KR20140041456A

KR20140041456A - 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막을 구비한 전사 시트와 그 제조방법, 및 투명 도전물

Info

Publication number: KR20140041456A
Application number: KR1020137025943A
Authority: KR
Inventors: 후지오 모리; 하지메 테라조노
Original assignee: 니폰샤신인사츠가부시키가이샤
Priority date: 2011-04-07
Filing date: 2012-04-06
Publication date: 2014-04-04
Also published as: KR101878011B1; US20140014400A1; CN103477399A; CN103477399B; WO2012137923A1; US9215797B2

Abstract

그라펜을 투명 도전 재료로 하는 전사 시트 및 투명 도전물을 제공한다. 이형성과 평활성을 구비하는 기체 시트와, 상기 기체 시트의 평활성을 반영하도록 상기 기체 시트 상에 부분적 또는 전체면에 형성되는 금속 박박층, 및 상기 금속 박막층 상에 형성되고 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 구비하여 구성되는 전사 시트를 제공한다.

Description

그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막을 구비한 전사 시트와 그 제조방법, 및 투명 도전물{TRANSFER SHEET PROVIDED WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM MAINLY COMPOSED OF GRAPHENE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND TRANSPARENT CONDUCTOR}

본 발명은, 투명 도전막층을 가진 전사 시트와 그 제조방법, 및 투명 도전물에 관한 것으로, 특히 투명 도전막층으로서 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막을 구비한 전사 시트와 그 제조방법, 및 투명 도전물에 관한 것이다.

휴대전화 등의 통신기기, 전자 정보 기기, 액정디스플레이, 태양전지 등에서는 투명성 및 도전성이 뛰어난 투명 도전물이 필요로 되고 있다. 더욱이, 근래 경량 단소화와 더불어 디자인의 면으로부터의 요청으로, 절곡할 수 있는 유연성이 있는 2차원 형상의 투명 도전물이나 3차원 형상의 투명 도전물이 요망되고 있다.

투명 도전 필름의 투명한 도전재료에는, 주로 산화인듐 주석(ITO)이 이용되고 있다. 그러나, 3차원 형상으로의 직접적인 ITO의 패터닝은 기술적으로 곤란하고, 2차원 형상으로 ITO의 패턴 형성 후, 3차원 형상으로 하고자 하여도, ITO가 약해서 피전사물의 신장, 수축 및 굽힘 등에 대해 쫓아갈 수 없기 때문에 도전성이 저하되어, 투명성과 도전성을 구비한 3차원 형상의 제작은 기술적으로 곤란하였다. 더붙여서, ITO는 희토류 원소인 인듐을 포함하는 것으로부터, 자원 고갈, 안정적 공급, 환경 부하 등의 면에서 문제가 있었다.

그 때문에, ITO 대체 재료의 검토가 이루어지고 있고, 그 후보로서 카본 나노 튜브(CNT), 금속 나노 와이어 등을 들 수 있다. 이 중, CNT는 3차원 형상을 가진 투명 도전막에서 필요한, 기계적 강도와 유연성의 양쪽의 특징을 갖는다. 그러나, CNT를 이용하는 경우, 도전재료로서 도전성을 얻기 위해서는 CNT를 고정화하는 바인더 중에, 도체로 되는 복수의 CNT가 상호 점으로 접촉하여, 3차원의 네트워크 구조를 형성할 필요가 있다. 이 네트워크 구조를 형성하기 위해, 예컨대 도포법에서는 CNT를 용액에 용해하고 분산시키기 위해 용제나 분산제의 선택이나 조정 등의 많은 공정을 필요로 한다(예컨대, 특허문헌 1).

다른 ITO 대체 재료로는 그라펜(Graphene)이 있다. 그라펜은 탄소원자가 인접하는 3개의 탄소원자와 결합하고, 벌집 구조를 가진 2차원 물질이다. CNT와 마찬가지로 기계적 강도와 유연성을 가진 그라펜을 패터닝하는 경우에는 성막 후 마스크하여 패터닝하는 방법을 채용할 수가 있다. 이 방법은, 도포법과 같은 번잡한 공정을 거칠 필요가 없어 CNT와 크게 다르다.

그라펜을 성막하는 방법으로는 촉매인 시트 형상의 Cu의 기판(두께 15㎛, 25㎛)을 원주형의 반응기에 감아서 1000℃에서 화학 기상 성장(CVD)에 의해 Cu 기판 상에 성막한 후, 롤 대 롤(roll-to-roll) 방식이 가능한 장척(長尺) 형상의 기판과 첩부하고, 그 Cu 기판을 에칭으로 제거하는 방법이 있다(예컨대, 비특허문헌 1, 2). 그러나, 이 방법에서는 많은 공정을 요하는 것으로, 생성한 그라펜 막이 주름, 찢어짐 등의 대미지를 받아 그라펜의 성질이 저하되는 문제가 있었다. 그래서, 발명자는 예의 검토한 결과, 그라펜 층이 대미지를 받는 전사 공정을 거치는 것 없이, 촉매로 되는 금속 박막층 상에 그라펜을 생성한 전사 시트를 제작하는 발명을 하기에 이르렀다.

특허문헌 1 : 일본국 재공표 2006－132254호 공보

비특허문헌 1 : K. S. Novoselov, A. K. Geim et al., Science, 306, 666 (2004)

비특허문헌 2 : S. Bae et al., Nature Nanotech. 5, 574 (2010)

본 발명은 상기 문제를 해소하기 위해 이루어진 것으로, 그라펜을 투명 도전재료로 하는 전사 시트 및 투명 도전물을 제공함에 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 투명 도전물과, 투명 도전물을 작성하는 위한 전사 시트, 및 그들의 제조방법을 제공한다.

아래에, 본 발명에서의 과제의 해결수단을 나타낸다.

본 발명의 제1 태양은, 이형성과 평활성을 구비하는 기체 시트와, 상기 기체 시트의 평활성을 반영하도록 상기 기체 시트 상에 부분적 또는 전체면에 형성되는 금속 박박층, 및 상기 금속 박막층 상에 형성되고 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 구비하는 전사 시트이다.

본 발명의 제2 태양은, 평활성을 구비하는 기체 시트와, 상기 기체 시트의 평활성을 반영하도록 기체 시트 상에 부분적 또는 전체면에 형성되는 금속 박박층과, 상기 금속 박막층 상에 형성되고 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층, 및 상기 투명 도전막층의 일부 위에 형성되는 루팅회로 패턴층을 구비하는 전사 시트이다.

본 발명의 제3 태양은, 평활성을 구비하는 기체 시트와, 상기 기체 시트의 평활성을 반영하도록 기체 시트 상에 부분적으로 형성되는 금속 박막층과, 상기 금속 박막층 상에 형성되고, 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층, 및 상기 투명 도전막층과 상기 금속 박막층의 단면 형상에 따르도록 해서 상기 투명 도전막층의 단부로부터 상기 기체 시트에 걸쳐 연속적으로 형성되는 루팅회로 패턴층을 구비하는 하는 전사 시트이다.

본 발명의 제4 태양은, 평활성을 구비하는 기체 시트와, 상기 기체 시트의 평활성을 반영하도록 기체 시트 상에 부분적으로 형성되는 금속 박막층과, 상기 금속 박막층 상에 부분적으로 형성되고, 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층, 및 상기 투명 도전막층의 단면 형상에 따르도록 해서, 상기 투명 도전막층의 단부로부터 상기 금속 박막층에 걸쳐 연속적으로 형성되는 루팅회로 패턴층을 구비하는 전사 시트이다.

본 발명의 제5 태양은, 평활성을 구비하는 기체 시트와, 상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성되는 루팅회로 패턴층과, 상기 루팅회로 패턴층 상과, 상기 기체 시트 상의 루팅회로가 형성되어 있지 않은 영역에 상기 기체 시트의 평활성을 반영하도록 부분적 또는 전면적으로 형성되는 금속 박막층과, 상기 금속 박막층 상에 형성되고 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층, 및 상기 투명 도전막층 및 상기 기체 시트 위에 형성되는 루팅회로 패턴층을 구비하는 전사 시트이다.

본 발명의 제6 태양은, 평활성을 구비하는 기체 시트와, 상기 기체 시트의 평활성을 반영하도록 기체 시트 상에 부분적 또는 전체면에 형성되는 금속 박박층과, 상기 금속 박막층의 일부분에 형성되는 루팅회로 패턴층, 및 상기 루팅회로 패턴층과 병설하도록 상기 금속 박막층 위에 형성되는 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 구비하는 전사 시트이다.

본 발명의 제7 태양은, 상기 금속 박막층의 두께가 0.01∼1㎛이다.

본 발명의 제8 태양은, 상기 기체 시트 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 20㎚ 이다.

본 발명의 제9 태양은, 상기 기체 시트 상에 이형층을 구비한다.

본 발명의 제10 태양은, 상기 금속 박막층 상에 접착층을 구비한다.

본 발명의 제11 태양은, 기체 시트 상에 마스크층을 부분적으로 형성하는 공정과, 상기 마스크층과 상기 이형성을 구비하는 기체 시트 상에 금속 박막층을 형성하는 공정과, 상기 마스크층과, 상기 마스크층 상에 형성된 상기 금속 박막층을 용매에 의해 박리 제거해서 상기 기체 시트 상에 부분적으로 상기 금속 박막층을 형성하는 공정, 및 상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성한 금속 박막층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하는 전사 시트의 제조방법이다.

본 발명의 제12 태양은, 기체 시트 상에 금속 박막층을 형성하는 공정과, 상기 금속 박막층 상에 레지스트층을 부분적으로 형성하고, 상기 금속 박막층 상에 상기 레지스트층이 형성되는 장소와, 상기 레지스트층이 형성되지 않은 장소를 형성하는 공정과, 상기 레지스트층이 형성되지 않은 장소의 금속 박막층을 용매에 의해 박리 제거해서, 상기 기체 시트 상에 부분적으로 상기 금속 박막층과 상기 레지스트층을 형성하는 공정과, 상기 레지스트층을 용매를 이용해서 제거하고, 상기 금속 박막층을 표면에 노출시키는 공정, 및 상기 표면에 노출된 금속 박막층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하는 전사 시트의 제조방법이다.

본 발명의 제13 태양은, 평활성을 구비하는 기체 시트 상의 일부분에 마스크층을 패턴 형성하는 공정과, 상기 기체 시트의 상기 마스크층이 형성되어 있지 않은 영역의 일부에 루팅회로 패턴층을 형성하는 공정과, 상기 기체 시트의 상기 마스크층과 상기 루팅회로 패턴층이 형성되어 있지 않은 영역에 금속 박막층을 형성하는 공정과, 상기 마스크층을 그 위에 형성된 금속 박막층의 일부와 함께 박리 제거하고, 금속 박막층을 기체 시트 상에 부분적으로 형성하는 공정, 및 상기 부분적으로 형성된 금속 박막층과 상기 루팅회로 패턴층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하는 전사 시트의 제조방법이다.

본 발명의 제14 태양은, 평활성을 구비하는 기체 시트 상의 일부분에 루팅회로 패턴층을 형성하는 공정과, 상기 기체 시트 상의 상기 루팅회로 패턴층이 형성되어 있지 않은 영역과 상기 루팅회로 패턴층 상, 또는 상기 기체 시트 상의 상기 루팅회로 패턴층이 형성되어 있지 않은 영역에만 마스크층을 부분적으로 형성하는 공정과, 상기 기체 시트 상의 상기 마스크층과 상기 루팅회로 패턴층이 형성되어 있지 않은 영역과, 상기 마스크층 상, 및 상기 루팅회로 패턴층 상에 금속 박막층을 형성하는 공정과, 상기 마스크층을 그 위에 형성된 상기 금속 박막층의 일부와 함께 박리 제거하고, 상기 금속 박막층을 상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성하는 공정, 및 상기 부분적으로 형성한 금속 박막층 상과 상기 투명 도전막층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하는 전사 시트의 제조방법이다.

본 발명의 제15 태양은, 평활성을 구비하는 기체 시트 상에 마스크층을 부분적으로 형성하는 공정과, 상기 기체 시트 상의 마스크층이 형성되어 있지 않은 영역과, 상기 마스크층에 금속 박막층을 형성하는 공정과, 상기 금속 박막층이 형성된 기체 시트 상의 상기 마스크층이 형성되어 있지 않은 영역에 루팅회로 패턴층을 형성하는 공정과, 상기 마스크층을 그 위에 형성된 금속 박막층의 일부와 함께 박리 제거하고, 상기 금속 박막층을 상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성하는 공정, 및 상기 부분적으로 형성된 금속 박막층 상과 상기 투명 도전막 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하는 전사 시트의 제조방법이다.

본 발명의 제16 태양은, 평활성을 구비하는 기체 시트 상에 마스크층을 부분적으로 형성하는 공정과, 상기 기체 시트 상의 상기 마스크층이 형성되어 있지 않은 영역과, 상기 마스크층 상에 금속 박막층을 형성하는 공정과, 상기 마스크층을 그 위에 형성된 금속 박막층의 일부와 함께 박리 제거하고, 상기 금속 박막층을 기체 시트 상에 부분적으로 형성하는 공정과, 상기 부분적으로 형성한 금속 박막층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정, 및 상기 투명 도전막층 상에 루팅회로 패턴층을 형성하는 공정을 구비하는 전사 시트의 제조방법이다.

본 발명의 제17 태양은, 평활성을 구비하는 기체 시트 상에 마스크층을 부분적으로 형성하는 공정과, 상기 기체 시트 상의 마스크층이 형성되어 있지 않은 영역과, 상기 마스크층에 금속 박막층을 형성하는 공정과, 상기 마스크층을 그 위에 형성된 상기 금속 박막층의 일부와 함께 박리 제거하고, 상기 금속 박막층을 상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성하는 공정과, 상기 기체 시트 상의 상기 박리 제거된 마스크층이 형성되어 있던 영역, 또는 상기 영역과 상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성된 상기 금속 박막층에 루팅회로 패턴층을 형성하는 공정, 및 상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성된 상기 금속 박막층에 있어서 상기 루팅회로층이 형성되어 있지 않은 장소에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하는 전사 시트의 제조방법이다.

본 발명의 제18 태양은, 평활성을 구비하는 기체 시트 상에 루팅회로 패턴층을 부분적으로 형성하는 공정과, 상기 기체 시트의 상기 루팅회로 패턴층이 형성되어 있지 않은 영역과 상기 루팅회로 패턴층 상에 금속 박막층을 형성하는 공정과, 상기 금속 박막층 상의 일부분에 레지스트층을 형성하는 공정과, 상기 레지스트층이 형성되어 있지 않은 부분의 금속 박막층을 제거한 후, 상기 레지스트층을 박리 제거하고, 상기 금속 박막층을 상기 기체 시트 또는 상기 루팅회로 패턴층 상에 부분적으로 형성하는 공정과, 상기 기체 시트 또는 상기 루팅회로 패턴층 상에 부분적으로 형성된 상기 금속 박막층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하는 전사 시트의 제조방법.

본 발명의 제19 태양은, 평활성을 구비하는 기체 시트 상에 금속 박막층을 형성하는 공정과, 상기 금속 박막층 상에 루팅회로 패턴층을 부분적으로 형성하는 공정과, 상기 금속 박막층의 상기 루팅회로 패턴층이 형성되어 있지 않은 영역에 레지스트층을 부분적으로 형성하는 공정과, 상기 레지스트층이 형성되어 있지 않은 장소의 금속 박막층을 제거한 후, 상기 레지스트층을 박리 제거하고, 금속 박막층을 기체 시트 상에 부분적으로 형성하는 공정, 및 상기 부분적으로 형성한 금속 박막층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하는 전사 시트의 제조방법이다.

본 발명의 제20 태양은, 평활성을 구비하는 기체 시트 상에 금속 박막층을 형성하는 공정과, 상기 금속 박막층 상에 레지스트층을 부분적으로 형성하는 공정과, 상기 금속 박막층의 상기 레지스트층이 형성되어 있지 않은 장소의 금속 박막층을 제거한 후, 레지스트층을 박리 제거해서, 상기 기체 시트 상에 상기 금속 박막층을 부분적으로 형성하는 공정과, 상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성된 상기 금속 박막층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정, 및 상기 투명 도전막층 상에 루팅회로 패턴층을 형성하는 공정을 구비하는 전사 시트의 제조방법이다.

본 발명의 제21 태양은, 평활성을 구비하는 기체 시트 상에 금속 박막층을 형성하는 공정과, 상기 금속 박막층 상에 레지스트층을 부분적으로 형성하는 공정과, 상기 금속 박막층의 상기 레지스트층이 형성되어 있지 않은 장소의 금속 박막층을 제거한 후, 상기 레지스트층을 박리 제거해서, 상기 금속 박막층을 상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성하는 공정과, 상기 금속 박막층 상에 루팅회로 패턴층을 부분적으로 형성하는 공정, 및 상기 금속 박막층의 상기 루팅회로 패턴층이 형성되어 있지 않은 영역에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하는 전사 시트의 제조방법이다.

본 발명의 제22 태양은, 그라펜을 주성분으로 하는 하나의 투명 도전부를 구비한 투명 도전물에 있어서, 2차원 형상의 유연성이 있는 투명기판과, 상기 투명기판의 어느 하나의 면에 형성된 수지층, 및 상기 수지층 상에 형성된 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전층으로 이루어진 투명 도전부로 이루어진 하나의 투명 도전막부를 구비하여 유연성을 가진 것을 특징으로 하는 투명 도전막물이다.

본 발명의 제23 태양은, 그라펜을 주성분으로 하는 2개의 투명 도전부를 구비한 투명 도전물에 있어서, 2차원 형상의 유연성이 있는 제1 투명기판과, 상기 제1 투명기판의 어느 하나의 면에 형성된 제1 수지층과, 상기 제1 수지층 상에 형성된 그라펜을 주성분으로 하는 제1 투명 도전층으로 이루어진 제1 투명 도전부와, 2차원 형상의 유연성이 있는 제2 투명기판과, 상기 제2 투명기판의 어느 하나의 면에 형성된 제2 수지층과, 상기 제2 수지층 상에 형성된 그라펜을 주성분으로 하는 제2 투명 도전층으로 이루어진 제2 투명 도전부로 이루어지고, 상기 제1 투명 도전부와 상기 제2 투명 도전부가 전기적으로 절연되도록 대향해서 위치하고, 유연성을 가진 2차원 형상인 것을 특징으로 하는 투명 도전물이다.

본 발명의 제24 태양은, 그라펜을 주성분으로 하는 하나의 투명 도전부를 구비한 투명 도전물에 있어서, 3차원 형상의 투명기판과, 상기 투명기판 의 어느 하나의 면에 형성된 수지층과, 상기 수지층 상에 형성된 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전층으로 이루어진 투명 도전부로 이루어지고, 하나의 투명 도전부를 구비한 3차원 형상을 가진 것을 특징으로 하는 투명 도전막물이다.

본 발명의 제25 태양은, 그라펜을 주성분으로 하는 2개의 투명 도전부를 구비한 투명 도전물에 있어서, 3차원 형상의 제1 투명기판과, 상기 제1 투명기판의 어느 하나의 면에 형성된 제1 수지층과, 상기 제1 수지층 상에 형성된 그라펜을 주성분으로 하는 제1 투명 도전층으로 이루어진 제1 투명 도전부와, 3차원 형상의 제2 투명기판과, 상기 제2 투명기판 의 어느 하나의 면에 형성된 제2 수지층과, 상기 제2 수지층 상에 형성된 그라펜을 주성분으로 하는 제2 투명 도전층으로 이루어진 제2 투명 도전부, 및 상기 제1 투명 전극부와 상기 제2 투명 전극부가 전기적으로 절연하도록 대향해서 위치하고, 2개의 투명 도전부를 구비한 3차원 형상을 가진 것을 특징으로 하는 투명 도전물이다.

본 발명의 제26 태양은, 제1 투명 도전부와 제2 투명 도전부 사이에 절연층을 설치한 투명 도전물이다.

본 발명의 제27 태양은, 제1 투명 전극부와 제2 투명 전극부 사이에 배치되면서 절연성의 투명수지와 상기 투명수지 중에 분산 함유된 복수의 도전성의 감압 물질로 이루어진 압력 도전층을 구비하고, 투명 도전물의 한쪽 면에 힘이 작용하면, 작용하는 힘으로 상기 압력 도전층 내의 감압 물질 사이에서 전류가 흐르는 것에 의해, 대향하는 제1 투명 도전층과 제2 투명 도전층 사이에서 도통이 수행되는 투명 도전물이다.

본 발명의 제28 태양은, 루팅회로부를 포함하는 투명 도전물이다.

본 발명의 제29 태양은, 루팅회로부가 투명 전극부의 주변에 위치하는 투명 도전물이다.

본 발명의 제30 태양은, 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전부를 구비한 전사 시트를, 사출성형용 금형 내에 설치하고, 성형 수지를 사출하며, 상기 성형 수지의 고화와 동시에 성형 수지품 표면의 한쪽 면에 전사 시트를 일체화 접착시키고, 이형성을 가진 기체 시트를 제거하는 제1 공정과, 상기 한쪽 면에 형성된 금속 박막층을 제거하는 제2 공정을 구비한, 투명 도전물의 제조법에 있어서, 그라펜을 주성분으로 하는 하나의 투명 전극부를 갖추고 유연성을 가진 것을 특징으로 하는 투명 도전물의 제조방법이다.

본 발명의 제31 태양은, 그라펜을 주성분으로 하는 제1 투명 도전부를 구비한 제1 전사 시트를, 사출성형용 금형 내에 설치하고, 성형 수지를 사출하며, 상기 성형 수지의 고화 와 동시에 성형 수지 표면의 제1 한쪽 면에 상기 제1 전사 시트를 일체화 접착시키고, 이형성을 가진 기체 시트를 제거하는 제1 공정과, 상기 제1 한쪽 면에 형성된 제1금속 박막층을 제거하는 제2 공정과, 그라펜을 주성분으로 하는 제2 투명 도전부를 구비한 제2 전사 시트를, 유연성이 있는 2차원 형상의 투명기판 의 제2 한쪽 면에 가열가압에 의해 일체화 접착하고, 이형성을 가진 기체 시트를 제거하는 제3 공정과, 상기 제2 한쪽 면에 형성된 제2금속 박막층을 제거하는 제4 공정과, 제1 투명 도전부와 제2 투명 도전부가 전기적으로 절연하도록 상기 제1 한쪽 면과 상기 제2 한쪽 면이 마주보도록 접착제로 붙여 대면시켜 상기 제1 투명 도전부와 상기 제2도전부 사이에 수지층 또는 압력 도전층을 형성하는 제5 공정으로 이루어진 투명 도전물의 제조방법에 있어서, 그라펜을 특징으로 하는 2개의 투명 도전부를 구비하여 3차원 형상을 가진 것을 특징으로 하는 투명 도전물의 제조방법이다.

본 발명의 제32 태양은, 루팅회로부가 투명 전극부의 주변에 위치하는 투명 도전물을 포함하는 정전용량형 터치입력 디바이스이다.

본 발명의 제33 태양은, 투명 도전물을 포함하는 저항막형 터치입력 디바이스이다.

본 발명의 전사 시트는 이형성(離型性)을 구비하고 있는 기체 시트 표면이 극히 평활하고, 이형성을 구비하고 있는 기체 시트 위에 형성되는 금속 박막층의 막 두께가 극히 얇기 때문에, 기체 시트 표면의 평활성이 반영되어 필연적으로 금속 박막층 표면도 극히 평활하게 된다. 따라서, 그 하지로 되어 촉매이기도 한 금속 박막층 표면이 극히 평활하기 때문에, 그 위에 형성되는 투명 도전막층은 핀 홀 등의 발생이 적고, 매우 박막인 투명 도전막층을 형성하는 경우이더라도 안정되게 형성할 수가 있는 효과가 있다. 또한, 투명 도전막층 자체의 두께의 균일성도 향상되는 효과가 있다. 이에 부가하여, 투명 도전막층을 구성하는 그라펜은 매우 투명성이 높다는 기능도 구비한다.

그 결과, 본 발명의 전사 시트를 이용하면, 도전성, 투명성이 뛰어난 투명 도전물을 제조할 수 있는 효과가 있다. 또한, 두께의 균일성이 향상되면, 전사 시에 있어서 투명 도전막층의 주름 등의 발생도 경감된다. 더욱이, 금속 박막층의 막 두께가 극히 얇기 때문에, 피전사체에 접착된 후의 금속 박막층의 제거 공정이 간단하게 되어, 생산성 좋게 고품질의 투명 도전물을 제조할 수 있는 효과도 있다.

더욱이, 본 발명의 전사 시트는 유연성이 있는 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 이용하고 있기 때문에, 투명 도전막층을 유연성이 있는 2차원 형상의 피전사체 상에 형성할 수가 있는 외에, 3차원 형상의 피전사체에도 형성할 수가 있다. 그 결과, 투명 도전물을 탑재하는 휴대 전자기기의 용도ㆍ기능이 확대되는 효과가 있다. 더욱이, 전사 시트의 형성 단계에 있어서 금속 박막층을 패턴화할 수 있기 때문에, 피전사체 상에 형성한 후에 금속 박막층을 제거하는 것만으로, 패턴화된 투명 도전막층이 얻어진다. 따라서, 피전사체에 형성한 후의 투명 도전막층의 패턴화 공정이 불필요하게 되어 공정을 대폭 간략화할 수 있는 효과가 있다.

더욱이, 본 발명의 전사 시트에는, 루팅회로도 패턴으로 형성되어 있다. 따라서, 피전사체에 형성한 후의 루팅회로의 형성 및 패턴화 공정이 불필요하게 되어 공정을 대폭적으로 간략화할 수 있는 효과가 있다. 또한, 전사 시트 상에 미리 루팅회로가 형성되어 있기 때문에, 유연성이 있는 피전사체 상에 형성할 수 있는 외에, 3차원 형상의 피전사체에도 형성할 수 있는 효과가 있다. 또한, 매우 평활한 이형성을 가진 기체 시트 표면상에 전사층의 일부로서 형성되어 있기 때문에, 피전사체 상에 전사 형성한 후의 표면이 같은 면이고, 내마모성 등의 성능이 향상된다는 효과나, 디자인성이 향상된다는 효과가 얻어질 수 있다.

더욱이, 본 발명의 투명 도전물은 패턴화된 투명 도전막층을 2차원의 시트 형상의 전사 시트로 제작하고, 후에 피전사물에 일체화해서 성형 동시 전사를 해서 금속 박막층을 제거하는 것만으로 얻어지기 때문에, 양산성이 우수한 효과를 갖는다.

더욱이, 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층의 형성에 있어서, 전사 시트 상에 패터닝한 금속 박막층 상에 CVD에 의해 그라펜을 작성하기 때문에, 전체면 성막 후에 전자선 등의 고에너지 광조사에 의한 패터닝이 불필요하다. 또한, 당해 전사 시트를 원하는 피전사체로 전사하는 것만으로 투명 도전막을 포함하는 층을 전사할 수 있다. 따라서, 그라펜을 필요 이상으로 부하를 걸지 않고서 작성할 수 있기 때문에, 품질이 양호한 양산성이 있는 투명 도전물을 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 전사 시트의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 전사 시트의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 전사 시트의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 전사 시트의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 전사 시트의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 전사 시트의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 전사 시트의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 전사 시트의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 전사 시트의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 전사 시트의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 전사 시트의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 전사 시트의 제조공정에서의 단면도이다.
도 13은 본 발명의 전사 시트의 제조공정에서의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 전사 시트의 제조공정에서의 단면도이다.
도 15는 본 발명의 전사 시트의 제조공정에서의 단면도이다.
도 16은 본 발명의 전사 시트의 제조공정에서의 단면도이다.
도 17은 본 발명의 전사 시트의 제조공정에서의 단면도이다.
도 18은 본 발명의 투명 도전물의 단면도이다.
도 19는 본 발명의 투명 도전물의 단면도이다.
도 20은 본 발명의 투명 도전물의 제조공정에서의 단면도이다.
도 21은 본 발명의 투명 도전물의 제조공정에서의 단면도이다.
도 22는 본 발명의 투명 도전물의 제조공정에서의 단면도이다.

이하, 본 발명에 따른 실시형태를 도면을 토대로 상세히 설명한다.

한편, 본 발명의 실시예에 기재한 부위나 부분의 치수, 재질, 형상, 그 상대 위치 등은, 특히 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 그들만으로 한정한다는 취지는 아니고, 단순한 설명 예에 지나지 않는다.

도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 전사 시트를 나타낸 도면이다. 여기서, 전사 시트라는 것은 2차원 형상 또는 3차원 형상으로 이루어진 피전사체에 가압 또는 가열 등에 의해 투명 도전막층을 포함하는 층을 전사시키는 것이 가능한 시트를 말한다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 전사 시트(1)는 기체 시트(2), 금속 박막층(3), 투명 도전막층(4), 및 접착층(5)으로 구성되어 있다. 본 발명의 전사 시트(1)는 기체 시트(2) 상에 부분적으로 형성된 금속 박막층(3)이 있고, 그 금속 박막층(3)을 따라 투명 도전막층(4)이 형성되어 있다. 그리고, 가장 바깥 표면에 접착층(5)이 설치되어 있다.

[기체 시트]

기체 시트는 금속 박막층이나 투명 도전막층을 지지하기 위한 것이다. 기체 시트의 표면은 우수한 평활성과 이형성을 구비하고 있다. 기체 시트의 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 0.1㎚≤Ra≤20㎚인 것이 바람직하다. 이는 기체 시트의 산술 평균 거칠기(Ra)가 20㎚를 넘으면, 기체 시트 위에 형성되는 금속 박막층의 요철형상이 커지게 된다. 그 결과, 금속 박막층 상에 생성되는 그라펜의 그레인 크기가 비교적 작게 되기 때문에 결정성이 저하하여, 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층의 도전성이 저하된다는 문제가 발생한다. 반대로, 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.1㎚ 미만으로 되면, 기체 시트 표면의 요철 형상을 균일하게 할 수가 없게 된다. 그 결과, 기체 시트의 이형 성능이 저하되기 때문에, 피전사체에 투명 도전막층을 전사할 수 없게 된다는 문제가 발생한다. 한편, 당해 산술 평균 거칠기(Ra)는 일본 공업 규격(JIS) B0601－1994에 근거한 것이다.

기체 시트의 두께는 10㎛∼500㎛인 것이 바람직하다. 기체 시트의 두께가 10㎛ 미만이면, 기체 시트(2)의 강성이 손실되기 때문에, 기체 시트 상에 금속 박막층이나 투명 도전막층을 형성했을 때, 금속 박막층이나 투명 도전막층을 지지할 수 없게 된다는 문제가 생긴다. 그러나, 기체 시트의 두께와 그 표면의 요철에 상관성이 있기 때문에, 기체 시트의 두께가 일정 이상으로 두껍게 되면, 즉 기체 시트의 두께가 500㎛를 넘으면, 기체 시트 표면의 형상이 산술 평균 거칠기(Ra)에서 20㎚를 넘어버려, 상기한 바와 같은 문제가 생기게 되기 때문이다.

기체 시트의 재질은, 뒤에 설명되는 투명 도전막층의 형성시에 있어서 생기는 열에 견딜 수 있는 내열성을 가진 재질이면, 특히 제한은 없다. 그와 같은 내열성을 가진 재질의 예로는, 폴리아라미드, 폴리이미드, 폴리에텔이미드, 폴리설폰, 폴리에텔설폰, 폴리에텔에텔케톤, 폴리페니렌설파이드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리아미드이미드, 폴리아릴레이트, 고밀도 폴리올레핀, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌텔레프탈레이트, 폴리부틸렌텔레프탈레이트, 폴리불화비닐리덴, 폴리불화빌, 폴리염화비닐리덴, 액정폴리머 등의 수지나, 소다유리 등의 유리 등을 들 수 있다.

기체 시트를 구성하는 재질이 이형성을 갖지 않은 경우, 기체 시트를 이형처리하여도 좋다. 기체 시트를 이형처리하는 방법으로는, (1) 기체 시트에 불화 탄화수소계 화합물의 분위기에서 저압 플라즈마 처리하는 방법, (2) 알곤과 아세톤 및/또는 헬륨으로 이루어진 분위기 하에서 기체 시트에 방전 플라즈마를 수행하는 방법, (3) 불소원자 함유 가스와 불활성 가스로 이루어진 혼합가스의 대기압 하에서, 대향 전극 면에 고체 유전체를 설치하고, 이 대향 전극 간에 전계를 인가함으로써 발생시킨 방전 플라즈마로, 기체 시트를 이형처리하는 방법을 들 수 있다.

[금속 박막층]

금속 박막층은 투명 도전층의 주성분인 그라펜을 기체 시트 상에 생성하기 위한 촉매기능과, 기체 시트의 평활성을 금속 박막층에 반영시키는 기능을 구비한 층이다. 금속 박막층의 재질은, 동, 니켈, 루테늄, 철, 코발트, 이리듐, 백금 등의 금속, 이들의 합금 등이 이용된다. 기체 시트의 평활성을 금속 박막층에 반영시킨다는 관점에서, 본 발명의 금속 박막층의 두께는 0.01∼1㎛가 바람직하다.

금속 박막층의 두께가 0.01㎛∼1㎛의 범위에 있으면, 기체 시트의 평활성을 반영할 수 있기 때문에, 금속 박막층의 표면이 평활하게 된다. 그 결과, 투명 도전막층을 구성하는 그라펜의 그레인 크기가 비교적 커지지 때문에, 도전성이 양호한 그라펜 막을 형성할 수 있다. 또한, 금속 박막층의 두께가 0.01㎛∼1㎛의 범위에 있으면, 전사 시트를 이용해서, 피전사체와 투명 도전막층으로 이루어진 투명 도전물을 작성하는 경우, 그 하나의 공정인 전사 시트부터 피전사체로 금속 박막층, 투명 도전막층을 전사해서, 피전사체로부터 금속 박막층만을 제거하는 공정에서, 금속 박막층의 두께가 종래의 두께(15㎛, 25㎛)에 비해 훨씬 더 얇기 때문에, 금속 박막층의 제거를 단시간에 제거할 수가 있다.

한편, 금속 박막층의 두께를 0.01㎛ 보다 얇은 균일한 막으로 형성하는 것은 기술적으로 어렵고, 반대로 금속 박막층의 두께를 1㎛ 보다 두껍게 하면, 기체 시트의 평활성을 반영하기 곤란하게 되어, 요철이 큰 금속 박막층으로 되기 쉽게 된다. 그 결과, 금속 박막층 위에 형성되는 투명 도전층의 두께의 오차가 커지게 되어 도전성이 불안정하게 되거나 핀 홀 등의 결함이 발생하기 쉽게 된다는 문제가 생기게 되기 때문이다. 또한, 금속 박막층의 두께가 1㎛ 보다 두꺼우면, 전사 시트를 이용해서 피전사체와 투명 도전막층으로 이루어진 투명 도전물을 작성하는 경우, 그 제조의 하나의 공정인 전사 시트로부터 피전사체로 금속 박막층, 투명 도전막층을 전사해서, 피전사체로부터 금속 박막층 만을 제거하는 공정에서 금속 박막층의 제거에 노력이 들어가게 된다는 문제가 발생한다.

금속 박막층을 상기와 같이 구성하면, 금속의 촉매작용에 의해 화학반응이 촉진되고, 그라펜 막이 생성되기 때문에, 금속의 표면의 형상에 따라 그라펜 막이 생성되는 것으로 고려될 수 있다. 더욱이, 상기와 같이 금속 박막층이 구성되어 있지 않으면, 하지의 금속 박막층의 평활성은 그라펜 막의 평활성에 영향을 미치므로, 평활하지 않은 그라펜 막은 에너지 안정화를 위해 굴곡부 등에 원환(員環) 등이 발생하여, 도전성이 저하되는 것으로 고려된다.

또한, 금속 박막층이 구성되어 있지 않으면, 금속 박막층의 표면이 물리적으로 평면으로 되지 않아, 캐리어인 전자가 산란해서 도전성이 저하되는 것으로 고려된다. 금속 박막층의 형성방법으로는, 스퍼터링법, 증착법, 이온플레이팅법 등을 들 수 있다.

[투명 도전막층]

투명 도전막층은 주성분이 그라펜으로 구성되는 층이다. 주성분이 그라펜으로 구성된다는 것은 투명 도전막층을 구성하는 물질 중 에서 1층 또는 복수층의 그라펜 막이 중량비에서 가장 많음을 점유하는 것을 의미한다. 투명 도전막층에는 불순물이 포함되고 있어도 좋다. 불순물로서는 아몰퍼스(amorphous) 카본, 금속 박막층의 금속 등을 들 수 있다. 금속 박막층의 금속이라는 것은 피전사체로의 전사 후의 에칭공정에서 잔류하는 성분이다. 또한, 투명 도전막층은 도전성을 갖고, 가시영역의 파장의 광선투과율이 전체로서 80퍼센트 이상으로 되도록 구성되어 있다. 한편, 투명 도전막층의 두께는 2㎚ 이상 200㎚ 이하인 것이 바람직하다. 200㎚ 이상이면 투명 도전막층의 투명성이 저해된다. 반대로 2㎚ 이하라면 투명 도전막층(4)의 도전성이 저하된다. 투명 도전막층은 패터닝된 금속 박막층 상에만 화학기상성장법(CVD) 등으로 형성된다.

[접착층]

접착층은 피전사체와 전사 시트를 접착하기 위한 층으로, 필요에 따라 전사 시트의 표면에 형성된다. 접착층은 아크릴계 또는 비닐 계 수지 등으로 구성되고, 절연성을 갖는다. 여기서 말하는 절연성이라는 것은, 예컨대 본 발명에 의해 제작된 투명 도전물에 대해, 투명 도전물을 터치패널로 한 경우의 입력 조작에 있어서, 위치 검출의 오동작의 원인으로 되는 합선을 발생시키지 않는 정도 이상의 절연성인 것을 말한다. 접착층은, 그라비아코팅법, 롤코팅법, 콤마코팅법, 그라비아인쇄법, 스크린인쇄법, 옵셋인쇄법 등에 의해 전사 시트 위에 형성된다.

도 2는 제1 실시형태에 따른 전사 시트의 변형 예를 나타낸 도면이다. 전사 시트의 기본적인 구성은 제1 실시형태의 전사 시트와 같기 때문에, 여기서는 차이점에 대해서만 설명한다. 다시, 도 2를 참조하면, 기체 시트(2) 상에 금속 박막층(3)과 투명 도전층(4)이 전면적으로 형성되어 있어도 좋다.

도 3은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 전사 시트를 나타낸 도면이다. 기본적인 구성은 제1 실시형태의 전사 시트와 같기 때문에, 여기서는 차이점만 설명한다.

[이형층]

도 3을 참조하면, 제2 실시형태의 전사 시트는 투명 도전막층(3)과 기체 시트(2) 사이에 이형층(6; 離型層)이 형성되어 있다. 이형층(6)은 전사 시트(1)을 이용해서 투명 도전막층(4) 등을 피전사물에 전사하고, 피전사물로부터 기체 시트(2)를 박리할 때, 기체 시트(2)와 함께 피전사물로부터 박리되는 층으로, 기체 시트(2)의 위에 형성된다. 이형층을 기체 시트 상에 형성함으로써, 기체 시트의 박리 중량(박리에 필요한 힘)을 조정할 수가 있다. 이에 부가하여, 이형층을 기체 시트 상에 형성함으로써, 기체 시트의 표면이 요철로 되어 있는 경우이더라도, 이형층이 기체 시트 표면의 요철을 매립하도록 기체 시트 상에 피복되기 때문에, 금속 박막층이 형성되는 표면의 산술 표면거칠기(Ra)를 1㎚≤Ra≤20㎚로 할 수가 있다. 그 결과, 기체 시트의 표면에 요철이 있어도 이형층을 형성함으로써 제1 실시형태의 전사 시트와 마찬가지로, 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층의 도전성이 저하된다는 문제나, 이형층의 이형 성능이 저하되는 문제가 발생하는 것이 없게 된다. 이형층의 재질은 투명 도전막층의 형성시에 있어서 생기는 열에 견딜 수 있는 내열성과 소정의 이형성을 갖고, 이형층을 기체 시트 상에 형성했을 때, 이형층의 표면이 평활성이 우수하도록 되는 것이면, 특히 제한은 없다. 이형층의 재질로는, 열경화성 아크릴, 열경화성 폴리에스테르, 열경화성 우레탄, 아크릴, 에폭시, 멜라민, 실리콘, 불소 등의 수지를 들 수 있다. 이형층의 형성방법으로는 롤코팅법, 그라비아인쇄법, 스크린인쇄법, 다이코팅법 등에 의한 도포 등을 들 수 있다.

도 4는 제2 실시형태에 따른 전사 시트의 변형 예를 나타낸 도면이다.

전사 시트의 기본적인 구성은, 제1 실시형태의 전사 시트와 같기 때문에, 여기서는 차이점에 대해서만 설명한다. 도 4를 참조하면, 기체 시트(2) 상에 이형층(6), 금속 박막층(3), 및 투명 도전층(4)이 전면적으로 형성되어 있어도 좋다.

도 5는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 전사 시트를 나타낸 도면이다. 전사 시트의 기본적인 구성은 제2 실시형태의 전사 시트와 같기 때문에, 여기서는 차이점에 대해서만 설명한다.

도 5를 참조하면, 전사 시트(1)는 루팅회로 패턴층(5)이 투명 도전막층(4)의 단부로부터 기체 시트(2)에 걸쳐 투명 도전막층(4)과 금속 박막층(3)의 단면 형상에 따르도록 해서 연속적으로 형성되어 있다. 그리고, 각 층 상에 접착층(7)이 전면적으로 형성되어 있다. 이와 같이, 전사 시트가 구성되어 있으면, 전사 후의 루팅회로 패턴층은 금속 박막층이나 투명 도전막층에 피복되는 부분과, 표면에 노출시키는 부분으로 구성되도록 된다. 피복된 부분에서는 루팅회로 패턴층이 투명 도전막층에 의해 보호된다. 그 때문에, 금속 박막층을 에칭 등으로 제거할 때, 루팅회로 패턴층이 부식되는 것을 방지할 수 있다는 장점이 있다. 한편, 노출된 부분에서는 전사 후 외부회로와 직접적으로 전기 접속될 수 있다는 장점이 있다.

[루팅회로 패턴층]

루팅회로 패턴층은 투명 도전막층으로 검출한 전기신호를 외부회로에 전달하기 위한 층이다. 재질로는 금, 은, 동, 알루미늄, 니켈, 바라듐 등의 금속이나, 당해 금속 의 분말을 포함하는 도전성 잉크 외에, 카본 등의 유기계 도전체 등을 포함하는 도전성 물질을 들 수 있다. 루팅회로 패턴층의 형성방법으로는, 스크린인쇄, 그라비아인쇄, 잉크 제트 인쇄, 凸판 인쇄 등의 인쇄법을 들 수 있다.

도 6은 제3 실시형태의 전사 시트의 변형 예를 나타낸 도면이다. 전사 시트의 기본적인 구성은, 제3 실시형태의 전사 시트와 같기 때문에, 여기서는 차이점에 대해서만 설명한다.

도 6을 참조하면, 전사 시트(1)는 투명 도전막층(4)의 단부로부터 금속 증착층(3)에 걸쳐 투명 도전막층(4)의 단면 형상에 따라 루팅회로 패턴층(5)이 형성되어 있다. 이와 같이, 전사 시트가 구성되어 있으면, 전사 후의 루팅회로 패턴층은 금속 박막층과 투명 도전막층에 의해 피복되어 있는 부분과, 금속 박막층 만으로 피복되어 있는 부분으로 구성되도록 된다. 금속 박막층과 투명 도전막층에 의해 피복되어 있는 부분에서는 투명 도전막층이 루팅회로 패턴층을 보호하는 것으로 되기 때문에 금속 박막층을 에칭 등으로 제거할 때, 루팅회로 패턴층이 부식되는 것을 방지할 수 있다는 장점이 있다. 금속 박막층 만으로 피복되어 있는 부분에서는 금속 박막층을 에칭 등으로 제거하면, 루팅회로 패턴층이 노출되어, 외부회로와 직접적으로 전기 접속될 수 있는 장점이 있다.

도 7은 본 발명의 제4 실시형태에 따른 전사 시트를 나타낸 도면이다. 도 7을 참조하면, 전사 시트(1)의 구성은 기체 시트(2) 상에 이형층(6), 금속 증착층(3), 투명 도전막층(4)이 전면적으로 형성되고, 루팅회로 패턴층(5)이 투명 도전막층(4) 상에 부분적으로 형성되어 있다. 또한, 접착층(7)이 전사 시트(1)의 전체면에 걸쳐 형성되어 있다.

다시 도 7을 참조하면, 이와 같이 전사 시트가 구성되어 있으면, 전사 후의 루팅회로 패턴층은 투명 도전막층에 의해 모두 피복되도록 된다. 그 때문에, 루팅회로 패턴층은 투명 도전막층에 의해 보호되기 때문에, 금속 박막층을 에칭 등으로 제거할 때, 루팅회로 패턴층이 부식 되는 것을 방지할 수 있다는 장점이 있다. 단, 외부회로와의 전기 접속에는 투명 도전막층이 매개하는 것으로 되기 때문에, 접촉 저항값이 높게 되지 않도록 유의할 필요가 있다.

도 8은 제5 실시형태에 따른 전사 시트를 나타낸 도면이다. 전사 시트의 기본적인 구성은 제4 실시형태에 따른 전사 시트에 의한 것과 마찬가지이기 때문에, 여기서는 차이점에 대해서만 설명한다.

다시, 도 8을 참조하면, 본 발명의 제5 실시형태에 따른 전사 시트(1)는 루팅회로 패턴층(5)이 이형층(6)과 금속 박막층(3) 사이에 형성되어 있는 점에서 제4 실시형태에 따른 전사 시트와 다르다. 이와 같이, 루팅회로 패턴층이 이형층과 금속 박막층 사이에 형성되어 있는 것에 의해, 전사 후의 루팅회로 패턴층이 표면에 전체면 노출되는 것으로 된다. 따라서, 전사 후의 루팅회로 패턴층 전부는 외부회로와 전기적인 접속이 가능하기 때문에, 루팅회로 패턴층을 단자로서 취급하면, 단자의 위치 선택의 여지가 커서 전기 접속을 하기 쉽다는 장점이 있다.

도 9는 제5 실시형태의 전사 시트의 변형 예를 나타낸 도면이다. 전사 시트의 기본적인 구성은 제4 실시형태의 전사 시트와 같기 때문에, 여기서는 차이점에 대해서만 설명한다.

다시, 도 9를 참조하면, 전사 시트(1)는 금속 박막층(3)과 투명 도전막층(4)이 기체 시트(2) 상에 독립해서 형성되어 있는 점에서 제4 실시형태의 전사 시트(1)와 다르다. 이와 같이, 전사 시트가 구성되어 있으면, 전사 후에 금속 박막층을 제거하는 것만으로 패턴화된 투명 도전층이 얻어지기 때문에, 전사 후에 투명 도전막층을 패턴화할 필요가 없게 되어 생산성을 대폭 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

도 10은 제6 실시형태에 따른 전사 시트를 나타낸 도면이다. 전사 시트의 기본적인 구성은 제4 실시형태에 따른 전사 시트에 의한 것과 마찬가지이기 때문에, 여기서는 차이점에 대해서만 설명한다.

다시, 도 10을 참조하면, 제6 실시형태의 전사 시트(1)는 기체 시트(2)와, 이형층(6), 금속 박막층(3), 투명 도전막층(4), 루팅회로 패턴층(5), 및 접착층(7)으로 구성되어 있다. 제6 실시형태에 따른 전사 시트(1)는 금속 박막층(3)이 루팅회로 패턴층(5) 아래에 형성되어 있는 점, 투명 도전막층(4)이 루팅회로 패턴층(5)과 병설되도록 금속 박막층(3) 상에 형성되어 있는 점에서 제4 실시형태에 따른 전사 시트(1)와 다르다. 이와 같이, 금속 박막층이 루팅회로 패턴층 아래에 형성되고, 투명 도전막층이 루팅회로 패턴층과 병설되도록 금속 박막층 상에 형성되어 있음으로써, 전사 후에 금속 박막층을 제거하는 것만으로 패턴화된 투명 도전층이 얻어진다. 그 결과, 전사 후에 투명 도전막층을 패턴화할 필요가 없게 되어 생산성을 대폭 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 또한, 전사 후에 금속 박막층을 제거하는 것만으로 외부회로와 전기 접속시키기 위한 단자로 할 수가 있기 때문에, 단자의 위치 선택의 여지가 커서 전기 접속을 하기 쉽다는 장점이 있다.

도 11은 본 발명의 제7 실시형태에 따른 전사 시트를 나타낸 도면이다.

전사 시트의 기본적인 구성은 제4 실시형태에 따른 전사 시트에 의한 것과 마찬가지이기 때문에, 여기서는 차이점에 대해서만 설명한다.

다시, 도 11을 참조하면, 본 발명의 제7 실시형태에 따른 전사 시트(1)는 기체 시트(2)와, 이형층(6), 금속 박막층(3), 투명 도전막층(4), 루팅회로 패턴층(5), 및 접착층(7)으로 구성되어 있다. 제7 실시형태에 따른 전사 시트(1)는 투명 도전막층(4)이 루팅회로 패턴층(5)과 병설되도록 금속 박막층(3) 상에 형성되어 있는 점에서 제4 실시형태에 따른 전사 시트와 다르다.

이와 같이, 전사 시트가 구성되어 있으면, 전사 후의 루팅회로 패턴층은 금속 박막층을 에칭 등으로 제거하면 전체면 노출되는 것으로 된다. 따라서, 전사 후의 루팅회로 패턴층 전부를 외부회로와 전기 접속시키기 위한 단자로 할 수가 있기 때문에, 단자의 위치 선택의 여지가 커서 전기 접속을 하기 쉽다는 장점이 있다.

다음에, 전사 시트의 제조방법에 대해 설명한다.

도 12는 제1 실시형태의 전사 시트의 제조방법을 나타낸 것이다. 도 12를 참조하면, 전사 시트의 제조방법은 기체 시트(2) 상에 마스크층(8)을 부분적으로 형성하는 공정과, 기체 시트(2)와 마스크층(8) 상에 금속 박막층(3)을 형성하는 공정과, 마스크층(8)과 마스크층(8) 상에 형성된 금속 박막층(3)을 용매에 의해 박리 제거해서 기체 시트(2) 상에 부분적으로 금속 박막층(3)을 형성하는 공정과, 기체 시트(2) 상에 부분적으로 형성한 금속 박막층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층(4)을 형성하는 공정을 구비하고 있다.

도 12(a)를 참조하면, 본 발명에 따른 전사 시트의 제조방법의 제1 공정에서는 기체 시트(2) 상에 마스크층(8)을 부분적으로 형성한다.

마스크층은 용매에 가용(可溶)인 층이다. 마스크층의 재질로는 폴리비닐알코올(PVA)이나 수용성 아크릴 수지 등을 들 수 있다. 그리고, 용매로서는 수용액이나 알코올 용액 등을 들 수 있다. 형성방법으로는 옵셋인쇄, 스크린인쇄, 그라비아인쇄, 잉크 제트 인쇄, 凸판 인쇄 등의 인쇄법을 들 수 있다. 뒤에 설명하는 포토레지스트법에 비해, 공정 수가 적은 점이 특징이다.

도 12(b)를 참조하면, 제2 공정에서는 마스크층(8)과 기체 시트(2) 상에 금속 박막층(3)을 형성한다. 금속 박막층(3)을 형성하는 경우에는, 기체 시트(2) 상에 전체면에 스퍼터링법, 증착법, 이온프레이팅법 등에 의해 금속 박막층(3)을 형성한다.

도 12(c)를 참조하면, 제3 공정에서는 마스크층(8) 상에 형성된 금속 박막층(3)을 용매 세정에 의해 제거해서 기체 시트(2)와 마스크층(8) 상에 부분적으로 금속 박막층(3)을 형성한다. 용매로는 수용액이나 알코올류가 이용된다.

도 12(d)를 참조하면, 제4 공정에서는 금속 박막층(3) 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층(4)를 형성한다. 금속 박막층(3) 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층(4)을 형성하는 방법으로는 화학 기상법(CVD법)을 이용하지만, 화학 기상법 중에서도, 마이크로파 플라즈마 CVD법을 이용하는 것이 바람직하다.

마이크로파 플라즈마 CVD를 이용하면, 발생하는 플라즈마의 에너지 밀도의 분포를 제어할 수가 있어, 비교적 저압ㆍ저온 조건에서 마이크로파 플라즈마를 이용해서 그라펜의 성막을 실행할 수가 있기 때문에, 투명 도전막층을 지지하는 기체 시트에 부여되는 대미지를 줄일 수가 있다. 더욱이, 기체 시트의 그라펜이 성막 되는 측의 반대측은 냉각되기 때문에, 이에 의해서도, 기체 시트의 대미지를 줄일 수가 있다. 이와 같이 온도가 비교적 낮은 조건 하에서 투명 도전막층을 금속 박막층을 매개로 기체 시트 상에 형성할 수 있기 때문에, 기체 시트로서 유연성이 있는 필름을 이용할 수 있다. 그 결과, 투명 도전막층의 형성에 있어서 롤 대 롤 방식을 방식을 채용하는 것이 가능할 수 있도록 되어, 전사 시트를 제작하는 공정을 모두 롤 대 롤 방식으로 하는 것이 가능하기 때문에, 전사 시트의 생산성이 비약적으로 향상된다.

마이크로파 플라즈마 CVD의 원료 가스는 탄화수소와 희가스의 혼합가스 등이고, 탄화수소로서는, 예컨대, 메탄(CH4), 에탄(C2H6), 프로판(C3H8), 아세틸렌(C2H2) 등이 있고, 희가스로서는, 예컨대, 헬륨(He), 네온(Ne), 알곤(Ar) 등이 있다. CVD 장치의 챔버를 감압한 상태에서 장치 내의 혼합가스에 의한 전체 압이 10∼400Pa로 되도록 한다. 장치 내의 혼합가스에 의한 전체 압이 10Pa 미만인 경우는 반응이 진행되기 어렵고, 반대로 장치 내의 혼합가스에 의한 전체 압이 400Pa 보다 높은 경우에는 챔버 내의 온도가 높아진다는 문제가 생긴다. 한편, 이 혼합가스에 소량의 수소가스를 혼합해도 좋다. 또한, 상기한 바와 같이, 플라즈마의 에너지 밀도의 분포를 제어할 수 있기 때문에, 필요한 공간에만 에너지 밀도를 적절히 설정함으로써 장치 내의 혼합가스에 의한 전체 압을 비교적 낮게 억제할 수가 있다. 이에 의해, 챔버 내 온도도 비교적 낮고 억제할 수가 있어, 제작하는 전사 시트로의 가열을 억제할 수가 있다. CVD 장치의 챔버 내의 온도는 200∼400℃에서 수행한다. 챔버 내 온도가 200℃보다 낮으면, 생성되는 그라펜의 결정성이 저하된다는 문제가 생긴다. 반대로 챔버 내 온도가 400℃보다 높으면, 기체 시트가 고온에 의해 신축 등을 일으키는 문제가 생긴다.

상기 제1 공정으로부터 제4 공정까지의 공정을 거치는 것에 의해 전사 시트를 얻을 수가 있다. 또한, 상기 공정을 거치는 것에 의해, 전사 시트에 패턴화된 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막을 직접적으로 형성할 수 있는 때문에, 그라펜 성막 후의 산화 에칭이나 전자선에 의한 패터닝 공정을 거치는 것이 없다. 더욱이, 전사 시트 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성시켰기 때문에, 전사에 의해 원하는 피전사체 상에 극히 용이하게 투명 도전막을 형성할 수 있다. 이에 의해 그라펜 생성 후의 금속 기판의 용해나 다른 기판으로의 전사를 거치는 것이 없다. 따라서, 생성한 그라펜이 필요 이상으로 손상되는 것 없이 기체 시트 상 및 피전사체 상에 형성될 수 있다.

도 13을 참조하면, 필요에 따라, 도 13(a)에서 제1 공정 전에 기체 시트(2) 상에 이형층(6)을 형성하여도 좋다. 또한, 도 13(f)에서 제4 공정 후에 투명 도전막층(4)을 포함하는 표면의 전체 면에 접착층(5)을 형성하여도 좋다. 접착층(5), 이형층(6)의 재질, 형성방법은 상기와 마찬가지이다.

도 14는 제1 실시형태의 전사 시트의 제조방법의 다른 형태를 나타낸 것이다. 이 전사 시트의 제조방법에 있어서 기본적인 구성은 제1 실시형태에 따른 전사 시트의 제조방법과 같기 때문에, 여기서는 차이점에 대해서만 설명한다.

도 14를 참조하면, 전사 시트의 제조방법의 다른 형태는 기체 시트(2) 상에 전면적으로 금속 박막층(3)을 형성하는 공정과, 금속 박막층(3) 상에 레지스트층(9)을 부분적으로 형성하고, 금속 박막층(3) 상에 레지스트층(9)이 형성되는 장소와, 레지스트층(9)이 형성되지 않은 장소를 형성하는 공정과, 레지스트층(9)이 형성되지 않는 장소의 금속 박막층(3)을 용매에 의해 박리 제거해서 기체 시트(2) 상에 부분적으로 금속 박막층(3)과 레지스트층(9)을 형성하는 공정과, 레지스트층(9)을 용매를 이용해서 제거해서 금속 박막층(3)을 표면에 노출시키는 공정과, 표면에 노출된 금속 박막층(3) 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층(4)을 형성하는 공정을 구비하고 있다.

도 14(a)를 참조하면, 제1 공정에서는 기체 시트(2) 상에 금속 박막층(3)을 형성한다.

도 14(b)를 참조하면, 제2 공정에서는 금속 박막층(3) 상에 레지스트층(9)을 부분적으로 형성하고, 금속 박막층(3)의 레지스트층(9)이 형성되는 장소와, 레지스트층(9)가 형성되지 않은 장소를 형성한다. 레지스트층(9)의 재질로는 포토레지스트에 가능한 수지, 예컨대 노볼락 수지 등을 이용할 수 있다.

레지스트층(9)의 형성방법은 일반적으로 포토레지스트법이 채용된다. 도 13에 나타낸 마스크층을 인쇄법으로 직접적으로 패터닝하는 방법에 비해 광을 사용하므로, 보다 정교한 패터닝이 가능한 특징을 갖는다. 레지스트층을 형성하기 위한 구체적인 방법으로는 스크린인쇄, 그라비아인쇄, 잉크 제트 인쇄, 凸판 인쇄와 같은 인쇄법에 의해 기체 시트 상에 전면적으로 형성하는 방법이나, 레지스트층을 구비하고 있는 레지스터 필름을 기체 시트 상에 형성된 금속 박막층에 가열과 가압으로 첩합시키는 것에 의해 형성한다. 상기 방법에서 레지스트층을 형성하고, 레지스트층에 광을 조사하고 조사한 부분을 반응 경화시키는 노광 공정을 거친 후, 광조사 되어 있지 않은 부분을 제거하는 현상 공정을 거쳐 레지스트층을 부분적으로 형성한다. 한편, 상기에서는 레지스트층의 종류로서 네가티브형(노광되면 현상액에 대해 용해성이 저하되고, 현상 후에 노광 부분이 남는)인 경우를 나타내었으나, 포지티브형(노광되면 현상액에 대해 용해성이 증가하고, 현상 후에 노광 부분이 제거되는)이어도 좋다.

도 14(c)를 참조하면, 제3 공정에서는 레지스트층(9)이 형성되지 않은 장소의 금속 박막층(3)을 산 또는 알카리의 수용액 등으로 에칭 제거해서, 기체 시트(2) 상에 부분적으로 금속 박막층(3)와 레지스트층(9)을 형성한다. 산으로는 염산, 황산, 초산 등, 알카리의 수용액으로는 수산화나트륨 수용액 등을 이용하면 좋다.

도 14(d)를 참조하면, 제4 공정에서는 레지스트층(9)을 용제를 이용해서 제거해서 금속 박막층(3)을 표면에 노출시킨다. 레지스트층을 제거하는 용제로는, 포지티브형인 경우, 강 알카리인 유기 제4급 염기의 수용액을 이용할 수가 있다. 유기 제4급 염기로는 수산화 테트라메틸 암모늄, 수산화 테트라브틸암모늄 등을 들 수가 있다.

도 14(e)를 참조하면, 제1 공정으로부터 제4 공정까지의 공정을 거치는 것에 의해, 마스크층에서 금속 박막층을 패터닝하는 경우와 비교해서, 금속 박막층의 정밀 미세한 패터닝이 가능해지게 된다.

도 15는 제2 실시형태의 전사 시트의 제조방법을 나타낸 것이다. 도 15를 참조하면, 제2 실시형태의 전사 시트의 제조방법은, 도 14에 있어서, 도 14(a) 전에, 기체 시트 상에 이형층(6)을 형성하고, 도 14(f) 후에, 투명 도전막층(4) 등의 위에 접착층(5)을 형성한다. 접착층(5), 이형층(6)의 재질, 형성방법은 상기와 마찬가지이다.

도 16은 제3 실시형태의 전사 시트의 제조방법을 나타낸 것이다. 도 16은 제3 실시형태의 전사 시트의 제조방법을 나타낸 도면이다. 기본적인 구성은 제1 실시형태의 제조방법과 같기 때문에, 여기서는 차이점만 설명한다.

도 16을 참조하면, 제3 실시형태의 전사 시트의 제조방법은 기체 시트(2) 상에 마스크층(8)을 부분적으로 형성하는 공정과, 마스크층(8)이 형성되어 있지 않은 기체 시트(2) 상의 영역에 루팅회로 패턴층(5)을 형성하는 공정과, 마스크층(8)과 루팅회로 패턴층(5)과 기체 시트(2) 상에 금속 박막층(3)을 형성하는 공정과, 마스크층(8)과 마스크층(8) 상에 형성된 금속 박막층(3)을 용매에 의해 박리 제거해서 기체 시트(2) 상과 루팅회로 패턴층(5) 상에 금속 박막층(3)을 형성하는 공정과, 기체 시트(2)와 루팅회로 패턴층(5) 상에 형성한 금속 박막층(3) 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층(4)을 형성하는 공정을 구비하고 있다.

도 16(a)를 참조하면, 제3 실시형태의 전사 시트의 제조방법의 제1 공정에서는 기체 시트(2) 상에 부분적으로 마스크층(8)을 형성한다.

도 16(b)를 참조하면, 제2 공정에서는 마스크층(8)이 형성되어 있지 않은 기체 시트(2) 상의 영역에 루팅회로 패턴층(5)을 형성한다. 루팅회로 패턴층(5)의 형성방법으로는 스크린인쇄, 그라비아인쇄, 잉크 제트 인쇄, 凸판 인쇄 등의 인쇄법을 들 수 있다. 루팅회로 패턴층(5)의 재질로는, 금, 은, 동, 알루미늄, 니켈, 바라듐 등의 금속이나, 당해 금속의 분말을 포함하는 도전성 잉크 외에, 카본 등의 유기계 도전체 등을 포함하는 도전성 물질을 들 수 있다.

도 16(c)를 참조하면, 제3 공정에서는 기체 시트(2)와 마스크층(8)과 루팅회로 패턴층(5) 상에 금속 박막층(3)을 형성한다.

도 16(d)를 참조하면, 제4 공정에서는 마스크층(8) 및 그 위에 형성된 금속 박막층(3)을 용매에 의해 박리 제거해서, 기체 시트(2)와 루팅회로 패턴층(5) 상에 금속 박막층(3)을 형성한다.

도 16(e)를 참조하면, 제5 공정에서는 기체 시트(2)와 루팅회로 패턴층(5) 상에 형성한 금속 박막층(3) 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층(4)을 형성한다.

상기 제1 공정으로부터 제5 공정까지의 공정을 거치는 것에 의해 전사 시트를 얻을 수가 있다.

한편, 필요에 따라 제5 공정 후에, 투명 도전막층(4) 상에 접착층(7)을 형성하여도 좋다. 접착층(7)의 재질, 형성방법은 상기와 마찬가지이다.

한편, 필요에 따라 제1 공정 앞에, 기체 시트(2) 상에 이형층(6)을 형성하여도 좋다. 이형층(6)의 재질, 형성방법은 상기와 마찬가지이다.

한편, 필요에 따라 루팅회로 패턴층(5)을 형성하는 공정을, 마스크층(8)을 형성하는 공정 전에 실행하여도 좋다. 이와 같이 구성함으로써, 마스크층이 투명 또는 반투명에서 루팅회로 패턴층(5)과의 위치맞춤이 어려운 경우에 불투명한 루팅회로 패턴층(5)을 먼저 설치함으로써 위치맞춤을 쉽게 할 수가 있다.

한편, 필요에 따라 루팅회로 패턴층(5)을 형성하는 공정을, 금속 박막층(3)을 형성하는 공정과 마스크층(8)을 박리 제거하는 공정 사이에 실행하여도 좋다. 이 경우, 루팅회로 패턴층(5)은 기체 시트(2) 상에 형성된 금속 박막층(3) 상에 있어서, 그 아래에 마스크층이 형성되어 있지 않은 금속 박막층(3) 위에 형성된다. 이와 같이 구성함으로써, 금속 박막층(3)을 제거하는 것만으로, 루팅회로 패턴층(5)을 노출시킬 수가 있어 때문에, 외부회로와의 전기 접속이 용이하게 될 수 있다.

한편, 필요에 따라 루팅회로 패턴층(5)을 형성하는 공정을, 마스크층(8)을 박리 제거하는 공정과 투명 도전막층(4)를 형성하는 공정 사이에 실행하여도 좋다. 이 경우, 루팅회로 패턴층(5)은 기체 시트(2)으로부터 박리 제거되지 않았던 금속 박막층(3) 상의 일부에 형성된다. 이와 같이 구성함으로써, 루팅회로 패턴층(5)은 마스크층(8)을 박리 제거하는 공정에서 사용하는 용매의 영향을 직접 받지 않기 때문에, 루팅회로 패턴층(5)은 부식 등의 결함을 고려에 넣는 것 없이 형성될 수 있다.

한편, 필요에 따라 루팅회로 패턴층(5)을 형성하는 공정을 투명 도전막층(4)을 형성하는 공정 후에 실행하여도 좋다. 이 경우, 루팅회로 패턴층은 투명 도전막층 위에 형성된다. 이와 같이 구성함으로써, 전사 후의 루팅회로 패턴층 상에는 투명 도전막층이 형성되기 때문에, 루팅회로 패턴층은 투명 도전막층에 의해 보호된다.

도 17은 제3 실시형태의 전사 시트의 제조방법의 제2 실시형태를 나타낸 것이다. 전사 시트의 제조방법에서의 기본적인 구성은 제1 실시형태의 제조방법과 같기 때문에, 여기서는 차이점에 대해서만 설명한다.

도 17을 참조하면, 제2 실시형태는 기체 시트(2) 상에 부분적으로 루팅회로 패턴층(5)을 형성하는 공정과, 루팅회로 패턴층(5)과 기체 시트(2) 상에 금속 박막층(3)을 형성하는 공정과, 기체 시트(2) 상에 형성된 금속 박막층(3) 상에 레지스트층(9)을 부분적으로 형성하는 공정과, 레지스트층(9)이 형성되지 않은 장소의 금속 박막층(3)을 용매에 의해 박리 제거해서, 기체 시트(2) 상에 부분적으로 금속 박막층과 레지스트층(9)을 형성하는 공정과, 용매를 이용해서 레지스트층(9)을 제거하고 금속 박막층(3)을 표면에 노출시키는 공정, 및 표면에 노출된 금속 박막층(3) 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층(4)을 형성하는 공정을 구비하고 있다.

도 17(a)를 참조하면, 제1 공정에서는 기체 시트(2) 상에 부분적으로 루팅회로 패턴층(5)을 형성한다.

도 17(b)를 참조하면, 제2 공정에서는 루팅회로 패턴층(5)과 기체 시트(2) 상에 금속 박막층(3)을 형성한다.

도 17(c)를 참조하면, 제3 공정에서는 기체 시트(2) 상에 형성된 금속 박막층(3) 상에 레지스트층(9)을 부분적으로 형성한다.

단, 미세패턴화하는 경우는, 레지스트층으로서 포토레지스트에 가능한 수지, 예컨대 노볼락 수지나 테트라메틸 암모늄 하이드로 옥사이드 등을 이용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 레지스트층을 상기 방법으로 형성한 후, 레지스트층에 광을 조사하고 조사한 부분을 반응 경화시키는 노광 공정을 거친 후, 광조사되어 있지 않은 부분을 제거하는 현상 공정을 거쳐 레지스트층을 부분적으로 형성한다.

도 17(d)를 참조하면, 제4 공정에서는 레지스트층(9)이 형성되지 않은 장소의 금속 박막층(3)을 용매에 의해 박리 제거해서, 기체 시트(2) 상에 부분적으로 금속 박막층(3)과 레지스트층(9)을 형성한다.

도 17(e)를 참조하면, 제5 공정에서는 용매를 이용해서 레지스트층(9)을 제거하고, 금속 박막층(3)을 표면에 노출시킨다. 레지스트층(9)을 제거하는 용매로는, 유기 제4급 염기를 이용할 수 있다. 유기 제4급 염기로는 수산화 테트라메틸 암모늄, 수산화 테트라부틸암모늄을 들 수가 있다

상기 제1 공정으로부터 제5 공정까지의 공정을 거치는 것에 의해, 마스크층(8)에서 금속 박막층(3)을 패터닝하는 경우와 비교해서, 정밀 미세한 패터닝이 가능해지게 된다.

한편, 필요에 따라 제5 공정 후에, 접착층(7)을 형성하여도 좋다. 접착층(7)의 재질, 형성방법은 상기와 마찬가지이다.

한편, 필요에 따라 제1 공정 전에 기체 시트(2) 상에 이형층(6)을 형성하여도 좋다. 이형층(6)의 재질, 형성방법은 상기와 마찬가지이다.

한편, 필요에 따라 루팅회로 패턴층(5)을 형성하는 공정을, 금속 박막층(3)을 형성하는 공정과 레지스트층(9)을 형성하는 공정 사이에 실행하여도 좋다. 이 경우, 루팅회로 패턴층(5)은 기체 시트(2) 상에 형성된 금속 박막층(3) 상의 일부분에 형성된다. 레지스트층(9)은 루팅회로 패턴층(5) 상과, 금속 박막층(3) 상에 부분적으로 형성된다. 이와 같이 구성함으로써, 레지스트층이 투명 또는 반투명에서 루팅회로 패턴층과의 위치맞춤이 어려운 경우에, 불투명한 루팅회로 패턴층을 먼저 설치함으로써 위치맞춤을 쉽게 할 수 있다.

한편, 필요에 따라 루팅회로 패턴층(5)을 형성하는 공정을, 레지스트층(9)을 제거해서 금속 박막층(3)을 표면에 노출시키는 공정과 투명 도전막층(4)을 형성하는 공정 사이에 실행하여도 좋다. 이 경우, 루팅회로 패턴층은 기체 시트 상에 부분적으로 형성된 금속 박막층의 일부에 형성된다. 이와 같이 구성함으로써, 금속 박막층을 제거하는 것만으로, 루팅회로 패턴층을 노출시킬 수 있기 때문에, 외부회로와의 전기 접속이 용이하게 될 수 있다.

한편, 필요에 따라 루팅회로 패턴층(5)을 형성하는 공정을 투명 도전막층(4)을 형성하는 공정 후에 실행하여도 좋다. 이 경우, 루팅회로 패턴층(5)은 투명 도전막층(4) 위에 형성된다. 이와 같이 구성함으로써, 전사 후의 루팅회로 패턴층 상에는 투명 도전막층이 형성되기 때문에, 루팅회로 패턴층은 투명 도전막층에 의해 보호된다.

다음에, 상기 전사 시트를 이용해서 작성되는 투명 도전물에 대해 설명한다.

도 18은 제1, 제2 실시형태에 따른 전사 시트를 이용해서 제조된 투명 도전물(11)을 나타낸 도면이다. 도 18을 참조하면, 본 발명의 투명 도전물(11)은 피전사체(10)와, 피전사체(10) 상에 형성된 루팅회로 패턴층(5), 투명 도전막층(4)으로 구성되어 있다.

피전사체(10)는 투명으로, 도전성을 갖고 있지 않고, 어느 정도의 경도를 갖는 한, 특히 제한은 없고, 필름 형상의 것 외에, 3차원 형상의 성형품이어도 상관이 없다. 피전사체(10)의 재질로서, 예컨대 유리, 폴리에틸렌텔레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리플로피렌, 폴리스티렌, 폴리에스테르, 폴리카보네이트(PC), 폴리염화비닐, 아크릴 등이 있다. 필름 형상의 피전사체(10)의 두께는 30∼200㎛인 것이 바람직하다.

도 19는 본 발명의 제3∼제7 실시형태에 따른 전사 시트를 이용해서 제조된 투명 도전물(11)을 나타낸 도면이다. 본 형태에 있어서 투명 도전물의 기본적인 구성은 상기 투명 도전물과 같기 때문에, 여기서는 차이점에 대해서만 설명한다. 도 19를 참조하면, 본 발명의 투명 도전물(11)은 피전사물(10)과, 피전사물(10) 상에 형성된 접착층(7), 루팅회로 패턴층(5), 투명 도전막층(4)으로 구성되어 있다.

마지막으로, 상기 투명 도전물의 제조방법에 대해 설명한다.

본 발명에서의 투명 도전물이라는 것은 투명으로 도전성을 가진 것을 말한다. 투명 도전물은 본 발명의 전사 시트의 피전사체로의 전사와, 금속 박막층의 제거에 의해 얻어진다. 이하에서 투명 도전물의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.

먼저, 전사에 대해 설명한다. 피전사체의 형상이 유연성이 있는 2차원 형상인 경우는 롤 전사법, 업다운 전사법 등, 3차원 형상인 경우는 롤 전사법, 업다운 전사법에 부가하여, 패드 전사법, 진공 전사법, 성형동시전사법이 있다. 롤 전사법에서는 실리콘 고무제의 원주 형상의 열(熱) 롤을 구비한 전사 기가 있고, 전사 시트가 피전사체에 접해서 상기 롤로 압압하여 박리성을 가진 기체 시트를 제거한다. 업다운 전사법에는 가열된 평면 형상의 러버를, 전사 시트가 피전사체에 압압하여, 박리성을 가진 기체 시트를 제거한다. 패드 전사법에서는 피전사체의 형상에 대응한 형상의 패드를 이용한다. 진공 전사법에서는 피전사체의 형상에 대응한 금형에 미소 구멍을 설치하고, 감압시켜 과열한 상태에서, 전사 시트를 금형의 형상에 따르도록 밀착시킨다. 그 전사 시트 위로 피전사체를 접착시키고, 박리성을 가진 기체 시트를 제거한다. 전사는 온도 70∼280℃, 압력 40∼180kg/m²의 조건에서 수행된다. 이들의 전사법의 선택에서는 전사 시에 열과 압력이 균일하게 부여되도록 하기 때문에, 피전사체의 형상에 의해 결정된다. 업다운 전사에서는 대략 평면 형상의 피전사체에 유효하고, 롤 전사에서는 대략 평면 형상 또는 단면이 단순한 형상의 피전사체에 유효하다. 복잡한 형상인 경우에는 패드 전사, 진공 전사가 유효하게 된다.

더욱이, 입체적 형상으로의 전사에는 진공성형법이 유효하다. 이하에서 진공 성형법의 설명을 한다. 도 20(a)를 참조하면, 먼저, 전사 시트(1)를 사출성형용 금형의 가동 몰드(15) 측에 그 접착면이 고정 몰드(16) 측으로 되도록 설치한다. 가동 몰드(15)와 고정 몰드(16) 사이에 설치한 가열판(17)에 의해 전사 시트에 열을 부여하고 연화시키고, 동시에 가동 몰드의 복수의 미세한 구멍(진공 구멍(18))으로부터 공기를 배기 흡인해서 가동 몰드와 전사 시트로 형성되는 공간의 압력을 감소시킨다. 도 20(b)를 참조하면, 이에 의해 당해 공간이 없게 되어 연화된 전사 시트가 가동 몰드에 따라 입체적 형상으로 된다. 여기서, 가동 몰드의 형상은 원하는 투명 도전물의 한쪽의 형상에 대응하는 것이다. 얻어진 입체적 형상의 전사 시트를 상기의 어느 하나의 전사법에 의해 피전사체로 전사한다. 도 20(c), (d)를 참조하면, 예컨대 당해 입체적 형상의 전사 시트를 피전사체에 일치시키고, 롤 전사기에 의해 전사한다.

이에 대해 전사와 동시에 성형을 실행하는 양산성이 우수한 성형동시전사법에 의한 전사가 있다. 여기서, 성형동시전사법이라는 것은 전사 시트를 금형으로 몰드닫힘해서 끼워넣고, 용융한 성형 수지를 사출성형하면 동시에 수지 성형품에 전사 시트 상의 투명 도전층 등을 접착시켜 성형과 동시에 상기 기능층(투명 도전막층 등)을 전사해서, 그 표면에 기능층을 포함하는 성형 수지품을 얻는 방법을 말한다. 도 21(a)를 참조하면, 본 발명의(투명 도전부(8)에도 루팅회로가 있는) 전사 시트(1)를 가동 몰드(15) 측에 전사 시트(1)의 접착층(5)이 고정 몰드(16)로 향하도록 설치한다. 도 21(b)를 참조하면, 몰드폐쇄를 한다. 여기서, 가동 몰드(15)와 고정 몰드(16)의 몰드닫힘으로 형성되는 공간(성형공간부(21))의 폭, 높이, 패어듦 형상이, 각각 투명 도전물의 원하는 폭, 높이, 패어듦과 형상에서 상당한다. 도 21(c)를 참조하면, 몰드닫힘한 상태에서, 용융한 성형 수지(22)가 게이트부(23)를 매개로 성형공간부(21) 내에 주입되어 고화되면, 전사 시트(1)와 성형 수지(22)가 일체 접착된다. 몰드 열림을 해서 전사 시트(1)의 기체 시트(2)를 제거하면, 투명 도전막층(4)을 포함하는 층(24)이 성형 수지품(투명 도전물)(25)의 표면에 형성된다.

성형수지는 고온에서 용해상태로 되는 수지라면 특히 제한은 없다. 폴리에틸렌, 아크릴계 수지, 폴리스틸렌계 수지, 폴리 아크릴로니트릴 스티렌계 수지, 폴리에스테르, 폴리카보네이트 등을 이용할 수 있다.

보다 복잡한 형상으로 전사하는 경우는 전사 시트의 신장이 피전사체의 형상에 따라갈 수 없다. 그 결과, 투명 도전막층의 왜곡이나 파괴 등의 문제가 발생하는 것으로 된다. 이 문제에 대응하기 위해, 미리 진공성형법에 의해 전사 시트를 성형한 후에, 성형동시전사법에 의해 3차원 형상 표면에 전사하는 방법이 채용된다. 도 20(b)에서 입체적 형상의 전사 시트가 얻어진 상태에서, 가열판(17)을 제거하고, 몰드닫힘하고, 성형 수지(22)를 성형공간부(21)에 주입하는 것에 의해 전사 시트와 일체화하고, 몰드 열림하여 박리성을 가진 기체 시트를 제거함으로써 투명 도전물을 얻을 수가 있다.

에칭 액은 금속 박막층을 제거하기 위한 에칭에 이용된다. 당해 금속 박막층은, 투명 도전막층의 주 성분인 그라펜 생성에 있어서 촉매로서의 역할이 있고, 구체적으로는 동, 니켈, 루테늄, 철, 코발트, 이리듐, 백금 등이다. 에칭액의 pH와 조성에 대해서는, 기본적으로는 금속 박막층에 이용되는 금속과의 관계에서, 전위-pH도(금속-수계)(金屬―水系)를 참고로 하면 좋다. 금속이 화학반응을 일으키지 않고 안정되게 존재하는 불변태 영역(不變態領域)과, 특정한 전위-pH 조건에서 초기에 화학반응을 일으켜 당해 조건에서 화확적으로 불활성인 화학종이 생성되는 부동태영역(不動態領域) 이외의, 금속이 부식하고 금속이온 또는 금속화합물의 이온이 안정되게 존재하는 부식 영역의 pH와 전위로 되도록 에칭액을 선정한다. 예컨대, 니켈의 부식 영역은, -0.4V≤전위≤＋0.4V에서 pH=6, 또는＋0.4V＜전위≤＋1.5V에서 pH≤0으로 되고, 동의 부식 영역은 전위≥＋0.2V에서, pH≤7 또는 pH≥11로 된다. 과산화수소, 과망간산칼륨, 과황화 암모늄 등과 같은 산화제, 또는 당해 산화제와 황산 등의 산과의 조합 등에 의해 조정된다. 더욱이, 수소의 발생이 일어나지 않는 것이 보다 바람직하다. 수소의 표준 전극 전위 E(vs SHE)인 0.00V 보다 큰 전위이면, 수소는 발생하지 않는다. 이러한 점에서, 동(銅)의 E는＋0.34V로서 수소의 E=0.00V(수소) 보다 커지게 되어 부식 영역에서는 수소는 발생하지 않는다. 부가하여, 산소가 존재하지 않는 것이 보다 바람직하다. 산소가 존재하면, 물과의 반응에 의해 OH－가 발생하여 pH 값이 증가하고, 적절한 pH 범위에 속하지 않게 되는 가능성이 있기 때문이다. 그 외, 에칭액의 침지 시간, 침지 온도 등의 조건은 금속 박막층의 두께, 면적에 의해 조정한다.

투명 도전층이 2층 형성된 투명 도전물은 투명 도전막층(4)의 주변에만 루팅회로가 있는 전사 시트(1)를 이용해서 제작된다. 도 22(a)를 참조하면, 투명 도전막층의 주변에 루팅회로가 있는 전사 시트를 유연성이 있는 투명기판(피전사체(10))에 롤 전사 등의 가압 가열에 의해 일체 접착시킨다. 도 22(b)를 참조하면, 다음에 기체 시트(2)를 제거하고, 에칭액에 담그어 금속 박막층(3)을 제거한다.

금속 박막층의 제거는 습식 에칭에 의해 수행된다. 습식 엣칭법에는 에칭액을 분무형상으로 뿜는 스프레이법, 에칭액에 담그어 끌어올리는 디프법 등이 있다. 예컨대, 표면에 투명 도전막층을 포함하는 층을 전사한 피전사체를 에칭액에 침지함으로써 금속 박막층을 제거할 수 있다. 그리고, 투명 도전층이 1층 형성된 투명 도전물이 얻어진다.

도 22(c)를 참조하면, 이에 의해, 유연성이 있는 2차원의 투명 도전물(11)이 얻어진다. 마지막으로, 앞에서 설명한 롤 전사법, 업다운 전사법, 패드 전사법, 진공 전사법 등을 이용해서, 3차원의 투명 도전물의 투명 도전층과 대향하도록 2차원의 투명 도전물을 접착시키는 것으로 얻어진다. 도 22(d)에서는, 롤 전사법에 의한 전사를 나타내고 있다.

여기서, 3차원의 투명 도전물과 2차원의 투명 도전물의 접착에 있어서, 투명성이면서 절연성의 접착제를 이용하면, 정전용량형의 터치패널에 이용할 수 있다. 당해 접착층을 이용함으로써, 접착층에 접하는 층간을 보유지지하는 이외에, 공기층을 설치하지 않은 것으로 의한, 뉴턴 링에 의한 외관 불량이 해소되는 효과 및 투명 전극 간 거리를 조정하는 스페이서의 효과가 있다. 다른 한편, 투명성이면서 압력 도전성의 접착제를 이용하면, 저항막 방식의 터치패널에 이용할 수 있다. 투명성이면서 압력 도전성의 접착제에 의해 투명 전극 간에 압력 도전층을 설치하면, 앞에서 설명한 스페이서에 의한 절연, 층간접착, 외관 불량의 해소라는 효과가 얻어질 수 있다.

더욱이, 접착제로서 압력 도전성의 접착제를 이용하면, 터치패널 기능의 신뢰성이 향상된다. 한편, 압력 도전성의 접착제는 본 발명의 압력 도전층을 구성한다. 압력 도전층은 복수의 투명성의 도전성 물질이 절연성의 투명한 수지에 분산되어 있다. 압력 도전층에 외부로부터의 압력이 없는 상태에서는, 도통하지 않고 절연성을 갖는다. 외부로부터의 압력이 가해지면, 압력 도전층의 형상 변화에 의해 복수의 도전성의 물질 사이의 상대적 거리가 가깝게 되는 것으로 도전성 물질이 접하고 또는 터널 전류를 발생시키는 것으로 저항값이 감소하여 압력 방향으로 전류가 흐른다. 터치패널에서는 압압 방향이 투명 전극 간의 방향과 일치하기 때문에, 그 사이의 저항값이 내려가서 전류가 흘러 위치 검출이 가능해지게 된다. 한편, 투명 전극 평면 방향은 압력이 걸려 있지 않기 때문에, 절연성을 유지한 채이고, 위치 검출에 있어서 문제로 되지는 않는다. 압력 도전층은 수지와 도전성 물질로 이루어진다. 당해 수지는 투명성이 있고 절연성이면 특히 제한은 없다. 예컨대, 아크릴계 또는 비닐계가 있다. 당해 도전성 물질은 투명성이 있고 도전성이 있으며, 시인성이 낮으면 특히 제한은 없다. 크기는 가시광 영역의 파장 이하이면, 보다 바람직하다. 재질은, 금, 은, 동, 알루미늄 등의 금속이나 그 합금, ITO, 산화아연(ZnO2) 등의 금속산화물이다.

＜제2 실시형태의 전사 시트의 실시예＞

실시예 1

표면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.4㎚인 두께 30㎛의 폴리이미드 필름으로 이루어진 기체 시트 상에 폴리비닐알코올 수지를 이용해서 마스크층을 옵셋인쇄법으로 부분적으로 형성하였다. 상기 마스크층을 건조시킨 후, 스퍼터링법을 이용해서 금속 박막층(두께 100㎚의 Cu층)을 상기 기체 시트와 상기 마스크층 상에 형성하였다. 그 후, 수세(水洗)에 의해 상기 마스크층과, 상기 마스크층 상에 형성된 금속 박막층을 제거함으로써, 부분적으로 형성된 금속 박막층을 얻었다. 그리고 얻어진 시트를 챔버 내에 설치하고, 챔버 내의 메탄과 알곤으로 이루어진 원료 가스(분압비 메탄 : 알곤 = 1 : 1)의 압력이 일정(360Pa)으로 되도록, 챔버 내로의 당해 원료 가스의 유입 속도와 펌프에 의한 배기 속도를 조정하였다. 이 상태에서, 마이크로파 플라즈마 CVD에 의해 380℃, 40초의 조건에서 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하였다. 마지막으로, 투명 도전막층 상에 전체 면에 접착층을 형성하고, 전사 시트를 얻었다.

실시예 2

표면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 17㎚인 시트를 이용한 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 조작을 해서 전사 시트를 얻었다.

실시예 3

금속 박막층의 두께를 0.02㎛으로 한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지 조작을 해서, 전사 시트를 얻었다.

실시예 4

금속 박막층의 두께를 0.8㎛ 으로 한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지 조작을 해서, 전사 시트를 얻었다.

실시예 5

두께 30㎛의 폴리이미드 필름으로 이루어진 기체 시트 상에 마스크층을 형성하기 전에, 상기 기체 시트 상에 불소계 수지를 이용해서, 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.2㎚ 이형층을 형성한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지 조작을 해서 전사 시트를 얻었다.

비교예 1

표면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.08㎚인 기체 시트를 이용한 것 외는, 실시예 1과 마찬가지 조작을 해서 전사 시트를 얻었다.

비교예 2

표면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 22㎚인 기체 시트를 이용한 것외는, 실시예 1과 마찬가지 조작을 해서 전사 시트를 얻었다.

비교예 3

금속 박막층의 두께를 0.007㎛으로 한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지 조작을 해서 전사 시트를 얻었다.

비교예 4

표면의 산술 평균 거칠기를 20㎚ 및 금속 박막층의 두께를 1.3㎛으로 한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지 조작을 해서 전사 시트를 얻었다.

비교예 5

이형층 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)를 0.08㎚으로 한 것 이외는, 실시예 5와 마찬가지 조작을 해서 전사 시트를 얻었다.

실시예 1∼5, 비교예 1∼5로 얻어진 전사 시트를 폴리에틸렌텔레프탈레이트에 첩착한 후, 기체 시트 또는 기체 시트와 이형층을 피전사물로부터 박리하였다. 그리고, 기체 시트 또는 이형층 상에 부착되어 있는 잔류물의 양을 비교 검토하였다. 그러면 피전사물의 표면에 형성되어 있는 금속 박막층 만을 에칭액에 의해 제거해서 피전사물과 투명 도전막층으로 이루어진 투명 도전물 1∼5를 얻었다. 비교예 1∼5로 얻어진 전사 시트에 대해서도 마찬가지로 상기 조작을 수행하고 투명 도전물 6∼10을 얻었다.

기체 시트 또는 이형층의 표면거칠기의 측정

기체 시트 또는 이형층의 표면거칠기는 주식회사 고사카연구소제(F3500D) 를 이용해서 (JIS)B0601－1994에 준하는 방법에 의해 측정하였다.

전사 시트의 평가

실시예 1∼5로 얻어진 전사 시트를 피전사체인 폴리에틸렌텔레프탈레이트에 첩착한 후, 기체 시트 또는 기체 시트와 이형층을 피전사물로부터 박리하고, 상기 기체 시트 또는 이형층 상에 부착되어 있는 잔류물의 량을 측정하였다. 그 결과, 비교예 1, 5의 전사 시트를 이용한 경우를 제외하고, 잔류물을 육안으로는 거의 관찰 할 수 없었다. 비교예 1, 5의 전사 시트를 이용한 경우는, 그 이외의 전사 시트를 이용한 경우와 달리 잔류물의 존재를 발견할 수가 있었다.

투명 도전물의 평가

투명 도전물 1∼10에 대해, 도전성의 오차 정도를 평가하였다. 평가방법은 패터닝한 투명 도전막층에 있어서 동일 형상의 임의의 단자 간 저항을 10회 측정해서, 얻어진 저항값의 평균치 및 표준편차를 산출하였다. 그 결과, 저항값의 평균치는, 투명 도전물 1∼5 쪽이 투명 도전물 6∼10 보다 작게 되었다. 저항값의 표준편차는 투명 도전물 1∼5 쪽이 투명 도전물 6∼10보다 작게 되었다. 이로부터, 투명 도전물 1∼5 쪽이 작고 안정된 저항값을 나타냄을 알 수 있었다. 이상으로부터, 실시예 1∼5의 전사 시트를 이용해서 얻어지는 투명 도전물 1∼5는 양호한 도전성을 갖는 것을 알았다.

＜제3 실시형태의 전사 시트의 실시예＞

실시예 1

표면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 7㎚인 두께 25㎛의 폴리아라미드 필름으로 이루어진 기체 시트((제품명) 미크트론(회사명) 토오레 주식회사) 상에 폴리비닐알코올 수지를 이용해서 마스크층을 옵셋인쇄법으로 부분적으로 형성하였다. 상기 마스크층을 건조시킨 후, 스퍼터링법을 이용해서 금속 박막층(두께 100㎚의 Cu층)을 상기 기체 시트와 상기 마스크층 상에 형성하였다. 그 후, 수세에 의해 상기 마스크층과, 상기 마스크층 상에 형성된 금속 박막층을 제거함으로써 부분적으로 형성된 금속 박막층을 얻었다. 그리고 얻어진 시트를 챔버 내에 설치하고, 챔버 내의 메탄과 알곤으로 이루어진 원료 가스(분압 비 메탄 : 알곤 = 1 : 1)의 압력이 일정(360Pa)으로 되도록 챔버 내로의 당해 원료 가스의 유입 속도와 펌프에 의한 배기 속도를 조정하였다. 이 상태에서, 마이크로파 플라즈마 CVD에 의해 380℃, 40초의 조건에서, 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하였다. 그리고, 은 페이스트 SAP－15 (제품명)((회사명) 산와 화학공업 주식회사)를 이용해서 루팅회로 패턴층을 투명 도전막층 상에 형성하고, 마지막으로 전체면에 접착층을 형성하여 전사 시트를 얻었다.

실시예 2

표면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 17㎚인 기체 시트를 이용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지 조작을 해서 전사 시트를 얻었다.

실시예 3

금속 박막층의 두께를 0.01㎛으로 한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지 조작을 해서 전사 시트를 얻었다.

실시예 4

금속 박막층의 두께를 0.8㎛으로 한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지 조작을 해서 전사 시트를 얻었다.

실시예 5

두께 25㎛의 폴리아라미드 필름으로 이루어진 기체 시트((제품명) 미크트론 (회사명) 토오레 주식회사) 상에 마스크층을 형성하기 전에, 상기 기체 시트 상에 불소계 수지를 이용해서, 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 0.2㎚인 이형층을 형성한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지 조작을 해서 전사 시트를 얻었다.

비교예 1

표면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 20㎚인 이형층을 형성하고, 금속 박막층의 두께를 0.9㎛으로 한 것 이외는, 실시예 5과 마찬가지 조작을 해서 전사 시트를 얻었다.

비교예 2

표면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 22㎚인 기체 시트를 이용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지 조작을 해서 전사 시트를 얻었다.

비교예 3

비교예 4

표면의 산술 평균 거칠기를 20㎚으로 하고, 금속 박막층의 두께를 0.9㎛으로 한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지 조작을 해서 전사 시트를 얻었다.

비교예 5

금속 박막층의 두께를 1.3㎛으로 한 것 이외는, 실시예 5와 마찬가지 조작을 해서 전사 시트를 얻었다.

다음에, 실시예 1∼5 및 실시예 1∼5로 얻어진 전사 시트를 피전사물인 200㎛의 폴리에틸렌텔레프탈레이트 필름에 첩착한 후, 전사 시트의 일부인 기체 시트 또는 기체 시트와 이형층을, 피전사물로부터 박리하고, 피전사물의 표면에 형성되어 있는 금속 박막층 만을 에칭액으로 제거해서, 피전사물과 투명 도전막층으로 이루어진 투명 도전물을 얻었다.

기체 시트 또는 이형층의 표면거칠기의 측정

기체 시트 또는 이형층의 표면거칠기는 주식회사 고사카연구소제 F3500D을 이용해서, (JIS) B0601－1994에 준하는 방법으로 측정하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.

전사 시트의 이형성 평가

실시예 1∼5 및 비교예 1∼5로 얻어진 전사 시트의 이형성으로 대해, 투명 도전물에 대해 이하와 같이 평가하였다.

평가방법은, 또한 실시예 1∼5 및 실시예 1∼5의 전사 시트를 200㎛의 폴리에틸렌텔레프탈레이트 필름에 첩착하고, 기체 시트 또는 기체 시트 및 이형층을 상기 폴리에틸렌텔레프탈레이트 필름으로부터 박리한 후, 기체 시트 또는 이형층 상에 잔존하고 있는 금속 박막층의 비율을 측정함으로써 수행하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.

○ : 1㎠ 중 0.02㎠ 미만으로 금속 박막층이 기체 시트 또는 이형층에 부착되어 있었다.

△ : 1㎠ 중 0.02㎠ 이상 0.1㎠ 미만으로 금속 박막층이 기체 시트 또는 이형층에 부착되어 있었다.

투명 도전물의 안정성 평가

실시예 1∼5 및 비교예 1∼5의 전사 시트를 이용해서 작성한 투명 도전물에 대해, 도전성의 오차 정도를 이하와 같이 평가하였다. 평가방법은 패터닝한 투명 도전막층에 있어서 동일 형상의 임의의 단자 간 저항을 10회 측정해서, 얻어진 저항값의 표준편차를 산출하고, 이하와 같이 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.

○ : 평균치±1σ (표준편차) 이내

△ ：평균치±2σ(표준편차) 이내

× : 평균치±2σ (표준편차)를 넘음

투명 도전물의 도전성 평가

실시예 1∼5 및 비교예 1∼5의 전사 시트를 이용해서 작성한 투명 도전물의 도전성에 대해 이하와 같이 평가하였다.

평가방법은 미쓰비시유화(주)제 표면저항계(로레스타 IP)에 의해 막 표면의 표면 저항치를 측정하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.

○ ： 표면저항치가 200Ω/□ 미만

△ ： 표면저항치가 200Ω/□ 이상, 500Ω/□ 이하

× : 표면저항치가 500Ω/□를 넘음

투명 도전물의 투명성 평가

실시예 1∼5 및 비교예 1∼5의 전사 시트를 이용해서 작성한 투명 도전물의 투명성에 대해 이하와 같이 평가하였다. 평가방법은 JIS－K－7361에 따라, 전광선투과율(全光線透過率)을 (주)무라카미 색채 기술 연구소의 헤이즈미터 HR－100으로 펑가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.

○ ： 전광선투과율 90% 이상

△ ： 전광선투과율 80% 이상 90%미만

[표 1]

＜터치패널의 제조 실시예＞

실시예 1

두께 30㎛의 폴리이미드 필름으로 이루어진 기체 시트 상에 불소계 수지로 이루어진 이형층을 형성하고(형성 후의 표면의 산술 평균 거칠기 (Ra) = 0.1㎚), 당해 이형층 상에 폴리비닐알코올 수지로 이루어진 용매 가용성의 마스크층을 옵셋인쇄법으로 형성하고, 건조 후, 스퍼터링법으로 금속 박막층(두께 300Å의 Cu층)을 전체면에 형성하였다. 그 후, 수세에 의해 용매 가용성의 마스크층과 더불어 그 위에 형성된 장소의 금속 박막층을 제거함으로써, 패터닝된 금속 박막층을 형성하였다. 다음에, 상기 시트를 메탄과 알곤으로 이루어진 원료 가스(분압비 메탄 : 알곤 = 1 : 1)가 충전된 챔버 내로 도입하고, 마이크로파 플라즈마 CVD에 의해 380℃, 40초의 조건에서, 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하였다. 투명 도전막층은 패턴화되고, 그리고 나서 전체면에 접착층을 형성하고, 전사 시트를 제작하였다. 상기에서 얻어진 전사 시트에 의해 PET 필름에 전사해서 과산화수소-황산계의 에칭액에 담그어 2차원의 투명 도전물을 제작하였다. 실시예 1에서 얻어진 별개의 전사 시트를 성형동시전사법에 의해, 폴리스틸렌 수지를 이용해서 완형(椀型)의 외면에 투명 도전층을 포함하는 층을 전사해서, 과산화수소-황산계의 에칭액에 침지함으로써, 금속 박막층을 제거하였다. 투명 도전층이 서로 대향하도록 상기 얻어진 2차원의 투명 도전물을 3차원의 투명 도전물에 압력 도전층으로 이루어진 접착제에 의해 첩부하였다.

얻어진 투명 도전물로 터치패널을 제작하였다. 양호한 동작 기능을 얻을 수가 있었다.

1 --- 전사 시트
2 --- 기체 시트
3 --- 금속 박막층
4 --- 투명 도전막층
5 --- 루팅회로 패턴층
6 --- 이형층
7 --- 접착층
8 --- 마스크층
9 --- 레지스트층
10 --- 피전사물
11 --- 투명 도전물

Claims

이형성과 평활성을 구비하는 기체 시트와,
상기 기체 시트의 평활성을 반영하도록 상기 기체 시트 상에 부분적 또는 전체면에 형성되는 금속 박박층, 및
상기 금속 박막층 상에 형성되고 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전사 시트.
평활성을 구비하는 기체 시트와,
상기 기체 시트의 평활성을 반영하도록 기체 시트 상에 부분적 또는 전체면에 형성되는 금속 박박층과,
상기 금속 박막층 상에 형성되고 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층, 및
상기 투명 도전막층의 일부 위에 형성되는 루팅회로 패턴층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전사 시트.
평활성을 구비하는 기체 시트와,
상기 기체 시트의 평활성을 반영하도록 기체 시트 상에 부분적으로 형성되는 금속 박막층과,
상기 금속 박막층 상에 형성되고, 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층, 및
상기 투명 도전막층과 상기 금속 박막층의 단면 형상에 따르도록 해서 상기 투명 도전막층의 단부로부터 상기 기체 시트에 걸쳐 연속적으로 형성되는 루팅회로 패턴층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전사 시트.
평활성을 구비하는 기체 시트와,
상기 기체 시트의 평활성을 반영하도록 기체 시트 상에 부분적으로 형성되는 금속 박막층과,
상기 금속 박막층 상에 부분적으로 형성되고, 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층과,
상기 투명 도전막층의 단면 형상에 따르도록 해서, 상기 투명 도전막층의 단부로부터 상기 금속 박막층에 걸쳐 연속적으로 형성되는 루팅회로 패턴층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전사 시트.
평활성을 구비하는 기체 시트와,
상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성되는 루팅회로 패턴층과,
상기 루팅회로 패턴층 상과, 상기 기체 시트 상의 루팅회로가 형성되어 있지 않은 영역에 상기 기체 시트의 평활성을 반영하도록 부분적 또는 전면적으로 형성되는 금속 박막층과,
상기 금속 박막층 상에 형성되고 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층, 및
상기 투명 도전막층 및 상기 기체 시트 위에 형성되는 루팅회로 패턴층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전사 시트.
평활성을 구비하는 기체 시트와,
상기 기체 시트의 평활성을 반영하도록 기체 시트 상에 부분적 또는 전체면에 형성되는 금속 박박층과,
상기 금속 박막층의 일부분에 형성되는 루팅회로 패턴층, 및
상기 루팅회로 패턴층과 병설하도록 상기 금속 박막층 위에 형성되는 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전사 시트.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 박막층의 두께가 0.01∼1㎛인 것을 특징으로 하는 전사 시트.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기체 시트 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)가 20㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 전사 시트.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기체 시트 상에 이형층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전사 시트.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 박막층 상에 접착층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전사 시트.
기체 시트 상에 마스크층을 부분적으로 형성하는 공정과,
상기 마스크층과 상기 이형성을 구비하는 기체 시트 상에 금속 박막층을 형성하는 공정과,
상기 마스크층과, 상기 마스크층 상에 형성된 상기 금속 박막층을 용매에 의해 박리 제거해서 상기 기체 시트 상에 부분적으로 상기 금속 박막층을 형성하는 공정, 및
상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성한 금속 박막층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전사 시트의 제조방법.
기체 시트 상에 금속 박막층을 형성하는 공정과,
상기 금속 박막층 상에 레지스트층을 부분적으로 형성하고, 상기 금속 박막층 상에 상기 레지스트층이 형성되는 장소와, 상기 레지스트층이 형성되지 않은 장소를 형성하는 공정과,
상기 레지스트층이 형성되지 않은 장소의 금속 박막층을 용매에 의해 박리 제거해서, 상기 기체 시트 상에 부분적으로 상기 금속 박막층과 상기 레지스트층을 형성하는 공정과,
상기 레지스트층을 용매를 이용해서 제거하고, 상기 금속 박막층을 표면에 노출시키는 공정, 및
상기 표면에 노출된 금속 박막층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전사 시트의 제조방법.
평활성을 구비하는 기체 시트 상의 일부분에 마스크층을 패턴 형성하는 공정과,
상기 기체 시트의 상기 마스크층이 형성되어 있지 않은 영역의 일부에 루팅회로 패턴층을 형성하는 공정과,
상기 기체 시트의 상기 마스크층과 상기 루팅회로 패턴층이 형성되어 있지 않은 영역에 금속 박막층을 형성하는 공정과,
상기 마스크층을 그 위에 형성된 금속 박막층의 일부와 함께 박리 제거하고, 금속 박막층을 기체 시트 상에 부분적으로 형성하는 공정, 및
상기 부분적으로 형성된 금속 박막층과 상기 루팅회로 패턴층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전사 시트의 제조방법.
평활성을 구비하는 기체 시트 상의 일부분에 루팅회로 패턴층을 형성하는 공정과,
상기 기체 시트 상의 상기 루팅회로 패턴층이 형성되어 있지 않은 영역과 상기 루팅회로 패턴층 상, 또는 상기 기체 시트 상의 상기 루팅회로 패턴층이 형성되어 있지 않은 영역에만 마스크층을 부분적으로 형성하는 공정과,
상기 기체 시트 상의 상기 마스크층과 상기 루팅회로 패턴층이 형성되어 있지 않은 영역과, 상기 마스크층 상, 및 상기 루팅회로 패턴층 상에 금속 박막층을 형성하는 공정과,
상기 마스크층을 그 위에 형성된 상기 금속 박막층의 일부와 함께 박리 제거하고, 상기 금속 박막층을 상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성하는 공정, 및
상기 부분적으로 형성한 금속 박막층 상과 상기 투명 도전막층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전사 시트의 제조방법.
평활성을 구비하는 기체 시트 상에 마스크층을 부분적으로 형성하는 공정과,
상기 기체 시트 상의 마스크층이 형성되어 있지 않은 영역과, 상기 마스크층에 금속 박막층을 형성하는 공정과,
상기 금속 박막층이 형성된 기체 시트 상의 상기 마스크층이 형성되어 있지 않은 영역에 루팅회로 패턴층을 형성하는 공정과,
상기 마스크층을 그 위에 형성된 금속 박막층의 일부와 함께 박리 제거하고, 상기 금속 박막층을 상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성하는 공정, 및
상기 부분적으로 형성된 금속 박막층 상과 상기 투명 도전막 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전사 시트의 제조방법.
평활성을 구비하는 기체 시트 상에 마스크층을 부분적으로 형성하는 공정과,
상기 기체 시트 상의 상기 마스크층이 형성되어 있지 않은 영역과, 상기 마스크층 상에 금속 박막층을 형성하는 공정과,
상기 마스크층을 그 위에 형성된 금속 박막층의 일부와 함께 박리 제거하고, 상기 금속 박막층을 기체 시트 상에 부분적으로 형성하는 공정과,
상기 부분적으로 형성한 금속 박막층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정, 및
상기 투명 도전막층 상에 루팅회로 패턴층을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전사 시트의 제조방법.
평활성을 구비하는 기체 시트 상에 마스크층을 부분적으로 형성하는 공정과,
상기 기체 시트 상의 마스크층이 형성되어 있지 않은 영역과, 상기 마스크층에 금속 박막층을 형성하는 공정과,
상기 마스크층을 그 위에 형성된 상기 금속 박막층의 일부와 함께 박리 제거하고, 상기 금속 박막층을 상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성하는 공정과,
상기 기체 시트 상의 상기 박리 제거된 마스크층이 형성되어 있던 영역, 또는 상기 영역과 상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성된 상기 금속 박막층에 루팅회로 패턴층을 형성하는 공정, 및
상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성된 상기 금속 박막층에 있어서 상기 루팅회로층이 형성되어 있지 않은 장소에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전사 시트의 제조방법.
평활성을 구비하는 기체 시트 상에 루팅회로 패턴층을 부분적으로 형성하는 공정과,
상기 기체 시트의 상기 루팅회로 패턴층이 형성되어 있지 않은 영역과 상기 루팅회로 패턴층 상에 금속 박막층을 형성하는 공정과,
상기 금속 박막층 상의 일부분에 레지스트층을 형성하는 공정과,
상기 레지스트층이 형성되어 있지 않은 부분의 금속 박막층을 제거한 후, 상기 레지스트층을 박리 제거하고, 상기 금속 박막층을 상기 기체 시트 또는 상기 루팅회로 패턴층 상에 부분적으로 형성하는 공정과,
상기 기체 시트 또는 상기 루팅회로 패턴층 상에 부분적으로 형성된 상기 금속 박막층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전사 시트의 제조방법.
평활성을 구비하는 기체 시트 상에 금속 박막층을 형성하는 공정과,
상기 금속 박막층 상에 루팅회로 패턴층을 부분적으로 형성하는 공정과,
상기 금속 박막층의 상기 루팅회로 패턴층이 형성되어 있지 않은 영역에 레지스트층을 부분적으로 형성하는 공정과,
상기 레지스트층이 형성되어 있지 않은 장소의 금속 박막층을 제거한 후, 상기 레지스트층을 박리 제거하고, 금속 박막층을 기체 시트 상에 부분적으로 형성하는 공정, 및
상기 부분적으로 형성한 금속 박막층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전사 시트의 제조방법.
평활성을 구비하는 기체 시트 상에 금속 박막층을 형성하는 공정과,
상기 금속 박막층 상에 레지스트층을 부분적으로 형성하는 공정과,
상기 금속 박막층의 상기 레지스트층이 형성되어 있지 않은 장소의 금속 박막층을 제거한 후, 레지스트층을 박리 제거해서, 상기 기체 시트 상에 상기 금속 박막층을 부분적으로 형성하는 공정과,
상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성된 상기 금속 박막층 상에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정, 및
상기 투명 도전막층 상에 루팅회로 패턴층을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전사 시트의 제조방법.
평활성을 구비하는 기체 시트 상에 금속 박막층을 형성하는 공정과,
상기 금속 박막층 상에 레지스트층을 부분적으로 형성하는 공정과,
상기 금속 박막층의 상기 레지스트층이 형성되어 있지 않은 장소의 금속 박막층을 제거한 후, 상기 레지스트층을 박리 제거해서, 상기 금속 박막층을 상기 기체 시트 상에 부분적으로 형성하는 공정과,
상기 금속 박막층 상에 루팅회로 패턴층을 부분적으로 형성하는 공정, 및
상기 금속 박막층의 상기 루팅회로 패턴층이 형성되어 있지 않은 영역에 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막층을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전사 시트의 제조방법.
그라펜을 주성분으로 하는 하나의 투명 도전부를 구비한 투명 도전물에 있어서,
2차원 형상의 유연성이 있는 투명기판과,
상기 투명기판의 어느 하나의 면에 형성된 수지층, 및
상기 수지층 상에 형성된 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전층으로 이루어진 투명 도전부로 이루어진 하나의 투명 도전막부를 구비하여 유연성을 가진 것을 특징으로 하는 투명 도전막물.
그라펜을 주성분으로 하는 2개의 투명 도전부를 구비한 투명 도전물에 있어서,
2차원 형상의 유연성이 있는 제1 투명기판과,
상기 제1 투명기판의 어느 하나의 면에 형성된 제1 수지층과, 상기 제1 수지층 상에 형성된 그라펜을 주성분으로 하는 제1 투명 도전층으로 이루어진 제1 투명 도전부와,
2차원 형상의 유연성이 있는 제2 투명기판과,
상기 제2 투명기판의 어느 하나의 면에 형성된 제2 수지층과,
상기 제2 수지층 상에 형성된 그라펜을 주성분으로 하는 제2 투명 도전층으로 이루어진 제2 투명 도전부로 이루어지고,
상기 제1 투명 도전부와 상기 제2 투명 도전부가 전기적으로 절연되도록 대향해서 위치하고, 유연성을 가진 2차원 형상인 것을 특징으로 하는 투명 도전물.
그라펜을 주성분으로 하는 하나의 투명 도전부를 구비한 투명 도전물에 있어서,
3차원 형상의 투명기판과,
상기 투명기판 의 어느 하나의 면에 형성된 수지층과,
상기 수지층 상에 형성된 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전층으로 이루어진 투명 도전부로 이루어지고,
하나의 투명 도전부를 구비한 3차원 형상을 가진 것을 특징으로 하는 투명 도전막물.
그라펜을 주성분으로 하는 2개의 투명 도전부를 구비한 투명 도전물에 있어서,
3차원 형상의 제1 투명기판과,
상기 제1 투명기판의 어느 하나의 면에 형성된 제1 수지층과,
상기 제1 수지층 상에 형성된 그라펜을 주성분으로 하는 제1 투명 도전층으로 이루어진 제1 투명 도전부와,
3차원 형상의 제2 투명기판과, 상기 제2 투명기판 의 어느 하나의 면에 형성된 제2 수지층과,
상기 제2 수지층 상에 형성된 그라펜을 주성분으로 하는 제2 투명 도전층으로 이루어진 제2 투명 도전부, 및
상기 제1 투명 전극부와 상기 제2 투명 전극부가 전기적으로 절연하도록 대향해서 위치하고, 2개의 투명 도전부를 구비한 3차원 형상을 가진 것을 특징으로 하는 투명 도전물.
제23항 또는 제24항에 있어서,
제1 투명 도전부와 제2 투명 도전부 사이에 절연층을 설치한 것을 특징으로 하는 투명 도전물.
제23항 또는 제25항에 있어서,
제1 투명 전극부와 제2 투명 전극부 사이에 배치되면서 절연성의 투명수지와 상기 투명수지 중에 분산 함유된 복수의 도전성의 감압 물질로 이루어진 압력 도전층을 구비하고, 투명 도전물의 한쪽 면에 힘이 작용하면, 작용하는 힘으로 상기 압력 도전층 내의 감압 물질 사이에서 전류가 흐르는 것에 의해, 대향하는 제1 투명 도전층과 제2 투명 도전층 사이에서 도통이 수행되는 것을 특징으로 하는 투명 도전물.
제22항 또는 제24항에 있어서,
루팅회로부를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전물.
제23항, 제25항, 제26항 또는 제27항 중 어느 한 항에 있어서,
루팅회로부가 투명 전극부의 주변에 위치하는 것을 특징으로 하는 투명 도전물.
그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전부를 구비한 전사 시트를, 사출성형용 금형 내에 설치하고, 성형 수지를 사출하며, 상기 성형 수지의 고화와 동시에 성형 수지품 표면의 한쪽 면에 전사 시트를 일체화 접착시키고, 이형성을 가진 기체 시트를 제거하는 제1 공정과, 상기 한쪽 면에 형성된 금속 박막층을 제거하는 제2 공정을 구비한, 투명 도전물의 제조법에 있어서, 그라펜을 주성분으로 하는 하나의 투명 전극부를 갖추고 유연성을 가진 것을 특징으로 하는 투명 도전물의 제조방법.
그라펜을 주성분으로 하는 제1 투명 도전부를 구비한 제1 전사 시트를, 사출성형용 금형 내에 설치하고, 성형 수지를 사출하며, 상기 성형 수지의 고화 와 동시에 성형 수지 표면의 제1 한쪽 면에 상기 제1 전사 시트를 일체화 접착시키고, 이형성을 가진 기체 시트를 제거하는 제1 공정과, 상기 제1 한쪽 면에 형성된 제1금속 박막층을 제거하는 제2 공정과, 그라펜을 주성분으로 하는 제2 투명 도전부를 구비한 제2 전사 시트를, 유연성이 있는 2차원 형상의 투명기판 의 제2 한쪽 면에 가열가압에 의해 일체화 접착하고, 이형성을 가진 기체 시트를 제거하는 제3 공정과, 상기 제2 한쪽 면에 형성된 제2금속 박막층을 제거하는 제4 공정과, 제1 투명 도전부와 제2 투명 도전부가 전기적으로 절연하도록 상기 제1 한쪽 면과 상기 제2 한쪽 면이 마주보도록 접착제로 붙여 대면시켜 상기 제1 투명 도전부와 상기 제2도전부 사이에 수지층 또는 압력 도전층을 형성하는 제5 공정으로 이루어진 투명 도전물의 제조방법에 있어서, 그라펜을 특징으로 하는 2개의 투명 도전부를 구비하여 3차원 형상을 가진 것을 특징으로 하는 투명 도전물의 제조방법.
청구항 제22항 내지 26항, 제28항, 또는 루팅회로부가 투명 전극부의 주변에 위치하는 제27항 중 어느 항에 기재된 투명 도전물을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 터치입력 디바이스.
청구항 제27항에 기재된 투명 도전물을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항막형 터치입력 디바이스.