TW202040809A - 透明發光裝置顯示器 - Google Patents

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Abstract

根據本申請案的示例性實施例的一種透明發光裝置顯示器包括:透明基板;導電金屬圖案,設置在所述透明基板上;發光裝置,設置在所述導電金屬圖案的至少一部分上;第一透明黏著劑層,設置在所述透明基板、所述導電金屬圖案及所述發光裝置上;紫外線截止膜,設置在所述第一透明黏著劑層上;以及第二透明黏著劑層,設置在所述紫外線截止膜上。

Description

透明發光裝置顯示器
本申請案主張於2019年3月27日在韓國智慧財產局提出申請的韓國專利申請案第10-2019-0035155號的優先權及權利,所述韓國專利申請案的全部內容併入本案供參考。
本申請案是有關於一種透明發光裝置顯示器。
近來,韓國已藉由結合先進的資訊通訊(information and communication technology,ICT)技術及發光二極體(light emitting diode,LED)技術在公園及市中心創建豪華的廣告牌及各種景觀照明而為城市居民提供了資訊及具有吸引力的事物。具體而言,使用氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)透明電極材料的透明LED顯示器為其中LED被施加在玻璃與玻璃之間、或者施加有LED的透明膜被貼附至玻璃的一個表面的顯示器,並且具有如下優點:由於電線是不可見的,因此可具有豪華的外觀。出於此種原因,已將透明LED顯示器用於酒店、百貨商店等的室內,並且其在達成建築物外牆上的媒體立面(media facade)方面的重要性正在增加。
對於用於觸控螢幕等的透明電極而言,由於電極是透明的並且電流流過電極,因此隨著智慧型裝置的普及,對透明電極的需求激增,並且在透明電極中,最常用的透明電極是作為銦及錫的氧化物的氧化銦錫(ITO)。然而,作為ITO透明電極材料的主要原材料的銦在世界範圍內儲量小,且僅在例如中國等一些國家生產,且其生產成本高。此外,銦的缺點在於:由於電阻值未被均勻施加,因此要顯示的LED光並非為恆定的。出於此種原因,在使用利用ITO作為高效能、低成本的透明電極材料的透明LED時存在限制。
儘管ITO確實在透明電極材料中佔最大比例並且已被用作透明電極材料,但由於例如經濟可行性及有限的效能等限制,利用新材料的研究及技術開發一直在進行。已作為下一代新材料引起關注的透明電極材料的實例包括金屬網(metal mesh)、奈米線(Ag奈米線)、碳奈米管(carbon nanotube,CNT)、導電聚合物、石墨烯等。其中,金屬網是佔替代ITO的材料的85%的一種新材料,且具有高導電性及低成本,且在其利用方面市場不斷擴大。
利用金屬網的透明LED顯示器較現有的ITO透明顯示器更容易維護,並且不僅可大大減少資源及顯著改善環境污染預防,而且由於製造成本的降低而具有經濟效益。此外,利用金屬網的透明LED顯示器可擴展並應用於各種應用,並且具有作為新的透明電極材料而應用及利用於各種產品的潛力。
[技術問題]
本申請案致力於提供一種透明發光裝置顯示器。 [技術解決方案]
本申請案的示例性實施例提供一種透明發光裝置顯示器,包括: 透明基板; 導電金屬圖案,設置在所述透明基板上; 發光裝置,設置在所述導電金屬圖案的至少一部分上; 第一透明黏著劑層,設置在所述透明基板、所述導電金屬圖案及所述發光裝置上; 紫外線截止膜(UV-cut film),設置在所述第一透明黏著劑層上;以及 第二透明黏著劑層,設置在所述紫外線截止膜上。 [有利效果]
根據本申請案的示例性實施例,透明發光裝置顯示器可包括紫外線截止膜,從而防止構成透明發光裝置顯示器的組件由於紫外線而劣化。
此外,根據本申請案的示例性實施例,可在第一透明黏著劑層上包括紫外線截止膜,藉此使包括第一透明黏著劑層的結構平坦化,且因此可確保透明發光裝置顯示器的外觀特性。
下文中,將詳細描述本申請案。
在本申請案中,「透明」旨在意指在可見光區域(400奈米至700奈米)中具有約80%或大於80%的透射率特性。
透明LED顯示器是藉由將LED裝置安裝至透明電極基板上而製造的產品,並且被設計成藉由在頂部層疊黏著劑層而易於貼附至玻璃窗及自玻璃窗拆卸。在將黏著劑層層疊至上面安裝有LED裝置的電極膜的頂部的製程中,LED裝置與電極膜之間的階梯差(step difference)導致黏著劑層表面的平整度降低,且然後發生入射光的畸變,從而導致窗的功能劣化。為了防止此種情況,已提出了一種層疊基板的方法,其中在所述基板的頂部設置有透明且平坦的黏著劑層。
藉由將透明的LED顯示器貼附至形成建築物外牆的玻璃窗以同時執行豪華顯示器及透明窗的功能,可賦予現有窗新的價值。如上所述,當透明的LED顯示器安裝在建築物的外牆上時,產品長時間暴露於自然光,使得需要產品具有抗紫外線的耐久性。
作為相關技術中的透明LED膜基板,聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)當長時間暴露於紫外線時具有顏色變黃的黃化現象(yellowing phenomenon),並且層疊型透明LED膜亦可具有環氧系結合層因紫外線而黃化的問題。黃化進展得越多,產品的透射率變得越低,並且由於產品的外觀不佳,因此需要減輕此種現象。
本申請案旨在防止當構成透明LED膜的材料長時間暴露於紫外線時出現的黃化現象。
根據本申請案的示例性實施例的透明發光裝置顯示器包括:透明基板;導電金屬圖案,設置在所述透明基板上;發光裝置,設置在所述導電金屬圖案的至少一部分上;第一透明黏著劑層,設置在所述透明基板、所述導電金屬圖案及所述發光裝置上;紫外線截止膜,設置在所述第一透明黏著劑層上;以及第二透明黏著劑層,設置在所述紫外線截止膜上。
在本申請案的示例性實施例中,所述紫外線截止膜可在可見光區域(380奈米≦λ≦780奈米)中具有85%或大於85%的透射率,並且在紫外線(λ<380奈米)區域中具有小於1%的透射率。
在本申請案的示例性實施例中,所述紫外線截止膜可為包含紫外線吸收劑的透明膜。此外,在本申請案的另一示例性實施例中,所述紫外線截止膜可包括:透明膜;以及紫外線截止塗層,設置在所述透明膜上。
透明膜可由以下構成:胺基甲酸酯樹脂;聚醯亞胺樹脂;聚酯樹脂;(甲基)丙烯酸酯系聚合物樹脂;聚烯烴系樹脂,例如聚乙烯或聚丙烯等。此外,透明基板可為可見光透射率為80%或大於80%的膜,例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)、環烯烴聚合物(cyclic olefin polymer,COP)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)及乙醯賽璐珞(acetyl celluloid)。
更具體而言,包含紫外線吸收劑的透明膜可使用藉由以下方式獲得的材料來製備:向上述透明膜材料中添加紫外線吸收劑,並對透明膜材料執行擠出製程等。
此外,可藉由在透明膜上塗佈紫外線截止塗佈組成物來製備紫外線截止膜。
紫外線截止塗佈組成物可包含紫外線吸收劑、可光固化樹脂、光起始劑及有機溶劑。
較佳地,紫外線吸收劑在380奈米的波長下具有0.01至0.10的消光係數值。較佳地,紫外線吸收劑選自由三嗪系紫外線吸收劑組成的群組。以100重量份的形成紫外線截止膜的塗層的塗佈液組成物的固體含量計,紫外線吸收劑的含量可為0.1重量份至5.0重量份。
當以100重量份的形成紫外線截止膜的塗層的塗佈液組成物的固體含量計,紫外線吸收劑的含量小於0.1重量份時,可能發生紫外線未被充分阻擋的問題。此外,當紫外線吸收劑的含量大於5.0重量份時,大量的單分子紫外線吸收劑被添加至黏合劑中,且因此平均分子量可降低,使得耐久性可劣化,並且關於樹脂及紫外線吸收劑的相容性,當包含大量紫外線吸收劑時,其中紫外線吸收劑在塗佈後的高溫乾燥製程期間逸出此遷移問題會進一步加劇,使得存在有不利於可加工性的趨勢。
作為可光固化樹脂,可具體使用丙烯酸系樹脂,且舉例而言,可使用反應性丙烯酸酯寡聚物、多官能丙烯酸酯單體或其混合物。作為反應性丙烯酸酯的寡聚物,可使用胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物、環氧丙烯酸酯寡聚物、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯或其混合物。作為多官能丙烯酸酯單體,可使用二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇羥基五丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、三亞甲基丙基三丙烯酸酯、丙氧基化甘油三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷乙氧基三丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、丙氧基化甘油三丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯或其混合物。
考量到在施加紫外線截止塗佈組成物時賦予恰當的黏度以實現容易的可使用性、將最終形成的膜的膜強度等,可以按100重量份的可光固化樹脂計較佳地為50重量份至500重量份、更佳地為100重量份至400重量份、且最佳地為150重量份至350重量份的量使用有機溶劑。在此種情況下,作為可使用的有機溶劑的類型,可使用選自由例如醇、乙酸酯、酮、溶纖劑、二甲基甲醯胺、四氫呋喃、丙二醇單甲醚、甲苯及二甲苯組成的群組中的一者或一或多者的混合物,但有機溶劑並非僅限於此。在此種情況下,醇的實例包括甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、異丁醇、二丙酮醇等,但並非僅限於此。此外,作為乙酸酯,可使用乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸丁酯或乙酸溶纖劑,且作為酮,可使用甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙醯丙酮或丙酮,但乙酸酯及酮並非僅限於此。
作為光起始劑,可使用此項技術中已知的光起始劑。
紫外線截止塗佈組成物可包含調平劑、潤濕劑及消泡劑中的一或多者作為添加劑。以100份的可光固化樹脂計,可各自以在0.01重量份至10重量份範圍內的量包含所述添加劑。調平劑用於使利用塗佈組成物塗佈的塗膜的表面均勻。此外,由於潤濕劑用於降低塗佈組成物的表面能,因此當以塗佈組成物塗佈透明基板層時,潤濕劑有助於塗佈組成物被均勻施加。可添加消泡劑以移除塗佈組成物中的氣泡。形成塗層的塗佈液組成物的固體含量意指除溶劑之外的組分。
較佳地,紫外線截止塗層的厚度為3微米至10微米。
此外,較佳地,紫外線截止膜具有50微米至250微米的厚度。當紫外線截止膜具有小於50微米的厚度時,可使用性不佳,並且可能難以藉由膜層疊來控制黏著劑層的平整度。此外,當紫外線截止膜的厚度大於250微米時,光學材料的物理性質(例如,透射率及霧度)可劣化,此增加製造成本並且不利於減輕產品的重量。
在本申請案的示例性實施例中,在透明基板與導電金屬圖案之間可更包括結合層。亦即,可在透明基板上設置結合層,並且可在結合層上設置導電金屬圖案。
此外,在本申請案的另一示例性實施例中,在透明基板上可更包括結合層,並且導電金屬圖案可以嵌入於結合層中的形式設置。在此種情況下,可將以嵌入於結合層中的形式設置的導電金屬圖案的至少一部分設置成與發光裝置接觸。
結合層可包含熱固性結合劑組成物或可紫外線固化結合劑組成物、或其固化產物。
結合層可包含熱固性結合劑組成物或可紫外線固化結合劑組成物、或其固化產物。更具體而言,結合層可包含矽烷改質的環氧樹脂、雙酚A型苯氧基樹脂、起始劑及矽烷偶合劑,但並非僅限於此。結合層可具有8微米至50微米的厚度。當結合層滿足上述厚度範圍時,在嵌入設置在結合層上的金屬圖案的製程中對應於佈線電極部分的金屬圖案可被完全嵌入,並且當結合層的厚度超出上述厚度範圍時,佈線電極部分無法被完全嵌入,或者結合層的流動性可增加從而導致圖案斷接。更具體而言,當結合層的厚度小於金屬圖案的厚度的2.5倍時,不可能完全嵌入金屬圖案,且因此佈線電極部分的上表面被暴露出,使得可能引發由腐蝕導致的耐久性劣化,並且氣泡被捕獲在佈線電極部分之間的黏著劑層的上部,使得可能出現外觀缺陷。此外,當結合層的厚度大於金屬圖案的厚度的兩倍時,在藉由熱層疊製程進行的嵌入製程期間結合層的流動性可增加,使得可能導致佈線電極部分圖案的斷接。
在本申請案的示例性實施例中,導電金屬圖案可包括佈線電極部分圖案及發光裝置安裝部分圖案,並且發光裝置可設置在發光裝置安裝部分圖案上。
在本申請案中,佈線電極部分圖案可包括第一公共電極佈線部分圖案、第二公共電極佈線部分圖案及訊號電極佈線部分圖案。訊號電極佈線部分圖案可設置在第一公共電極佈線部分與第二公共電極佈線部分之間。在本申請案的示例性實施例中,第一公共電極佈線部分可為(+)公共電極佈線部分,且第二公共電極佈線部分可為(-)公共電極佈線部分。此外,第一公共電極佈線部分可為(-)公共電極佈線部分,且第二公共電極佈線部分可為(+)公共電極佈線部分。根據本申請案的示例性實施例,將通道形成為其中訊號電極佈線部分在(+)公共電極佈線部分與(-)公共電極佈線部分之間穿過的結構,使得電極佈線不針對每個發光裝置單獨設置,並且可被連接作為(+)公共電極佈線部分與(-)公共電極佈線部分之間的公共電極。
在本申請案中,發光裝置安裝部分圖案被配置成設置在使用焊料安裝發光元件的位置處。
在本申請案中,熟習此項技術者可考量透明發光裝置顯示器的使用等而適當地選擇發光裝置的數量,並且所述數量不受特別限制。更具體而言,發光裝置的數量與電極的電阻相關,並且當電極具有足夠低的電阻並且顯示器的面積為大時,發光裝置的數量可增加。當相同面積中發光裝置的數量增加時,解析度增加,並且當以相同間隔增加發光裝置的數量時,顯示器的面積增加,並且電源單元的電線可減少,使得熟習此項技術者可考量透明發光裝置顯示器的使用等來適當選擇發光裝置的數量。
在本申請案的示例性實施例中,發光裝置可與訊號電極佈線部分圖案串聯連接,並且可與第一公共電極佈線部分圖案及第二公共電極佈線部分圖案串聯連接。由於第一公共電極佈線部分圖案及第二公共電極佈線部分圖案提供足夠量的電流用於驅動發光裝置,並且發送發光裝置的顏色訊號僅需要低電流來發送訊號,因此第一公共電極佈線部分圖案及第二公共電極佈線部分圖案可與訊號電極佈線部分圖案串聯連接。
若發光裝置與各個電極並聯連接至電源單元,而不是如在本申請案中用於驅動所有發光裝置並發出訊號的結構,則每個電極的寬度需要不同(連接至最遠的發光裝置的電極的寬度最大),以便滿足取決於發光裝置的佈置距離的電阻值,並且由於由設置多個發光裝置此特性所導致的電極佈置面積的空間限制,難以構造具有低電阻的電極。
在本申請案的示例性實施例中,第一公共電極佈線部分圖案、第二公共電極佈線部分圖案及訊號電極佈線部分圖案可藉由斷接部分彼此分離。斷接部分意指所述部分的一部分被截止以斷開電性連接的區域。斷接部分的寬度可指彼此分離的第一公共電極佈線部分圖案、第二公共電極佈線部分圖案及訊號電極佈線部分圖案中的最近端之間的距離。斷接部分的寬度可為80微米或小於80微米、60微米或小於60微米、40微米或小於40微米、或30微米或小於30微米,但並非僅限於此。斷接部分的寬度可為5微米或大於5微米。根據本申請案的示例性實施例,藉由使將第一公共電極佈線部分圖案、第二公共電極佈線部分圖案及訊號電極佈線部分圖案彼此分離的斷接部分的寬度最小化,可降低佈線的可識別性。
在本申請案的示例性實施例中,發光裝置安裝部分圖案的線寬可為100微米或大於100微米,並且可為100微米至1,000微米,但並非僅限於此。
在本申請案的示例性實施例中,佈線電極部分圖案的線寬可為50微米或小於50微米、30微米或小於30微米、25微米或小於25微米及20微米或小於20微米,但並非僅限於此。佈線電極部分圖案的線寬越小,則佈線電極部分圖案在透射率及佈線的可識別性方面越有利,但可導致電阻的降低,並且在此種情況下,當佈線電極部分圖案的厚度增加時,可改善電阻的降低。佈線電極部分圖案可具有5微米或大於5微米的線寬。
導電金屬圖案的材料不受特別限制,但較佳地包括金屬及金屬合金中的一或多者。導電金屬圖案可包含金、銀、鋁、銅、釹、鉬、鎳或其合金,但並非僅限於此。
導電金屬圖案的厚度不受特別限制,但可為3微米或大於3微米,並且自導電金屬圖案的導電性及形成製程的經濟可行性的視角來看,所述厚度可為3微米至20微米。
在本申請案的示例性實施例中,第一透明黏著劑層及第二透明黏著劑層可各自獨立地包含矽酮系材料、丙烯酸系材料、胺基甲酸酯系材料及其衍生物中的一或多者。
更具體而言,第一透明黏著劑層可由用於黏著劑層的組成物形成,所述組成物包括:黏著劑樹脂,例如(甲基)丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂及環氧樹脂;固化劑;光起始劑;以及矽烷偶合劑,但本發明並非僅限於此。舉例而言,(甲基)丙烯酸系樹脂可包括聚(甲基)丙烯酸烷基酯,並且聚(甲基)丙烯酸烷基酯可包括聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸丙酯、聚丙烯酸丁酯、聚丙烯酸異丙酯、聚丙烯酸己酯、聚甲基丙烯酸己酯、聚丙烯酸乙基己酯、聚甲基丙烯酸乙基己酯及聚矽氧烷中的一或多者,並且並非僅限於此。作為胺基甲酸酯樹脂,可使用聚胺基甲酸酯樹脂,並且聚胺基甲酸酯樹脂可包含胺基甲酸酯基團作為不具有(甲基)丙烯酸酯基團的非(甲基)丙烯酸酯系樹脂。聚胺基甲酸酯樹脂可為市售產品,或者可藉由典型的方法合成。
第二透明黏著劑層可包含矽酮系樹脂及固化劑。舉例而言,矽酮系樹脂可為含乙烯基的聚二甲基矽氧烷樹脂。更具體而言,含乙烯基的聚二甲基矽氧烷樹脂可由用於製備矽酮系橡膠的組成物製備,所述組成物包含乙烯基甲基二甲氧基矽烷、及不具有乙烯基的二甲基二甲氧基矽烷,所述乙烯基甲基二甲氧基矽烷是含乙烯基的矽酮單體。用於製備矽酮系橡膠的組成物可更包含除二甲基二甲氧基矽烷之外的其他典型矽酮單體,作為不具有乙烯基的矽酮單體。固化劑可包含具有二或更多個Si-H基團的矽酮系化合物,以便與矽酮系橡膠的可固化官能基進行氫化矽烷化反應(hydrosilylation)。固化劑可藉由熱及/或紫外線進行氫化矽烷化反應。以100重量份的矽酮系橡膠計,固化劑的含量可為0.1重量份至20重量份,具體而言為0.5重量份至18重量份,且具體而言為0.7重量份至15重量份。在上述範圍內,可存在一定固化程度的效果,其能夠表現出抗衝擊性效果。
第一透明黏著劑層被形成為具有較發光裝置的高度階梯差厚1.0毫米至10.0毫米的厚度,但並非僅限於所述厚度。當第一透明黏著劑層的厚度被形成為較發光裝置的高度差厚小於1.0毫米時,安裝在電極膜頂部上的發光裝置的表面無法被充分覆蓋,使得發光裝置在受到外部衝擊時可受到損壞,並且層疊在第一透明黏著劑層上的紫外線截止膜的黏著性質可劣化。此外,當第一透明黏著劑層的厚度被形成為較發光元件的高度階梯差大與所述高度差相差10.0毫米時,會發生不必要的材料消耗,此可不利於產品的重量減輕。
第二透明黏著劑層的厚度可為0.01毫米至10.0毫米,但並非僅限於此。當第二透明黏著劑層的厚度小於0.01毫米時,液體矽酮樹脂的調平性質劣化以形成第二透明黏著劑層,第二透明黏著劑層的厚度的均勻性可受損,並且擔心對在重覆貼附及拆卸產品的操作期間可能發生的物理損壞的耐久性,這並非為較佳的。此外,當第二透明黏著劑層的厚度大於10.0毫米時,會發生不必要的材料消耗,此可不利於產品的重量減輕。
在本申請案的示例性實施例中,透明基板可為具有優異的透明度、表面光滑度、易操作性及防水性質的玻璃基板或透明塑膠基板,但其並非僅限於此,並且所述透明基板不受限制,只要所述透明基板是在電子裝置中通常使用的透明基板即可。具體而言,透明基板可由以下構成:玻璃;胺基甲酸酯樹脂;聚醯亞胺樹脂;聚酯樹脂;(甲基)丙烯酸酯系聚合物樹脂;聚烯烴系樹脂,例如聚乙烯或聚丙烯等。此外,透明基板可為可見光透射率為80%或大於80%的膜,例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、環烯烴聚合物(COP)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚碸(PES)、聚碳酸酯(PC)及乙醯賽璐珞。透明基板的厚度可為25微米至250微米,但並非僅限於此。
在下圖1及圖2中示意性地示出了根據本申請案的示例性實施例的透明發光裝置顯示器。更具體而言,下圖1示出在透明基板與導電金屬圖案之間包括結合層的透明發光裝置顯示器,且下圖2示出在透明基板上包括結合層的透明發光裝置顯示器,其中導電金屬圖案以嵌入於結合層中的形式設置。
在下文中,將藉由實例來舉例說明在本說明書中描述的示例性實施例。然而,所述示例性實施例的範圍不旨在受以下實例的限制。 實例 實例 1>
藉由對聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET,由東麗工業公司(Toray Industries Inc.)製造的XG7PH2)進行電解鍍覆以形成銅(Cu)層而製備了在本申請案中使用的原材料,並且使用輥式層疊機(roll laminator)在100℃下將乾膜抗蝕劑(dry film resist,DFR,朝日化學工業公司(Asahi Chemical Industry)SPG-152)熱層疊在了金屬表面上。
將包括佈線電極部分圖案及發光裝置安裝部分圖案的光遮罩施加到了層疊有DFR的鍍Cu原材料的上表面,並使用準直曝光裝置(collimation light exposure device)以250毫焦耳/平方公分(mJ/cm2 )的光強度暴露於波長為365奈米波長的紫外線。此後,藉由顯影-蝕刻-剝落(development-etching-peeling)的濕法製程在結合層的頂部上形成了具有不平整結構的金屬圖案。將每個步驟中使用的所有溶液都保持在了室溫下。使用1.0重量%的Na2 CO3 水溶液作為顯影溶液,蝕刻劑為包含氯化鐵及鹽酸的混合溶液,且使用2.0重量%的NaOH水溶液作為剝離溶液。
Cu佈線電極部分圖案是重覆的正方形網格圖案,並且具有24微米的線寬、300微米的節距、8微米的線高、以及寬度為60微米的斷接部分,所有所述圖案皆為相同的。
在將焊膏網版印刷在電極焊盤部分上之後,在大約170℃的溫度下安裝並引入了發光裝置,並且使用焊膏藉由焊膏回焊製程結合發光裝置安裝部分與發光裝置。為在發光裝置及電極膜的頂部上形成第一黏著劑層,以每單位面積(1平方公分)的電極膜1克或少於1克的量施加第一黏著劑層組成物。在將黏著劑層在室溫下靜置10分鐘或大於10分鐘以藉由調平達成黏著劑層的平坦化之後,當相對於玻璃的黏著強度為100克力/英吋(gf/inch)或大於100克力/英吋時,使用層疊機將紫外線截止膜層疊在黏著劑層上。藉由用包含1.0重量份的紫外線吸收劑的組成物塗佈厚度為188微米的光學PET膜(由SKC公司製造的V5400)並在100℃下乾燥所述光學PET膜10分鐘而製造了紫外線截止膜。將用於形成第二黏著劑層的組成物施加到了紫外線截止膜的頂部,並將所述紫外線截止膜在室溫下靜置了48小時。
藉由用DY-39-067(陶氏化學公司(Dow Chemical))塗佈膜的兩個表面,使紫外線截止膜在室溫下靜置了90分鐘,以改善與矽酮黏著劑的黏著力,並且藉由向100重量份的包含含乙烯基的聚二甲基矽氧烷樹脂的斯爾歌德(Sylgard)184A(陶氏化學公司,固體含量:100重量%)中的包含固化劑的10重量份的Sylgard 184B(陶氏化學公司,固體含量:100重量%)中添加50重量份的甲基乙基酮、並攪拌所得混合物而製備了第一黏著劑層及第二黏著劑層的組成物。 實例 2>
除了在實例1中使用層疊在第一黏著劑層頂部上的紫外線截止膜作為塗佈有包含2.0重量份的紫外線吸收劑的組成物的PMMA膜之外,以與實例1中相同的方式執行了製程。 實例 3>
除了在實例1中使用塗佈有包含2.0重量份的紫外線吸收劑的組成物的PET膜作為層疊在第一黏著劑層頂部上的紫外線截止膜之外,以與實例1中相同的方式執行了製程。 比較例 1>
除了在實例1中將厚度為188微米的光學PET膜(由SKC公司製造的V5400)層疊在第一黏著劑層的頂部上之外,以與實例1中相同的方式執行了製程。 實例 4>
除了在實例1中使用銅箔層疊膜代替鍍Cu膜作為電極膜的原材料之外,以與實例1中相同的方式執行了製程。
銅箔層疊膜一般而言是具有與作為覆銅層疊體(Cu clad laminated,CCL)而被眾所習知的結構相同的結構的銅膜,並且藉由在透明基板上形成結合層、且然後與銅箔執行熱層疊來製備。藉由以35:33:30的重量比引入矽烷改質的環氧樹脂、雙酚A環氧樹脂及苯氧基樹脂、並用甲基乙基酮(methyl ethyl ketone,MEK)稀釋所得的混合物而製備了用於結合層的塗佈溶液。使所製備的溶液在厚度為100微米的PET膜上經受逗點塗佈(comma coating),並在130℃下經受3分鐘的高溫乾燥製程,以形成厚度為25微米的結合層。藉由使厚度為8微米的銅箔(由日進材料有限公司(ILJIN MATERIALS CO. LTD.)製造的LPF)與結合層在100℃的溫度下經受輥式層疊(roll lamination)而製備了銅箔層疊膜。在100℃的溫度下將乾膜抗蝕劑熱層疊到了所製造的銅箔層疊膜的銅箔的頂部上,並且使用對應於第一金屬箔圖案及第二金屬箔圖案的負型光遮罩及準直曝光裝置以250毫焦耳/平方公分的光強度暴露於波長為365奈米的紫外光。藉由顯影-蝕刻-剝落的濕法製程在結合層的頂部上形成了具有不平整結構的金屬圖案。將每個步驟中使用的所有溶液都保持在了室溫下。使用1.0重量%的Na2 CO3 水溶液作為顯影溶液,蝕刻劑為包含氯化鐵及鹽酸的混合溶液,且剝離溶液為2.0重量%的NaOH水溶液。為了平坦化結合層的表面並將金屬圖案嵌入於結合層中,使用輥式層疊機在100℃下熱層疊了金屬圖案膜及厚度為50微米的離型PET膜(由韓國澳帝樺(OPTIVER Korea)製造的SLF050-060)。在層疊有離型膜的狀態下執行了紫外線固化,並用波長為365奈米的紫外光以5,000毫焦耳/平方公分的光強度輻照了PET膜的表面。 實例 5>
除了在實例4中使用層疊在第一黏著劑層頂部上的紫外線截止膜作為塗佈有包含2.0重量份的紫外線吸收劑的組成物的PMMA膜之外,以與實例4中相同的方式執行了製程。 實例 6>
除了在實例4中使用層疊在第一黏著劑層頂部上的紫外線截止膜作為塗佈有包含2.0重量份的紫外線吸收劑的組成物的PET膜作之外,以與實例4中相同的方式執行了製程。 比較例 2>
除了在實例4中將厚度為188微米的光學PET膜(由SKC公司製造的V5400)層疊在第一黏著劑層的頂部上之外,以與實例4中相同的方式執行了製程。 實驗例 1>
評估了在實例1至實例6中應用的紫外線截止膜及在比較例1及比較例2中應用的一般光學PET的光學特性,並示出於下表1及表3中。使用固體規格-3700(Solid spec-3700)裝置量測了光學特性。 [表1]
分類 膜類型 UV 吸收劑重量份 透射率 b* YI
UVA (365 nm) 可見光 (380 nm至780 nm)
UV截止膜#1 (在實例1及實例4中的應用) PET 1.0 7.2 90.5 0.62 1.20
UV截止膜#2 (在實例2及實例5中的應用) PMMA 2.0 0.0 90.8 1.00 1.59
UV截止膜#3 (在實例3及實例6中的應用) PET 2.0 0.8 91.7 0.40 0.72
裸PET膜 (在比較例1及比較例24中的應用) PET 0.0 83.7 89.9 0.36 0.82
作為量測光學性質的結果,可確認紫外線截止塗佈液組成物中紫外線吸收劑的重量份越高,則在UVA區域中的透光率變得越低,並且b*及YI值降低,而無論塗佈基板如何。 實驗例 2>
評估了在實例1至實例6及比較例1及比較例2中製備的透明發光裝置顯示器的黃色指數根據耐光性評估時間的變化,且結果示於下表2及圖4及圖5中。 耐光性評估裝置:由Q-LAB有限公司製造的QUV(光強度:750毫瓦/平方米) 光學性質量測裝置:COH-400(由日本電色工業株式會社(Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.)製造) [表2]
黃色指數 耐光性評估(小時)
0 80 200 330 1,000
實例1 6.97 7.21 7.46 7.80 9.57
實例2 6.99 7.04 7.22 7.33 8.07
實例3 6.28 6.36 6.37 6.52 7.14
實例4 4.44 5.66 7.32 9.48 10.70
實例5 4.32 4.33 4.68 4.92 6.08
實例6 3.68 3.86 4.18 4.50 5.65
比較例1 6.23 8.27 10.07 11.84 16.90
比較例2 3.95 14.75 18.95 20.92 25.43
如所述結果所示,可確認紫外線截止膜的UVA區域中的透光率越低,則由紫外線暴露引起的產品黃化越少。具體而言,由於在嵌入式電極膜中使用的結合層被紫外線嚴重黃化,因此防止黃化的效果大於突出電極膜的效果。
如所述結果所示,根據本申請案的示例性實施例,透明發光裝置顯示器可包括紫外線截止膜,藉此防止構成透明發光裝置顯示器的組件由於紫外線而劣化。此外,根據本申請案的示例性實施例,可在第一透明黏著劑層上包括紫外線截止膜,藉此平坦化包括第一透明黏著劑層的結構,且因此,可確保透明發光裝置顯示器的外觀特性。
10:透明基板 20:導電金屬圖案 30:發光裝置 40:第一透明黏著劑層 50:紫外線截止膜 60:第二透明黏著劑層 70:結合層 80:玻璃 90:黏著劑層 100:保護膜 110:撓性印刷電路板(FPCB)
圖1及圖2是示意性示出根據本申請案示例性實施例的透明發光裝置顯示器的視圖。 圖3是示出根據本申請案的示例性實施例,在實例及比較例中應用的紫外線截止膜及一般光學膜的光學特性的視圖。 圖4是示出作為本申請案示例性實施例的實例1至實例3及比較例1中的透明發光裝置顯示器的耐光性評估結果的視圖。 圖5是示出作為本申請案示例性實施例的實例4至實例6及比較例2中的透明發光裝置顯示器的耐光性評估結果的視圖。
10:透明基板
20:導電金屬圖案
30:發光裝置
40:第一透明黏著劑層
50:紫外線截止膜
60:第二透明黏著劑層
80:玻璃
90:黏著劑層
100:保護膜
110:撓性印刷電路板(FPCB)

Claims (13)

  1. 一種透明發光裝置顯示器,包括: 透明基板; 導電金屬圖案,設置在所述透明基板上; 發光裝置,設置在所述導電金屬圖案的至少一部分上; 第一透明黏著劑層,設置在所述透明基板、所述導電金屬圖案及所述發光裝置上; 紫外線截止膜,設置在所述第一透明黏著劑層上;以及 第二透明黏著劑層,設置在所述紫外線截止膜上。
  2. 如請求項1所述的透明發光裝置顯示器,其中所述紫外線截止膜在可見光區域(380奈米≦λ≦780奈米)中具有85%或大於85%的透射率,並且 在紫外線(λ<380奈米)區域中具有小於1%的透射率。
  3. 如請求項1所述的透明發光裝置顯示器,其中所述紫外線截止膜是包含紫外線吸收劑的透明膜。
  4. 如請求項1所述的透明發光裝置顯示器,其中所述紫外線截止膜包括:透明膜;以及紫外線截止塗層,設置在所述透明膜上。
  5. 如請求項1所述的透明發光裝置顯示器,更包括: 結合層,位於所述透明基板與所述導電金屬圖案之間。
  6. 如請求項1所述的透明發光裝置顯示器,更包括: 結合層,位於所述透明基板上, 其中所述導電金屬圖案以嵌入於所述結合層中的形式設置。
  7. 如請求項6所述的透明發光裝置顯示器,其中以嵌入於所述結合層中的所述形式設置的所述導電金屬圖案的至少一部分被設置成與所述發光裝置接觸。
  8. 如請求項5或6所述的透明發光裝置顯示器,其中所述結合層包含熱固性結合劑組成物或可紫外線固化結合劑組成物、或其固化產物。
  9. 如請求項1所述的透明發光裝置顯示器,其中所述導電金屬圖案包括佈線電極部分圖案及發光裝置安裝部分圖案,並且 所述發光裝置設置在所述發光裝置安裝部分圖案上。
  10. 如請求項9所述的透明發光裝置顯示器,其中所述佈線電極部分圖案具有50微米或小於50微米的線寬,並且 所述發光裝置安裝部分圖案具有100微米或大於100微米的線寬。
  11. 如請求項1所述的透明發光裝置顯示器,其中所述導電金屬圖案包含金、銀、鋁、銅、釹、鉬、鎳或其合金。
  12. 如請求項1所述的透明發光裝置顯示器,其中所述導電金屬圖案具有3微米至20微米的厚度。
  13. 如請求項1所述的透明發光裝置,其中所述第一透明黏著劑層及所述第二透明黏著劑層各自獨立地包含矽酮系材料、丙烯酸系材料、胺基甲酸酯系材料及其衍生物中的一或多者。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11947236B2 (en) * 2021-04-27 2024-04-02 GM Global Technology Operations LLC High contrast transparent display with automatic shading
WO2024049582A1 (en) * 2022-08-31 2024-03-07 Lumileds Llc Devices and methods preventing degradation of light emitting structures

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5804102A (en) * 1995-12-22 1998-09-08 Mitsui Chemicals, Inc. Plasma display filter
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
KR20020044160A (ko) * 2000-08-09 2002-06-14 사토 아키오 폴리이미드수지로 이루어진 광학부재
JP2003133058A (ja) 2001-10-25 2003-05-09 Matsushita Electric Works Ltd 面発光体
KR100506127B1 (ko) 2002-10-28 2005-08-17 이경인 필름을 이용한 단열창호
JP4429917B2 (ja) 2002-12-26 2010-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、表示装置及び電子機器
EP1511095A3 (en) 2003-08-19 2011-02-23 LG Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
KR100609777B1 (ko) 2003-08-19 2006-08-09 엘지전자 주식회사 판넬 보호 필름을 갖는 유기 전계 발광 소자
JP4815768B2 (ja) 2003-08-22 2011-11-16 旭硝子株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
TWI326059B (en) 2003-08-22 2010-06-11 Asahi Glass Co Ltd Display device and method for fabricating the same
EP1786042A4 (en) 2004-07-28 2009-01-07 Sharp Kk LIGHT EMITTING MODULE AND LIGHT EMISSION SYSTEM
TWI403761B (zh) * 2005-02-15 2013-08-01 Fujifilm Corp 透光性導電性膜之製法
KR100872615B1 (ko) 2006-03-27 2008-12-09 도시바 라이텍쿠 가부시키가이샤 자외선컷 재료, 자외선컷 필터, 관구 및 조명기구
JP5266643B2 (ja) * 2007-01-10 2013-08-21 凸版印刷株式会社 印刷用凸版および印刷用凸版の製造方法
JP2007142473A (ja) 2007-02-26 2007-06-07 Sharp Corp 発光モジュールおよび発光システム
JP2009158691A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Sharp Corp 有機デバイスおよびその製造方法
JP2011071272A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2011070090A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Toppan Printing Co Ltd 凸版印刷用凸版及び印刷方法
JP5762357B2 (ja) * 2011-06-10 2015-08-12 富士フイルム株式会社 エレクトロウェッティング表示用着色組成物、画像表示構造、及び、エレクトロウェッティング表示装置
JP5823373B2 (ja) * 2011-12-26 2015-11-25 富士フイルム株式会社 着色組成物、及び画像表示構造
CN102646696B (zh) * 2012-01-16 2014-10-22 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示装置、制作方法及显示系统
KR20140002224A (ko) * 2012-06-28 2014-01-08 코오롱인더스트리 주식회사 투명 디스플레이 모듈
KR101469485B1 (ko) * 2012-08-13 2014-12-05 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN203276880U (zh) 2013-02-05 2013-11-06 南昌欧菲光科技有限公司 导电膜
TW201503442A (zh) * 2013-07-03 2015-01-16 Formosen Material Technology Corp 可撓式透明有機發光二極體發光裝置以及使用其作為背光之透明液晶顯示器
KR20150033169A (ko) 2013-09-23 2015-04-01 엘지디스플레이 주식회사 Led 패키지와 이를 이용한 액정 표시 장치
CN105518885B (zh) * 2013-12-02 2018-02-16 东芝北斗电子株式会社 发光装置
US10177341B2 (en) * 2014-03-21 2019-01-08 Lg Display Co., Ltd. Encapsulating laminated body, organic light-emitting device and production methods for said body and device
CN105446508B (zh) * 2014-06-19 2018-12-25 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控显示装置
WO2016076616A1 (ko) 2014-11-11 2016-05-19 삼성에스디아이 주식회사 디스플레이용 윈도우 필름 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN107079542B (zh) 2014-12-09 2019-03-01 三井化学株式会社 有机el元件用面密封材及其固化物
KR101708555B1 (ko) 2015-05-14 2017-02-21 송인실 플렉시블 조명 패널
US20180038578A1 (en) 2015-02-24 2018-02-08 Teddykorea Co., Ltd. Flexible lighting panel
KR101913855B1 (ko) 2015-03-04 2018-11-23 제이디엠 주식회사 투명 인쇄회로기판과 이의 제조방법 및 이를 이용한 led 모듈
JP6633622B2 (ja) 2015-05-01 2020-01-22 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュール
JP6620464B2 (ja) 2015-08-26 2019-12-18 大日本印刷株式会社 フレキシブル透明基板及びそれを用いたシースルー型のled表示装置
JP6830350B2 (ja) * 2015-12-25 2021-02-17 日東電工株式会社 有機el表示装置
JP2017120363A (ja) 2015-12-25 2017-07-06 日東電工株式会社 粘着剤層付き偏光フィルム、及び画像表示装置
JP3203462U (ja) * 2016-01-19 2016-03-31 株式会社スリーエス 表示装置
KR102027567B1 (ko) * 2016-02-19 2019-10-01 삼성에스디아이 주식회사 기능성 광학필름 및 이를 포함하는 투명 디스플레이 장치
KR20170139924A (ko) 2016-06-10 2017-12-20 엘지전자 주식회사 투명 발광다이오드 필름
KR20180012680A (ko) * 2016-07-27 2018-02-06 현상우 투명 디스플레이장치 및 이의 제조방법
KR102605585B1 (ko) * 2016-08-11 2023-11-24 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
US11437533B2 (en) * 2016-09-14 2022-09-06 The Boeing Company Solar cells for a solar cell array
KR102008766B1 (ko) * 2017-01-31 2019-08-09 주식회사 엘지화학 가요성 기판 제조용 적층체 및 이를 이용한 가요성 기판의 제조방법
KR101789145B1 (ko) 2017-03-24 2017-10-23 주식회사 에스오엘 투명한 디스플레이용 led 전광 판넬 및 그 제작 방법
JP2018185396A (ja) 2017-04-25 2018-11-22 株式会社K工房 Ledディスプレイ
TW201900798A (zh) 2017-05-05 2019-01-01 美商3M新設資產公司 聚合膜及含有此膜之顯示裝置
JP2018197830A (ja) * 2017-05-25 2018-12-13 スタンレー電気株式会社 発光機能を備えた透明パネル
US10665576B2 (en) * 2017-06-21 2020-05-26 Stanley Electric Co., Ltd. Optically transparent plate with light emitting function and method of producing the same
JP6869594B2 (ja) * 2017-09-26 2021-05-12 エルジー・ケム・リミテッド 透明発光素子ディスプレイ用電極基板およびその製造方法
CN109360674A (zh) * 2018-10-18 2019-02-19 吴江友鑫新材料科技有限公司 一种透明导电金属网格薄膜及其制备方法
KR20210150386A (ko) * 2019-04-03 2021-12-10 가부시끼가이샤 도꾸야마 포토크로믹 광학 물품 및 그의 제조 방법
US20230088640A1 (en) * 2020-03-19 2023-03-23 Panasonic Factory Solutions Asia Pacific Pte. Ltd. A method and an apparatus for manufacturing a porous graphene layer across a precursor material layer on a substrate through thermally localized laser graphitisation
US20230194775A1 (en) * 2020-05-13 2023-06-22 National Research Council Of Canada Fiber bragg grating sensor in polymer-coated ultra-thin optical fibers and method for producing same

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