
US8709881B2 (en) * 2010-04-30 2014-04-29 The Regents Of The University Of California Direct chemical vapor deposition of graphene on dielectric surfaces
KR101451138B1 (ko) * 2010-05-04 2014-10-15 삼성테크윈 주식회사 그래핀 시트 제조 방법
US20110303899A1 (en) * 2010-06-10 2011-12-15 Applied Materials, Inc. Graphene deposition
KR101220421B1 (ko) * 2010-06-15 2013-01-09 (재)한국나노기술원 임프린트 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법
WO2012002666A2 (en) * 2010-06-28 2012-01-05 Samsung Techwin Co., Ltd. Graphene manufacturing apparatus and method
KR101648563B1 (ko) * 2010-06-29 2016-08-16 한화테크윈 주식회사 그래핀 전사필름 제조방법 및 그래핀 전사필름 제조장치
US20120000516A1 (en) * 2010-07-01 2012-01-05 Egypt Nanotechnology Center Graphene Solar Cell
US20120000521A1 (en) * 2010-07-01 2012-01-05 Egypt Nanotechnology Center Graphene Solar Cell And Waveguide
FR2962995B1 (fr) 2010-07-21 2013-07-05 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une structure comprenant un feuillet de graphene muni de plots metalliques, structure ainsi obtenue et ses utilisations
KR101451139B1 (ko) * 2010-07-22 2014-10-15 삼성테크윈 주식회사 그래핀 제조 방법
KR101451140B1 (ko) * 2010-07-23 2014-10-15 삼성테크윈 주식회사 그래핀 합성 챔버 및 이를 이용한 그래핀 합성 방법
KR20120012271A (ko) * 2010-07-30 2012-02-09 성균관대학교산학협력단 그래핀의 제조 방법, 그래핀 시트 및 이를 이용한 소자
US10351431B2 (en) * 2010-08-11 2019-07-16 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Large-scale graphene sheet: articles, compositions, methods and devices incorporating same
CN106207082A (zh) * 2010-08-19 2016-12-07 株式会社半导体能源研究所 电气设备
US9029836B2 (en) 2010-09-08 2015-05-12 President And Fellows Of Harvard College Controlled synthesis of monolithically-integrated graphene structure
WO2012036537A2 (ko) * 2010-09-17 2012-03-22 한국과학기술원 플래쉬 램프 또는 레이저 빔을 이용한 그래핀 제조장치, 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 그래핀
US8420042B2 (en) 2010-09-21 2013-04-16 High Temperature Physics, Llc Process for the production of carbon graphenes and other nanomaterials
JP5762545B2 (ja) * 2010-09-28 2015-08-12 エンパイア テクノロジー ディベロップメント エルエルシー 配向再結晶化するグラフェン成長基質
WO2012060468A1 (ja) * 2010-11-04 2012-05-10 日本電気株式会社 グラフェン基板の製造方法およびグラフェン基板
US8796361B2 (en) 2010-11-19 2014-08-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Adhesive compositions containing graphenic carbon particles
US20140150970A1 (en) 2010-11-19 2014-06-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Structural adhesive compositions
CN103314133B (zh) * 2010-12-08 2017-08-01 3M创新有限公司 制品及其制备和使用方法
KR101462539B1 (ko) * 2010-12-20 2014-11-18 삼성디스플레이 주식회사 그라펜을 이용한 유기발광표시장치
JP2012144415A (ja) * 2010-12-21 2012-08-02 Meijo Univ グラフェン素材の製造方法及びグラフェン素材
JP5871213B2 (ja) * 2010-12-21 2016-03-01 日本電気株式会社 グラフェン基板の製造方法およびグラフェン基板
WO2012088274A1 (en) * 2010-12-23 2012-06-28 Clean Energy Labs, Llc Graphene windows, methods for making same, and devices containing same
KR20120087844A (ko) * 2011-01-28 2012-08-07 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 그라펜의 제조 방법, 이를 포함하는 투명 전극, 활성층, 이를 구비한 표시소자, 전자소자, 광전소자, 배터리, 태양전지 및 염료감응 태양전지
WO2012105777A2 (en) * 2011-01-31 2012-08-09 Samsung Techwin Co., Ltd. Method and apparatus for manufacturing graphene
WO2012124974A2 (ko) * 2011-03-17 2012-09-20 삼성테크윈 그래핀 필름 제조 장치 및 그래핀 필름 제조 방법
US20120234240A1 (en) * 2011-03-17 2012-09-20 Nps Corporation Graphene synthesis chamber and method of synthesizing graphene by using the same
KR101813614B1 (ko) * 2011-03-31 2018-01-02 삼성디스플레이 주식회사 2차원/3차원 무안경식 디스플레이 용 렌티큘러 장치
KR101842018B1 (ko) 2011-04-01 2018-03-26 한화테크윈 주식회사 그래핀을 포함하는 필름 제조 방법
US9260308B2 (en) 2011-04-19 2016-02-16 Graphene Technologies, Inc. Nanomaterials and process for making the same
KR101813172B1 (ko) * 2011-04-22 2017-12-29 삼성전자주식회사 그래핀 다중층의 제조방법
US20140120270A1 (en) * 2011-04-25 2014-05-01 James M. Tour Direct growth of graphene films on non-catalyst surfaces
KR101993382B1 (ko) * 2011-05-06 2019-06-27 삼성전자주식회사 기판상의 그래핀 및 상기 기판상 그래핀의 제조방법
KR101188988B1 (ko) * 2011-05-23 2012-10-08 한양대학교 산학협력단 그래핀 박막의 분리 방법
TWI643814B (zh) 2011-06-03 2018-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 單層和多層石墨烯，彼之製法，含彼之物件，以及含彼之電器裝置
US11296322B2 (en) 2011-06-03 2022-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Single-layer and multilayer graphene, method of manufacturing the same, object including the same, and electric device including the same
CN105810893B (zh) 2011-06-03 2018-10-26 株式会社半导体能源研究所 电极的制造方法
WO2012173145A1 (ja) * 2011-06-14 2012-12-20 学校法人 名城大学 グラフェン素材の製造方法、グラフェン素材及びグラフェン配線構造
CN105366666A (zh) * 2011-06-24 2016-03-02 株式会社半导体能源研究所 多层石墨烯及蓄电装置
US9218916B2 (en) 2011-06-24 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Graphene, power storage device, and electric device
US9388513B2 (en) * 2011-07-01 2016-07-12 The University Of Kentucky Research Foundation Crystallographically-oriented carbon nanotubes grown on few-layer graphene films
US9390828B2 (en) * 2011-07-01 2016-07-12 The University Of Kentucky Research Foundation Crystallographically-oriented carbon nanotubes grown on few-layer graphene films
JP5862080B2 (ja) * 2011-07-06 2016-02-16 ソニー株式会社 グラフェンの製造方法及びグラフェン製造装置
WO2013015460A1 (ko) * 2011-07-22 2013-01-31 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 그라펜 시트， 이를 포함하는 투명 전극， 활성층， 이를 구비한 표시소자， 전자소자， 광전소자， 배터리， 태양전지 및 염료감응 태양전지
KR101275631B1 (ko) * 2011-08-11 2013-06-17 전자부품연구원 스마트 윈도우용 그래핀 기반 ｖｏ２ 적층체 및 제조방법
WO2013027561A1 (en) 2011-08-19 2013-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing graphene-coated object, negative electrode of secondary battery including graphene-coated object, and secondary battery including the negative electrode
JP6025284B2 (ja) 2011-08-19 2016-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置用の電極及び蓄電装置
EP2562766A1 (de) * 2011-08-22 2013-02-27 Bayer MaterialScience AG Kohlenstoffnanoröhren und Graphenplättchen umfassende Dispersionen
KR20130024769A (ko) 2011-08-30 2013-03-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 축전 장치
US9249524B2 (en) 2011-08-31 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of composite oxide and manufacturing method of power storage device
JP6000017B2 (ja) 2011-08-31 2016-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置及びその作製方法
KR101268477B1 (ko) * 2011-08-31 2013-06-04 한국기계연구원 자장여과 아크 소스 장치를 이용한 그래핀의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 그래핀
EP2753577B1 (en) 2011-09-09 2019-06-05 Board Of Trustees Of Northern Illinois University Method of making crystalline graphene
JP6029898B2 (ja) 2011-09-09 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 リチウム二次電池用正極の作製方法
US9401247B2 (en) 2011-09-21 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Negative electrode for power storage device and power storage device
US10240052B2 (en) 2011-09-30 2019-03-26 Ppg Industries Ohio, Inc. Supercapacitor electrodes including graphenic carbon particles
US8486363B2 (en) 2011-09-30 2013-07-16 Ppg Industries Ohio, Inc. Production of graphenic carbon particles utilizing hydrocarbon precursor materials
US9574094B2 (en) 2013-12-09 2017-02-21 Ppg Industries Ohio, Inc. Graphenic carbon particle dispersions and methods of making same
US9761903B2 (en) 2011-09-30 2017-09-12 Ppg Industries Ohio, Inc. Lithium ion battery electrodes including graphenic carbon particles
US9832818B2 (en) 2011-09-30 2017-11-28 Ppg Industries Ohio, Inc. Resistive heating coatings containing graphenic carbon particles
US9475946B2 (en) 2011-09-30 2016-10-25 Ppg Industries Ohio, Inc. Graphenic carbon particle co-dispersions and methods of making same
US9938416B2 (en) 2011-09-30 2018-04-10 Ppg Industries Ohio, Inc. Absorptive pigments comprising graphenic carbon particles
US10763490B2 (en) * 2011-09-30 2020-09-01 Ppg Industries Ohio, Inc. Methods of coating an electrically conductive substrate and related electrodepositable compositions including graphenic carbon particles
KR102029506B1 (ko) 2011-09-30 2019-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 그래핀 및 축전 장치, 및 이들의 제작 방법
US9988551B2 (en) 2011-09-30 2018-06-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Black pigments comprising graphenic carbon particles
US10294375B2 (en) 2011-09-30 2019-05-21 Ppg Industries Ohio, Inc. Electrically conductive coatings containing graphenic carbon particles
JP6218349B2 (ja) 2011-09-30 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置
US8884310B2 (en) * 2011-10-19 2014-11-11 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Direct formation of graphene on semiconductor substrates
US9776875B2 (en) 2011-10-24 2017-10-03 Src Corporation Method of manufacturing graphene using metal catalyst
KR101236138B1 (ko) 2011-10-26 2013-02-22 전자부품연구원 마이크로파 및 ｉｐｌ조사를 이용한 그래핀 복합필름 제조방법
RU2500616C2 (ru) * 2011-11-03 2013-12-10 Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН) Способ получения графеновой пленки
FR2982281B1 (fr) 2011-11-07 2014-03-07 Commissariat Energie Atomique Procede de synthese d'un feuillet de graphene sur un siliciure de platine, structures obtenues par ce procede et leurs utilisations
KR101918299B1 (ko) 2011-11-09 2018-11-13 주식회사 삼천리 표면에 그래핀이 형성된 금속선 또는 판재의 제조방법
US9487880B2 (en) 2011-11-25 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible substrate processing apparatus
KR101315966B1 (ko) * 2011-11-28 2013-10-08 (주)와이즈산전 그래핀을 이용한 적외선 검출 소자
JP6016597B2 (ja) 2011-12-16 2016-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 リチウムイオン二次電池用正極の製造方法
KR101317459B1 (ko) * 2011-12-23 2013-10-18 한국과학기술원 그래핀 결정면의 광학적 시각화 방법
US9202945B2 (en) * 2011-12-23 2015-12-01 Nokia Technologies Oy Graphene-based MIM diode and associated methods
JP6009343B2 (ja) 2011-12-26 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 二次電池用正極および二次電池用正極の作製方法
KR102037469B1 (ko) * 2012-01-02 2019-10-28 삼성전자주식회사 그래핀 전자 소자 및 그 제조 방법
WO2013107840A1 (en) * 2012-01-18 2013-07-25 Isos Technologies Sarl Method of manufacturing microscopic graphene-containing grains and material obtainable thereby
US9680272B2 (en) 2012-02-17 2017-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming negative electrode and method for manufacturing lithium secondary battery
JP5885198B2 (ja) * 2012-02-28 2016-03-15 国立大学法人九州大学 グラフェン薄膜の製造方法及びグラフェン薄膜
JP5719859B2 (ja) 2012-02-29 2015-05-20 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置
US9090476B2 (en) 2012-03-22 2015-07-28 Chun-Chieh Chang Direct deposition of graphene on substrate material
US9059466B2 (en) 2012-03-22 2015-06-16 Chun-Chieh Chang Direct synthesis of lithium ion battery electrode materials using graphene treated raw materials as the reactant
US20150042000A1 (en) * 2012-03-31 2015-02-12 Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. Method for preparing graphene paper
CN103359717B (zh) * 2012-04-05 2015-06-03 清华大学 石墨烯纳米窄带的制备方法
CN103359718B (zh) * 2012-04-05 2015-07-01 清华大学 石墨烯纳米窄带的制备方法
JP6077347B2 (ja) 2012-04-10 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 非水系二次電池用正極の製造方法
US9422165B2 (en) * 2012-04-27 2016-08-23 Empire Technology Development Llc Graphene compositions and methods of making the same
US9225003B2 (en) 2012-06-15 2015-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing storage battery electrode, storage battery electrode, storage battery, and electronic device
TWI457277B (zh) * 2012-08-10 2014-10-21 Nat Univ Tsing Hua 石墨烯製備系統及方法
JP5962332B2 (ja) * 2012-08-27 2016-08-03 富士通株式会社 グラフェンの成長方法
JP6207923B2 (ja) 2012-08-27 2017-10-04 株式会社半導体エネルギー研究所 二次電池用正極の製造方法
KR101427818B1 (ko) 2012-10-29 2014-08-08 한국과학기술연구원 열 증착을 이용한 유기나노필름 기반 탄소재료 및 그 제조방법
JP6159228B2 (ja) 2012-11-07 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 非水系二次電池用正極の製造方法
US10287677B2 (en) 2012-11-19 2019-05-14 The Regents Of The University Of California Methods of fabricating pillared graphene nanostructures
KR102059129B1 (ko) * 2012-11-21 2019-12-24 삼성전자주식회사 그래핀의 제조 방법 및 이를 포함하는 그래핀 적용 소자
JP6037813B2 (ja) * 2012-12-14 2016-12-07 Ｊｘ金属株式会社 多層グラフェン製造用圧延銅箔、及び多層グラフェンの製造方法
KR101425376B1 (ko) 2013-02-12 2014-08-01 한국과학기술연구원 고분자 기반의 대면적 탄소 나노그물 및 그 제조방법
US9673454B2 (en) 2013-02-18 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sodium-ion secondary battery
US9478422B2 (en) * 2013-02-25 2016-10-25 Solan, LLC Methods for fabricating refined graphite-based structures and devices made therefrom
JP2014172788A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Waseda Univ グラフェンの製造方法
KR102093441B1 (ko) * 2013-03-11 2020-03-25 삼성전자주식회사 그래핀의 제조 방법
US10431354B2 (en) 2013-03-15 2019-10-01 Guardian Glass, LLC Methods for direct production of graphene on dielectric substrates, and associated articles/devices
US11430979B2 (en) 2013-03-15 2022-08-30 Ppg Industries Ohio, Inc. Lithium ion battery anodes including graphenic carbon particles
US20140260545A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Infineon Technologies Ag Sensor and sensing method
US9593019B2 (en) * 2013-03-15 2017-03-14 Guardian Industries Corp. Methods for low-temperature graphene precipitation onto glass, and associated articles/devices
US9490472B2 (en) 2013-03-28 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing electrode for storage battery
KR101517995B1 (ko) 2013-03-29 2015-05-07 경희대학교 산학협력단 그래핀에 의하여 광증폭된 발광 소자 및 이의 제조방법
US9458020B2 (en) 2013-05-06 2016-10-04 Centre National De La Recherche Scientifique Process and device for forming a graphene layer
JP6002087B2 (ja) * 2013-05-29 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 グラフェンの生成方法
WO2014200649A1 (en) * 2013-06-13 2014-12-18 Graftech International Holdings Inc. Method of producing a graphene material
US20150044560A1 (en) 2013-08-09 2015-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrode for lithium-ion secondary battery and manufacturing method thereof, and lithium-ion secondary battery
AU2014322660B2 (en) 2013-09-17 2016-05-26 Council Of Scientific And Industrial Research A process for synthesizng reduced graphene oxide on a substrate from seedlac
WO2015108596A2 (en) 2013-10-25 2015-07-23 Ohio University Electrochemical cell containing a graphene coated electrode
US20150140211A1 (en) * 2013-11-19 2015-05-21 Cvd Equipment Corporation Scalable 2D-Film CVD Synthesis
JP2016013958A (ja) 2013-12-02 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 素子、膜の作製方法
US9347911B2 (en) 2013-12-30 2016-05-24 Infineon Technologies Ag Fluid sensor chip and method for manufacturing the same
US20150280207A1 (en) * 2014-03-26 2015-10-01 NANO CAST TECH Co., Ltd. Method of preparing graphene-graphene fused material and method of preparing graphene-substrate composite using the same
US10072196B2 (en) 2014-03-26 2018-09-11 Amogreentech Co., Ltd. Method of preparing graphene-graphene fused material and method of preparing graphene-substrate composite using the same
US10253409B2 (en) 2014-04-23 2019-04-09 Src Corporation Method of manufacturing graphene using metal catalyst
KR101626776B1 (ko) * 2014-05-09 2016-06-02 광주과학기술원 벤젠을 이용한 그래핀의 합성 방법
JP6745587B2 (ja) 2014-05-29 2020-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 電極の製造方法
EP3208235A4 (en) 2014-10-13 2018-03-07 Haibo Xu Graphene oxide prepared by electrochemically oxidizing and cutting end face of carbon-based three-dimensional material and method therefor
KR101629697B1 (ko) 2014-10-14 2016-06-13 한국화학연구원 그래핀 적층 구조체의 제조방법 및 이로 제조된 그래핀 적층 구조체
US11492261B2 (en) * 2014-12-05 2022-11-08 Korea Research Institute Of Chemical Technology Method of using chemical reaction transparency of graphene
JP6387878B2 (ja) * 2015-03-25 2018-09-12 日本ゼオン株式会社 炭素ナノ構造体の製造方法
JP2016222526A (ja) 2015-05-29 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 膜の作製方法および素子
US10686207B2 (en) 2015-07-03 2020-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lithium-ion storage battery and electronic device
JP6144300B2 (ja) * 2015-07-16 2017-06-07 東京エレクトロン株式会社 グラフェン製造方法、グラフェン製造装置及びグラフェン製造システム
CN108291298B (zh) * 2015-08-14 2022-03-15 联邦科学及工业研究组织 石墨烯合成
US10145005B2 (en) 2015-08-19 2018-12-04 Guardian Glass, LLC Techniques for low temperature direct graphene growth on glass
BR112018003639B1 (pt) * 2015-08-26 2022-08-30 Hazer Group Limited Processo de controle da morfologia de grafite
EP3356582B1 (en) 2015-10-01 2020-12-16 GlobalWafers Co., Ltd. Epitaxial growth of defect-free, wafer-scale single-layer graphene on thin films of cobalt
US10351661B2 (en) 2015-12-10 2019-07-16 Ppg Industries Ohio, Inc. Method for producing an aminimide
US10377928B2 (en) 2015-12-10 2019-08-13 Ppg Industries Ohio, Inc. Structural adhesive compositions
CN105523547B (zh) * 2016-01-25 2017-09-29 浙江大学 一种超柔性高导热石墨烯膜及其制备方法
WO2017196559A1 (en) 2016-05-12 2017-11-16 Sunedison Semiconductor Limited Direct formation of hexagonal boron nitride on silicon based dielectrics
CN106145276B (zh) * 2016-08-01 2019-07-16 绍兴文理学院 一种用于废水处理的氧化物涂层电极的制备方法
MX2019002691A (es) * 2016-09-08 2019-05-20 Ppg Ind Ohio Inc Metodos para revestir un sustrato electricamente conductivo y composiciones electrodepositables relacionadas, que incluyen particulas de carbono grafenico.
CN106252465B (zh) * 2016-09-14 2017-06-23 绍兴文理学院 一种石墨烯基超晶格金属氧化物薄膜材料的制备方法
JP6837808B2 (ja) * 2016-11-10 2021-03-03 株式会社カネカ 積層体の製造方法
KR101990192B1 (ko) * 2017-03-22 2019-06-17 고려대학교 산학협력단 그래핀 박막 제조방법
KR102310124B1 (ko) * 2017-03-28 2021-10-08 삼성전자주식회사 극자외선 노광용 펠리클, 포토마스크 조립체 및 펠리클의 제조 방법
KR101961694B1 (ko) 2017-07-21 2019-03-25 성균관대학교 산학협력단 그래핀 및 이의 제조 방법
CN109524481A (zh) * 2017-09-20 2019-03-26 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 一种低成本高导电太阳能电池电极及其制备方法
CN109694057A (zh) * 2017-10-24 2019-04-30 中国海洋大学 一种柔性石墨烯发热膜的制备方法
US11180373B2 (en) 2017-11-29 2021-11-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystalline graphene and method of forming nanocrystalline graphene
JP7368363B2 (ja) 2018-03-09 2023-10-24 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． グラフェンペリクルリソグラフィ装置
US11217531B2 (en) 2018-07-24 2022-01-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Interconnect structure having nanocrystalline graphene cap layer and electronic device including the interconnect structure
KR102532605B1 (ko) 2018-07-24 2023-05-15 삼성전자주식회사 나노결정질 그래핀 캡층을 포함하는 인터커넥트 구조체 및 이 인터커넥트 구조체를 포함하는 전자 소자
KR20200011821A (ko) * 2018-07-25 2020-02-04 삼성전자주식회사 탄소물 직접 성장방법
KR102601607B1 (ko) 2018-10-01 2023-11-13 삼성전자주식회사 그래핀의 형성방법
KR20200126721A (ko) 2019-04-30 2020-11-09 삼성전자주식회사 그래핀 구조체 및 그래핀 구조체의 형성방법
US11433353B2 (en) 2019-06-06 2022-09-06 Savannah River Nuclear Solutions, Llc Hydrogen isotope separation methods and systems
CN110922068A (zh) * 2019-10-25 2020-03-27 武汉大学 石墨烯光纤及其制备方法
CN110759334B (zh) * 2019-12-06 2023-07-28 上海集成电路研发中心有限公司 一种石墨烯沟道结构及其制作方法
US20230033329A1 (en) * 2019-12-11 2023-02-02 Jozef Stefan Institute Method and apparatus for deposition of carbon nanostructures

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5698341A (en) * 1995-08-18 1997-12-16 Petoca, Ltd. Carbon material for lithium secondary battery and process for producing the same
JP2003081699A (ja) * 2001-09-06 2003-03-19 Canon Inc 炭素を主成分とするファイバーの製造方法および製造装置、並びに該ファイバーを用いた電子放出素子
US6800584B2 (en) * 2001-10-12 2004-10-05 Catalytic Materials Llc Gold catalysts supported on graphitic carbon nanostructures
US6841003B2 (en) * 2002-11-22 2005-01-11 Cdream Display Corporation Method for forming carbon nanotubes with intermediate purification steps
US20050164211A1 (en) * 2004-01-22 2005-07-28 Hannah Eric C. Carbon nanotube molecular labels
US20050271574A1 (en) * 2004-06-03 2005-12-08 Jang Bor Z Process for producing nano-scaled graphene plates
US7713577B2 (en) 2005-03-01 2010-05-11 Los Alamos National Security, Llc Preparation of graphitic articles

Cited By (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101559944B (zh) * 2009-05-27 2011-05-11 天津大学 导电石墨烯膜及其自组装制备方法
CN102020270B (zh) * 2009-09-09 2013-08-21 中国科学院金属研究所 一种大尺寸石墨烯的宏量制备方法
CN101658786B (zh) * 2009-09-25 2011-11-23 上海大学 电子束辐照制备石墨烯基二氧化钛复合光催化剂的方法
CN102958832B (zh) * 2010-06-28 2016-05-25 韩华泰科株式会社 石墨烯制造设备及方法
CN102958832A (zh) * 2010-06-28 2013-03-06 三星泰科威株式会社 石墨烯制造设备及方法
CN103140439A (zh) * 2010-07-15 2013-06-05 成均馆大学校产学协力团 低温生产石墨烯的方法，直接转移用相同方法的石墨烯的方法与石墨烯片材
CN103140439B (zh) * 2010-07-15 2017-06-09 石墨烯广场株式会社 低温生产石墨烯的方法，直接转移用相同方法的石墨烯的方法与石墨烯片材
US9371234B2 (en) 2010-07-15 2016-06-21 Graphene Square, Inc. Method for producing graphene at a low temperature, method for direct transfer of graphene using same, and graphene sheet
CN102347476A (zh) * 2010-08-02 2012-02-08 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种催化石墨化法制备的磷酸铁锂/碳复合正极材料及其制备方法
US9136112B2 (en) 2010-08-11 2015-09-15 Hanwha Techwin Co., Ltd. Method of post treating graphene and method of manufacturing graphene using the same
CN103080004B (zh) * 2010-08-11 2016-04-06 韩华泰科株式会社 对石墨烯进行后处理的方法和使用该方法制造石墨烯的方法
CN103080004A (zh) * 2010-08-11 2013-05-01 三星泰科威株式会社 对石墨烯进行后处理的方法和使用该方法制造石墨烯的方法
CN103201405B (zh) * 2010-11-09 2015-08-05 Posco公司 石墨烯被覆钢板及其制造方法
CN103201405A (zh) * 2010-11-09 2013-07-10 Posco公司 石墨烯被覆钢板及其制造方法
CN102166866A (zh) * 2011-01-05 2011-08-31 常州大学 应用石墨烯制备抗静电层压材料的方法
CN102120573B (zh) * 2011-01-25 2013-02-06 中国科学院化学研究所 一种石墨烯纳米球及其制备方法
CN102120573A (zh) * 2011-01-25 2011-07-13 中国科学院化学研究所 一种石墨烯纳米球及其制备方法
CN103459316A (zh) * 2011-01-31 2013-12-18 三星泰科威株式会社 用于制造石墨烯的方法和设备
CN103459316B (zh) * 2011-01-31 2016-04-27 韩华泰科株式会社 用于制造石墨烯的方法和设备
US9260309B2 (en) 2011-01-31 2016-02-16 Research & Business Foundatiion Sungkyunkwan University Method and apparatus for manufacturing graphene
CN103534206B (zh) * 2011-03-17 2016-06-15 韩华泰科株式会社 石墨烯薄膜制造装置及石墨烯薄膜制造方法
CN103534206A (zh) * 2011-03-17 2014-01-22 三星泰科威株式会社 石墨烯薄膜制造装置及石墨烯薄膜制造方法
CN103443947A (zh) * 2011-03-28 2013-12-11 索尼公司 透明导电膜、加热器、触摸面板、太阳能电池、有机el装置、液晶装置和电子纸
CN102738237A (zh) * 2011-04-07 2012-10-17 三星电子株式会社 石墨烯电子器件及其制造方法
CN103477399A (zh) * 2011-04-07 2013-12-25 日本写真印刷株式会社 具备以石墨烯为主成分的透明导电膜的转印片及其制造方法、透明导电物
US9215797B2 (en) 2011-04-07 2015-12-15 Nissha Printing Co., Ltd. Transfer sheet provided with transparent conductive film mainly composed of graphene, method for manufacturing same, and transparent conductor
CN103477399B (zh) * 2011-04-07 2016-07-06 日本写真印刷株式会社 具备以石墨烯为主成分的透明导电膜的转印片及其制造方法、透明导电物
CN102738237B (zh) * 2011-04-07 2016-09-21 三星电子株式会社 石墨烯电子器件及其制造方法
CN102800774B (zh) * 2011-05-27 2015-06-17 浦项工科大学校产学协力团 碳薄膜的制法、及各自包括其的电子器件和电化学器件
CN102800774A (zh) * 2011-05-27 2012-11-28 浦项工科大学校产学协力团 碳薄膜的制法、及各自包括其的电子器件和电化学器件
CN102849961A (zh) * 2011-07-01 2013-01-02 中央研究院 在基板上成长碳薄膜或无机材料薄膜的方法
CN102849961B (zh) * 2011-07-01 2016-08-03 中央研究院 在基板上成长碳薄膜或无机材料薄膜的方法
US9601764B2 (en) 2011-10-07 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage device
CN103035922A (zh) * 2011-10-07 2013-04-10 株式会社半导体能源研究所 蓄电装置
CN103086358B (zh) * 2011-11-01 2016-01-27 海洋王照明科技股份有限公司 一种制备石墨烯的方法
CN103086358A (zh) * 2011-11-01 2013-05-08 海洋王照明科技股份有限公司 一种制备石墨烯的方法
CN102376787A (zh) * 2011-11-04 2012-03-14 电子科技大学 一种石墨烯太阳能电池及其制备方法
CN102583338A (zh) * 2012-01-20 2012-07-18 中国科学院上海硅酸盐研究所 高质量石墨烯粉末及其制备方法
CN102583338B (zh) * 2012-01-20 2013-10-30 中国科学院上海硅酸盐研究所 高质量石墨烯粉末及其制备方法
CN104205241A (zh) * 2012-03-21 2014-12-10 泰科电子公司 电导体和制造电导体的方法
CN104205241B (zh) * 2012-03-21 2017-11-14 泰连公司 电导体和制造电导体的方法
CN103387223A (zh) * 2012-05-07 2013-11-13 海洋王照明科技股份有限公司 一种制备石墨烯的方法
TWI485106B (zh) * 2012-10-16 2015-05-21 Ritedia Corp 石墨烯薄片製備方法及其所製備之石墨烯薄片
CN103176294A (zh) * 2013-04-02 2013-06-26 浙江大学 一种基于石墨烯材料的全光纤电光调制器及其方法
CN103176294B (zh) * 2013-04-02 2015-08-12 浙江大学 一种基于石墨烯材料的全光纤电光调制器及其方法
CN103213976A (zh) * 2013-04-22 2013-07-24 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 一种在衬底表面直接制备石墨烯的方法
CN105188894B (zh) * 2013-05-01 2018-02-13 皇家飞利浦有限公司 制造部分独立式石墨烯晶体膜的方法和包括这样的膜的器件
CN105188894A (zh) * 2013-05-01 2015-12-23 皇家飞利浦有限公司 制造部分独立式二维晶体膜的方法和包括这样的膜的器件
TWI655327B (zh) * 2013-05-01 2019-04-01 皇家飛利浦有限公司 製造部分獨立式二維晶體薄膜之方法及包括該薄膜之裝置
CN105377753A (zh) * 2013-06-27 2016-03-02 纳米基盘柔软电子素子研究团 利用覆盖构件制造石墨烯的方法和制造包含该石墨烯的电子元件的方法
US10035708B2 (en) 2013-06-27 2018-07-31 Center For Advanced Soft Electronics Method for manufacturing graphene using cover member and method for manufacturing electronic element including same
CN105531226A (zh) * 2013-09-30 2016-04-27 日本瑞翁株式会社 碳纳米结构体的制造方法及碳纳米管
CN105531226B (zh) * 2013-09-30 2018-03-06 日本瑞翁株式会社 碳纳米结构体的制造方法及碳纳米管
US10011489B2 (en) 2013-09-30 2018-07-03 Zeon Corporation Method of producing carbon nanostructures, and carbon nanotubes
US10294108B2 (en) 2013-09-30 2019-05-21 Zeon Corporation Method of producing carbon nanostructures, and carbon nanotubes
CN104532206A (zh) * 2014-12-12 2015-04-22 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种在绝缘衬底上原位生长掺杂石墨烯薄膜的制备方法
CN106025191A (zh) * 2015-03-27 2016-10-12 Tdk株式会社 锂离子二次电池用正极活性物质、锂离子二次电池用正极以及锂离子二次电池
TWI608995B (zh) * 2017-01-12 2017-12-21 Large-area graphene and its manufacturing method
CN108660430A (zh) * 2018-05-14 2018-10-16 北京工业大学 在氧化物绝缘衬底上类直接生长大面积石墨烯的工艺方法
CN109179388A (zh) * 2018-10-31 2019-01-11 青岛科技大学 一种一氧化碳制备石墨烯的方法
CN109179388B (zh) * 2018-10-31 2020-05-08 青岛科技大学 一种一氧化碳制备石墨烯的方法
US11358868B2 (en) 2019-07-10 2022-06-14 National Cheng Kung University Device comprising physical properties controlled by microstructure and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20110244210A1 (en) 2011-10-06
US20090110627A1 (en) 2009-04-30
KR20090103985A (ko) 2009-10-05
KR20090043418A (ko) 2009-05-06
KR100923304B1 (ko) 2009-10-23
KR101310880B1 (ko) 2013-09-25
EP2055673B1 (en) 2018-02-28
EP2055673A1 (en) 2009-05-06
JP2009107921A (ja) 2009-05-21
US7988941B2 (en) 2011-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101423209A (zh) 石墨烯片及其制备方法
US11407637B2 (en) Direct graphene growing method
KR101312454B1 (ko) 그래핀의 저온 제조 방법, 및 이를 이용한 그래핀 직접 전사 방법 및 그래핀 시트
EP1413550B1 (en) Method and device for synthesizing high orientationally arranged carbon nanotubes by using organic liquid
US7157068B2 (en) Varied morphology carbon nanotubes and method for their manufacture
US8580132B2 (en) Method for making strip shaped graphene layer
US7563425B2 (en) Carbonnitride nanotubes with nano-sized pores on their stems, their preparation method and control method of size and quantity of pore thereof
EP1414744A1 (en) Production of carbon nanotubes
JP2004182581A (ja) 炭素ナノチューブの製造方法
KR20120012271A (ko) 그래핀의 제조 방법, 그래핀 시트 및 이를 이용한 소자
CN101462717A (zh) 单晶石墨烯片及其制备工艺和透明电极
US20130264193A1 (en) Method for making strip shaped graphene layer
CN103613094A (zh) 一种同时制备石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法
CN101559939B (zh) 碳纳米管制备方法
Chang et al. Iron and cobalt silicide catalysts-assisted carbon nanostructures on the patterned Si substrates
TW201000393A (en) Method for making carbon nanotube film
US20070259462A1 (en) Carbon nanotube structures and methods of manufacture and use
Chen et al. The formation conditions of carbon nanotubes array based on FeNi alloy island films
KR101626936B1 (ko) 끝단이 날카로운 탄소나노섬유 및 팔라듐 촉매를 이용한 탄소나노섬유의 성장방법
US20140044874A1 (en) Graphene manufacturing system and the method thereof
KR101956920B1 (ko) 그래핀 층 및 중공 탄소 튜브를 포함하는 탄소 혼성 구조
Quinton Aligned Carbon Nanotube Carpets on Carbon Substrates for High Power Electronic Applications
US7767275B2 (en) Method for synthesizing self-aligned carbon nanomaterials on large area
Arya et al. Chemical Vapor Deposition (CVD) Technique for Nanomaterials Deposition
Hong et al. Fast growth of millimeter-long vertically-aligned carbon nanotubes via hot filament chemical vapor deposition

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20090506