RU2500616C2 - Способ получения графеновой пленки - Google Patents
Способ получения графеновой пленки Download PDFInfo
- Publication number
- RU2500616C2 RU2500616C2 RU2011144413/05A RU2011144413A RU2500616C2 RU 2500616 C2 RU2500616 C2 RU 2500616C2 RU 2011144413/05 A RU2011144413/05 A RU 2011144413/05A RU 2011144413 A RU2011144413 A RU 2011144413A RU 2500616 C2 RU2500616 C2 RU 2500616C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- carbon
- catalyst
- film
- containing gas
- reactor
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
Изобретение может быть использовано при изготовлении прозрачных электродов и приборов наноэлектроники. Графеновую пленку получают осаждением в вакууме углерода из углеродсодержащего газа на подложку, покрытую катализатором, предварительно нагретую до температуры, превышающей разложение углеродсодержащего газа. Углеродсодержащий газ напускают до давления 1-10-4 торр. Откачивание реактора производят через 1-300 с после напуска углеродсодержащего газа с одновременным охлаждением его до комнатной температуры со скоростью 10-100°/мин. В качестве углеродсодержащего газа берут газ, выбранный из ряда: ацетилен, метан, этан, пропан, бутан, этилен, гексан, или комбинацию этих газов с инертным газом. В качестве катализатора используют металл, выбранный из ряда: Fe, Ni, Сu, или комбинацию металлов, включающую, по крайней мере, два из вышеупомянутых. Пленка катализатора имеет толщину 1-5000 нм. Изобретение обеспечивает получение графеновой пленки простым и технологичным способом. 6 з.п. ф-лы, 6 ил., 14 пр.
Description
Изобретение относится к области химии и полученные пленки могут быть использованы в различных областях электроники, в частности, оптоэлектроники, а также в качестве прозрачных электродов и для создания приборов наноэлектроники нового поколения.
Известен способ получения графеновой пленки, включающий осаждение углерода из углеродсодержащего газа на подложку, покрытую никелевой пленкой в качестве катализатора. При этом при использовании в качестве углеродсодержащего газа этилена или метана процесс вели при температуре 1000°С, а при использовании ацетилена при температуре 650-700°С. (Nanotechnology 21 (2010) 145604 (4pp) doi:10.1088/0957-4484/21/14/145604 «Chemical vapor deposition of graphene films», G Nandamuri, S Roumimov and R Solanki, Department of Physics, Portland State University, Portland, OR 97207, USA, E-mail: nandamur@pdx.edu and rajendra@pdx.edu. Received 29 December 2009, in final form 5 February 2010,Published 10 March 2010, Online at stacks.iop.org/Nano/21/145604).
Однако способ им получения не был достаточно технологичным.
Известен способ получения пленок графена, включающий осаждение углерода из углеродсодержащего газа на подложку, покрытую катализатором. При этом подложку, покрытую катализатором помещают в камеру и обрабатывают нагретым источником газообразного углерода для осаждения графена на подложке, после чего подложку охлаждают для образования пленок. Степень образования графена контролируют температурой и временем горячей обработки патент US 7 988. 941 B2, МПК С01В 31/04 (2006/01) Опуб. август 02.2011 г.)
Известен патент US 2009/0283735, в котором процесс образования графеновой пленки проходит довольно сложным способом: сначала обрабатывают подложку, покрытую катализатором вакууме 3×10-2 торр [0069], затем создают в реакторе поток водорода 150 мл/мин в течении 4 мин, после чего опять откачивают до давления 1×10-1 торр [0070], а затем создают поток углеродсодержащего газа (ацетилена) [0071] Указан расход ацетилена - 50 мл/мин в течение 1 мин, что составляет на один процесс 50 мл., кроме того ацетилен подают в смеси с водородом 150 мл/мин и таким образом процесс требует использования не только углеродсодержащего газа, но и водорода, расход которого на один процесс составляет 750 мл.
Однако описанный выше способ также не достаточно технологичен, при этом используемые газы должны быть высокой чистоты, что значительно удорожает процесс. Кроме того оптимальная толщина полученной пленки 400-600 ангстрем [0033], что составляет более 100 монослоев углерода и должны рассматриваться как графитовые пленки.
Предлагаемое изобретение решает задачу получения графеновой пленки. Более простым и технологичным способом.
Способ получения графеновой пленки включает осаждение в вакууме углерода из углеродсодержащего газа на подложку, покрытую катализатором.. Новизна способа заключается в том, что предварительно подложку с катализатором нагревают до температуры, превышающей разложение углеродсодержащего газа, после чего производят последовательно напуск углеродсодержащего газа до давления 1-10-4 торр и откачивание реактора производят через 1-300 сек. после напуска углеродсодержащего газа с одновременным охлаждением его до комнатной температуры со скоростью 10-100°/мин
Технический результат при этом заключается в уменьшении расхода углеродсодержащего газа.
Наиболее оптимальными режимами процесса являются:
- помещение подложки с катализатором в вакуум 10-4-10-10 торр;
- нагрев подложки с катализатором до температуры 400-2000°С;
- напуск углеродсодержащего газа до давления 1-10-4 торр;
- откачивание реактора через 1-300 сек. после напуска углеродсодержащего газа;
В качестве углеродсодержащего газа может быть газ, выбранный из ряда: ацетилен, метан, этан, пропан, бутан, этилен, гексан, или комбинация этих газов с инертным газом.
В качестве катализатора желательно использовать металл, выбранный из ряда: Fe, Ni, Cu, или комбинацию металлов, включающую по крайней мере два из вышеупомянутых.
Наиболее оптимально проводить способ при толщине пленки катализатора 1-5000 нм.
На фиг.1 показано изображение пленки графена на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки железа, полученное в оптическом микроскопе.
На фиг.2 изображен спектр комбинационного рассеяния, снятый с пленки графена, полученного на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки железа.
На фиг.3 показано изображение пленки графена на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки никеля, полученное в оптическом микроскопе.
На фиг.4 изображен спектр комбинационного рассеяния, снятый с пленки графена, полученного на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки никеля
На фиг.5 изображен спектр комбинационного рассеяния, снятый с пленки графена, полученного на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки меди.
На фиг.6 изображен спектр комбинационного рассеяния, снятый с пленки графена, полученного на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки меди.
Приведенные ниже примеры подтверждают, но не ограничивают применение способа.
Пример №1. Получение пленки графена на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки железа.
Пленка катализатора толщиной 120 нм была нанесена лазерным испарением мишени железа. Подложкой служила пластина окисленного кремния размером 20×20 мм с толщиной термически выращенного диоксида кремния - 400 нм. Подложка с пленкой железа была помещена в кварцевый реактор, который откачали сначала форвакуумным, а затем магниторазрядным насосом до давления 3×10-9 торр. Затем реактор нагрели печью до температуры 600°С. После этого в реактор напустили ацетилен до давления 6×10-2 торр. Через 5 секунд реактор откачали до давления 3×10-6 торр и одновременно извлекли реактор из печи. Охлаждение реактора до комнатной температуры производят со скоростью 10°/мин. После остывания подложки до комнатной температуры на всей поверхности пленки железа была сформирована пленка графена, состоящая из зерен толщиной 1-4 монослоя. Изображение пленки графена на пленке катализатора полученное в оптическом микроскопе (фиг.1) показывает наличие пленки графена на поверхности катализатора. Наличие пиков с волновыми числами около 1582,22 см-1 и 2666,3 см-1 на спектре комбинационного рассеяния, снятый с пленки графена (фиг.2) свидетельствует о наличии структуры графена в полученной углеродной пленке. А соотношение высоты пиков 2666,3 см-1 /1582,22 см-1 около 2 свидетельствует о том, что пленка графена является монослойной.
Пример №2. Получение пленки графена на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки железа.
То же, что в примере 1, только в качестве углеродсодержащего газа был использована комбинация ацетилена с аргоном, взятом в качестве инертного газа. Спектр комбинационного рассеяния, снятый со сформированной на катализаторе углеродной пленка, свидетельствует о наличии структуры графена.
Пример №3. Получение пленки графена на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки никеля.
Пленка катализатора толщиной 200 нм была нанесена лазерным испарением мишени никеля. Подложкой служила пластина окисленного кремния размером 20×20 мм с толщиной термически выращенного диоксида кремния - 400 нм. Подложка с пленкой никеля была помещена в кварцевый реактор, который откачали сначала форвакуумным, а затем магниторазрядным насосом до давления 2×10-6 торр. Затем реактор нагрели печью до температуры 900°С. После этого в реактор напустили метан до давления 3×10-1 торр. Через 1 секунду реактор откачали до давления 1×10-4 торр и одновременно извлекли реактор из печи. Охлаждение реактора до комнатной температуры производят со скоростью 50°/мин. После остывания подложки до комнатной температуры на всей поверхности пленки никеля была сформирована пленка графена, состоящая из зерен толщиной 3-5 монослоев. Изображение пленки графена на пленке катализатора полученное в оптическом микроскопе (фиг.3) показывает наличие пленки графена на поверхности катализатора. Наличие пиков с волновыми числами около 1584,25 см-1 и 2678,13 см-1 на спектре комбинационного рассеяния, снятый с пленки графена (фиг.4) свидетельствует о наличии структуры графена в полученной углеродной пленке. А сотношение высоты пиков 2678,13 см-1 /1584,25 см-1 около 0,7 свидетельствует о том, что пленка графена состоит из 3-5 монослоев.
Пример №4. Получение пленки графена на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки никеля.
То же, что в примере 3, только в качестве углеродсодержащего газа был использована комбинация метана с гелием, взятом в качестве инертного газа. Спектр комбинационного рассеяния, снятый со сформированной на катализаторе углеродной пленка, свидетельствует о наличии структуры графена.
Пример №5. Получение пленки графена на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки меди
Пленка катализатора толщиной 150 нм была нанесена электроннолучевым испарением меди. Подложкой служила пластина окисленного кремния размером 20×20 мм с толщиной термически выращенного диоксида кремния - 400 нм. Подложка с пленкой меди была помещена в кварцевый реактор, который откачали сначала форвакуумным, а затем магниторазрядным насосом до давления 1×10-4 торр. Затем реактор нагрели печью до температуры 1000°С. После этого в реактор напустили гексан до давления 8×10-2 торр. Через 20 секунд реактор откачали до давления 1×10-4 торр и одновременно извлекли реактор из печи. Охлаждение реактора до комнатной температуры производят со скоростью 70°/мин. После остывания подложки до комнатной температуры на всей поверхности пленки меди была сформирована пленка графена, состоящая из зерен толщиной 1-2 монослоя. Наличие пиков с волновыми числами около 1583,05 см-1 и 2702,37 см-1 на спектре комбинационного рассеяния, снятый с пленки графена (фиг.4) свидетельствует о наличии структуры графена в полученной углеродной пленке. А сотношение высоты пиков 2702,37 см-1 /1583,05 см-1 около 1,4 свидетельствует о том, что пленка графена состоит из 1-2 монослоев.
Пример №6. Получение пленки графена на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки меди
То же, что в примере 5, только в качестве углеродсодержащего газа был использована комбинация гексана с гелием, взятом в качестве инертного газа. Спектр комбинационного рассеяния, снятый со сформированной на катализаторе углеродной пленка, свидетельствует о наличии структуры графена.
Пример №7. Получение пленки графена на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки меди
Пленка катализатора толщиной 110 нм была нанесена электроннолучевым испарением меди. Подложкой служила пластина окисленного кремния размером 20×20 мм с толщиной термически выращенного диоксида кремния - 400 нм. Подложка с пленкой меди была помещена в кварцевый реактор, который откачали сначала форвакуумным, а затем магниторазрядным насосом до давления 3×10-6 торр. Затем реактор нагрели печью до температуры 950°С. После этого в реактор напустили этан до давления 6×10-2 торр. Через 300 сек реактор откачали до давления 3×10-6 торр и одновременно извлекли реактор из печи. Охлаждение реактора до комнатной температуры производят со скоростью 100°/мин. После остывания подложки до комнатной температуры на всей поверхности пленки меди была сформирована пленка графена, состоящая из зерен толщиной 5-12 монослоя. Наличие пиков с волновыми числами около 1592,8 см-1 и 2697, 31 см-1 на спектре комбинационного рассеяния, снятый с пленки графена (фиг.4) свидетельствует о наличии структуры графена в полученной углеродной пленке. А сотношение высоты пиков 2697, 31 см-1 /1592,8 см-1 около 0,28 свидетельствует о том, что пленка графена состоит из 5-12 монослоев.
Пример №8. Получение пленки графена на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки меди
То же, что в примере 7, только в качестве углеродсодержащего газа был использована комбинация этана с гелием, взятом в качестве инертного газа. Спектр комбинационного рассеяния, снятый со сформированной на катализаторе углеродной пленка, свидетельствует о наличии структуры графена.
Пример №9. Получение пленки графена на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки меди
То же, что в примере 7, только в качестве углеродсодержащего газа был использована комбинация пропана с аргоном, взятом в качестве инертного газа. Спектр комбинационного рассеяния, снятый со сформированной на катализаторе углеродной пленка, свидетельствует о наличии структуры графена.
Пример №10. Получение пленки графена на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки меди
То же, что в примере 7, только в качестве углеродсодержащего газа был использована комбинация бутана с гелием, взятом в качестве инертного газа. Спектр комбинационного рассеяния, снятый со сформированной на катализаторе углеродной пленка, свидетельствует о наличии структуры графена.
Пример №11. Получение пленки графена на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки меди
То же, что в примере 7, только в качестве углеродсодержащего газа был использована комбинация этилена с аргоном, взятом в качестве инертного газа. Спектр комбинационного рассеяния, снятый со сформированной на катализаторе углеродной пленка, свидетельствует о наличии структуры графена.
Пример №12. Получение пленки графена на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленок железа и и никеля.
Пленка катализатора толщиной 110 нм была нанесена электроннолучевым испарением сплава железа и никеля. Подложкой служила пластина окисленного кремния размером 20×20 мм с толщиной термически выращенного диоксида кремния - 400 нм. Подложка с пленкой катализатора была помещена в кварцевый реактор, который откачали сначала форвакуумным, а затем магниторазрядным насосом до давления 3×10-6 торр. Затем реактор нагрели печью до температуры 950°С. После этого в реактор напустили пропан до давления 6×10-2 торр. Через 300 сек реактор откачали до давления 3×10-6 торр и одновременно извлекли реактор из печи. Охлаждение реактора до комнатной температуры производят со скоростью 100°/мин. После остывания подложки до комнатной температуры на всей поверхности пленки катализатора была сформирована углеродная пленка. Спектр комбинационного рассеяния, снятый с этой пленки свидетельствует о наличии структуры графена.
Пример №13. Получение пленки графена на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки меди и никеля.
Пленка катализатора толщиной 100 нм была нанесена электроннолучевым испарением сплава меди и никеля. Подложкой служила пластина окисленного кремния размером 20×20 мм с толщиной термически выращенного диоксида кремния - 400 нм. Подложка с пленкой катализатора была помещена в кварцевый реактор, который откачали сначала форвакуумным, а затем магниторазрядным насосом до давления 3×10-6 торр. Затем реактор нагрели печью до температуры 950°С. После этого в реактор напустили бутан до давления 5×10-2 торр. Через 300 сек реактор откачали до давления 3×10-6 торр и одновременно извлекли реактор из печи. Охлаждение реактора до комнатной температуры производят со скоростью 100°/мин. После остывания подложки до комнатной температуры на всей поверхности пленки катализатора была сформирована углеродная пленка. Спектр комбинационного рассеяния, снятый с этой пленки свидетельствует о наличии структуры графена.
Пример №14. Получение пленки графена на подложке из окисленного кремния, покрытой катализатором в виде пленки железа и меди.
Пленка катализатора толщиной 110 нм была нанесена электроннолучевым испарением сплава железа и меди. Подложкой служила пластина окисленного кремния размером 20×20 мм с толщиной термически выращенного диоксида кремния - 400 нм. Подложка с пленкой катализатора была помещена в кварцевый реактор, который откачали сначала форвакуумным, а затем магниторазрядным насосом до давления 3×10-6 торр.
Затем реактор нагрели печью до температуры 950°С. После этого в реактор напустили этилен до давления 1×10-2 торр. Через 250 сек реактор откачали до давления 2×10-6 торр и одновременно извлекли реактор из печи. Охлаждение реактора до комнатной температуры производят со скоростью 100°/мин. После остывания подложки до комнатной температуры на всей поверхности пленки катализатора была сформирована углеродная пленка. Спектр комбинационного рассеяния, снятый с этой пленки свидетельствует о наличии структуры графена.
Как видно из приведенных примеров заявляемый способ позволяет получать пленки графена, состоящие из 1 и более монослоев. Простым и технологичным способом.
Claims (7)
1. Способ получения графеновой пленки, включающий осаждение в вакууме углерода из углеродсодержащего газа на подложку, покрытую катализатором, отличающийся тем, что предварительно подложку с катализатором нагревают до температуры, превышающей разложение углеродсодержащего газа, после чего производят последовательно напуск углеродсодержащего газа до давления 1-10-4 Торр и откачивание реактора производят через 1-300 с после напуска углеродсодержащего газа с одновременным охлаждением его до комнатной температуры со скоростью 10-100°С/мин.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложку с катализатором помещают в вакуум 10-4- 10-10 Торр.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложку с катализатором нагревают до температуры 400-2000°С.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что охлаждение реактора до комнатной температуры производят со скоростью 10-100°С/мин.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве углеродсодержащего газа берут газ, выбранный из ряда: ацетилен, метан, этан, пропан, бутан, этилен, гексан или комбинацию этих газов с инертным газом.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве катализатора используют металл, выбранный из ряда: Fe, Ni, Cu или комбинацию металлов, включающую по крайней мере два из вышеупомянутых.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что пленка катализатора имеет толщину 1-5000 нм.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011144413/05A RU2500616C2 (ru) | 2011-11-03 | 2011-11-03 | Способ получения графеновой пленки |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011144413/05A RU2500616C2 (ru) | 2011-11-03 | 2011-11-03 | Способ получения графеновой пленки |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011144413A RU2011144413A (ru) | 2013-05-10 |
| RU2500616C2 true RU2500616C2 (ru) | 2013-12-10 |
Family
ID=48788603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011144413/05A RU2500616C2 (ru) | 2011-11-03 | 2011-11-03 | Способ получения графеновой пленки |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2500616C2 (ru) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2572325C1 (ru) * | 2015-01-12 | 2016-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ) | Способ получения графена |
| RU2614289C1 (ru) * | 2015-11-10 | 2017-03-24 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (ИПТМ РАН) | Способ получения пленки графена на подложке |
| RU2652206C1 (ru) * | 2016-11-10 | 2018-04-25 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский Центр "Карельский научный центр Российской академии наук" | Способ получения углеродной пленки |
| RU2662535C1 (ru) * | 2017-01-31 | 2018-07-26 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт конструкционных материалов на основе графита "НИИграфит" | Способ получения гибридного материала на основе прозрачной проводящей графеновой пленки |
| RU2675146C2 (ru) * | 2017-02-21 | 2018-12-17 | Владимир Васильевич Журавлев | Способ получения графена, пленок и покрытий из графена |
| RU2688628C1 (ru) * | 2018-10-01 | 2019-05-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН) | Способ переноса графена с металлической подложки на полимерный материал |
| CN110759330A (zh) * | 2018-07-25 | 2020-02-07 | 张文跃 | 一种pet石墨烯镀膜卷材的制备装置及生产工艺 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106750469A (zh) * | 2017-01-18 | 2017-05-31 | 张文跃 | 一种石墨烯薄膜卷材的生产装置及生产工艺 |
| CN110759648A (zh) * | 2018-07-25 | 2020-02-07 | 张文跃 | 一种石墨烯镀丝卷材制备装置及生产工艺 |
| CN110760090A (zh) * | 2018-07-25 | 2020-02-07 | 张文跃 | 一种pet石墨烯镀膜卷材的制备装置及生产工艺 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU102002U1 (ru) * | 2010-02-26 | 2011-02-10 | Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН | Нанокомпозит |
| US7988941B2 (en) * | 2007-10-29 | 2011-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene sheet and method of preparing the same |
| JP2011178644A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-15 | National Institute For Materials Science | グラフェン膜のエピタキシャル成長方法 |
-
2011
- 2011-11-03 RU RU2011144413/05A patent/RU2500616C2/ru active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7988941B2 (en) * | 2007-10-29 | 2011-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene sheet and method of preparing the same |
| RU102002U1 (ru) * | 2010-02-26 | 2011-02-10 | Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН | Нанокомпозит |
| JP2011178644A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-15 | National Institute For Materials Science | グラフェン膜のエピタキシャル成長方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ХИМИЧЕСКАЯ ЭНЦИКЛОПЕДИЯ. /Под ред. И.Л. Кнунянца. - М.: Советская энциклопедия, 1988, т.1, столб. 431. * |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2572325C1 (ru) * | 2015-01-12 | 2016-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ) | Способ получения графена |
| RU2614289C1 (ru) * | 2015-11-10 | 2017-03-24 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (ИПТМ РАН) | Способ получения пленки графена на подложке |
| RU2652206C1 (ru) * | 2016-11-10 | 2018-04-25 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский Центр "Карельский научный центр Российской академии наук" | Способ получения углеродной пленки |
| RU2662535C1 (ru) * | 2017-01-31 | 2018-07-26 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт конструкционных материалов на основе графита "НИИграфит" | Способ получения гибридного материала на основе прозрачной проводящей графеновой пленки |
| RU2675146C2 (ru) * | 2017-02-21 | 2018-12-17 | Владимир Васильевич Журавлев | Способ получения графена, пленок и покрытий из графена |
| CN110759330A (zh) * | 2018-07-25 | 2020-02-07 | 张文跃 | 一种pet石墨烯镀膜卷材的制备装置及生产工艺 |
| RU2688628C1 (ru) * | 2018-10-01 | 2019-05-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН) | Способ переноса графена с металлической подложки на полимерный материал |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2011144413A (ru) | 2013-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2500616C2 (ru) | Способ получения графеновой пленки | |
| Jung et al. | Growth of carbon nanotubes by chemical vapor deposition | |
| US20140044885A1 (en) | Method and system for graphene formation | |
| Gao et al. | ZnO nanorods/plates on Si substrate grown by low-temperature hydrothermal reaction | |
| JP2011102231A (ja) | 触媒合金を利用したグラフェンの製造方法 | |
| TWI481752B (zh) | 鑽石磊晶成長方法 | |
| Bouabibsa et al. | Plasma investigations and deposition of Me-DLC (Me= Al, Ti or Nb) obtained by a magnetron sputtering-RFPECVD hybrid process | |
| US8852406B2 (en) | Method for synthesis of cubic boron nitride | |
| Liu et al. | Crystalline carbon nitride film synthesized by ion beam assisted magnetron sputtering and thermal annealing in nitrogen gas | |
| Ye et al. | Effects of anode layer linear ion source on the microstructure and mechanical properties of amorphous carbon nitride films | |
| CN107002228B (zh) | 用于金属零件表面的热化学处理的等离子处理和反应器 | |
| Dua et al. | Effect of deposition parameters on different stages of diamond deposition in HFCVD technique | |
| Li et al. | The nucleation and growth of graphene under a controlled atmosphere during radio frequency-plasma-enhanced chemical vapor deposition | |
| US20150140232A1 (en) | Ultrahigh Vacuum Process For The Deposition Of Nanotubes And Nanowires | |
| CN114182230A (zh) | 一种制备二维碲烯薄膜的化学气相沉积方法 | |
| US11335896B2 (en) | Method for producing yttrium oxide-containing thin film by atomic layer deposition | |
| Karmakar et al. | Large area graphene synthesis on catalytic copper foil by an indigenous electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition setup | |
| CN111826610A (zh) | 一种利用非晶碳低温制备石墨烯的方法 | |
| Nakamura et al. | High quality chemical vapor deposition diamond growth on iron and stainless steel substrates | |
| Zhu et al. | Synthesis of carbon coated silica nanowires | |
| SUN et al. | Effect of copper pretreatment on growth of graphene films by chemical vapor deposition | |
| JP2015147706A (ja) | プラスチック廃棄物等を原料として用いる単結晶グラフェンの製造方法、および単結晶グラフェンを用いたタッチパネル | |
| JP5600129B2 (ja) | グラフェンの合成方法およびグラフェン合成用合金触媒 | |
| Wang et al. | Comparative study of the carbon nanofilm and nanodots grown by plasma-enhanced hot filament chemical vapor deposition | |
| Ma et al. | Preparation of diamond-like carbon by PBII-enhanced microwave ECR chemical vapor deposition |