JP2011201735A - グラフェン膜の製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10上に炭素を含有する触媒金属層14を形成する工程と、炭素含有ガスを用いて触媒金属層上にグラフェン膜16を成長する工程とを有している。
【選択図】図4
Description
第1実施形態によるグラフェン膜の製造方法について図4乃至図6を用いて説明する。図4は、本実施形態によるグラフェン膜の製造方法を示す工程断面図である。
第2実施形態によるグラフェン膜の製造方法を図7及び図8を用いて説明する。図7は、本実施形態によるグラフェン膜の製造方法を示す工程断面図である。図1乃至図6に示す第1実施形態によるグラフェン膜の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
第3実施形態による半導体装置の製造方法を図9乃至図11を用いて説明する。図9乃至図11は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図1乃至図8に示す第1又は第2実施形態によるグラフェン膜の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
第4実施形態による半導体装置の製造方法を図12及び図13を用いて説明する。図12及び図13は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図1乃至図11に示す第1乃至第3実施形態によるグラフェン膜の製造方法及び半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
基板上に炭素を含有する触媒金属層を形成する工程と、
炭素含有ガスを用いて前記触媒金属層上にグラフェン膜を成長する工程と
を有することを特徴とするグラフェン膜の製造方法。
付記1記載のグラフェン膜の製造方法において、
前記炭素を含有する触媒金属層を形成する工程は、前記基板上に触媒金属層を形成する工程と、前記触媒金属層内に炭素原子を注入する工程とを有する
ことを特徴とするグラフェン膜の製造方法。
付記1記載のグラフェン膜の製造方法において、
前記炭素を含有する触媒金属層を形成する工程は、炭素を含有する触媒金属材料を前記基板上に堆積することにより、前記炭素を含有する触媒金属層を形成する
ことを特徴とするグラフェン膜の製造方法。
付記1乃至3のいずれかに記載のグラフェン膜の製造方法において、
前記炭素を含有する触媒金属層は、炭素を含有する鉄層又は炭素を含有するニッケル層である
ことを特徴とするグラフェン膜の製造方法。
付記1乃至4のいずれかに記載のグラフェン膜の製造方法において、
前記炭素を含有する触媒金属層における炭素の含有率は、0.5〜10%である
ことを特徴とするグラフェン膜の製造方法。
付記5記載のグラフェン膜の製造方法において、
前記炭素を含有する触媒金属層における炭素の含有率は、1〜2%である
ことを特徴とするグラフェン膜の製造方法。
基板上に炭素を含有する触媒金属層を形成する工程と、
炭素含有ガスを用いて前記触媒金属層にグラフェン膜を成長する工程と、
前記グラフェン膜に接続されたソース/ドレイン電極を形成する工程と、
前記グラフェン膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
付記7記載の半導体装置の製造方法において、
前記炭素を含有する触媒金属層を形成する工程は、前記基板上に触媒金属層を形成する工程と、前記触媒金属層内に炭素原子を注入する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
12…絶縁膜
14…触媒金属層
14a、14b…炭素を含有する触媒金属層
16…グラフェン膜
18a…ソース電極
18b…ドレイン電極
20…空洞
22…ゲート絶縁膜
24…絶縁膜
26…ゲート電極
Claims (6)
- 基板上に炭素を含有する触媒金属層を形成する工程と、
炭素含有ガスを用いて前記触媒金属層上にグラフェン膜を成長する工程と
を有することを特徴とするグラフェン膜の製造方法。 - 請求項1記載のグラフェン膜の製造方法において、
前記炭素を含有する触媒金属層を形成する工程は、前記基板上に触媒金属層を形成する工程と、前記触媒金属層内に炭素原子を注入する工程とを有する
ことを特徴とするグラフェン膜の製造方法。 - 請求項1記載のグラフェン膜の製造方法において、
前記炭素を含有する触媒金属層を形成する工程は、炭素を含有する触媒金属材料を前記基板上に堆積することにより、前記炭素を含有する触媒金属層を形成する
ことを特徴とするグラフェン膜の製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のグラフェン膜の製造方法において、
前記炭素を含有する触媒金属層における炭素の含有率は、0.5〜10%である
ことを特徴とするグラフェン膜の製造方法。 - 基板上に炭素を含有する触媒金属層を形成する工程と、
炭素含有ガスを用いて前記触媒金属層にグラフェン膜を成長する工程と、
前記グラフェン膜に接続されたソース/ドレイン電極を形成する工程と、
前記グラフェン膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記炭素を含有する触媒金属層を形成する工程は、前記基板上に触媒金属層を形成する工程と、前記触媒金属層内に炭素原子を注入する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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