JP5470779B2 - 集積回路装置の製造方法 - Google Patents
集積回路装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5470779B2 JP5470779B2 JP2008226457A JP2008226457A JP5470779B2 JP 5470779 B2 JP5470779 B2 JP 5470779B2 JP 2008226457 A JP2008226457 A JP 2008226457A JP 2008226457 A JP2008226457 A JP 2008226457A JP 5470779 B2 JP5470779 B2 JP 5470779B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- catalyst layer
- layer
- graphite
- integrated circuit
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 107
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 75
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 240
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 230
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 154
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 154
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 68
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 57
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 25
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 claims 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 412
- 239000010408 film Substances 0.000 description 100
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 33
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 19
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 13
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 5
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- -1 for example Polymers 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
先ず、炭素構造体(カーボンナノチューブ及び複数のグラフェンが積層して構成されたグラファイト)の成長態様について説明する。
先ず、第1の実施形態について説明する。図7A乃至図7Pは、第1の実施形態に係る集積回路装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
次に、第2の実施形態について説明する。図8A乃至図8Hは、第2の実施形態に係る集積回路装置の製造方法を工程順に示す断面図である。第1の実施形態は配線の形成に関するものであるが、第2の実施形態は電界効果トランジスタの形成に関するものである。
次に、第3の実施形態について説明する。図9A乃至図9Eは、第3の実施形態に係る集積回路装置の製造方法を工程順に示す断面図である。第3の実施形態も電界効果トランジスタの形成に関するものである。
次に、第4の実施形態について説明する。図10A乃至図10Hは、第4の実施形態に係る集積回路装置の製造方法を工程順に示す断面図である。第2及び第3の実施形態はチャネルにグラファイトを用いた電界効果トランジスタの形成に関するものであるが、第4の実施形態はソース電極及びドレイン電極にもグラファイトを用いた電界効果トランジスタの形成に関するものである。
次に、第5の実施形態について説明する。図11A乃至図11Eは、第5の実施形態に係る集積回路装置の製造方法を工程順に示す断面図である。第2〜第4の実施形態では、チャネルの形成後にゲート絶縁膜を形成しているが、第5の実施形態では、サポート層をゲート絶縁膜として利用する。
次に、第6の実施形態について説明する。図12A乃至図12Hは、第6の実施形態に係る集積回路装置の製造方法を工程順に示す断面図である。第1の実施形態では、横方向配線と縦方向配線とを互いに独立して形成する方向に関するものであるが、第6の実施形態では、これらを同時に形成する方法に関するものである。
次に、第7の実施形態について説明する。図14A乃至図14Cは、第7の実施形態に係る集積回路装置の製造方法を工程順に示す断面図である。第1及び第6の実施形態では、縦方向配線にカーボンナノチューブを用いているが、第7の実施形態では、縦方向配線にグラファイトを用いる。
次に、第8の実施形態について説明する。図16A乃至16Cは、第16の実施形態に係るシート状放熱材の製造方法を工程順に示す断面図である。第8の実施形態では、グラファイト層及びナノチューブ部を含む放熱材を作製する。
2:触媒層
3:サポート層
4:触媒層
11:グラファイト
12:グラファイト
13:カーボンナノチューブ
Claims (6)
- 基板の上方に第1の触媒層を形成する工程と、
前記第1の触媒層上に第2の触媒層を形成する工程と、
前記第2の触媒層上に第3の触媒層を形成する工程と、
炭素を含む雰囲気で、前記第1、第2及び第3の触媒層が形成された前記基板を加熱する工程と、
を有し、
前記基板を加熱する工程は、
前記第3の触媒層を成長核として第1のグラファイト層を形成する工程と、
前記第1の触媒層を成長核として第2のグラファイト層を前記基板と前記第2の触媒層との間に形成する工程と、
を有することを特徴とする集積回路装置の製造方法。 - 前記第1のグラファイト層を形成する工程と前記第2のグラファイト層を形成する工程との間に、
前記第3の触媒層を凝集させ、凝集した前記第3の触媒層を成長核としてカーボンナノチューブ部を前記第1のグラファイト層の下方に形成する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の集積回路装置の製造方法。 - 前記第1及び第3の触媒層は、コバルト、ニッケル、鉄、金及び白金からなる群から選択された少なくとも1種を含有し、
前記第2の触媒層は、チタン、チタンナイトライド、チタンシリサイド、タンタル、タンタルナイトライド、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、モリブデン、アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化二オブ、酸化モリブデン及び酸化アルミニウムからなる群から選択された少なくとも1種を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の集積回路装置の製造方法。 - 前記第1及び第3の触媒層の厚さは、1nm乃至50nmであり、
前記第2の触媒層の厚さは、0.5nm乃至20nmであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の集積回路装置の製造方法。 - 基板の上方に第1の触媒層を形成する工程と、
前記第1の触媒層上に第2の触媒層を形成する工程と、
炭素を含む雰囲気で、前記第1及び第2の触媒層が形成された前記基板を加熱する工程と、
を有し、
前記基板を加熱する工程は、前記第1の触媒層を成長核としてグラファイト層を前記基板と前記第2の触媒層との間に形成する工程を有することを特徴とする集積回路装置の製造方法。 - 前記基板を加熱する工程の後に、前記第2の触媒層を除去する工程を有することを特徴とする請求項5に記載の集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008226457A JP5470779B2 (ja) | 2008-09-03 | 2008-09-03 | 集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008226457A JP5470779B2 (ja) | 2008-09-03 | 2008-09-03 | 集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010062333A JP2010062333A (ja) | 2010-03-18 |
JP5470779B2 true JP5470779B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=42188821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008226457A Active JP5470779B2 (ja) | 2008-09-03 | 2008-09-03 | 集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5470779B2 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110057989A (ko) * | 2009-11-25 | 2011-06-01 | 삼성전자주식회사 | 그래핀과 나노구조체의 복합 구조체 및 그 제조방법 |
JP2011201735A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Fujitsu Ltd | グラフェン膜の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
KR101271827B1 (ko) * | 2010-07-22 | 2013-06-07 | 포항공과대학교 산학협력단 | 탄소 박막 제조 방법 |
JP5920808B2 (ja) * | 2010-08-29 | 2016-05-18 | 学校法人 芝浦工業大学 | 配線パターンの形成方法 |
JP5242643B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2013-07-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP5671896B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2015-02-18 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5150690B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2013-02-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5637795B2 (ja) * | 2010-10-05 | 2014-12-10 | 株式会社東芝 | 装置 |
JP5550515B2 (ja) * | 2010-10-05 | 2014-07-16 | 株式会社東芝 | グラフェン配線およびその製造方法 |
WO2012059967A1 (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-10 | 富士通株式会社 | シート状構造体及びその製造方法 |
WO2012161107A1 (ja) * | 2011-05-20 | 2012-11-29 | 日本合成化学工業株式会社 | 不純物拡散用塗布液 |
KR101271951B1 (ko) * | 2011-05-27 | 2013-06-07 | 포항공과대학교 산학협력단 | 탄소 박막 제조 방법 |
CN102795613B (zh) * | 2011-05-27 | 2014-09-10 | 清华大学 | 石墨烯-碳纳米管复合结构的制备方法 |
US8482126B2 (en) | 2011-09-02 | 2013-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP5591784B2 (ja) | 2011-11-25 | 2014-09-17 | 株式会社東芝 | 配線及び半導体装置 |
JP5870758B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2016-03-01 | 富士通株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
JP5755618B2 (ja) * | 2012-09-06 | 2015-07-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2014051413A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | グラフェン−cnt構造及びその製造方法 |
JP2014051412A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | グラフェン構造及びその製造方法 |
JP5826783B2 (ja) | 2013-03-25 | 2015-12-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2015024937A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 住友電気工業株式会社 | グラファイト膜の製造方法およびグラファイト構造体 |
CN103779292B (zh) * | 2013-12-31 | 2017-03-15 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种基于石墨烯的芯片散热材料的制备方法 |
US9930808B2 (en) * | 2014-03-10 | 2018-03-27 | The Boeing Company | Graphene-based thermal management systems |
JP6190562B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2017-08-30 | 中国科学院上海微系統与信息技術研究所 | グラフェンの成長方法 |
CN104810336A (zh) * | 2015-05-11 | 2015-07-29 | 苏州捷迪纳米科技有限公司 | 一种散热用碳纳米管复合石墨膜 |
US10490411B2 (en) | 2017-05-19 | 2019-11-26 | Applied Materials, Inc. | Method for enabling self-aligned lithography on metal contacts and selective deposition using free-standing vertical carbon structures |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4401094B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2010-01-20 | 富士通株式会社 | 炭素元素円筒型構造体へのオーミック接続構造及びその作製方法 |
JP4899703B2 (ja) * | 2006-08-07 | 2012-03-21 | 富士通株式会社 | カーボン配線構造およびその製造方法、および半導体装置 |
JP5135825B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2013-02-06 | 富士通株式会社 | グラフェントランジスタ及びその製造方法 |
KR100923304B1 (ko) * | 2007-10-29 | 2009-10-23 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 시트 및 그의 제조방법 |
-
2008
- 2008-09-03 JP JP2008226457A patent/JP5470779B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010062333A (ja) | 2010-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5470779B2 (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
JP5506657B2 (ja) | シート状構造体、半導体装置及び炭素構造体の成長方法 | |
KR101298789B1 (ko) | 반도체 장치 | |
KR101638463B1 (ko) | 나노구조 프로세싱을 위한 도전성 보조층의 증착과 선택적 제거 | |
US8981569B2 (en) | Semiconductor device with low resistance wiring and manufacturing method for the device | |
US8482126B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2009070911A (ja) | 配線構造体、半導体装置および配線構造体の製造方法 | |
JP6083197B2 (ja) | 配線構造及びその製造方法 | |
US9484302B2 (en) | Semiconductor devices and methods of manufacture thereof | |
JP4208668B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007250904A (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
JP5671896B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
TWI541970B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP6225596B2 (ja) | 配線構造の製造方法及び配線構造 | |
US9184133B2 (en) | Graphene wiring and semiconductor device | |
JP5870758B2 (ja) | 電子デバイス及びその製造方法 | |
JP2008258184A (ja) | 電子デバイス及びその製造方法 | |
JP2008192706A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5572944B2 (ja) | 配線構造体の製造方法及び配線構造体 | |
JP2006108210A (ja) | 配線接続構造およびその形成方法 | |
JP5786986B2 (ja) | 炭素構造体の成長方法及びシート状構造体の製造方法 | |
JP6244770B2 (ja) | カーボン導電構造及びその製造方法 | |
US9087845B2 (en) | Electrically conductive device and manufacturing method thereof | |
CN110729358B (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法 | |
JP5921475B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110613 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130730 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130905 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130924 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131203 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20131210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5470779 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |