JP2009164432A - 半導体装置の製造方法、半導体装置および配線構造体 - Google Patents
半導体装置の製造方法、半導体装置および配線構造体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009164432A JP2009164432A JP2008001670A JP2008001670A JP2009164432A JP 2009164432 A JP2009164432 A JP 2009164432A JP 2008001670 A JP2008001670 A JP 2008001670A JP 2008001670 A JP2008001670 A JP 2008001670A JP 2009164432 A JP2009164432 A JP 2009164432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- graphene sheet
- film pattern
- semiconductor device
- catalyst film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】触媒膜パターン12の(111)面にグラフェンシート13を成長することができるために、触媒膜パターン12を所望の場所、形状、結晶方位で形成することにより、所望の場所、形状、電気伝導性のグラフェンシート13を得ることができる。したがって、触媒膜パターン12を半導体装置10のチャネル部に形成すると、チャネル部にグラフェンシート13を形成することができ、半導体装置10の微細化を進めながら高速化でき、特性が向上した半導体装置10を得ることができる。
【選択図】図1
Description
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、微細化を進めながら、特性を向上させた半導体装置の製造方法、半導体装置および配線構造体を提供することを目的とする。
このような配線構造体によれば、配線に、触媒膜パターンの(111)面に成長させたグラフェンシートが形成されて、高速化された配線構造体を得ることができる。
図1は、本発明の半導体装置の概要を示しており、(A)は断面模式図、(B)はチャネル部の要部拡大平面模式図である。
(実施例1−1)
実施例1−1では、触媒膜パターンを残した半導体装置の場合を例にあげて説明する。
図3は、第1の実施の形態における半導体装置のグラフェンシートの製造工程を示す平面模式図、図4は、第1の実施の形態における半導体装置のソース・ドレイン電極の製造工程を示す平面模式図である。
(実施例1−2)
実施例1−2では、触媒膜パターンを除去した半導体装置の場合を例にあげて説明する。
図6は、第1の実施の形態における半導体装置のグラフェンシートの製造工程を示す別の平面模式図、図7は、第1の実施の形態における半導体装置のソース・ドレイン電極の製造工程を示す別の平面模式図である。
図8は、第2の実施の形態における配線構造体であって、(A)は触媒膜パターンがある場合の、(B)は触媒膜パターンが無い場合の平面模式図である。
なお、このような方法によって得られたグラフェンシートであれば、半導体装置の配線のみならず、チャネル部やその他電子デバイスの配線などにも適用させることができる。
10a 拡大模式図
11 基板
12 触媒膜パターン
13 グラフェンシート
14 ドレイン電極部
15 ソース電極部
16 ゲート電極部
Claims (8)
- 基板上に、触媒膜パターンを形成し、前記触媒膜パターンからグラフェンシートを成長させる工程と、
前記グラフェンシートの両端にソース・ドレイン電極部を形成する工程と、
前記グラフェンシート上にゲート電極部を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記触媒膜パターンを除去する工程を更に有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 触媒膜パターンから成長させた別のグラフェンシート上にインプリントマスクを押印し、前記インプリントマスクに沿って前記別のグラフェンシートから切り出されたグラフェンシートを基板上に形成する工程と、
前記グラフェンシートの両端にソース・ドレイン電極部を形成する工程と、
前記グラフェンシート上にゲート電極部を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記触媒膜パターンの方位が、前記グラフェンシートがソース電極からドレイン電極に向かう方向で、半導体性を示す向きをなすことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記グラフェンシートは、5層以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板上のチャネル部と、前記チャネル部の両側の前記基板に形成されたソース・ドレイン電極部と、前記チャネル部上に形成されたゲート電極部とを備える半導体装置において、
前記チャネル部は、触媒膜パターンの(111)面に成長させたグラフェンシートを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記グラフェンシートは、5層以下であることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。
- 基体上に、触媒膜パターンの(111)面に成長させたグラフェンシートを有することを特徴とする配線構造体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008001670A JP5353009B2 (ja) | 2008-01-08 | 2008-01-08 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008001670A JP5353009B2 (ja) | 2008-01-08 | 2008-01-08 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009164432A true JP2009164432A (ja) | 2009-07-23 |
JP5353009B2 JP5353009B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=40966684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008001670A Active JP5353009B2 (ja) | 2008-01-08 | 2008-01-08 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5353009B2 (ja) |
Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101783366A (zh) * | 2010-02-11 | 2010-07-21 | 复旦大学 | 一种石墨烯mos晶体管的制备方法 |
KR100975641B1 (ko) | 2008-08-05 | 2010-08-17 | 서울대학교산학협력단 | 그래핀 나노 소자의 제조방법. |
CN102054869A (zh) * | 2010-09-17 | 2011-05-11 | 中国科学院微电子研究所 | 一种石墨烯器件及其制造方法 |
US20110114918A1 (en) * | 2009-11-17 | 2011-05-19 | International Business Machines Corporation | Fabrication of graphene nanoelectronic devices on soi structures |
WO2011058651A1 (ja) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR20110061908A (ko) * | 2009-12-02 | 2011-06-10 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 |
JP2011196740A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Fujitsu Ltd | 圧力センサとその製造方法 |
WO2012017533A1 (ja) * | 2010-08-05 | 2012-02-09 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法及びグラフェンの成長方法 |
JP2012060010A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2012055196A1 (zh) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 中国科学院微电子研究所 | 一种石墨烯器件及其制造方法 |
WO2012086233A1 (ja) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | 学校法人 名城大学 | グラフェン素材の製造方法及びグラフェン素材 |
CN102738237A (zh) * | 2011-04-07 | 2012-10-17 | 三星电子株式会社 | 石墨烯电子器件及其制造方法 |
WO2012141561A2 (ko) * | 2011-04-14 | 2012-10-18 | 서울대학교산학협력단 | 전자소자와 그 제조방법 |
JP2012199520A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012212877A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-11-01 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 電子デバイス及びその製造方法 |
JP2012246215A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Pohang Univ Of Science & Technology Academy-Industry Cooperation | 炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子 |
WO2012173145A1 (ja) * | 2011-06-14 | 2012-12-20 | 学校法人 名城大学 | グラフェン素材の製造方法、グラフェン素材及びグラフェン配線構造 |
JP2013012611A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Fujitsu Ltd | 半導体デバイス及びその製造方法 |
US8405133B2 (en) | 2010-11-05 | 2013-03-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including graphene and method of manufacturing the semiconductor device |
US8482126B2 (en) | 2011-09-02 | 2013-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2013529859A (ja) * | 2010-07-09 | 2013-07-22 | マイクロン テクノロジー, インク. | 導電性薄層構造、電気的相互接続および電気的相互接続を形成する方法。 |
KR101298789B1 (ko) * | 2010-08-31 | 2013-08-22 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치 |
JP2013172083A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR101309308B1 (ko) | 2010-04-14 | 2013-09-17 | 서울대학교산학협력단 | 전자소자와 그 제조방법 |
US8592799B2 (en) | 2010-10-01 | 2013-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene electronic device and method of fabricating the same |
WO2014017592A1 (ja) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | グラフェントランジスタ及びその製造方法 |
JP2014055087A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Panasonic Corp | グラフェンの製造方法およびそれを利用したトランジスタ |
US8728880B2 (en) | 2010-12-17 | 2014-05-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene electronic device and method of fabricating the same |
TWI460839B (zh) * | 2010-10-05 | 2014-11-11 | Toshiba Kk | 石墨烯(graphene)內連線及其製造方法 |
US8952356B2 (en) | 2011-03-30 | 2015-02-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic device including the semiconductor device |
US8994079B2 (en) | 2011-06-10 | 2015-03-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene electronic devices having multi-layered gate insulating layer |
CN104659096A (zh) * | 2013-11-15 | 2015-05-27 | 三星电子株式会社 | 包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法 |
CN104934300A (zh) * | 2009-11-13 | 2015-09-23 | 富士通株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
US9254477B2 (en) | 2012-02-27 | 2016-02-09 | Meijo University | Method for producing catalytic metal layer and method for producing graphene material |
KR101732177B1 (ko) | 2009-10-26 | 2017-05-11 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 |
JP2017157630A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
JP2017163042A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 富士通株式会社 | 半導体装置、リボン状の薄膜の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
US9966472B2 (en) | 2012-05-10 | 2018-05-08 | Fujitsu Limited | Electronic device, stacked structure, and manufacturing method of the same |
JP2020153772A (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 株式会社東芝 | 基材、電子素子、および分子検出装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07238000A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-12 | Toshiba Corp | グラファイト層間化合物及びその製造方法及び電気配線及び半導体装置 |
JP2007335532A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Hokkaido Univ | グラフェン集積回路 |
-
2008
- 2008-01-08 JP JP2008001670A patent/JP5353009B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07238000A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-12 | Toshiba Corp | グラファイト層間化合物及びその製造方法及び電気配線及び半導体装置 |
JP2007335532A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Hokkaido Univ | グラフェン集積回路 |
Cited By (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100975641B1 (ko) | 2008-08-05 | 2010-08-17 | 서울대학교산학협력단 | 그래핀 나노 소자의 제조방법. |
US8343366B2 (en) | 2008-08-05 | 2013-01-01 | Snu R&Db Foundation | Fabricating a graphene nano-device |
KR101732177B1 (ko) | 2009-10-26 | 2017-05-11 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 |
JPWO2011058651A1 (ja) * | 2009-11-13 | 2013-03-28 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US9865699B2 (en) | 2009-11-13 | 2018-01-09 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
EP3379579A1 (en) * | 2009-11-13 | 2018-09-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
CN104934300A (zh) * | 2009-11-13 | 2015-09-23 | 富士通株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
US8932904B2 (en) | 2009-11-13 | 2015-01-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
WO2011058651A1 (ja) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN102598277B (zh) * | 2009-11-13 | 2015-07-08 | 富士通株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
EP2500947A4 (en) * | 2009-11-13 | 2013-09-04 | Fujitsu Ltd | SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
CN102598277A (zh) * | 2009-11-13 | 2012-07-18 | 富士通株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
JP5708493B2 (ja) * | 2009-11-13 | 2015-04-30 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US9385209B2 (en) | 2009-11-13 | 2016-07-05 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
EP2500947A1 (en) * | 2009-11-13 | 2012-09-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and process for manufacturing same |
US8673703B2 (en) * | 2009-11-17 | 2014-03-18 | International Business Machines Corporation | Fabrication of graphene nanoelectronic devices on SOI structures |
US9318555B2 (en) | 2009-11-17 | 2016-04-19 | Globalfoundries Inc. | Fabrication of graphene nanoelectronic devices on SOI structures |
US20110114918A1 (en) * | 2009-11-17 | 2011-05-19 | International Business Machines Corporation | Fabrication of graphene nanoelectronic devices on soi structures |
KR101600053B1 (ko) | 2009-12-02 | 2016-03-07 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 |
KR20110061908A (ko) * | 2009-12-02 | 2011-06-10 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 |
CN101783366A (zh) * | 2010-02-11 | 2010-07-21 | 复旦大学 | 一种石墨烯mos晶体管的制备方法 |
JP2011196740A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Fujitsu Ltd | 圧力センサとその製造方法 |
KR101309308B1 (ko) | 2010-04-14 | 2013-09-17 | 서울대학교산학협력단 | 전자소자와 그 제조방법 |
US10879178B2 (en) | 2010-07-09 | 2020-12-29 | Micron Technology, Inc. | Electrically conductive laminate structures |
US10381308B2 (en) | 2010-07-09 | 2019-08-13 | Micron Technology, Inc. | Electrically conductive laminate structures |
JP2013529859A (ja) * | 2010-07-09 | 2013-07-22 | マイクロン テクノロジー, インク. | 導電性薄層構造、電気的相互接続および電気的相互接続を形成する方法。 |
US8946903B2 (en) | 2010-07-09 | 2015-02-03 | Micron Technology, Inc. | Electrically conductive laminate structure containing graphene region |
US10679943B2 (en) | 2010-07-09 | 2020-06-09 | Micron Technology, Inc. | Electrically conductive laminate structures |
US9997461B2 (en) | 2010-07-09 | 2018-06-12 | Micron Technology, Inc. | Electrically conductive laminate structures |
US10141262B2 (en) | 2010-07-09 | 2018-11-27 | Micron Technology, Inc. | Electrically conductive laminate structures |
US8975113B2 (en) | 2010-08-05 | 2015-03-10 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing semiconductor device and method for growing graphene |
JP5590125B2 (ja) * | 2010-08-05 | 2014-09-17 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN103109372A (zh) * | 2010-08-05 | 2013-05-15 | 富士通株式会社 | 半导体装置的制造方法及石墨烯的生长方法 |
WO2012017533A1 (ja) * | 2010-08-05 | 2012-02-09 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法及びグラフェンの成長方法 |
JPWO2012017533A1 (ja) * | 2010-08-05 | 2013-09-19 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8642410B2 (en) | 2010-08-05 | 2014-02-04 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing semiconductor device and method for growing graphene |
CN103109372B (zh) * | 2010-08-05 | 2015-12-02 | 富士通株式会社 | 半导体装置的制造方法及石墨烯的生长方法 |
KR101298789B1 (ko) * | 2010-08-31 | 2013-08-22 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치 |
TWI482290B (zh) * | 2010-08-31 | 2015-04-21 | Toshiba Kk | 半導體裝置 |
JP2012060010A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
CN102054869B (zh) * | 2010-09-17 | 2012-12-19 | 中国科学院微电子研究所 | 一种石墨烯器件及其制造方法 |
CN102054869A (zh) * | 2010-09-17 | 2011-05-11 | 中国科学院微电子研究所 | 一种石墨烯器件及其制造方法 |
US8835899B2 (en) | 2010-10-01 | 2014-09-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene electronic device and method of fabricating the same |
US8592799B2 (en) | 2010-10-01 | 2013-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene electronic device and method of fabricating the same |
US9159615B2 (en) | 2010-10-05 | 2015-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Graphene interconnection and method of manufacturing the same |
TWI460839B (zh) * | 2010-10-05 | 2014-11-11 | Toshiba Kk | 石墨烯(graphene)內連線及其製造方法 |
WO2012055196A1 (zh) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 中国科学院微电子研究所 | 一种石墨烯器件及其制造方法 |
US8405133B2 (en) | 2010-11-05 | 2013-03-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including graphene and method of manufacturing the semiconductor device |
US9257528B2 (en) | 2010-12-17 | 2016-02-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene electronic device and method of fabricating the same |
US8728880B2 (en) | 2010-12-17 | 2014-05-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene electronic device and method of fabricating the same |
WO2012086233A1 (ja) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | 学校法人 名城大学 | グラフェン素材の製造方法及びグラフェン素材 |
JP2012144420A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-08-02 | Meijo Univ | グラフェン素材の製造方法 |
JP2012144419A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-08-02 | Meijo Univ | グラフェン素材の製造方法及びグラフェン素材 |
US8648464B2 (en) | 2011-03-10 | 2014-02-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2012199520A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012212877A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-11-01 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 電子デバイス及びその製造方法 |
US8952356B2 (en) | 2011-03-30 | 2015-02-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic device including the semiconductor device |
CN102738237A (zh) * | 2011-04-07 | 2012-10-17 | 三星电子株式会社 | 石墨烯电子器件及其制造方法 |
JP2012222358A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Samsung Electronics Co Ltd | グラフェン電子素子及び製造方法 |
WO2012141561A2 (ko) * | 2011-04-14 | 2012-10-18 | 서울대학교산학협력단 | 전자소자와 그 제조방법 |
WO2012141561A3 (ko) * | 2011-04-14 | 2013-03-07 | 서울대학교산학협력단 | 전자소자와 그 제조방법 |
JP2012246215A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Pohang Univ Of Science & Technology Academy-Industry Cooperation | 炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子 |
US8994079B2 (en) | 2011-06-10 | 2015-03-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene electronic devices having multi-layered gate insulating layer |
WO2012173145A1 (ja) * | 2011-06-14 | 2012-12-20 | 学校法人 名城大学 | グラフェン素材の製造方法、グラフェン素材及びグラフェン配線構造 |
JP2013012611A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Fujitsu Ltd | 半導体デバイス及びその製造方法 |
US8482126B2 (en) | 2011-09-02 | 2013-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2013172083A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US10741443B2 (en) | 2012-02-22 | 2020-08-11 | Kioxia Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device |
US10325805B2 (en) | 2012-02-22 | 2019-06-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor device |
US9254477B2 (en) | 2012-02-27 | 2016-02-09 | Meijo University | Method for producing catalytic metal layer and method for producing graphene material |
US9966472B2 (en) | 2012-05-10 | 2018-05-08 | Fujitsu Limited | Electronic device, stacked structure, and manufacturing method of the same |
WO2014017592A1 (ja) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | グラフェントランジスタ及びその製造方法 |
JP2014055087A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Panasonic Corp | グラフェンの製造方法およびそれを利用したトランジスタ |
CN104659096A (zh) * | 2013-11-15 | 2015-05-27 | 三星电子株式会社 | 包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法 |
JP2017157630A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
JP2017163042A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 富士通株式会社 | 半導体装置、リボン状の薄膜の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2020153772A (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 株式会社東芝 | 基材、電子素子、および分子検出装置 |
JP7102364B2 (ja) | 2019-03-19 | 2022-07-19 | 株式会社東芝 | 電子素子、および分子検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5353009B2 (ja) | 2013-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5353009B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
EP2448863B1 (en) | Graphene device and method of fabricating a graphene device | |
JP7219524B2 (ja) | コンタクトにおいて黒鉛インタフェースを備えるグラフェンfet | |
Lu et al. | Semiconducting graphene: converting graphene from semimetal to semiconductor | |
Biró et al. | Graphene: nanoscale processing and recent applications | |
TWI588285B (zh) | 在基板上成長碳薄膜或無機材料薄膜的方法 | |
US8105928B2 (en) | Graphene based switching device having a tunable bandgap | |
JP5688775B2 (ja) | グラフェン素材の製造方法 | |
Jangid et al. | Graphene nanoribbon transistors with high ION/IOFF ratio and mobility | |
KR20160003343A (ko) | SiC 핀들 또는 나노와이어 템플레이트들로부터 제조되는 그래핀 나노리본들 및 카본 나노튜브들 | |
JP6052537B2 (ja) | グラフェン構造体及びそれを用いた半導体装置並びにそれらの製造方法 | |
JP4984498B2 (ja) | 機能素子及びその製造方法 | |
Ma et al. | Precise control of graphene etching by remote hydrogen plasma | |
JP4555695B2 (ja) | カーボンナノチューブ配線を備えた電子デバイス及びその製造方法 | |
JP5685987B2 (ja) | 電子装置およびその製造方法 | |
KR101173115B1 (ko) | 탄소 나노 물질을 이용한 반도체 소자, 및 그 제조 방법 | |
KR101319612B1 (ko) | 탄소나노튜브 수평성장방법 및 이를 이용한 전계 효과 트랜지스터 | |
KR101932761B1 (ko) | 그래핀 나노 리본의 제조방법, 그래핀 나노 리본, 반도체 소자의 제조방법, 및 반도체 소자 | |
JP2013021149A (ja) | グラフェンの合成方法並びに半導体装置及びその製造方法 | |
KR20120029664A (ko) | 레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 및 그래핀 반도체 소자를 포함하는 그래핀 트랜지스터 | |
TWI419834B (zh) | 以內嵌式感應磁場電路做為奈米碳管開關的半導體裝置及其製造方法 | |
KR101319613B1 (ko) | 탄소나노튜브 수평성장방법 및 이를 이용하여 형성된 수평배선 | |
KR20120042655A (ko) | 대면적 그라핀 기판 및 그라핀 소자의 형성방법 | |
JP5189380B2 (ja) | カーボンナノチューブ素子 | |
Kaul et al. | 1 Graphene and Graphene Nanoribbons |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100917 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121218 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130730 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130812 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5353009 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |