KR102542685B1 - 투명 도전층 적층용 필름, 그 제조 방법, 및 투명 도전성 필름 - Google Patents

투명 도전층 적층용 필름, 그 제조 방법, 및 투명 도전성 필름 Download PDF

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Abstract

내열성이 높고, 보조 전극층을 포함하는 표면의 평활성이 우수한 투명 도전층 적층용 필름, 그 제조 방법, 및 표면 저항률이 낮고, 디바이스 내에 있어서의 전극간에서의 단락에 의한, 디바이스의 특성 불량의 발생, 및 디바이스 수명의 저하가 억제되는 투명 도전성 필름을 제공하는 것으로, 투명 수지 필름 기재 상에, 적어도, 투명 수지층 A, 개구부를 갖는 금속층, 및 그 개구부에 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 가 복합층으로서 적층된 투명 도전층 적층용 필름으로서, 그 복합층의, 그 투명 수지 필름 기재측의 면과는 반대측의 면이, 그 금속층과 그 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층으로 이루어지는, 투명 도전층 적층용 필름, 그 투명 도전층 적층용 필름의 제조 방법, 및 그 투명 도전층 적층용 필름을 사용한 투명 도전성 필름이다.

Description

투명 도전층 적층용 필름, 그 제조 방법, 및 투명 도전성 필름
본 발명은 투명 도전층 적층용 필름, 그 제조 방법, 및 투명 도전성 필름에 관한 것이다.
최근, 프린티드 일렉트로닉스의 발전에 의해, 향후 보급이 기대되는 유기 박막 태양 전지나 유기 EL 조명 등을 비롯한, 주로 유기 재료를 사용한 전자 디바이스의 대면적화, 또한 플렉시블화가 진행되고 있다. 고성능이고 대면적의 전자 디바이스로 하는 관점에서, 그들 전자 디바이스의 투광성 전극으로서 사용되는 투명 도전성 필름에는, 디바이스 동작 (집전 또는 전압 인가) 시에, 투명 도전층이 일반적으로 높은 전기 저항률을 갖는 점에서 발생하는 전력 손실, 또는 특성 분포를 개선하기 위해, 투명 도전층 표면의 저저항화가 요구되고 있다. 이 요구에 대하여, 투명 도전층에 보조 전극층으로서, 투명 도전층보다 낮은 저항값을 갖는 금속 세선이나 금속 페이스트의 패턴층을 형성한 구조가 사용되고 있다.
상기 구조에 있어서는, 예를 들어, 보조 전극층 상에 투명 도전층을 적층한 경우, 보조 전극층의 두께에 따른 단차가 생겨 버리고, 나아가서는 그 단차는 또한 근접하는 디바이스 등의 활성층 (구동층 등) 의 도전 부위에도 영향을 미쳐, 디바이스 특성의 저하, 단락 등에 의한 불량의 발생, 디바이스 수명의 저하의 요인이 되고 있었다.
상기 문제를 해결하는 방법으로, 특허문헌 1 에서는, 투명 도전층과 보조 전극층 사이에, 열 경화형 폴리에스테르 수지나 UV 경화형 아크릴레이트 수지를 사용한 투명 수지층의 사용이 개시되어 있다. 또, 특허문헌 2 에서는, 보조 전극층과 개구부에 형성한 투명 수지층으로 이루어지는 면이, 전사 기재의 평활성을 반영시키는 프로세스 등을 도입함으로써, 투명 도전층과 접하는 면이, 특허문헌 1 보다 높은 평활성이 얻어지는 제조 방법이 개시되어 있다.
일본 공개특허공보 제2005-332705호 일본 공개특허공보 제2014-216175호
그러나, 특허문헌 1 에서는, 투명 수지층이 인듐-주석 산화물 (ITO) 의 적층시의 열 이력에 의해, 기계적인 변형이나 손상을 받음으로써 평활성이 저해되어, 결과적으로 전술한 종래의 문제를 해결하는 데에는 이르지 않았다.
특허문헌 2 에서는, 평활성에 대해서는 특허문헌 1 보다 우수하기는 하지만, 역시 내열성이 충분하지 않아, 특허문헌 1 과 동일한 문제를 남기고 있다.
본 발명은 상기 문제를 감안하여, 내열성이 높고, 보조 전극층을 포함하는 표면의 평활성이 우수한 투명 도전층 적층용 필름, 그 제조 방법, 및 표면 저항률이 낮고, 디바이스 내에 있어서의 전극간에서의 단락에 의한, 디바이스의 특성 불량의 발생, 및 디바이스 수명의 저하가 억제되는 투명 도전성 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 투명 수지 필름 기재 상에, 적어도 투명 수지층 A 와, 개구부를 갖는 금속층과, 그 개구부에 형성한 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 를 복합층으로서 적층한 투명 도전층 적층용 필름으로 함으로써, 그 복합층의, 개구부를 갖는 금속층과 그 개구부에 형성한 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 로 이루어지는 면의 표면 조도의 증가가, 이어지는 투명 도전층의 적층시의 열 이력에 있어서 억제되는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은 이하의 (1) ∼ (13) 을 제공하는 것이다.
(1) 투명 수지 필름 기재 상에, 적어도, 투명 수지층 A, 개구부를 갖는 금속층, 및 그 개구부에 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 가 복합층으로서 적층된 투명 도전층 적층용 필름으로서, 그 복합층의, 그 투명 수지 필름 기재측의 면과는 반대측의 면이, 그 금속층과 그 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 로 이루어지는, 투명 도전층 적층용 필름.
(2) 상기 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 의 두께가 100 ㎚ ∼ 100 ㎛ 인, 상기 (1) 에 기재된 투명 도전층 적층용 필름.
(3) 상기 무기 미립자의 누적 90 체적％ 에 있어서의 입경 (D90) 이 200 ㎚ 이하인, 상기 (1) 또는 (2) 에 기재된 투명 도전층 적층용 필름.
(4) 상기 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 전체 체적 중의 그 무기 미립자의 함유량이 20 ∼ 70 체적％ 인, 상기 (1) ∼ (3) 중 어느 한 항에 기재된 투명 도전층 적층용 필름.
(5) 상기 무기 미립자가 실리카 미립자인, 상기 (1) ∼ (4) 중 어느 한 항에 기재된 투명 도전층 적층용 필름.
(6) 상기 복합층의 상기 금속층과 상기 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 로 이루어지는 계면 단차를 포함하는 표면의 JIS-B0601-1994 로 규정되는 산술 평균 조도 Ra 가 40 ㎚ 이하인, 상기 (1) 에 기재된 투명 도전층 적층용 필름.
(7) 상기 투명 도전층 적층용 필름에 추가로 가스 배리어층을 포함하는, 상기 (1) 에 기재된 투명 도전층 적층용 필름.
(8) 상기 (1) ∼ (7) 중 어느 한 항에 기재된 투명 도전층 적층용 필름에 있어서의 복합층 상에 투명 도전층이 적층되어 이루어지는, 투명 도전성 필름.
(9) 상기 투명 도전층의 표면의 JIS-B0601-1994 로 규정되는 산술 평균 조도 Ra 가 40 ㎚ 이하인, 상기 (8) 에 기재된 투명 도전성 필름.
(10) 대향하는 전극의 적어도 일방이 상기 투명 도전성 필름으로 구성된 전자 디바이스로서, 그 투명 도전성 필름이 상기 (8) 또는 (9) 에 기재된 투명 도전성 필름인, 전자 디바이스.
(11) 상기 전자 디바이스가, 유기 박막 태양 전지 또는 유기 EL 조명인, 상기 (10) 에 기재된 전자 디바이스.
(12) 투명 수지 필름 기재 상에, 적어도, 투명 수지층 A, 개구부를 갖는 금속층, 및 그 개구부에 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 가 복합층으로서 적층된 투명 도전층 적층용 필름의 제조 방법으로서, 하기 공정 (A) ∼ (C) 를 포함하는, 투명 도전층 적층용 필름의 제조 방법.
(A) 전사용 기재 상에 상기 개구부를 갖는 금속층을 형성하고, 그 개구부에 상기 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 를 형성하고, 추가로 상기 투명 수지층 A 를 형성하여 복합층을 형성하는 공정
(B) 상기 복합층을 상기 투명 수지 필름 기재 상에 적층하는 공정
(C) 상기 전사용 기재를 박리하고, 상기 복합층의 금속층과 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 로 이루어지는 면에 그 전사용 기재의 평활면을 전사하는 공정
(13) 상기 투명 도전층 적층용 필름의 상기 복합층 상에, 추가로 투명 도전층을 적층시키는 공정을 포함하는, 상기 (12) 에 기재된 투명 도전성 필름의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 내열성이 높고, 보조 전극층을 포함하는 표면의 평활성이 우수한 투명 도전층 적층용 필름, 그 제조 방법, 및 표면 저항률이 낮고, 디바이스 내에 있어서의 전극간에서의 단락에 의한, 디바이스의 특성 불량의 발생, 및 디바이스 수명의 저하가 억제되는 투명 도전성 필름을 제공할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 투명 도전층 적층용 필름 및 투명 도전성 필름의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 제조 방법에 따른 공정의 일례를 공정순으로 나타내는 설명도이다.
도 3 은, 본 발명의 실시예에서 얻어진 투명 도전층 적층용 필름의 복합층의 표면 및 그 표면에 투명 도전층이 적층된 후의 투명 도전성 필름의 표면을 나타내고, (a) 는 실시예 1 의 광 간섭 이미지 (왼쪽이 적층 전, 오른쪽이 적층 후, 측정 범위 : 91 ㎛ × 120 ㎛) 이고, (b) 는 비교예 1 의 광 간섭 이미지 (왼쪽이 적층 전, 오른쪽이 적층 후, 측정 범위 : 91 ㎛ × 120 ㎛) 이다.
[투명 도전층 적층용 필름]
본 발명의 투명 도전층 적층용 필름은, 투명 수지 필름 기재 상에, 적어도, 투명 수지층 A, 개구부를 갖는 금속층, 및 그 개구부에 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 가 복합층으로서 적층된 투명 도전층 적층용 필름으로서, 그 복합층의, 그 투명 수지 필름 기재측의 면과는 반대측의 면이, 그 금속층과 그 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 로 이루어지는, 투명 도전층 적층용 필름이다.
도 1 은, 본 발명의 투명 도전층 적층용 필름 및 투명 도전성 필름의 일례를 나타내는 단면도이다. 도 1 에 있어서, 투명 도전층 적층용 필름 (1a) 은, 투명 수지 필름 기재 (2) 상에, 투명 수지층 A (4) 와, 개구부 (7) 를 갖는 금속층 (6) 과 그 개구부에 형성한 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B (5) 로 구성되는 복합층 (3) 이 적층되어 이루어지는 것이다.
투명 도전층 적층용 필름을 구성하는 상기 복합층의 금속층의 개구부에, 투명 필름 기재 상의 투명 수지층 A 를 개재하여, 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 를 형성함으로써, 투명 도전층 적층용 필름 상에 투명 도전층을 적층했을 때, 적층시의 열 이력에 의해, 복합층과 투명 도전층 사이의 열 수축률차 (탄성률차 등을 포함한다) 등에서 유래하는 기계적 상호 작용에 의한, 박리, 크랙의 발생, 표면 형상의 악화 등을 억제할 수 있다. 또한 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 를 형성함으로써, 투명 도전층을 레이저 에칭이나 웨트 에칭을 실시할 때의 레이저광이나 에칭액에 의한 데미지로부터 투명 도전층 적층용 필름을 보호할 수도 있다.
또, 투명 도전층을 적층하여, 투명 도전성 필름으로 했을 때, 복합층에 있어서의 금속층 (이하, 패턴화된 금속층을 「보조 전극층」이라고 하는 경우가 있다) 에 의해, 투명 도전성 필름의 표면이 저저항화 (표면 저항률 감소) 된다.
<무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B>
본 발명에 사용하는 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B (이하, 「내열층」이라고 하는 경우가 있다) 는, 전술한 바와 같이, 본 발명의 투명 도전층 적층용 필름의 복합층의 금속층의 개구부에 형성된다. 내열성을 갖기 때문에, 투명 도전층을 적층했을 때의 열 이력에서 유래하는, 투명 도전층의 표면 조도의 증가를 억제하기 위해 필수로 형성된다.
본 발명에 있어서의 내열층은, 이하의 (P) 활성 에너지선 감응형 조성물을 경화시켜 이루어지는 것이다.
(P) 활성 에너지선 감응형 조성물
활성 에너지선 감응형 조성물은, (i) 활성 에너지선 경화형 화합물, (ii) 무기 미립자, (iii) 광 중합 개시제를 포함한다. 그 활성 에너지선 감응형 조성물에 대하여, 활성 에너지선을 조사함으로써, 가교, 경화시켜 내열층을 얻을 수 있다.
또, 그 조성물에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 자외선 흡수제, 광 안정제, 산화 방지제, 적외선 흡수제, 대전 방지제, 레벨링제, 소포제 등의 첨가제를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서 「활성 에너지선」이란, 자외선 또는 전자선 등의 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미한다.
(i) 활성 에너지선 경화형 화합물
본 발명에 있어서 「활성 에너지선 경화형 화합물」이란, 상기의 활성 에너지선을 조사함으로써, 가교, 경화되는 중합성 화합물을 의미한다.
활성 에너지선 경화형 화합물로는, 다관능성 (메트)아크릴레이트계 모노머 및/또는 (메트)아크릴레이트계 프레폴리머가 바람직하고, 다관능성 (메트)아크릴레이트계 모노머가 보다 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서, (메트)아크릴레이트란, 아크릴레이트 및 메타크릴레이트의 양방을 의미하고, 다른 유사 용어도 동일하다.
다관능성 (메트)아크릴레이트계 모노머로는, 예를 들어, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 하이드록시피발산네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐디(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐디(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 인산디(메트)아크릴레이트, 알릴화시클로헥실디(메트)아크릴레이트, 이소시아누레이트디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
또한, 이들 모노머는 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
(메트)아크릴레이트계 프레폴리머로는, 예를 들어, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트계 프레폴리머, 에폭시(메트)아크릴레이트계 프레폴리머, 우레탄(메트)아크릴레이트계 프레폴리머, 폴리올(메트)아크릴레이트계 프레폴리머 등을 들 수 있다.
폴리에스테르(메트)아크릴레이트계 프레폴리머는, 예를 들어, 다가 카르복실산과 다가 알코올의 축합에 의해 얻어지는 양 말단에 수산기를 갖는 폴리에스테르 올리고머의 수산기를 (메트)아크릴산에 의해 에스테르화함으로써 얻을 수 있다. 혹은, 다가 카르복실산에 알킬렌옥사이드를 부가하여 얻어지는 올리고머의 말단의 수산기를 (메트)아크릴산에 의해 에스테르화함으로써 얻을 수 있다.
에폭시아크릴레이트계 프레폴리머는, 예를 들어, 비교적 저분자량의 비스페놀형 에폭시 수지나 노볼락형 에폭시 수지의 옥실란 고리에, (메트)아크릴산을 반응시켜 에스테르화함으로써 얻을 수 있다.
우레탄아크릴레이트계 프레폴리머는, 예를 들어, 폴리에테르폴리올이나 폴리에스테르폴리올과 폴리이소시아네이트의 반응에 의해 얻어지는 양 말단에 수산기를 갖는 폴리우레탄 올리고머를, (메트)아크릴산에 의해 에스테르화함으로써 얻을 수 있다.
폴리올아크릴레이트계 프레폴리머는, 폴리에테르폴리올의 수산기를 (메트)아크릴산에 의해 에스테르화함으로써 얻을 수 있다.
또한, 이들 프레폴리머는 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 되고, 상기 다관능성 (메트)아크릴레이트계 모노머와 병용해도 된다.
(ii) 무기 미립자
본 발명에 사용하는 무기 미립자는, 특별히 제한되지 않지만, 투명 도전층 적층용 필름의 광선 투과율의 저하 등, 그 투명 도전층 적층용 필름의 기본적인 특성을 저해하지 않는 범위에서 선택되고, 실리카 미립자, 산화티탄 미립자, 알루미나 미립자, 탄산칼슘 미립자를 들 수 있다. 그 무기 미립자 중에서도, (i) 활성 에너지선 경화형 화합물과 강고한 결합을 형성하는 관점에서, 그 활성 에너지선 경화형 화합물과 반응할 수 있는 중합성 불포화기를 갖는 유기 화합물로 표면 수식된 실리카 미립자가 바람직하다.
중합성 불포화기를 갖는 유기 화합물로 표면 수식된 실리카 미립자는, 실리카 미립자의 표면의 실란올기에, 그 실란올기와 반응할 수 있는 관능기인 (메트)아크릴로일기를 갖는 중합성 불포화기 함유 유기 화합물을 반응시킴으로써 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 무기 미립자의 표면을 수식하는 중합성 불포화기를 갖는 유기 화합물은, (ii) 무기 미립자의 구성 요소로서 포함되는 것으로, 상기 (i) 활성 에너지선 경화형 화합물과는 구별된다.
상기 실란올기와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 중합성 불포화기 함유 유기 화합물로는, 예를 들어, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물 등이 바람직하다.
[화학식 1]
Figure 112018041729343-pct00001
(식 중, R1 은 수소 원자 또는 메틸기, R2 는 할로겐 원자 또는 하기 식으로 나타내는 기이다)
[화학식 2]
Figure 112018041729343-pct00002
이와 같은 유기 화합물로는, 예를 들어, (메트)아크릴산, (메트)아크릴산클로라이드, (메트)아크릴산2-이소시아네이트에틸, (메트)아크릴산글리시딜, (메트)아크릴산2,3-이미노프로필, (메트)아크릴산2-하이드록시에틸, (메트)아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란 등의 (메트)아크릴산 및 그 유도체를 들 수 있고, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
상기 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 전체 체적 중의 그 무기 미립자의 함유량은, 바람직하게는 20 ∼ 70 체적％, 보다 바람직하게는 30 ∼ 65 체적％, 더욱 바람직하게는 30 ∼ 60 체적％ 이다. 무기 미립자의 함유량이 이 범위이면, 투명 도전층의 적층시의 열 이력에 의한 투명 도전층의 표면 조도의 증가의 억제, 수지 경화시의 경화 수축에서 유래하는, 복합층의 보조 전극층과 내열층으로 이루어지는 표면의 표면 조도의 증가를 억제할 수 있다. 무기 미립자로는, 전술한 바와 같이, 실리카 미립자가 바람직하다.
내열층의 두께는, 내열층 형성에 사용하는 재료, 보조 전극층의 재료, 두께 등에 의해 적절히 선택되는데, 통상적으로 100 ㎚ ∼ 100 ㎛, 바람직하게는 1 ∼ 50 ㎛, 더욱 바람직하게는 2 ∼ 20 ㎛ 이다. 내열층의 두께가 이 범위이면, 투명 도전층 적층시의, 투명 도전층 적층용 필름 유래의 투명 도전층의 표면 조도의 증가를 억제할 수 있다.
또, 내열층의 두께 t1 과 상기 금속층 (보조 전극층) 의 두께 t2 의 비 (t1/t2) 가 0.05 ∼ 5.0 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.10 ∼ 4.0, 더욱 바람직하게는 0.10 ∼ 2.0, 특히 바람직하게는 0.10 ∼ 1.0 이다. 내열층의 두께 t1 과 보조 전극층의 두께 t2 의 비 (t1/t2) 가 이 범위이면, 내열층 형성시의 경화 수축에 의한 복합층의 표면 조도의 증가를 억제할 수 있다.
상기 무기 미립자의 D90 (D90 은 누적 90 체적％ 에 있어서의 입경이다) 이 200 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 10 ㎚ 이하이다. D90 이 이 범위이면, 미립자에 의한 광 산란이 억제되고, 광학 특성이 향상되어 바람직하다.
또한, 무기 미립자의 D90 의 값은, 후술하는 실시예 및 비교예에서 사용한 실리카 미립자의 D90 의 값을 포함하고, 동적 광 산란식 입자 분포 측정 장치 (마이크로트랙·벨사 제조, 품명 : Nanotrac wave) 를 사용하여 측정하였다.
본 발명의 투명 도전층 적층용 필름의 상기 복합층의, 보조 전극층과 내열층으로 이루어지는 계면 단차를 포함하는 표면의 JIS-B0601-1994 로 규정되는 산술 평균 조도 Ra 가 40 ㎚ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 20 ㎚ 이하이고, 더욱 바람직하게는 15 ㎚ 이하이다. 산술 평균 조도 Ra 가 이 범위에 있으면, 그 투명 도전층 적층용 필름에 투명 도전층을 적층한 경우, 투명 도전층의 적층 후의 투명 도전층의 표면 조도를 바람직한 범위로 억제하여, 디바이스 내에 있어서의 전극간에서의 단락에 의한 디바이스 특성의 불량의 발생, 및 디바이스 수명의 저하를 억제할 수 있다.
(iii) 광 중합 개시제
활성 에너지선 감응형 조성물에는, 광 중합 개시제가 함유된다.
광 중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 아세토페논, 디메틸아미노아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온, 4-(2-하이드록시에톡시)페닐-2(하이드록시-2-프로필)케톤, 벤조페논, p-페닐벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 디클로로벤조페논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-터셔리-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논, 2-메틸티오크산톤, 2-에틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 벤질디메틸케탈, 아세토페논디메틸케탈, p-디메틸아미노벤조산에스테르 등을 들 수 있다. 이들 광 중합 개시제는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
상기 (i) 활성 에너지선 경화형 화합물, (ii) 실리카 미립자, 및 (iii) 광 중합 개시제를 포함하는 활성 에너지선 감응형 조성물의 시판품으로는, 예를 들어, 「옵스터 Z7530」, 「옵스터 Z7524」, 「옵스터 TU4086」(제품명, 모두 JSR 사 제조) 등을 들 수 있다.
활성 에너지선 감응형 조성물에는, 필요에 따라, 자외선 흡수제를 함유해도 된다.
자외선 흡수제로는, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제, 힌더드아민계 자외선 흡수제, 벤조페논계 자외선 흡수제, 트리아진계 자외선 흡수제 등을 들 수 있다.
이들 자외선 흡수제는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도, 분자 내에 라디칼 중합성의 이중 결합을 갖는 라디칼 중합성 자외선 흡수제가 바람직하다.
자외선 흡수제가 함유되는 경우의 함유량으로는, (i) 활성 에너지선 경화형 화합물, (ii) 실리카 미립자, 및 (iii) 광 중합 개시제의 합계 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.2 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 7 질량부이다.
활성 에너지선 감응형 조성물에는, 필요에 따라, 광 안정제를 함유해도 된다.
광 안정제로는, 힌더드아민계 광 안정제, 벤조페논계 광 안정제, 벤조트리아졸계 광 안정제 등을 들 수 있다. 이들 광 안정제는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
광 안정제가 함유되는 경우의 함유량으로는, (i) 활성 에너지선 경화형 화합물, (ii) 실리카 미립자, 및 (iii) 광 중합 개시제의 합계 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.2 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 7 질량부이다.
(투명 수지 필름 기재)
본 발명에 사용하는 투명 수지 필름 기재는, 특별히 한정되지 않고, 사용하는 디바이스 등에 따라 적절히 선택하면 되고, 예를 들어, 유연성 및 투명성이 우수한 것이면 특별히 한정되지 않고, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리페닐렌에테르, 폴리에테르케톤, 폴리에테르에테르케톤, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술파이드, 폴리아릴레이트, 아크릴계 수지, 시클로올레핀계 폴리머, 방향족계 중합체 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 폴리에스테르로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN), 폴리아릴레이트 등을 들 수 있다. 또, 시클로올레핀계 폴리머로는, 노르보르넨계 중합체, 단고리의 고리형 올레핀계 중합체, 고리형 공액 디엔계 중합체, 비닐 지환식 탄화수소 중합체, 및 이들의 수소화물을 들 수 있다. 이와 같은 투명 수지 필름 기재 중에서, 비용, 내열성의 관점에서, 2 축 연신된 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) 가 특히 바람직하다.
투명 필름 수지 기재의 두께는, 10 ∼ 500 ㎛ 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20 ∼ 300 ㎛, 더욱 바람직하게는 25 ∼ 100 ㎛ 이다. 이 범위이면, 투명 수지 필름 기재로서의 기계 강도, 투명성을 확보할 수 있다.
(투명 가스 배리어층)
본 발명의 투명 도전층 적층용 필름에는, 투명 가스 배리어층을 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 1 에 있어서는, 투명 수지 필름 기재 (2) 와 복합층 (3) 사이에 형성되고, 투명 수지 필름 기재 (2) 를 투과한 대기 중의 수증기의 침투를 억제하여, 결과적으로 복합층 (3), 투명 도전층 (1b) 에 대한 수증기 투과를 방지하는 기능을 갖는다. 이 때문에, 그 투명 도전층 적층용 필름에 투명 도전층을 적층하여, 투명 도전성 필름으로 했을 때에, 투명 도전층이 열화되지 않고, 표면 저항률을 유지할 수 있다. 또, 전자 디바이스의 투광성 전극으로서 사용했을 때에, 디바이스 내부의 활성층 등의 경시적 열화를 억제할 수 있어, 디바이스의 장수명화로 이어질 수 있다.
투명 가스 배리어층으로는, 무기 화합물의 증착막이나 금속의 증착막 등의 무기 증착막, 고분자 화합물을 포함하는 층에 이온 주입 등의 개질 처리를 가하여 얻어지는 층 등을 들 수 있다.
상기 투명 수지 필름 기재에 따라, 가스 배리어 재료 및 층 수를 적절히 선택하여 사용할 수 있다.
(복합층)
본 발명의 복합층은, 투명 도전층 적층용 필름에 포함되고, 투명 수지 필름 기재 상에 적층되고, 적어도 투명 수지층 A, 개구부를 갖는 금속층, 및 개구부에 형성한 전술한 내열층으로 이루어진다. 본 발명의 복합층을 갖는 투명 도전층 적층용 필름에 투명 도전층을 적층하여, 투명 도전성 필름으로 한 경우에는, 투명 도전층의 저저항화 (표면 저항률의 저하) 및 투명 도전층 표면의 표면 조도의 증가를 억제하는 기능을 갖는다.
복합층 (3) 은, 도 1 에 있어서는, 투명 수지 필름 기재 (2) 에 형성되고, 투명 수지층 A (4), 개구부를 갖는 금속층 (보조 전극층) (6), 및 개구부에 형성한 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B (내열층) (5) 으로 이루어진다.
<금속층>
금속층은, 본 발명의 투명 도전층 적층용 필름 상에 투명 도전층을 적층하여, 투명 도전성 필름으로 했을 때, 투명 도전층의 표면 저항률을 저하시키기 위해 형성된다. 또, 통상적으로 그 투명 도전층의 광선 투과율을 저하시키지 않도록, 금속층만으로 이루어지는 솔리드층이 아니라, 패턴화되어 개구부를 갖는 전술한 보조 전극층으로서 사용한다.
보조 전극층을 형성하기 위한 재료는, 특별히 제한되지 않지만, 포토리소그래피 등의 방법을 사용하여 패턴화를 실시하는 경우에는, 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 백금 등의 단금속, 알루미늄-실리콘, 알루미늄-구리, 알루미늄-티탄-팔라듐 등의 2 원 내지 3 원계의 알루미늄 합금 등을 들 수 있다. 이들 재료 중에서, 은, 구리, 알루미늄 합금이 바람직하고, 비용, 에칭성, 내식성의 관점에서, 구리, 알루미늄 합금이 보다 바람직하다.
또, 도전성 미립자를 포함하는 도전 페이스트를 사용할 수 있다. 도전 페이스트로는, 용매 중에, 또는 바인더를 포함하는 용매 중에, 금속 미립자, 카본 미립자, 산화루테늄 미립자 등의 도전성 미립자를 분산시킨 것을 사용할 수 있다. 이 도전 페이스트를 인쇄하고, 경화시킴으로써, 보조 전극층이 얻어진다.
상기 금속 미립자의 재질로는, 도전성의 관점에서는, 은, 구리, 금 등이 바람직하고, 가격의 면에서는 은, 구리, 니켈, 철, 코발트 등이 바람직하다. 또, 내식성이나 내약품성의 면에서는, 백금, 로듐, 루테늄, 팔라듐 등이 바람직하다. 카본 미립자는, 도전성의 면에서는 금속 미립자에 비해 떨어지지만, 낮은 가격이고, 내식성 및 내약품성이 우수하다. 또, 산화루테늄 (RuO2) 미립자는, 카본 미립자에 비해 고가이기는 하지만, 우수한 내식성을 갖는 도전성 물질이기 때문에, 보조 전극층으로서 사용할 수 있다.
보조 전극층은, 단층이어도 되고 다층 구조여도 된다. 다층 구조로는, 동종의 재료로 이루어지는 층을 적층한 다층 구조여도 되고, 적어도 2 종류 이상의 재료로 이루어지는 층을 적층한 다층 구조여도 된다.
다층 구조로는, 이종 (異種) 의 재료로 이루어지는 층을 적층한 2 층 구조인 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 다층 구조로는, 예를 들어, 최초로 은의 패턴층을 형성시키고, 그 위로부터 구리의 패턴층을 형성시키면, 은의 고도전성을 유지하면서 내식성이 개선되기 때문에 바람직하다.
본 발명의 보조 전극층의 패턴으로는, 특별히 한정되지 않고, 격자상, 허니컴상, 빗살상, 띠상 (스트라이프상), 직선상, 곡선상, 파선상 (사인 곡선 등), 다각형상의 망목상, 원형상의 망목상, 타원상의 망목상, 부정형 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 격자상, 허니컴상, 빗살상인 것이 바람직하다.
보조 전극층의 두께는, 100 ㎚ ∼ 20 ㎛ 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100 ㎚ ∼ 15 ㎛, 더욱 바람직하게는 100 ㎚ ∼ 10 ㎛ 이다.
보조 전극층의 패턴의 개구부 (보조 전극층이 형성되지 않은 부분) 의 개구율로는, 투명성 (광선 투과율) 의 관점에서, 80 ％ 이상 100 ％ 미만인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 90 ％ 이상 99 ％ 미만이고, 더욱 바람직하게는 93 ％ 이상 98 ％ 미만이다. 또한, 개구율이란, 개구부를 포함하는 보조 전극층의 패턴이 형성되어 있는 전체 영역의 면적에 대한, 개구부의 총 면적의 비율이다.
보조 전극층의 선폭은, 1 ∼ 100 ㎛ 가 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 ∼ 75 ㎛, 더욱 바람직하게는 5 ∼ 60 ㎛ 이다. 선폭이 이 범위에 있으면, 개구율이 넓어, 투과율을 확보할 수 있고, 또한 안정된 저저항의 투명 도전성 필름이 얻어지기 때문에 바람직하다.
<투명 수지층 A>
본 발명에 사용하는 투명 수지층 A 는, 보조 전극층과 내열층으로 이루어지는 면에 접하도록 형성되고, 주로 복합층 전체의 기계적 강도를 유지하는 기능을 갖는다.
예를 들어, 도 1 에 있어서, 투명 수지층 A (4) 는, 투명 수지 필름 기재 (2) 의 면과, 보조 전극층 (6) 과 내열층 (5) 으로 이루어지는 면 사이에 형성된다.
본 발명에 사용하는 투명 수지층 A 를 형성하는 투명 수지 조성물에는, 예를 들어, 활성 에너지선 경화형 화합물, 열 가소성 수지 등이 포함된다.
활성 에너지선 경화형 화합물로는, 전술한 내열층에 사용되는 것과 동일한 것을 들 수 있다.
열 가소성 수지로는, 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐 등의 폴리올레핀계 수지, (메트)아크릴계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 비누화물, 폴리비닐알코올, 폴리카보네이트계 수지, 불소계 수지, 폴리아세트산비닐계 수지, 아세탈계 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN), 폴리부틸렌나프탈레이트 (PBN) 등의 폴리에스테르계 수지, 나일론 6, 나일론 66 등의 폴리아미드계 수지 등을 들 수 있다. 또, 상기 수지를 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴이 바람직하다.
투명 수지층 A 의 두께는, 보조 전극층의 재료, 두께, 내열층의 재료 및 두께 등에 의해 적절히 선택되는데, 통상적으로 100 ㎚ ∼ 100 ㎛, 바람직하게는 1 ∼ 50 ㎛, 더욱 바람직하게는 5 ∼ 25 ㎛ 이다.
[투명 도전성 필름]
본 발명의 투명 도전성 필름은, 전술한 바와 같이 본 발명의 투명 도전층 적층용 필름에 있어서의 복합층 상에, 투명 도전층이 적층되어 이루어지는 것이다. 도 1 에 있어서는, 투명 도전성 필름 (1) 은, 복합층 (3) 상에 투명 도전층 (1b) 이 적층됨으로써 형성된다.
(투명 도전층)
투명 도전층으로는, 투명 도전성 산화물이 바람직하게 사용된다. 구체적으로는, 인듐-주석 산화물 (ITO), 인듐-아연 산화물 (IZO), 알루미늄-아연 산화물 (AZO), 갈륨-아연 산화물 (GZO), 인듐-갈륨-아연 산화물 (IGZO), 산화니오브, 산화티탄, 산화주석 등을 들 수 있고, 이들을 단독으로, 혹은 복수를 사용할 수 있다. 이 중에서, 인듐-주석 산화물 (ITO), 갈륨-아연 산화물 (GZO), 인듐-갈륨-아연 산화물 (IGZO) 이 바람직하고, 투과율, 표면 저항률, 안정성의 관점에서 인듐-주석 산화물 (ITO), 인듐-갈륨-아연 산화물 (IGZO) 이 더욱 바람직하고, 내습열성의 관점에서 인듐-갈륨-아연 산화물 (IGZO) 이 특히 바람직하다.
또한, 투명 도전층으로서, 도전성 유기 고분자가 바람직하게 사용된다. 도전성 유기 고분자로는, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) : 폴리(스티렌술폰산) [PEDOT : PSS], 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤 등을 들 수 있다. 이 중에서, 도전성, 투명성의 관점에서, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) : 폴리(스티렌술폰산) [PEDOT : PSS], 폴리티오펜이 바람직하고, 도전성, 투명성의 관점에서, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) : 폴리(스티렌술폰산) [PEDOT : PSS] 가 더욱 바람직하다.
투명 도전층의 두께는 10 ∼ 500 ㎚ 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 ∼ 200 ㎚ 이다. 이 범위에서는, 높은 투과율, 낮은 표면 저항률을 겸비하는 박막이 얻어지기 때문에 바람직하다.
상기 투명 도전층의 표면의 JIS-B0601-1994 로 규정되는 산술 평균 조도 Ra 가 40 ㎚ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 35 ㎚ 이하이고, 더욱 바람직하게는 30 ㎚ 이하이다. 산술 평균 조도 Ra 가 이 범위에 있으면, 디바이스 내에 있어서의 전극간에서의 단락에 의한 디바이스 특성의 불량의 발생, 및 디바이스 수명의 저하를 억제할 수 있다.
또, 투명 도전층의 전광선 투과율은, JIS K7361-1 에 준거하여 측정되는 전광선 투과율이 70 ％ 이상인 것이 바람직하고, 80 ％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 90 ％ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 투명 도전층 단층의 표면 저항률은 1000 (Ω/□) 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 100 (Ω/□) 이하이다.
이에 더하여, 본 발명의 보조 전극층을 갖는 투명 도전성 필름의 표면 저항률은 5 (Ω/□) 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 (Ω/□) 이하이다. 표면 저항률이 5 (Ω/□) 이하이면, 투명 도전성 필름을, 유기 박막 태양 전지, 유기 EL 조명 등의 대면적을 필요로 하는 전자 디바이스의 투광성 전극 등에 사용한 경우에도, 디바이스 동작 (집전이나 전압 인가) 시의, 전력 손실 (태양 전지 등의 발전용 전자 디바이스에 있어서는, 집전 전극으로부터 멀어질수록 투명 전극층의 높은 전기 저항률에 의해 전류 밀도가 저하되어, 전지의 성능을 결정하는 변환 효율이 저하) 이나 특성 분포 (유기 EL 조명 등의 발광용 전자 디바이스에 있어서는, 인가 전극으로부터 멀어질수록 투명 전극층의 높은 전기 저항률에 의해 전류 밀도가 저하되어 휘도 분포 등이 발생) 를 개선할 수 있다.
(전자 디바이스)
본 발명의 전자 디바이스는, 대향하는 전극의 적어도 일방이 투명 도전성 필름으로 구성된 전자 디바이스로서, 그 투명 도전성 필름이 본 발명의 투명 도전성 필름이다. 이 때문에, 투명 도전성 필름의 투명 도전층 표면의 표면 조도가 작게 억제되어 있는 점에서, 그 투명 도전성 필름을 전자 디바이스에 장착한 경우, 디바이스 내에 있어서의 기계적 손상으로 인한 근접하는 활성층과의 단락에 의한, 디바이스 특성의 불량의 발생, 및 디바이스 수명의 저하가 억제된 전자 디바이스로 할 수 있다. 동시에, 투명 도전층의 표면 저항률을 낮게 할 수 있고, 플렉시블인 점에서, 예를 들어, 대면적화가 요구되는 유기 박막 태양 전지, 유기 EL 조명으로서 바람직하게 사용할 수 있다.
[투명 도전층 적층용 필름의 제조 방법]
본 발명의 투명 도전층 적층용 필름의 제조 방법은, 투명 수지 필름 기재 상에, 적어도, 투명 수지층 A, 개구부를 갖는 금속층, 및 그 개구부에 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 가 복합층으로서 적층된 투명 도전층 적층용 필름의 제조 방법으로서, 하기 공정 (A) ∼ (C) 를 포함하는, 투명 도전층 적층용 필름의 제조 방법이다.
(A) 전사용 기재 상에 상기 개구부를 갖는 금속층을 형성하고, 그 개구부에 상기 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 를 형성하고, 추가로 상기 투명 수지층 A 를 형성하여 복합층을 형성하는 공정
(B) 상기 복합층을 상기 투명 수지 필름 기재 상에 적층하는 공정
(C) 상기 전사용 기재를 박리하고, 상기 복합층의 금속층과 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 로 이루어지는 면에 그 전사용 기재의 평활면을 전사하는 공정
본 발명의 투명 도전층 적층용 필름의 제조 방법에 대해, 도면을 이용하여 설명한다.
도 2 는, 본 발명의 제조 방법에 따른 공정의 일례를 공정순으로 나타내는 설명도를 나타내고, (a) 는 전사용 기재 (8) 상에 개구부 (7) 를 갖는 금속층 (6) 을 형성한 후의 단면도이고, (b) 는 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B (5) 를 금속층 (6) 의 개구부 (7) 에 형성한 후의 단면도이고, (c) 는 또한 금속층 (6) 과 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B (5) 로 이루어지는 면에 투명 수지층 A (4) 를 형성하고, 그것들을 복합층 (3) 으로 한 후의 단면도이고, (d) 는 얻어진 복합층 (3) 을 투명 수지 필름 기재 (2) 상에 적층시키는 공정을 나타내는 단면도이고, (e) 는 복합층 (3) 을 적층한 후, 복합층 (3) 의, 투명 수지 필름 기재 (2) 와는 접하지 않는 면측으로부터 전사용 기재 (8) 를 박리하여, 전사용 기재 (8) 면의 평활성을 복합층 (3) 에 전사한 후의 단면도이다.
＜(A) 복합층 형성 공정＞
복합층 형성 공정은, 전사용 기재 상에, 개구부를 갖는 금속층과, 그 개구부에 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 와, 그리고 그들의 면 상에 투명 수지층 A 를 형성함으로써, 복합층을 형성하는 공정이고, 금속층 형성 공정, 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 형성 공정, 및 투명 수지층 A 형성 공정으로 이루어진다.
(금속층 형성 공정)
금속층 형성 공정은, 전사용 기재 상에, 금속층으로 이루어지는 패턴 (보조 전극층) 을 형성하는 공정이다. 도 2(a) 에 있어서는, 전사용 기재 (8) 상에, 금속층 (보조 전극층) (6) 을 형성하는 공정이다.
본 발명에 사용하는 전사용 기재는, 기재 필름으로 이루어지고, 그 위에 실리콘 수지 조성물을 경화시킨 경화층을 형성하고 있는 것이 바람직하다.
기재 필름으로는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트나 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 폴리프로필렌이나 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리아세트산비닐 필름 등을 들 수 있지만, 이들 중에서 폴리에스테르 필름이 바람직하고, 특히 2 축 연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 특히 바람직하다. 기재 필름의 두께는, 기계 강도, 내구성의 관점에서 10 ㎛ ∼ 500 ㎛ 가 바람직하고, 보다 바람직하게는 25 ㎛ ∼ 300 ㎛ 이고, 더욱 바람직하게는 50 ㎛ ∼ 100 ㎛ 이다. 기재 필름의 표면 조도는, 전사물의 박리성, 전사물의 표면 조도의 관점에서, Ra 로 30 ㎚ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 20 ㎚ 이하이고, 더욱 바람직하게는 10 ㎚ 이하이다.
경화층의 형성 방법으로는, 실리콘 수지 조성물과, 원하는 바에 따라 사용되는 각종 첨가제 성분으로 이루어지는 도공액을, 상기의 기재 필름 상에, 예를 들어, 그라비아 코트법, 바 코트법, 스프레이 코트법, 스핀 코트법 등에 의해 도공할 수 있다. 이때, 도공액의 점도 조정의 목적으로, 적당한 유기 용제를 첨가해도 된다. 유기 용제로는, 특별히 제한은 없고, 여러 가지 것을 사용할 수 있다. 예를 들어 톨루엔, 헥산 등의 탄화수소 화합물을 비롯하여 아세트산에틸, 메틸에틸케톤 및 이들의 혼합물 등이 사용된다.
보조 전극층의 형성 방법으로는, 전사용 기재 상에, 패턴이 형성되어 있지 않은 솔리드 금속층을 형성한 후, 포토리소그래피법을 주체로 한 공지된 물리적 처리 혹은 화학적 처리, 또는 그것들을 병용하는 등에 의해, 소정의 패턴 형상으로 가공하는 방법, 또 잉크젯법, 스크린 인쇄법 등에 의해 직접 보조 전극층의 패턴을 형성하는 방법 등을 들 수 있다.
패턴이 형성되어 있지 않은 보조 전극층의 형성 방법으로는, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등의 PVD 법 (물리 기상 성장법), 혹은 열 CVD 법, ALD 법 (원자층 증착법) 등의 CVD 법 (화학 기상 성장법) 등의 드라이 프로세스, 또는 딥 코팅법, 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법, 그라비아 코팅법, 다이 코팅법, 닥터 블레이드법 등의 각종 코팅법이나 전착 등의 웨트 프로세스, 은염법 등을 들 수 있고, 보조 전극층의 재료에 따라 적절히 선택된다.
또, 스크린 인쇄 등의 방법으로, 보조 전극층의 패턴을 형성하는 경우에는, 도전성 미립자를 포함하는 도전 페이스트를 사용할 수 있다. 포토리소그래피법 등의 방법을 사용하여 패턴화를 실시해도 물론 상관없다. 공정의 간편함, 비용, 택트 타임 단축의 관점에서, 도전 페이스트의 패턴 인쇄가 바람직하게 사용된다.
도전 페이스트로는, 전술한 바와 같이, 용매 중에, 또는 바인더를 포함하는 용매 중에, 금속 미립자, 카본 미립자, 산화루테늄 미립자 등의 도전성 미립자를 분산시킨 것을 사용할 수 있다. 이 도전 페이스트를 인쇄하고, 경화시킴으로써, 보조 전극층이 얻어진다.
상기 금속 미립자의 재료로는, 전술한 바와 같다.
(무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 형성 공정)
무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 형성 공정은, 금속층의 개구부에 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B (내열층) 를 적층하는 공정으로, 예를 들어, 도 2(b) 에 있어서는, 무기 미립자를 포함하는 투명 수지를 갖는 투명 수지 조성물을, 전사용 기재 (8) 상의 금속층 (보조 전극층) (6) 의 개구부 (7) 에 적층하여, 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B (내열층) (5) 를 형성하는 공정이다.
내열층의 형성 방법으로는, 열 라미네이트법, 딥 코팅법, 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법, 그라비아 코팅법, 다이 코팅법, 닥터 블레이드법, 마이어 바 코팅법 등을 들 수 있다.
또, 전술한 활성 에너지선 경화형 화합물을 사용하는 경우, 활성 에너지 방사선을 조사하는 방법으로는, 예를 들어, 자외선이나 전자선 등을 들 수 있다. 상기 자외선은, 고압 수은 램프, 퓨전 H 램프, 크세논 램프 등에 의해 얻어지고, 광량은 통상적으로 100 ∼ 1000 mJ/㎠ 이고, 한편, 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 얻어지고, 조사량은 통상적으로 150 ∼ 350 ㎸ 이다. 이 활성 에너지선 중에서는, 특히 자외선이 바람직하다. 또한, 전자선을 사용하는 경우에는, 광 중합 개시제를 첨가하지 않고, 경화막을 얻을 수 있다.
(투명 수지층 A 형성 공정)
투명 수지층 A 형성 공정은, 개구부를 갖는 금속층과 개구부에 형성한 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 로 이루어지는 면에, 투명 수지층 A 를 적층하는 공정으로, 예를 들어, 도 2(c) 에 있어서는, 투명 수지를 포함하는 투명 수지 조성물을, 전사용 기재 (8) 상의 금속층 (보조 전극층) (6) 과 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B (내열층) (5) 로 이루어지는 면에 적층하여, 투명 수지층 A (4) 를 형성하는 공정이다.
투명 수지층 A 의 형성 방법, 그들의 경화 방법 등에 대해서는, 전술한 내열층과 동일하다.
또, 투명 수지층 A 로서 열 가소성 수지를 사용하는 경우에는, 제조를 간편하게 할 수 있는 점에서, 열 라미네이트가 바람직하다. 열 라미네이트는 공지된 방법으로 실시되지만, 라미네이트 조건은, 통상적으로 가열 온도 120 ∼ 180 ℃, 가압량 0.1 ∼ 25 ㎫ 이다.
＜(B) 복합층 적층 공정＞
복합층 적층 공정은, 복합층 형성 공정에서 얻어진 전사용 기재 상의 복합층을 투명 필름 기재측에 적층하는 공정으로, 예를 들어, 도 2(d) 에 있어서는, 투명 필름 기재 (2) 와 복합층 (3) 을 대향시켜, 투명 필름 기재 (2) 에 복합층 (3) 을 적층하는 공정이다.
＜(C) 평활면 전사 공정＞
평활면 전사 공정은, 전사용 기재와 복합층으로 이루어지는 면을 박리하고, 전사용 기재의 평활면을 복합층의 보조 전극층과 내열층으로 이루어지는 면에 전사하는 공정이다. 예를 들어, 도 2(e) 에 나타내는 바와 같이, 전사용 기재 (8) 와 복합층 (3) 의 계면을 박리함으로써, 전사용 기재 (8) 의 면의 평활성을 복합층 (3) 의 면에 전사하여, 표면 조도가 작고, 단차가 작은, 보조 전극층과 내열층으로 이루어지는 면을 형성할 수 있다. 전사 방법 및 박리 방법은 특별히 제한은 없고, 공지된 방법으로 실시할 수 있다.
상기 제조 방법에 의해 얻어진 투명 도전층 적층용 필름에 대하여, 추가로 하기 서술하는 투명 도전층 형성 공정을 거침으로써, 투명 도전성 필름을 제조할 수 있다.
＜투명 도전층 형성 공정＞
투명 도전층 형성 공정은, 상기 공정에서 얻어진 투명 도전층 적층용 필름의 복합층의 보조 전극층과 내열층으로 이루어지는 면측에, 투명 도전층을 적층하는 공정이다. 예를 들어, 도 2(f) 에 있어서는, 투명 도전성 산화물 또는 도전성 유기 고분자를, 복합층 (3) 상에 적층하여, 투명 도전층 (1b) 을 형성하는 공정이다.
투명 도전층의 형성 방법으로는, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등의 PVD (물리 기상 성장법), 혹은 열 CVD, 원자층 증착 (ALD) 등의 CVD (화학 기상 성장법) 등을 들 수 있다. 상기 수법에 의해 적층한 후, 필요에 따라 다른 적층체에 영향을 미치지 않는 범위에서 가열 처리를 실시함으로써, 보다 우수한 표면 저항률을 갖는 투명 도전층을 형성할 수 있다.
또, 투명 도전층으로서, 투명 도전층 형성용 도포액을 사용할 수 있다. 그 투명 도전층의 형성 방법으로는, 딥 코팅법, 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법, 그라비아 코팅법, 다이 코팅법, 닥터 블레이드법 등을 들 수 있다. 상기 수법에 의해 도포하고, 건조시킨 후, 필요에 따라 다른 적층체에 영향을 미치지 않는 범위에서, 가열 처리나 자외선 조사 등의 경화 처리를 실시함으로써, 보다 우수한 표면 저항률을 갖는 투명 도전층을 형성할 수 있다.
본 발명에서 사용하는 투명 도전층 형성용 도포액은, 용매와, 그 용매 중에 분산된 도전성 산화물 미립자를 포함하고, 도전성 산화물 미립자로는, 상기 투명 도전층용 재료로서도 예시한 투명성과 도전성을 갖는 인듐-주석 산화물 (ITO), 인듐-아연 산화물 (IZO), 알루미늄-아연 산화물 (AZO), 갈륨-아연 산화물 (GZO), 인듐-갈륨-아연 산화물 (IGZO), 산화니오브, 산화티탄, 산화주석 등을 사용할 수 있다. 그 도전성 산화물 미립자의 평균 입경은, 10 ∼ 100 ㎚ 가 바람직하다. 이 범위이면, 높은 투명성과 높은 도전성을 확보할 수 있기 때문에 바람직하다.
투명 도전층 형성용 도포액에는, 단층에서의 막 강도를 높이기 위해, 바인더를 첨가해도 된다. 그 바인더로는, 유기 바인더와 무기 바인더의 양방, 또는 어느 일방을 사용할 수 있고, 형성면이 되는 투명 수지층 B, 보조 전극층에 대한 영향을 고려하여 적절히 선정할 수 있다.
유기 바인더로는, 특별히 한정되지 않지만, 열 가소성 수지, 열 경화성 수지, 자외선 (UV) 경화성 수지, 전자선 경화성 수지 등에서 적절히 선정할 수 있다. 예를 들어, 열 가소성 수지로는, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, PET 수지, 폴리비닐알코올 수지 등을 들 수 있고, 열 경화성 수지로는, 에폭시 수지 등, 자외선 경화성 수지로는, 각종 올리고머, 모노머, 광 중합 개시제를 함유하는 수지 등, 전자선 경화성 수지로는, 각종 올리고머, 모노머를 함유하는 수지 등을 각각 들 수 있다.
또, 무기 바인더로는, 특별히 한정되지 않지만, 실리카졸을 주성분으로 하는 바인더를 들 수 있다. 무기 바인더는, 불화마그네슘 미립자, 알루미나졸, 지르코니아졸, 티타니아졸 등이나, 유기 관능기로 수식된 실리카졸을 포함하고 있어도 된다.
본 발명의 제조 방법에 의하면, 내열성이 높고, 표면 조도가 작은, 보조 전극층과 내열층으로 이루어지는 면을 갖는, 투명 도전층 적층용 필름을 제조할 수 있다. 또한 그 면 상에 투명 도전층을 적층함으로써, 표면 저항률이 낮고, 게다가, 디바이스 내에 있어서의 전극간에서의 단락에 의한, 디바이스의 특성 불량의 발생, 및 디바이스 수명의 저하가 억제 가능한 투명 도전성 필름을 제조할 수 있다.
실시예
다음으로, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은, 이들 예에 의해 조금도 한정되는 것은 아니다.
실시예, 비교예에서 제작한, 투명 도전층 적층용 필름 및 투명 도전성 필름의 표면 조도, 및 투명 도전성 필름의 표면 저항률의 평가는, 이하의 방법으로 실시하였다.
(a) 계면 단차, 표면 조도
투명 도전층 적층용 필름의 복합층의 보조 전극층과 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 로 이루어지는 표면 (전사 기재의 평활면 전사 후), 및 그 표면에 투명 도전층을 적층한 후의 표면에 대해, 광 간섭식 표면 조도계 (Veeco 사 제조, 형명 (型名) : Wyko NT1100) 를 사용하고, JIS-B0601-1994 로 규정되는 산술 평균 조도 Ra 를 측정하여, 이종의 층끼리의 계면 부위의 단차를 포함하는 표면 조도를 평가하였다.
(b) 투명 도전성 필름의 표면 저항률
저저항률계 (미츠비시 화학 아날리텍사 제조, 장치명 : 로레스타 AX MCP-T370) 에 의해, 25 ℃ 50 ％RH 의 환경하에서, 투명 도전성 필름의 표면 저항률 (Ω/□) 을 측정하였다.
(실시예 1)
스크린 인쇄 장치 (마이크로·텍사 제조, 장치명 : MT-320TV) 를 사용하고, 전사용 기재 (린텍사 제조, 품명 : PLD8030) 상에 도전 페이스트 (미츠보시 벨트사 제조, 품명 : EC-264) 를 인쇄하고, 가열 건조시킴으로써, 두께 6 ㎛, 선폭 50 ㎛, 피치 2000 ㎛ 의 격자상의 금속 세선 패턴으로 이루어지는 보조 전극층을 형성하였다.
다음으로, 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B, 즉 내열층으로서 아크릴 수지 조성물 A*1 (JSR 사 제조, 품명 : 옵스터 Z7530) 를 바 코트로 도포하여, 보조 전극층의 개구부에 내열층을 형성하고, 또한 투명 수지층 A 로서 아크릴 수지 조성물 B*2 (토아 합성사 제조, 품명 : UVX-6125) 를 바 코트로 도포하여, 보조 전극층 및 내열층 상에 투명 수지층 A 를 형성하고, 보조 전극층, 내열층 및 투명 수지층 A 로 이루어지는 복합층을 형성하였다 (이 시점에서는, 내열층 및 투명 수지층 A 는 모두 미경화). 그리고, 전사용 기재와 접하는 면과는 반대측의 복합층측의 면과, 후술하는 투명 가스 배리어층을 갖는 투명 수지 필름 기재의, 그 투명 수지 필름 기재와 접하는 면과는 반대측의 투명 가스 배리어층측의 면을 라미네이트하고, 투명 가스 배리어층을 갖는 투명 수지 필름 기재측으로부터 UV 조사를 하여, 복합층 중의 내열층 및 투명 수지층 A 를 경화시켰다 (경화 후의 내열층의 두께 : 2 ㎛ ; 경화 후의 투명 수지층 A 의 두께 : 30 ㎛). 마지막으로, 복합층으로부터 전사용 기재를 박리함으로써, 투명 수지 필름 기재 상에, 투명 가스 배리어층을 개재하여, 개구부를 갖는 금속층 (보조 전극층), 내열층, 및 투명 수지층 A 로 이루어지는 복합층이 적층된 투명 도전층 적층용 필름을 제작하였다.
*1 : 활성 에너지선 경화성 수지인 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 (DPHA ; 밀도 : 1.25 g/㎤) 와 무기 미립자로서의 반응성 실리카 (실리카 1 이라고 한다 ; 밀도 : 2.1 g/㎤ ; D90 : 5.23 ㎚) 를 질량비 40 : 60 으로 혼합, 무기 미립자의 함유량 : 49 체적％, 광 중합 개시제 : 3 질량％, 고형분 농도 : 19 질량％, 용매 : 메틸에틸케톤
*2 : 아크릴 수지 조성물 B (아크릴계 활성 에너지선 경화형 수지 사용)
도포액 점도 : 380 mPa·sec
도포액 고형분 농도 : 100 ％
경화 수축률 : 8.9 ％
동적 점탄성 측정 장치 (TA 인스트루먼트사 제조, 기종명 「DMA Q800」) 에 있어서 측정한 유리 전이 온도 : 148 ℃
동적 점탄성 측정 장치에 있어서, 인장 모드, 주파수 11 ㎐, 승온 속도 3 ℃/min 으로 측정했을 때의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 : 2.2 ㎬
동적 점탄성 측정 장치에 있어서, 인장 모드, 주파수 11 ㎐, 승온 속도 3 ℃/min 으로 측정했을 때의 100 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 : 0.6 ㎬
<투명 가스 배리어층의 제작>
투명 수지 필름 기재 (테이진 듀퐁 필름사 제조, PENQ65HWA) 에, 하기의 프라이머층 형성용 용액을 바 코트법에 의해 도포하고, 70 ℃ 에서, 1 분간 가열 건조시킨 후, UV 광 조사 라인 (Fusion UV Systems JAPAN 사 제조, 고압 수은등 ; 적산 광량 100 mJ/㎠, 피크 강도 1.466 W, 라인 속도 20 m/분, 패스 횟수 2 회) 을 사용하여 UV 광 조사를 실시하여, 두께 1 ㎛ 의 프라이머층을 형성하였다. 얻어진 프라이머층 상에, 퍼하이드로폴리실라잔 함유액 (AZ 일렉트로닉 마테리알즈사 제조, 상품명 : AZNL110A-20) 을 스핀 코트법에 의해 도포하고, 얻어진 도막을 120 ℃ 에서 2 분간 가열함으로써, 두께 150 ㎚ 의 퍼하이드로폴리실라잔층을 형성하였다. 또한 얻어진 퍼하이드로폴리실라잔층에, 하기 조건에 의해, 아르곤 (Ar) 을 플라즈마 이온 주입하여, 플라즈마 이온 주입한 퍼하이드로폴리실라잔층 (이하, 「무기층 A」라고 한다) 을 형성하였다.
이어서, 무기층 A 상에, 무기층 A 와 동일하게 산질화규소층 (무기층 B) 을 형성하고, 투명 수지 필름 기재 상에 2 층째의 투명 가스 배리어층을 제작하였다.
(프라이머층 형성용 용액)
디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 (신나카무라 화학사 제조, 상품명 : A-DPH) 20 질량부를 메틸이소부틸케톤 100 질량부에 용해시킨 후, 광 중합성 개시제 (BASF 사 제조, 상품명 : Irgacure127) 를, 고형분에 대하여 3 질량％ 가 되도록 첨가하여, 프라이머층 형성용 용액을 조제하였다.
플라즈마 이온 주입은, 하기의 장치를 사용하여 이하의 주입 조건에서 실시하였다.
<플라즈마 이온 주입 장치>
RF 전원 : 형 번호 「RF56000」, 니혼 전자사 제조
고전압 펄스 전원 : 「PV-3-HSHV-0835」, 쿠리타 제작소사 제조
<플라즈마 이온 주입 조건>
·플라즈마 생성 가스 : Ar
·가스 유량 : 100 sccm
·Duty 비 : 0.5 ％
·반복 주파수 : 1000 ㎐
·인가 전압 : -6 ㎸
·RF 전원 : 주파수 13.56 M㎐, 인가 전력 1000 W
·챔버 내압 : 0.2 ㎩
·펄스 폭 : 5 sec
·처리 시간 (이온 주입 시간) : 200 sec
·반송 속도 : 0.2 m/min
또한 추가로, 스퍼터링 장치 (알박사 제조, 장치명 : ISP-4000S-C) 에 의해, 얻어진 투명 도전층 적층용 필름의 복합층면 상에 인듐-주석 산화물 (ITO) 을 50 ㎚ 적층함으로써, 투명 도전성 필름을 제작하였다.
제작한 투명 도전층 적층용 필름의 복합층측의 표면 및 투명 도전성 필름의 투명 도전층측의 표면의 산술 평균 조도 Ra, 및 투명 도전성 필름의 표면 저항률을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
(실시예 2)
실시예 1 에 있어서, 내열층의 두께를 4 ㎛ 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게, 투명 도전층 적층용 필름 및 투명 도전성 필름을 제작하였다. 제작한 투명 도전층 적층용 필름의 복합층측의 표면 및 투명 도전성 필름의 투명 도전층측의 표면의 산술 평균 조도 Ra, 및 투명 도전성 필름의 표면 저항률을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
(실시예 3)
실시예 1 에 있어서, 내열층의 두께를 19 ㎛ 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게, 투명 도전층 적층용 필름 및 투명 도전성 필름을 제작하였다. 제작한 투명 도전층 적층용 필름의 복합층측의 표면 및 투명 도전성 필름의 투명 도전층측의 표면의 산술 평균 조도 Ra, 및 투명 도전성 필름의 표면 저항률을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
(실시예 4)
실시예 1 에 있어서, 내열층의 형성에 사용한 무기 미립자를 포함하는 아크릴 수지 조성물 A 를, 무기 미립자 (닛산 화학사 제조, 품명 : MIBK-AC-2140Z) 를 포함하는 아크릴 수지 조성물 C*3 로 변경하고, 두께를 3 ㎛, 무기 미립자의 함유량을 30 체적％ 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게, 투명 도전층 적층용 필름 및 투명 도전성 필름을 제작하였다. 제작한 투명 도전층 적층용 필름의 복합층측의 표면 및 투명 도전성 필름의 투명 도전층측의 표면의 산술 평균 조도 Ra, 및 투명 도전성 필름의 표면 저항률을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
*3 : 활성 에너지선 경화성 수지인 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 (DPHA ; 밀도 : 1.25 g/㎤) 와 무기 미립자로서의 반응성 실리카 (MIBK-AC-2140 Z ; 실리카 2 라고 한다 ; 밀도 : 2.1 g/㎤ ; D90 : 5.59 ㎚) 를 질량비 56 : 44 로 혼합, 무기 미립자의 함유량 : 30 체적％, 광 중합 개시제 : 3 질량％, 고형분 농도 : 50 질량％, 용매 : 메틸이소부틸케톤
(실시예 5)
실시예 4 에 있어서, 무기 미립자의 함유량을 30 체적％ 에서 40 체적％ 로 변경한 것 이외에는, 실시예 4 와 동일하게, 투명 도전층 적층용 필름 및 투명 도전성 필름을 제작하였다. 제작한 투명 도전층 적층용 필름의 복합층측의 표면 및 투명 도전성 필름의 투명 도전층측의 표면의 산술 평균 조도 Ra, 및 투명 도전성 필름의 표면 저항률을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
(실시예 6)
실시예 4 에 있어서, 무기 미립자의 함유량을 30 체적％ 에서 60 체적％ 로 변경한 것 이외에는, 실시예 4 와 동일하게, 투명 도전층 적층용 필름 및 투명 도전성 필름을 제작하였다. 제작한 투명 도전층 적층용 필름의 복합층측의 표면 및 투명 도전성 필름의 투명 도전층측의 표면의 산술 평균 조도 Ra, 및 투명 도전성 필름의 표면 저항률을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
(비교예 1)
실시예 1 에 있어서, 내열층을 형성하지 않는 것 이외에, 실시예 1 과 동일하게 하여, 투명 도전층 적층용 필름 및 투명 도전성 필름을 제작하였다. 제작한 투명 도전층 적층용 필름의 복합층측의 표면 및 투명 도전성 필름의 투명 도전층측의 표면의 산술 평균 조도 Ra, 및 투명 도전성 필름의 표면 저항률을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
(비교예 2)
실시예 4 에 있어서, 내열층에 무기 미립자를 포함하지 않도록 (내열층에서는 없도록) 한 것 이외에는, 실시예 4 와 동일하게 하여, 투명 도전층 적층용 필름 및 투명 도전성 필름을 제작하였다. 제작한 투명 도전층 적층용 필름의 복합층측의 표면 및 투명 도전성 필름의 투명 도전층측의 표면의 산술 평균 조도 Ra, 및 투명 도전성 필름의 표면 저항률을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure 112018041729343-pct00003
표 1 로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1, 2 및 3 에서는, 내열층 없음으로 한 비교예 1 에 비해, ITO 적층 전의 산술 평균 조도 Ra 의 값이 작아 우수하였다. 또, ITO 적층 전후의 산술 평균 조도 Ra 의 증가가 억제되어, 우수한 평활성이 유지되고 있음을 알 수 있었다.
또, 실시예 4, 5 및 6 에서는, 내열층에 무기 미립자를 포함하지 않도록 한 투명 수지층을 사용한 비교예 2 에 비해, ITO 적층 전의 산술 평균 조도 Ra 의 값이 작아 우수하였다. 또한, ITO 적층 전후의 산술 평균 조도 Ra 의 증가가 억제되어, 평활성이 유지되고 있음을 알 수 있었다.
본 발명의 투명 도전층 적층용 필름은, 내열성이 높고, 보조 전극층을 포함하는 표면의 평활성이 우수한 점에서, 그 투명 도전층 적층용 필름에 투명 도전층을 적층한 투명 도전성 필름의 표면도 평활성이 우수하기 때문에, 전자 디바이스 내에 있어서의 전극간의 단락에 의한, 디바이스의 특성 불량의 발생, 및 디바이스 수명의 저하가 억제되고, 또한 표면 저항률이 낮은 투명 도전성 필름이 얻어진다. 예를 들어, 대향하는 전극의 적어도 일방의 투명 도전성 필름을, 본 발명의 투명 도전성 필름으로 구성된 전자 디바이스 (유기 박막 태양 전지, 유기 EL 조명) 등에 적용할 수 있다.
1 : 투명 도전성 필름
1a : 투명 도전층 적층용 필름
1b : 투명 도전층
2 : 투명 수지 필름 기재
3 : 복합층
4 : 투명 수지층 A
5 : 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B (내열층)
6 : 금속층 (보조 전극층)
7 : 개구부
8 : 전사용 기재

Claims (13)

  1. 투명 수지 필름 기재 상에, 적어도, 투명 수지층 A, 개구부를 갖는 금속층, 및 그 개구부에 형성된, 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 가 복합층으로서 적층된 투명 도전층 적층용 필름으로서, 그 복합층의, 그 투명 수지 필름 기재측의 면과는 반대측의 면이, 그 금속층과 그 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 로 이루어지고, 그 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 전체 체적 중의 그 무기 미립자의 함유량이 20 ~ 70 체적％ 인, 투명 도전층 적층용 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 의 두께가 100 ㎚ ∼ 100 ㎛ 인, 투명 도전층 적층용 필름.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 미립자의 누적 90 체적％ 에 있어서의 입경 (D90) 이 200 ㎚ 이하인, 투명 도전층 적층용 필름.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 미립자가 실리카 미립자인, 투명 도전층 적층용 필름.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 복합층의 상기 금속층과 상기 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 로 이루어지는 계면 단차를 포함하는 표면의 JIS-B0601-1994 로 규정되는 산술 평균 조도 Ra 가 40 ㎚ 이하인, 투명 도전층 적층용 필름.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 도전층 적층용 필름에 추가로 가스 배리어층을 포함하는, 투명 도전층 적층용 필름.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 투명 도전층 적층용 필름에 있어서의 복합층 상에 투명 도전층이 적층되어 이루어지는, 투명 도전성 필름.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 투명 도전층의 표면의 JIS-B0601-1994 로 규정되는 산술 평균 조도 Ra가 40 ㎚ 이하인, 투명 도전성 필름.
  9. 대향하는 전극의 적어도 일방이 투명 도전성 필름으로 구성된 전자 디바이스로서, 그 투명 도전성 필름이 제 7 항에 기재된 투명 도전성 필름인, 전자 디바이스.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 전자 디바이스가, 유기 박막 태양 전지 또는 유기 EL 조명인, 전자 디바이스.
  11. 투명 수지 필름 기재 상에, 적어도, 투명 수지층 A, 개구부를 갖는 금속층, 및 그 개구부에 형성된, 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 가 복합층으로서 적층되고, 상기 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 전체 체적 중의 그 무기 미립자의 함유량이 20 ~ 70 체적％ 인 투명 도전층 적층용 필름의 제조 방법으로서, 하기 공정 (A) ∼ (C) 를 포함하는, 투명 도전층 적층용 필름의 제조 방법.
    (A) 전사용 기재 상에 상기 개구부를 갖는 금속층을 형성하고, 그 개구부에 상기 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 를 형성하고, 추가로 상기 투명 수지층 A 를 형성하여 복합층을 형성하는 공정
    (B) 상기 복합층을 상기 투명 수지 필름 기재 상에 적층하는 공정
    (C) 상기 전사용 기재를 박리하고, 상기 복합층의 금속층과 무기 미립자를 포함하는 투명 수지층 B 로 이루어지는 면에 그 전사용 기재의 평활면을 전사하는 공정
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 투명 도전층 적층용 필름의 상기 복합층 상에, 추가로 투명 도전층을 적층시키는 공정을 포함하는, 투명 도전성 필름의 제조 방법.
  13. 삭제
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